技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┝艘环N磁性納米線器件、其制作方法與磁性納米線的構(gòu)筑方法。該磁性納米線器件包括依次疊置設(shè)置的襯底、第一電極層、絕緣層、原子阻擋層和第二電極層，其中，第一電極層與第二電極層中的一個(gè)電極層為鐵磁電極層，另一個(gè)電極層為非磁性電極層，磁性納米線器件還包括設(shè)置在鐵磁電極層與絕緣層之間的原子阻擋層，原子阻擋層包括納米通孔。本申請的磁性納米線器件可以有效精確地控制磁性納米線的寬度以及位置，實(shí)現(xiàn)了納米線的限域與穩(wěn)定。該磁性納米線器件實(shí)現(xiàn)了磁電耦合效應(yīng)，為研究新型多級存儲器件提供了載體。

技術(shù)研發(fā)人員：龍世兵;李磊磊;滕蛟;劉琦;呂杭炳;劉明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院微電子研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.20
技術(shù)公布日：2017.09.01