本發(fā)明涉及電子元器件中的有機(jī)光電技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高效非摻雜白光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)：

白光有機(jī)電致發(fā)光器件(organiclight-emittingdevices，oleds)是一種新型顯示技術(shù)，由于其在固態(tài)照明，平板顯示，液晶顯示背光源等方面具有廣泛應(yīng)用前景，以及能夠滿足當(dāng)下全世界對(duì)節(jié)約能源，低碳環(huán)保和綠色生活的要求，得到了廣泛研究和開(kāi)發(fā)。

oled器件結(jié)構(gòu)中，其中一個(gè)最重要成份是發(fā)光材料。第一代oled發(fā)光材料為有機(jī)熒光材料，只能利用25％的單線態(tài)激子進(jìn)行發(fā)光，而75％的三線態(tài)激子以非輻射形式失活，因此理論發(fā)光效率較低。第二代oled發(fā)光材料為金屬配合物磷光材料，通過(guò)引入如銥(ir)和鉑(pt)等稀有貴金屬增強(qiáng)自旋軌道耦合，實(shí)現(xiàn)單線態(tài)和三線態(tài)的系間竄躍，利用了25％的單線態(tài)激子和75％的三線態(tài)激子進(jìn)行發(fā)光，理論上可以實(shí)現(xiàn)100％的激子利用率，并被廣泛使用。但是，目前還存在藍(lán)色磷光材料壽命短的瓶頸問(wèn)題，阻礙其市場(chǎng)發(fā)展。2012年日本九州大學(xué)的adachi等人報(bào)道了一種熱激活延遲熒光(thermallyactivateddelayedfluorescence，tadf)材料，這種材料分子的單線態(tài)和三線態(tài)的能級(jí)差很小，導(dǎo)致在常溫下就能發(fā)生三線態(tài)到單線態(tài)的電子系間反竄躍，從而也能達(dá)到理論上100％的激子利用率，成為目前較為流行的第三代oled發(fā)光材料。大多數(shù)發(fā)光染料在聚集狀態(tài)下容易發(fā)生猝滅效應(yīng)，使得發(fā)光降低，因此需要采用物理?yè)诫s方法，形成主客體摻雜結(jié)構(gòu)，克服聚集發(fā)光猝滅問(wèn)題。然而，這中物理?yè)诫s方法也帶來(lái)了諸多問(wèn)題，例如多個(gè)發(fā)光材料(尤其是低能量的紅光、橙光和黃光發(fā)光材料)的低摻雜比例難以精確控制，制備工藝復(fù)雜，器件重復(fù)性低，生產(chǎn)成本高等。為此，學(xué)者們提出非摻雜結(jié)構(gòu)制備oled器件，用以簡(jiǎn)化器件結(jié)構(gòu)和制備工藝。但是這種非摻雜結(jié)構(gòu)，目前主要用于含重金屬元素的磷光發(fā)光材料。雖然簡(jiǎn)化了器件結(jié)構(gòu)，并且器件性能可達(dá)到摻雜器件的高性能，但是重金屬含量稀少，價(jià)格昂貴，使得oled器件的生產(chǎn)成本較高。因此，采用不含重金屬的熒光發(fā)光材料，通過(guò)器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與優(yōu)化，為制備簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)、高性能、低成本的白光oled提供一個(gè)有效的解決方法。

