本公開總體上涉及具有虛擬接地能力的板級(jí)屏蔽件。

背景技術(shù)：

此部分提供與本公開有關(guān)的背景信息，其未必是現(xiàn)有技術(shù)。

電子裝置的操作中的常見問題是在設(shè)備的電子電路內(nèi)生成電磁輻射。這種輻射可能導(dǎo)致電磁干擾(emi)或射頻干擾(rfi)，這可能干擾一定距離內(nèi)的其它電子裝置的操作。在沒有充分屏蔽的情況下，emi/rfi干擾可導(dǎo)致重要信號(hào)的衰減或完全丟失，從而致使電子設(shè)備低效或無(wú)法工作。

減輕emi/rfi影響的常見解決方案是借助使用能夠吸收和/或反射和/或重定向emi能量的屏蔽件。這些屏蔽件典型地用于使emi/rfi限制于其源內(nèi)，并且用于將emi/rfi源附近的其它裝置絕緣。例如，板級(jí)屏蔽件廣泛用于保護(hù)敏感的電子裝置免受系統(tǒng)間和系統(tǒng)內(nèi)的電磁干擾，并且減少來自嘈雜的集成電路(ic)的不期望的電磁輻射。

如本文所使用的術(shù)語(yǔ)“emi”應(yīng)該被認(rèn)為總體上包括并指代emi發(fā)射和rfi發(fā)射，并且術(shù)語(yǔ)“電磁的”應(yīng)該被認(rèn)為通常包括并指代來自外部源和內(nèi)部源的電磁和射頻。因此，(如本文所使用的)術(shù)語(yǔ)屏蔽廣義地包括并指代諸如通過吸收、反射、阻擋和/或重定向能量或其某一組合來減輕(或限制)emi和/或rfi，以使得emi和/或rfi例如對(duì)于政府合規(guī)和/或?qū)τ陔娮硬考到y(tǒng)的內(nèi)部功能不再干擾。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

此部分提供本公開的一般概述，并且不是其全部范圍或其所有特征的全面公開。

根據(jù)各個(gè)方面，公開了具有虛擬接地能力的板級(jí)屏蔽件的示例性實(shí)施方式。在示例性實(shí)施方式中，板級(jí)屏蔽件包括一個(gè)或更多個(gè)諧振器，其被配置為可操作用于將板級(jí)屏蔽件虛擬地連接至接地平面或屏蔽表面。還公開了與制備具有虛擬接地能力的板級(jí)屏蔽件有關(guān)的方法的示例性實(shí)施方式。另外，公開了與通過使用具有虛擬接地能力的板級(jí)屏蔽件來為基板上的一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽有關(guān)的方法的示例性實(shí)施方式。還公開了與制造系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)屏蔽模塊有關(guān)的方法以及與為系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)模塊的一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽有關(guān)的方法的示例性實(shí)施方式。

在示例性實(shí)施方式中，板級(jí)屏蔽件包括一個(gè)或更多個(gè)諧振器，所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器被配置為可操作用于將板級(jí)屏蔽件虛擬地連接至接地平面。

所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器包括至少一個(gè)l-c諧振器，所述l-c諧振器包括電感器和電容器。所述電感器可以連接至板級(jí)屏蔽件的一部分，并且所述電容器可以連接至所述電感器?；蛘?，所述電容器可以連接至板級(jí)屏蔽件的一部分，并且所述電感器可以連接至所述電容器。所述電容器可以是電容貼片。所述電感器可以是電感銷。所述電感器可以是非直線的電感元件，從而增加所述電感器的長(zhǎng)度而不必增加板級(jí)屏蔽件的總高度。

所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以包括沿著板級(jí)屏蔽件的各個(gè)側(cè)面的多個(gè)諧振器，使得該板級(jí)屏蔽件能夠虛擬地連接至接地平面，而無(wú)需直接在板級(jí)屏蔽件與接地平面之間的物理電連接。

所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以包括沿著板級(jí)屏蔽件的各個(gè)側(cè)面的多個(gè)l-c諧振器。沿著板級(jí)屏蔽件的相應(yīng)側(cè)面的所述多個(gè)l-c諧振器可以沿著板級(jí)屏蔽件的相應(yīng)側(cè)面彼此等距地間隔開。

所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以包括彼此間隔開并且通常圍繞bls的外周邊設(shè)置的多個(gè)l-c諧振器。

所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以被配置為以預(yù)定諧振頻率諧振。

所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以連接至板級(jí)屏蔽件的上屏蔽表面。

所述板級(jí)屏蔽件可以包括上屏蔽表面以及從該上表面懸垂的一個(gè)或更多個(gè)上側(cè)壁部分。所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以連接至所述上側(cè)壁部分。上屏蔽表面可以與上側(cè)壁部分成一體或可拆卸地附接至上側(cè)壁部分。

