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用于雙基島封裝電路的引線框架的制作方法

文檔序號(hào):11730809閱讀:313來(lái)源:國(guó)知局
用于雙基島封裝電路的引線框架的制作方法與工藝

本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,特別涉及一種用于雙基島封裝電路的引線框架。



背景技術(shù):

在集成電路制造過(guò)程中,芯片制造完成后,需要對(duì)芯片進(jìn)行裝配和封裝;在裝配時(shí),將芯片粘貼在引線框架上,再用導(dǎo)線將芯片表面的壓點(diǎn)和提供芯片電通路的引線框架的引腳互連起來(lái),裝配完成后再將芯片封在一個(gè)保護(hù)管殼內(nèi),完成集成電路封裝。

傳統(tǒng)技術(shù)中,引線框架只有一個(gè)基島,一個(gè)基島無(wú)法實(shí)現(xiàn)兩個(gè)或多個(gè)芯片在背面電氣不導(dǎo)通情況下,芯片和框架形成歐姆接觸,導(dǎo)致使用該引線框架的集成電路板的工作效率低、功能少。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種用于雙基島封裝電路的引線框架。該技術(shù)方案如下:

第一方面,提供了一種用于雙基島封裝電路的引線框架,所述引線框架包括散熱片、兩個(gè)基島和若干個(gè)管腳;

所述散熱片與第一基島連接;

所述若干個(gè)管腳中的一個(gè)管腳上設(shè)置有第二基島;

所述若干個(gè)管腳中除設(shè)置有所述第二基島的管腳以外的一個(gè)管腳與所述第一基島連接。

可選的,所述若干個(gè)管腳通過(guò)連接筋依次連接;

除所述設(shè)置有所述第二基島的管腳以外的管腳上設(shè)置有管腳鍵合區(qū)。

可選的,當(dāng)所述基島上設(shè)置有芯片時(shí),所述芯片的芯片壓點(diǎn)通過(guò)導(dǎo)線與所述管腳鍵合區(qū)鍵合。

可選的,所述第一基島與所述第二基島位于不同平面,所述第一基島與所述第二基島不相連。

可選的,所述散熱片上設(shè)置有定位孔。

可選的,所述第二基島位于所述引線框架的左側(cè);

或,

所述第二基島位于所述引線框架的右側(cè)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是:

該用于雙基島封裝電路的引線框架包括散熱片、兩個(gè)基島和若干個(gè)管腳;散熱片和第一基島連接,若干個(gè)管腳中的一個(gè)管腳上設(shè)置有第二基島,若干個(gè)管腳中除了設(shè)置有第二基島的管腳以外的一個(gè)管腳與第一基島連接;解決了相關(guān)技術(shù)中電路封裝結(jié)構(gòu)中一個(gè)基島無(wú)法兩個(gè)或多個(gè)芯片與引線框架形成歐姆接觸問(wèn)題;達(dá)到了通過(guò)增加基島數(shù)量實(shí)現(xiàn)統(tǒng)一封裝結(jié)構(gòu)中多個(gè)功率器件同時(shí)封裝,提高集成電路功能的效果。

此外,還通過(guò)將第一基島與散熱片連接,在電子元器件封裝后通電產(chǎn)生熱量時(shí),能夠?qū)崃總鬟f給散熱片,由散熱片進(jìn)行散熱,提高封裝電路的散熱效果和封裝電路的可靠性。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的一種用于雙基島封裝電路的引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2是根據(jù)另一示例性實(shí)施例示出的一種用于雙基島封裝電路的引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

這里將詳細(xì)地對(duì)示例性實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明,其示例表示在附圖中。下面的描述涉及附圖時(shí),除非另有表示,不同附圖中的相同數(shù)字表示相同或相似的要素。以下示例性實(shí)施例中所描述的實(shí)施方式并不代表與本發(fā)明相一致的所有實(shí)施方式。相反,它們僅是與如所附權(quán)利要求書中所詳述的、本發(fā)明的一些方面相一致的裝置和方法的例子。

圖1是根據(jù)一示例性實(shí)施例示出的用于雙基島封裝電路的引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是根據(jù)另一示例性實(shí)施例示出的用于雙基島封裝電路的引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖1所示,該用于雙基島封裝電路的引線框架包括散熱片3、兩個(gè)基島和若干個(gè)管腳。

兩個(gè)基島分別為第一基島5和第二基島6。

在圖1中,該用于雙基島封裝電路的引線框架中的引線框架1包括7個(gè)管腳,分別為第一管腳7、第二管腳8、第三管腳9、第四管腳10、第五管腳11、第六管腳12、第七管腳13。

散熱片3與第一基島5連接。

若干個(gè)管腳中的一個(gè)管腳上設(shè)置有第二基島;

若干個(gè)管腳中除設(shè)置有第二基島的管腳以外的一個(gè)管腳與第一基島連接。

在圖1中,第三管腳9上設(shè)置有第二基島6,第七管腳13與第一基島5連接。

其中,第一基島和第二基島用于承載電子元器件的芯片。

兩個(gè)基島上是否都設(shè)置有芯片根據(jù)實(shí)際的電路功能確定。比如:第一基島和第二基島上都設(shè)置有芯片,或者,第一基島上設(shè)置有芯片,第二基島上未設(shè)置有芯片,或者,第一基島上未設(shè)置有芯片,第二基島上設(shè)置有芯片。