白光oled器件中通常使用藍(lán)、黃互補(bǔ)色原理的兩種發(fā)光染料，或是紅、綠、藍(lán)三基色原理的三種發(fā)光染料。對(duì)比可知，采用互補(bǔ)色原理制備白光器件，減少使用發(fā)光材料數(shù)目，有利于簡(jiǎn)化器件結(jié)構(gòu)。由于第一代熒光發(fā)光材料內(nèi)量子效率較低，用其制備非摻雜白光器件，器件效率受到很大限制。第三代tadf發(fā)光材料，大多數(shù)都是采用摻雜結(jié)構(gòu)制備高性能oled器件。此外，基于全部tadf發(fā)光材料制備的白光器件，具有很?chē)?yán)重的效率滾降，即在高電流下，效率迅速下降，這是因?yàn)閠adf發(fā)光材料的三線態(tài)激子具有較長(zhǎng)的壽命而導(dǎo)致的三線態(tài)-三線態(tài)和單線態(tài)-三線態(tài)激子猝滅現(xiàn)象。為此，學(xué)者們提出一種結(jié)合第一代熒光材料和第三代tadf發(fā)光材料，制備白光oled器件的方法。但是，為了避免激子形成在低效率的第一代熒光材料上，這種解決方法需要達(dá)到的必要條件是：1)控制發(fā)光區(qū)域在tadf區(qū)域，這需要在第一代熒光材料和第三代tadf發(fā)光材料中間添加一層間隔層[adv.mater.2015,27,2019-2023]，這就引入了額外的異質(zhì)結(jié)；或者2)將第一代熒光材料以非常低的濃度摻雜在第三代tadf發(fā)光材料主體中[org.electron.2015,23,138-143]，這大大增加了制備工藝的難度和可控性。因此可見(jiàn)，結(jié)合非摻雜的第一代熒光材料和非摻雜的第三代tadf發(fā)光材料，通過(guò)優(yōu)化的材料選擇和器件結(jié)構(gòu)涉及，獲得高性能器件，能夠簡(jiǎn)化器件結(jié)構(gòu)和制備工藝，降低效率滾降，還有利于降低生產(chǎn)成本，同時(shí)，兩個(gè)非摻雜發(fā)光層直接相鄰，不需要間隔層，有效利用能量傳遞作用的同時(shí)，還能夠減少多余異質(zhì)結(jié)帶來(lái)的不利影響，是實(shí)現(xiàn)白光oled器件的理想選擇，但是目前還沒(méi)有相關(guān)報(bào)道。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種高效非摻雜白光有機(jī)電致發(fā)光器件，其利用常規(guī)的、性能優(yōu)良的藍(lán)色熒光發(fā)光材料結(jié)合高效率的熱激活延遲熒光特性黃色熒光發(fā)光材料，采用藍(lán)色熒光發(fā)光材料和黃色熒光發(fā)光材料非摻雜結(jié)構(gòu)的發(fā)光層，二者僅僅相鄰，藍(lán)色熒光發(fā)光材料的三線態(tài)激子能夠有效地傳遞給黃色熒光發(fā)光材料，從而提高激子利用率，提高器件性能，通過(guò)只利用兩種非金屬的熒光發(fā)光材料和簡(jiǎn)單的器件結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)高效率、低滾降和低成本的白光器件。

本發(fā)明的另一目的是提供上述高效非摻雜白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。

本發(fā)明所提出的技術(shù)問(wèn)題是這樣解決的：一種高效非摻雜白光有機(jī)電致發(fā)光器件，由下而上依次包括：襯底、陽(yáng)極層、有機(jī)功能層和陰極層，其特征在于：所述的有機(jī)功能層由下而上依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，所述發(fā)光層由以下兩種方式之一構(gòu)成：①由靠近空穴傳輸層的具有熱激活延遲熒光特性的黃色熒光發(fā)光材料層，以及靠近電子傳輸層的常規(guī)藍(lán)色熒光發(fā)光材料層組成，所述黃色熒光發(fā)光材料層的厚度為1-10nm；②由靠近空穴傳輸層的常規(guī)藍(lán)色熒光發(fā)光材料層，以及靠近電子傳輸層的具有熱激活延遲熒光特性的黃色熒光發(fā)光材料層組成，所述黃色熒光發(fā)光材料層的厚度為1-10nm。

上述白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

①對(duì)襯底進(jìn)行超聲清洗，清洗后放入烘箱進(jìn)行烘干；

②將襯底移入真空鍍膜室中，按照從下至上的順序，通過(guò)干法或濕法制備，依次分別制備陽(yáng)極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層，制得白光有機(jī)電致發(fā)光器件；