所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以包括至少一個(gè)l-c諧振器，所述至少一個(gè)l-c諧振器包括電感器和電容器。該電感器可以包括導(dǎo)電線，該導(dǎo)電線具有連接至電容器的第一端以及連接至板級(jí)屏蔽件的一部分的第二端。

所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以包括至少一個(gè)l-c諧振器，所述至少一個(gè)l-c諧振器包括電感器和電容器。該電感器可以包括接合線，該接合線具有線接合至電容器的第一端以及線接合至板級(jí)屏蔽件的一部分的第二端。所述接合線可以是非直線的并且被配置為從電容器向板級(jí)屏蔽件的所述部分非直線地延伸。電容器可以被設(shè)置在板級(jí)屏蔽件的周邊外側(cè)。所述接合線的第二端可以在從板級(jí)屏蔽件的周邊向內(nèi)的位置處線接合至板級(jí)屏蔽件的所述部分。

電子裝置可以包括接地平面和板級(jí)屏蔽件。所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以將板級(jí)屏蔽件虛擬地連接至接地平面，而無(wú)需直接在板級(jí)屏蔽件與接地平面之間的物理電連接。

電子裝置可以包括印刷電路板，該印刷電路板包括具有一個(gè)或更多個(gè)部件的第一側(cè)以及具有接地平面的第二側(cè)。板級(jí)屏蔽件可以相對(duì)于印刷電路板定位，使得沿著印刷電路板的第一側(cè)的所述一個(gè)或更多個(gè)部件在由板級(jí)屏蔽件限定的內(nèi)部?jī)?nèi)，并且使得所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器將板級(jí)屏蔽件虛擬地連接至沿著印刷電路板的第二側(cè)的接地平面。

印刷電路板可以包括沿著第一側(cè)的導(dǎo)電部分，其電連接至接地平面。所述板級(jí)屏蔽件還可以包括拐角部，該拐角部包括焊接到印刷電路板的導(dǎo)電部分的安裝腳，使得焊料提供從安裝腳到印刷電路板的導(dǎo)電部分的直接電連接。板級(jí)屏蔽件可以在拐角部具有與地的直接電連接，并且經(jīng)由所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器進(jìn)行虛擬接地。

系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)模塊可以包括板級(jí)屏蔽件。一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以被配置為可操作用于虛擬地連接至所述板級(jí)屏蔽件的上屏蔽表面。

所述系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)模塊還可以包括包封和/或被包覆成型到所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器上的介電材料。所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以通過所述介電材料虛擬地連接至板級(jí)屏蔽件的上屏蔽表面，而無(wú)需直接在所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器與上屏蔽表面之間的物理電連接。

所述系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)模塊還可以包括印刷電路板，該印刷電路板包括具有一個(gè)或更多個(gè)部件的第一側(cè)以及具有接地平面的第二側(cè)。介電材料可以包封和/或被包覆成型到沿著印刷電路板的第一側(cè)的所述一個(gè)或更多個(gè)部件上以及所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器上。所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以包括多個(gè)l-c諧振器。每個(gè)l-c諧振器可以包括附接至或沿著印刷電路板的第一側(cè)的電容器以及附接至所述電容器的電感器。所述l-c諧振器可以彼此間隔開并且通常圍繞所述一個(gè)或更多個(gè)部件設(shè)置。板級(jí)屏蔽件的上屏蔽表面可以在所述一個(gè)或更多個(gè)部件上方包括介電材料上的導(dǎo)電層或涂層。所述l-c諧振器可以虛擬地連接至沿著印刷電路板的第二側(cè)的接地平面，而無(wú)需直接在l-c諧振器與接地平面之間的物理電連接。所述l-c諧振器可以通過介電材料虛擬地連接至板級(jí)屏蔽件的上屏蔽表面，而無(wú)需直接在l-c諧振器與上屏蔽表面之間的物理電連接。所述l-c諧振器和上屏蔽表面可操作用于為所述一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽。

在示例性實(shí)施方式中，系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)屏蔽模塊包括印刷電路板，該印刷電路板包括具有一個(gè)或更多個(gè)部件的第一側(cè)。多個(gè)諧振器彼此間隔開并且通常圍繞所述一個(gè)或更多個(gè)部件設(shè)置。該系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)屏蔽模塊包括介電材料，該介電材料包封和/或被包覆成型到沿著印刷電路板的第一側(cè)的所述一個(gè)或更多個(gè)部件上以及所述多個(gè)諧振器上。上屏蔽表面在所述一個(gè)或更多個(gè)部件上方。諧振器可通過介電材料虛擬地連接至上屏蔽表面，而無(wú)需直接在諧振器與上屏蔽表面之間的物理電連接。

