技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種n溝道DEMOS器件包括在摻雜表面層(115)內(nèi)形成的限定長度方向和寬度方向的p阱指形件(1201)。包括源極(126)的第一n阱(125a)在p阱指形件的一側(cè)上，并且在p阱指形件的相對側(cè)上的第二n阱(125b)包括漏極(136)。柵極堆疊在源極和漏極之間的p阱指形件(1201)的溝道區(qū)(120a)上方。場介電層(111)在限定第一有源區(qū)(140)的表面層上，該第一有源區(qū)(140)包括第一有源區(qū)邊界(其包括沿著寬度方向的WD邊界(140a1))，在該第一有源區(qū)邊界之中具有溝道區(qū)(120a)。第一p型層(161)在第一有源區(qū)(140)的外部，與WD邊界相距至少第一最小距離，并且第二p型層(162)被較少地?fù)诫s并且比第一最小距離更接近WD邊界。

技術(shù)研發(fā)人員：C·特塞;I·可汗;S·唐
受保護(hù)的技術(shù)使用者：德克薩斯儀器股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.21
技術(shù)公布日：2017.10.31