③將制備完成的白光有機(jī)電致發(fā)光器件在氮?dú)夥諊鷥?nèi)進(jìn)行封裝。

本發(fā)明所涉及的材料為常規(guī)性能優(yōu)良的有機(jī)半導(dǎo)體材料，材料的選擇范圍廣，采用常規(guī)藍(lán)色熒光發(fā)光材料和tadf黃色熒光發(fā)光材料，藍(lán)色熒光發(fā)光材料和tadf黃色熒光發(fā)光材料緊緊相鄰，激子形成區(qū)域主要位于黃色熒光發(fā)光材料以及藍(lán)色熒光發(fā)光材料與黃色熒光發(fā)光材料的界面處，藍(lán)色熒光材料的三線態(tài)激子能級(jí)高于黃色熒光發(fā)光材料單線態(tài)和三線態(tài)激子能級(jí)，能夠產(chǎn)生有效的能量傳遞作用，使得藍(lán)色熒光材料不發(fā)光的三線態(tài)激子得以充分利用，并且利用熱激活延遲熒光特性，使得全部激子得以充分利用，提高器件效率。同時(shí)，采用非摻雜發(fā)光層結(jié)構(gòu)，以解決oled制備過(guò)程中難以控制的主客體摻雜工藝問(wèn)題，利用最少的發(fā)光材料和有機(jī)功能材料獲得白光器件，能夠簡(jiǎn)化操作工藝，降低生產(chǎn)成本。再者，與全部采用tadf發(fā)光材料的白光器件相比，結(jié)合常規(guī)熒光發(fā)光材料與tadf發(fā)光材料的白光器件具有較低的效率滾降和高穩(wěn)定性。本發(fā)明從材料工藝和器件制備的角度開(kāi)辟了一條獨(dú)具特色的途徑。本發(fā)明提供制備高效率的白光有機(jī)電致發(fā)光器件，具有效率高、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低等優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的高效率非摻雜白光有機(jī)電致發(fā)光器件以及實(shí)施例1、2、3的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明所提供的實(shí)施例4、5、6的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明所提供的實(shí)施例1中器件a的光電特性曲線，其中，實(shí)心方形曲線代表電流密度(currentdensity)-電壓(voltage)特性曲線，實(shí)心圓形曲線代表亮度(luminance)-電壓(voltage)特性曲線。

圖4是本發(fā)明所提供的實(shí)施例1中器件a的外量子效率(externalquantumefficiency)-電流密度(currentdensity)特性曲線。

其中，襯底1，陽(yáng)極層2，空穴注入層3，空穴傳輸層4，黃色熒光發(fā)光材料層5，藍(lán)色熒光發(fā)光材料層6，電子傳輸層7，陰極層8，外加電源9。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述：

如圖所示，本發(fā)明是一種高效非摻雜白光有機(jī)電致發(fā)光器件，由下而上依次包括：襯底1、陽(yáng)極層2、有機(jī)功能層和陰極層8。有機(jī)功能層由下而上依次包括空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層、電子傳輸層7。

發(fā)光層可以是由以下兩種方式之一構(gòu)成：①由靠近空穴傳輸層4的具有熱激活延遲熒光特性(tadf)的黃色熒光發(fā)光材料層5，以及靠近電子傳輸層7的常規(guī)藍(lán)色熒光發(fā)光材料層6組成，所述黃色熒光發(fā)光材料層5的厚度為1-10nm；②由靠近空穴傳輸層4的常規(guī)藍(lán)色熒光發(fā)光材料層6，以及靠近電子傳輸層7的具有熱激活延遲熒光特性的黃色熒光發(fā)光材料層5組成，所述黃色熒光發(fā)光材料層5的厚度為1-10nm。

tadf黃色熒光發(fā)光材料層5和藍(lán)色熒光發(fā)光材料層6，在器件外加電壓的驅(qū)動(dòng)下形成激子，產(chǎn)生發(fā)光。優(yōu)選的，藍(lán)色熒光發(fā)光材料的三線態(tài)激子能級(jí)高于黃色熒光發(fā)光材料的單線態(tài)激子和三線態(tài)激子能級(jí)，并且藍(lán)色熒光發(fā)光材料和黃色熒光發(fā)光材料緊緊相鄰。激子形成區(qū)域主要位于黃色熒光發(fā)光材料以及藍(lán)色熒光發(fā)光材料與黃色熒光發(fā)光材料的界面處，當(dāng)激子形成在所述藍(lán)色熒光發(fā)光材料和黃色熒光發(fā)光材料上時(shí)，所述藍(lán)色熒光發(fā)光材料不發(fā)光的三線態(tài)激子能夠有效地通過(guò)能量傳遞作用傳遞給所述黃色熒光發(fā)光材料的單線態(tài)和三線態(tài)激子。