所述印刷電路板可以包括具有接地平面并且與具有一個(gè)或更多個(gè)部件的第一側(cè)相反的第二側(cè)。諧振器可以虛擬地連接至沿著印刷電路板的第二側(cè)的接地平面，而無(wú)需直接在諧振器與接地平面之間的物理電連接。上屏蔽表面可以在所述一個(gè)或更多個(gè)部件上方包括介電材料上的導(dǎo)電層或涂層。所述諧振器和上屏蔽表面可操作用于為所述一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽。

在示例性實(shí)施方式中，一種方法可以包括如下步驟：提供具有一個(gè)或更多個(gè)諧振器的板級(jí)屏蔽件，所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器被配置為可操作用于將板級(jí)屏蔽件虛擬地連接至接地平面，而無(wú)需直接在板級(jí)屏蔽件與接地平面之間的物理電連接。

在示例性實(shí)施方式中，一種方法可以包括如下步驟：通過使用一個(gè)或更多個(gè)諧振器將板級(jí)屏蔽件虛擬地連接至接地平面，而無(wú)需使用直接在板級(jí)屏蔽件與接地平面之間的物理電連接。

在示例性實(shí)施方式中，一種方法可以包括如下步驟：將板級(jí)屏蔽件相對(duì)于具有一個(gè)或更多個(gè)部件的基板的第一側(cè)定位，使得板級(jí)屏蔽件經(jīng)由板級(jí)屏蔽件的一個(gè)或更多個(gè)諧振器虛擬地連接至與所述第一側(cè)相反的基板的第二側(cè)上的接地平面，而無(wú)需直接在板級(jí)屏蔽件與接地平面之間的物理電連接，由此板級(jí)屏蔽件可操作用于向所述一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽。

在示例性實(shí)施方式中，一種方法可以包括如下步驟：將設(shè)置在沿著系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)屏蔽模塊的印刷電路板的第一側(cè)的一個(gè)或更多個(gè)部件上方的上屏蔽表面與一個(gè)或更多個(gè)諧振器虛擬地連接，由此所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器通過包封和/或被包覆成型到沿著印刷電路板的第一側(cè)的所述一個(gè)或更多個(gè)部件上以及所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器上的介電材料來虛擬地連接至上屏蔽表面，而無(wú)需直接在所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器與上屏蔽表面之間的物理電連接。

一種方法可以包括如下步驟：將介電材料包覆成型到沿著系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)屏蔽模塊的印刷電路板的第一側(cè)的所述一個(gè)或更多個(gè)部件上以及所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器上。一種方法可以包括如下步驟：通過包覆成型的介電材料將上屏蔽表面與所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器虛擬地連接，而無(wú)需去除包覆成型的介電材料以暴露所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器的導(dǎo)電部分。

所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以包括至少一個(gè)l-c諧振器，所述至少一個(gè)l-c諧振器包括電容器和電感器。該電感器可以包括具有第一端和第二端的接合線。方法可以包括如下步驟：將接合線的第一端線接合至電容器；以及將接合線的第二端線接合至板級(jí)屏蔽件的一部分。

根據(jù)本文的描述，其它適用范圍將變得顯而易見。本發(fā)明內(nèi)容的描述和具體示例僅旨在用于說明的目的，而不旨在限制本公開的范圍。

附圖說明

本文所描述的附圖僅用于例示所選擇的實(shí)施方式，而非所有可能的實(shí)現(xiàn)方式，并且不旨在限制本公開的范圍。

圖1是根據(jù)示例性實(shí)施方式的包括虛擬接地柵欄或框架的板級(jí)屏蔽件(bls)的立體圖，所述虛擬接地柵欄或框架包括沿著bls的各個(gè)側(cè)面的l-c諧振器。所述bls被示出為沿著印刷電路板(pcb)的第一側(cè)定位并且經(jīng)由l-c諧振器虛擬地連接至沿著pcb的第二側(cè)的接地平面，而無(wú)需直接在bls與接地平面之間的物理電連接。

圖2是圖1中被圈出的bls的部分的立體圖，并且示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的bls的l-c諧振器中的一個(gè)的電感器和電容器。

圖3提供了可以用于圖1所示的bls的以毫米為單位的示例尺寸。所述尺寸僅出于示例目的而提供。

圖4是可以與圖1所示的bls一起使用的示例l-c諧振器的立體圖。僅出于示例目的而為電感器和電容器提供以毫米為單位的尺寸。

圖5是出于比較目的的具有虛擬接地柵欄(vgf)的bls的示例性實(shí)施方式和沒有虛擬接地柵欄的bls的屏蔽效能(分貝(db))相對(duì)于頻率(0至8千兆赫(ghz))的線圖，圖5示出了se比較(以db為大小)；

圖6是根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的包括l-c諧振器的板級(jí)屏蔽件的立體圖，其中l(wèi)-c諧振器包括非直線電感器。