可選的,兩個(gè)基島上設(shè)置的芯片的類型根據(jù)實(shí)際的雙基島封裝電路的功能確定。

通過(guò)設(shè)置兩個(gè)基島可以增加封裝電路中芯片的個(gè)數(shù),可以實(shí)現(xiàn)多個(gè)芯片共同工作,提高工作效率和適用范圍,實(shí)現(xiàn)集成電路的小型化和多功能化。

由于在封裝后通電會(huì)產(chǎn)生一定熱量,由于第一基島和散熱片連接,可以將熱量傳遞給散熱片,通過(guò)散熱片將熱量散發(fā),保護(hù)封裝電路。

可選的,散熱片為銅片。

綜上所述,本發(fā)明實(shí)施例提供的用于雙基島封裝電路的引線框架包括散熱片、兩個(gè)基島和若干個(gè)管腳;散熱片和第一基島連接,若干個(gè)管腳中的一個(gè)管腳上設(shè)置有第二基島,若干個(gè)管腳中除了設(shè)置有第二基島的管腳以外的一個(gè)管腳與第一基島連接;解決了相關(guān)技術(shù)中電路封裝結(jié)構(gòu)中一個(gè)基島無(wú)法兩個(gè)或多個(gè)芯片與引線框架形成歐姆接觸問(wèn)題;達(dá)到了通過(guò)增加基島數(shù)量實(shí)現(xiàn)統(tǒng)一封裝結(jié)構(gòu)中多個(gè)功率器件同時(shí)封裝,提高集成電路功能的效果。

此外,還通過(guò)將第一基島與散熱片連接,在通電產(chǎn)生熱量時(shí),能夠?qū)崃總鬟f給散熱片由散熱片進(jìn)行散熱,提高散熱效果。

在基于圖1所示實(shí)施例的可選實(shí)施例中,

第一基島通過(guò)連接區(qū)與散熱片連接。可選的,連接區(qū)的材質(zhì)為金屬。連接區(qū)能夠?qū)⒌谝换鶏u上的熱量傳遞給散熱片。

如圖1、圖2所示,第一基島5通過(guò)連接區(qū)15與散熱片3連接。

若干個(gè)管腳通過(guò)連接筋依次連接。

除設(shè)置有第二基島的管腳以外的管腳上設(shè)置有管腳鍵合區(qū)。

如圖1所示,該用于雙基島封裝電路的引線框架中的引線框架具有7個(gè)管腳,分別為第一管腳7、第二管腳8、第三管腳9、第四管腳10、第五管腳11、第六管腳12和第七管腳13;其中,第七管腳13與第一基島5連接,第三管腳9上設(shè)置有第二基島6;第一管腳7、第二管腳8、第三管腳9、第四管腳10、第五管腳11、第六管腳12和第七管腳13通過(guò)連接筋14依次連接;第一管腳7、第二管腳8、第三管腳9、第五管腳11、第六管腳12和第七管腳13上設(shè)置有管腳鍵合區(qū)。

第一管腳7、第二管腳8、第四管腳10、第五管腳11、第六管腳12和第七管腳13各自的管腳鍵合區(qū)、第一基島5以及第二基島6都鍍銀。

當(dāng)基島上設(shè)置有芯片時(shí),芯片的芯片壓點(diǎn)通過(guò)若干根導(dǎo)線與管腳鍵合區(qū)分別鍵合??蛇x的,導(dǎo)線為銅線。

在基于圖1所示實(shí)施例的可選實(shí)施例中,第一基島和第二基島處于不同平面,第一基島和第二基島不相連。

由于第一基島和第二基島處于不同平面,且第一基島和第二基島不相連,保證在兩個(gè)基島都搭載芯片時(shí),兩個(gè)基島上的芯片處于相互絕緣的狀態(tài),每個(gè)芯片都可以采用鉛錫料裝片,使芯片與引線框架實(shí)現(xiàn)歐姆接觸,令不同芯片不互相干擾,提高了各個(gè)芯片的導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能,減少產(chǎn)品功耗。

如圖1或圖2所示,第一基島5和第二基島6不相連。

在基于圖1所示實(shí)施例的可選實(shí)施例中,散熱片上設(shè)置有定位孔。

如圖1或圖2所示,引線框架1上設(shè)置有定位孔4。

定位孔使得在最終裝配時(shí)令四通道音頻功放封裝電路能夠與散熱器貼緊,令產(chǎn)品能夠更好地散熱。

在基于圖1所示實(shí)施例的可選實(shí)施例中,第二基島位于所述引線框架的左側(cè);或者,第二基島位于所述引線框架的右側(cè)。

如圖1所示,第二基島6位于引線框架1的左側(cè)。

如圖2所示,第二基島6位于引線框架1的右側(cè)。

需要說(shuō)明的是,在圖2中,第一管腳7與第一基島5連接,第七管腳13不與第一基島5連接;第五管腳11上設(shè)置有第二基島6。

在對(duì)管腳進(jìn)行電鍍后,將連接筋14切斷,通過(guò)管腳將該封裝后的電子元器件焊接到相對(duì)應(yīng)的物體上。

上述本發(fā)明實(shí)施例序號(hào)僅僅為了描述,不代表實(shí)施例的優(yōu)劣。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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