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一種可提高光利用率的發(fā)光二極管的芯片結(jié)構(gòu)以及燈具的制作方法

文檔序號(hào):11203240閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種可提高光利用率的發(fā)光二極管的芯片結(jié)構(gòu),以及利用該發(fā)光二極管制作的燈具。芯片結(jié)構(gòu)包括襯底,襯底上方依次沉積有n型半導(dǎo)體層和發(fā)光層,所述發(fā)光層的中部蝕刻有環(huán)形槽并使得n型半導(dǎo)體的部分外露,形成外漏部;n型半導(dǎo)體的外露部依次沉積有n極接觸層和n極電極層;位于環(huán)形槽外的發(fā)光層表面依次沉積有P型半導(dǎo)體層和P極接觸層,P極接觸層表面沉積有環(huán)形的P極電極層。環(huán)形槽的橫截面呈倒錐形;環(huán)形槽的兩側(cè)設(shè)有n型絕緣層。通過(guò)設(shè)置環(huán)形槽,使得n極電極層與p極電極層相對(duì)的面積增大,避免電流集中,影響到發(fā)光效率。

技術(shù)研發(fā)人員:尹寧寧;肖伊茜;肖伊一
受保護(hù)的技術(shù)使用者:蔣雪嬌
技術(shù)研發(fā)日:2017.04.21
技術(shù)公布日:2017.09.29
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