空穴注入層3作為陽(yáng)極層2和空穴傳輸層4的連接層，聚合很好的導(dǎo)電性，優(yōu)選有機(jī)導(dǎo)電聚合物材料聚(3,4-乙撐二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸)(pedot:pss)或者金屬氧化物材料三氧化鉬(moo3)。

優(yōu)選的，所述空穴傳輸層4材料為咔唑類化合物、芳香族三胺類化合物或星形三苯胺類化合物中的一種或兩種以上的混合。例如：咔唑類化合物可以是1,3-二(咔唑-9-yl)苯(mcp)、4,4’,4”-三(咔唑-9-yl)三苯胺(tcta)、4,4’-二(咔唑-9-yl)聯(lián)苯(cbp)或者3,3-二(9h-咔唑-9-yl)聯(lián)苯(mcbp)。芳香族三胺類化合物可以是二-[4-(n,n-聯(lián)甲苯-氨基)-苯基]環(huán)己烷(tapc)。星形三苯胺類化合物可以是分子中心含有苯基(tdab系列)、三苯胺(ptdata系列)或者1,3,5-三苯基苯(tdapb系列)的星形三苯胺類化合物的一種或兩種以上的混合。

優(yōu)選的，所述具有熱激活延遲熒光特性黃色熒光發(fā)光材料層5的材料分子結(jié)構(gòu)中包括電子給體基團(tuán)和電子受體基團(tuán)。例如：電子給體基團(tuán)包括吩噻嗪基團(tuán)系列、三苯胺基團(tuán)系列、咔唑基團(tuán)系列、吖啶基團(tuán)系列中的一種或兩種以上的混合；電子受體基團(tuán)包括二苯甲酮系列、二苯砜基團(tuán)系列、苯二甲腈基團(tuán)系列、三苯三嗪基團(tuán)系列、苯基氧化膦基團(tuán)系列、氧硫雜蒽氧化系列或者硫雜蒽酮基團(tuán)系列中的一種。

優(yōu)選的，所述常規(guī)藍(lán)色熒光發(fā)光材料層6采用二苯乙烯衍生物、三苯乙烯、四苯乙烯衍生物、咔唑類衍生物、硼類或者鈹類衍生物的一種。例如：二苯乙烯衍生物為4,4’-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1’-聯(lián)苯(dpvbi)或者1-4-二-[4-(n,n-二-苯)胺基]苯乙烯基-苯(dsa-ph)；三苯乙烯或四苯乙烯衍生物為9,9'-((2-(4'-(9氫-咔唑-9-yl)-[1,1'-聯(lián)苯]-4-yl)乙烯-1,1-diyl)雙(4,1-亞苯基))雙(9氫-咔唑)(2cztpepcz)；咔唑類衍生物為4,4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1’-聯(lián)苯(bczvbi)或1,4-雙[2-(3-n-乙烷咔唑)乙烯基]苯(bczvb)；硼類衍生物為二氟[6-異亞甲基丙酮-n-(2-(1h)-喹啉甲基-kn)-(6-異亞甲基丙酮-2-喹啉甲基-kn1)]硼(mqab)；鈹類衍生物為雙(2-(2-羥苯基)-吡啶)鈹(bepp2)。

所述電子傳輸層7所使用的材料為金屬配合物、噁二唑類化合物、喹喔啉類化合物、含氮雜環(huán)化合物、膦氧基化合物、蒽類化合物、有機(jī)硼材料或者有機(jī)硫材料中的一種或兩種以上的混合。例如：金屬配合物是8-羥基喹啉鋁(alq3)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(對(duì)苯基苯酚)鋁(balq)、8-羥基喹啉鋰(liq)、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹(bebq2)或者雙[2-(2-羥基苯基-1)-吡啶]鈹(bepp2)；噁二唑類化合物為2-(4-二苯基)-5-(4-叔丁苯基)-1,3,4-噁二唑18(pbd)或者1,3-二[2-(4-特丁基苯)-1,3,4-噁二唑-5-yl]苯(oxd-7)；含氮雜環(huán)化合物為1,3,5-(三n-苯基-2-苯并咪唑-2)苯41(tpbi)、4,7-聯(lián)二苯-1,10-鄰二氮雜菲(bphen)、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)二苯-1,10-鄰二氮雜菲(bcp)、3-(4-二苯)-4-苯-5-特丁基苯-1,2,4-苯三唑(taz)、3,5,3”,5”-四-3-吡啶-[1,1’；3’,1”]三聯(lián)苯(b3pypb)、3-(二苯基磷酸氯)-9-苯-9h-咔唑(ppo1)或3,6-雙(二苯基磷酸氯)-9-苯-9h-咔唑(ppo2)；膦氧基化合物是二(2-(二苯基膦基)苯)醚氧化物(dpepo)或者2,8-二(二甲苯磷酸)硫芴(po15)；蒽類化合物為9,10-二-(2-萘基)蒽(and)；有機(jī)硼材料為三(2,4,6-三甲基-3-(吡啶-3-yl)苯)硼烷(3tpymb)；有機(jī)硫材料為2,8-二(二甲苯磷酸)硫芴(po15)等。

襯底1為電極和有機(jī)薄膜層的依托，它在可見(jiàn)光區(qū)域有著良好的透光性能，有一定的防水汽和氧氣滲透的能力，有較好的表面平整性，它可以是玻璃或柔性基片，柔性基片采用聚酯類、聚酞亞胺化合物中的一種材料或者較薄的金屬。

陽(yáng)極層2作為白光有機(jī)電致發(fā)光器件正向電壓的連接層，它要求有較好的導(dǎo)電性能、可見(jiàn)光透明性以及較高的功函數(shù)。通常采用無(wú)機(jī)金屬氧化物(如氧化銦錫ito)或高功函數(shù)的金屬材料(如金、銅、銀、鉑)。

陰極層7作為器件負(fù)向電壓的連接層，它要求具有較好的導(dǎo)電性能和較低的功函數(shù)，陰極通常為低功函數(shù)金屬材料鋰、鎂、鈣、鍶、鋁、銦等功函數(shù)較低的金屬或它們與銅、金、銀的合金；或者一層很薄的緩沖絕緣層(如lif、mgf2)和前面所提到的金屬或合金。

上述白光有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，其包括以下步驟：

①對(duì)襯底進(jìn)行超聲清洗，清洗后放入烘箱進(jìn)行烘干。

②將襯底移入真空鍍膜室中，按照從下至上的順序，通過(guò)干法或濕法制備，依次分別制備陽(yáng)極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層，制得白光有機(jī)電致發(fā)光器件。各層可以直接依次干法制備，或者經(jīng)過(guò)有機(jī)溶劑稀釋后經(jīng)過(guò)濕法工藝依次制備于襯底上，例如通過(guò)真空蒸鍍、離子團(tuán)束沉積、離子鍍、直流濺射鍍膜、射頻濺射鍍膜、離子束濺射鍍膜、離子束輔助沉積、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、高密度電感耦合式等離子體源化學(xué)氣相沉積、觸媒式化學(xué)氣相沉積、磁控濺射、電鍍、旋涂、浸涂、噴墨打印、輥涂、lb膜中的一種或者幾種方式而形成。各層的工藝可以相同或不同。

③將制備完成的白光有機(jī)電致發(fā)光器件在氮?dú)夥諊鷥?nèi)進(jìn)行封裝。

采用本發(fā)明制備的有機(jī)光電器件結(jié)構(gòu)舉例如下：

玻璃/ito/pedot:ps/空穴傳輸層/tadf黃色熒光發(fā)光材料層/藍(lán)色熒光發(fā)光材料層/電子傳輸層/陰極層

玻璃/ito/pedot:ps/空穴傳輸層/藍(lán)色熒光發(fā)光材料層/tadf黃色熒光發(fā)光材料層/電子傳輸層/陰極層

柔性襯底/ito/pedot:ps/空穴傳輸層/tadf黃色熒光發(fā)光材料層/藍(lán)色熒光發(fā)光材料層/電子傳輸層/陰極層

柔性襯底/ito/pedot:ps/空穴傳輸層/藍(lán)色熒光發(fā)光材料層/tadf黃色熒光發(fā)光材料層/電子傳輸層/陰極層

以下是本發(fā)明的具體實(shí)施例：

實(shí)施例1

如圖1所示，器件結(jié)構(gòu)中的空穴注入層3為pedot:pss，空穴傳輸層4為cbp，tadf黃色熒光發(fā)光材料層5為opdpo(其中電子給體基團(tuán)是吩噻嗪基團(tuán)，電子受體基團(tuán)是二苯甲酮基團(tuán))，藍(lán)色熒光發(fā)光材料層6為三苯乙烯衍生物2cztpepcz，電子傳輸層7所用材料為tpbi，陰極層8為mg:ag合金，比例為10：1。其中，opdpo的單線態(tài)和三線態(tài)激子能級(jí)分別為2.61ev和2.59ev，2cztpepcz的三線態(tài)激子能級(jí)為2.65ev。整個(gè)器件結(jié)構(gòu)為：

玻璃襯底/ito/pedot:pss(40nm)/cbp(20nm)/opdpo(4nm)/2cztpepcz(15nm)/tpbi(40nm)/mg:ag(10:1，200nm)，此器件標(biāo)記為器件a。

制備方法如下：

(1)分別用洗滌劑、去離子水、丙酮和乙醇溶液對(duì)透明導(dǎo)電基片ito玻璃進(jìn)行超聲清洗，清洗后放入烤箱進(jìn)行烘干。其中玻璃襯底上面的ito膜作為器件的陽(yáng)極層2，ito膜的方塊電阻為8ω/sq，膜厚為120nm。

(2)將干燥后的基片移入氧等離子處理室，在氣壓1pa的真空腔體內(nèi)對(duì)ito基片進(jìn)行氧等離子處理15分鐘。

(3)在氧等離子處理后的ito基片上，以2000rpm轉(zhuǎn)速旋涂pedot:pss，維持60秒，然后在150℃熱臺(tái)上進(jìn)行退火20分鐘。

(4)將處理后的透明襯底傳入高真空有機(jī)蒸鍍室，抽真空至氣壓達(dá)到4×10^-3pa以下，按照從下至上的順序依次蒸鍍各有機(jī)功能層，包括空穴傳輸層4、發(fā)光層、電子傳輸層7和陰極層8。其中，空穴傳輸層4(cbp)和電子傳輸層7(tpbi)的蒸鍍速率均為1nm/s，tadf黃色熒光發(fā)光材料層5(opdpo)和藍(lán)色熒光發(fā)光材料層6(2cztpepcz)的蒸鍍速率為0.02-0.05nm/s，陰極層8(mg:ag)比例為10:1，蒸鍍鎂的速率為10nm/s，蒸鍍銀的速率為1nm/s，蒸鍍速率及厚度由安裝在基片附近的膜厚儀監(jiān)控。

(5)將制備完成的器件傳送到充有氮?dú)獾氖痔紫溥M(jìn)行封裝，并測(cè)試器件的光電特性和器件的電致發(fā)光光譜。

表1是本發(fā)明所提供的實(shí)施例1中器件a的光電性能參數(shù)。

表1

實(shí)施例2

如圖1所示，器件結(jié)構(gòu)中的空穴注入層3為pedot:pss，空穴傳輸層4為cbp，tadf黃色熒光發(fā)光材料層5為opdpo(其中電子給體基團(tuán)是吩噻嗪基團(tuán)，電子受體基團(tuán)是二苯甲酮基團(tuán))，藍(lán)色熒光發(fā)光材料層6為三苯乙烯衍生物2cztpepcz，電子傳輸層7所用材料為tpbi，陰極層8為mg:ag合金，比例為10：1。其中，opdpo的單線態(tài)和三線態(tài)激子能級(jí)分別為2.61ev和2.59ev，2cztpepcz的三線態(tài)激子能級(jí)為2.65ev。整個(gè)器件結(jié)構(gòu)為：

玻璃襯底/ito/pedot:pss(40nm)/cbp(20nm)/opdpo(10nm)/2cztpepcz(20nm)/tpbi(40nm)/mg:ag(10:1，200nm)。

器件的制備步驟與實(shí)施例1相似。

實(shí)施例3

如圖1所示，器件結(jié)構(gòu)中的空穴注入層3為pedot:pss，空穴傳輸層4為cbp，tadf黃色熒光發(fā)光材料層5為opdpo(其中電子給體基團(tuán)是吩噻嗪基團(tuán)，電子受體基團(tuán)是二苯甲酮基團(tuán))，藍(lán)色熒光發(fā)光材料層6為三苯乙烯衍生物2cztpepcz，電子傳輸層7所用材料為3tpymb，陰極層8為mg:ag合金，比例為10：1。其中，opdpo的單線態(tài)和三線態(tài)激子能級(jí)分別為2.61ev和2.59ev，2cztpepcz的三線態(tài)激子能級(jí)為2.65ev。整個(gè)器件結(jié)構(gòu)為：

玻璃襯底/ito/pedot:pss(40nm)/cbp(20nm)/opdpo(1nm)/2cztpepcz(14nm)/3tpymb(40nm)/mg:ag(10:1，200nm)。

器件的制備步驟與實(shí)施例1相似。

實(shí)施例4

如圖2所示，器件結(jié)構(gòu)中的空穴注入層3為pedot:pss，空穴傳輸層4為mcp，tadf黃色熒光發(fā)光材料層5為opdpo(其中電子給體基團(tuán)是吩噻嗪基團(tuán)，電子受體基團(tuán)是二苯甲酮基團(tuán))，藍(lán)色熒光發(fā)光材料層6為三苯乙烯衍生物2cztpepcz，電子傳輸層7所用材料為tpbi，陰極層8為mg:ag合金，比例為10：1。其中，opdpo的單線態(tài)和三線態(tài)激子能級(jí)分別為2.61ev和2.59ev，2cztpepcz的三線態(tài)激子能級(jí)為2.65ev。整個(gè)器件結(jié)構(gòu)為：

玻璃襯底/ito/pedot:pss(40nm)/cbp(20nm)/2cztpepcz(20nm)/opdpo(5nm)/tpbi(40nm)/mg:ag(10:1，200nm)。

器件的制備步驟與實(shí)施例1相似。

實(shí)施例5

如圖2所示，器件結(jié)構(gòu)中的空穴注入層3為moo3，空穴傳輸層4為mcp，tadf黃色熒光發(fā)光材料層5為opdpo(其中電子給體基團(tuán)是吩噻嗪基團(tuán)，電子受體基團(tuán)是二苯甲酮基團(tuán))，藍(lán)色熒光發(fā)光材料層6為三苯乙烯衍生物2cztpepcz，電子傳輸層7所用材料為tpbi，陰極層8為mg:ag合金，比例為10：1。其中，opdpo的單線態(tài)和三線態(tài)激子能級(jí)分別為2.61ev和2.59ev，2cztpepcz的三線態(tài)激子能級(jí)為2.65ev。整個(gè)器件結(jié)構(gòu)為：

玻璃襯底/ito/moo3(1nm)/cbp(20nm)/2cztpepcz(15nm)/opdpo(2nm)/tpbi(40nm)/mg:ag(10:1，200nm)。

器件的制備步驟與實(shí)施例1相似，其中步驟(3)為：

將氧等離子處理后的ito基片傳入高真空有機(jī)蒸鍍室，氣壓為4×10^-3pa以下，蒸鍍moo3，蒸鍍速率均為0.01nm/s。

實(shí)施例6

如圖2所示，器件結(jié)構(gòu)中的空穴注入層3為moo3，空穴傳輸層4為mcp，tadf黃色熒光發(fā)光材料層5為opdpo(其中電子給體基團(tuán)是吩噻嗪基團(tuán)，電子受體基團(tuán)是二苯甲酮基團(tuán))，藍(lán)色熒光發(fā)光材料層6為三苯乙烯衍生物2cztpepcz，電子傳輸層7所用材料為3tpymb，陰極層8為mg:ag合金，比例為10：1。其中，opdpo的單線態(tài)和三線態(tài)激子能級(jí)分別為2.61ev和2.59ev，2cztpepcz的三線態(tài)激子能級(jí)為2.65ev。整個(gè)器件結(jié)構(gòu)為：

玻璃襯底/ito/moo3(8nm)/cbp(20nm)/2cztpepcz(14nm)/opdpo(1nm)/3tpymb(40nm)/mg:ag(10:1，200nm)。

器件的制備步驟與實(shí)施例5相似。