圖7示出了根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的包括l-c諧振器的系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)屏蔽模塊，所述l-c諧振器通過介電包覆成型與導(dǎo)電封蓋或頂層虛擬地連接，而無(wú)需直接在l-c諧振器與導(dǎo)電封蓋或頂層之間的物理連接。

圖8示出了通過其可以使用電感(l)和電容(c)確定諧振頻率(f0)的方程式。

圖9是根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的板級(jí)屏蔽件(bls)的立體圖，其中四個(gè)l-c諧振器沿著bls的各個(gè)側(cè)面。

圖10是針對(duì)具有圖10所示的示例性尺寸的圖9所示的bls的示例性實(shí)施方式，插入損耗(il)或屏蔽效能(db)對(duì)0至6ghz的頻率的線圖，圖10示出了bls尺寸為50mm×50mm×7mm、焊盤尺寸為2mm×4mm、bls厚度為0.2mm、電感器銷高度為2mm、bls高度為7mm。

圖11是根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的板級(jí)屏蔽件(bls)的立體圖，其中bls沿著三個(gè)側(cè)面接地，并且沿著bls的第四側(cè)面有四個(gè)l-c諧振器。

圖12是針對(duì)具有圖12所示的示例性尺寸的圖11所示的bls的示例性實(shí)施方式，插入損耗(il)或屏蔽效能(db)對(duì)0至18ghz的頻率的線圖，圖12示出了三個(gè)側(cè)面上接地，同時(shí)在最后一個(gè)側(cè)面上具有0.5mm×5.5mm的vgf。

圖13是根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的板級(jí)屏蔽件(bls)的立體圖，其中l(wèi)-c諧振器被示出為沿著利用介電材料包覆成型之前的bls的上表面。

圖14是圖13所示的bls的一部分的立體圖，并且示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式的bls的l-c諧振器中的一個(gè)的電感器和電容器。

圖15是在介電材料的包覆成型之后圖13所示的bls的立體圖，由此可以提供根據(jù)示例性實(shí)施方式的系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)屏蔽模塊。

圖16是針對(duì)具有不同電感器大小的圖13至圖15所示的bls的示例性實(shí)施方式，插入損耗(il)或屏蔽效能(db)對(duì)0至18ghz的頻率的線圖，圖16示出了不同電感器大小的效果，電容器大小為1.2mm×0.8mm。

圖17是針對(duì)具有不同電容器長(zhǎng)度的圖13至圖15所示的bls的示例性實(shí)施方式，插入損耗(il)或屏蔽效能(db)對(duì)0至18ghz的頻率的線圖，圖17示出了不同電容器長(zhǎng)度的效果，電感器寬度＝25μm。

圖18a、圖18b、圖18c和圖18d示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式用于增加沿著bls框架的側(cè)壁的上表面的l-c諧振器的示例性工藝。

圖19是針對(duì)具有不同電容器長(zhǎng)度的具有如圖18d所示的側(cè)壁和l-c諧振器的bls的示例性實(shí)施方式，插入損耗(il)或屏蔽效能(db)對(duì)0至18ghz的頻率的線圖，圖19示出了不同電容器長(zhǎng)度的效果，電感器寬度和長(zhǎng)度＝50μm×50μm，絕緣體為空氣。

圖20是針對(duì)具有不同電感器大小的具有如圖18d所示的側(cè)壁和l-c諧振器的bls的示例性實(shí)施方式，插入損耗(il)或屏蔽效能(db)對(duì)0至18ghz的頻率的線圖，圖20示出了不同電感器寬度的效果，電容器長(zhǎng)度＝2mm，絕緣體為空氣。

圖21是針對(duì)具有不同絕緣體(空氣和bsr2)的具有如圖18d所示的側(cè)壁和l-c諧振器的bls的示例性實(shí)施方式，插入損耗(il)或屏蔽效能(db)對(duì)0至18ghz的頻率的線圖，圖21示出了不同絕緣體的效果，電感器長(zhǎng)度和寬度＝50μm×50μm，電容器長(zhǎng)度＝1.6mm，絕緣體厚度為20μm。

圖22是根據(jù)示例性實(shí)施方式的包括沿著利用介電材料包覆成型的bls的上表面的l-c諧振器的bls的一部分的立體圖。

圖23是圖22所示的bls和l-c諧振器的部分的俯視圖。

圖24是圖22所示的bls和l-c諧振器的部分的側(cè)視圖。

圖25是針對(duì)具有不同電容器長(zhǎng)度的具有如圖22至24所示的側(cè)壁和l-c諧振器的bls的示例性實(shí)施方式，插入損耗(il)或屏蔽效能(db)對(duì)0至15ghz的頻率的線圖，圖25示出了不同電容器長(zhǎng)度的效果，電感器高度＝0.08mm+0.1mm(電容元件厚度)。

圖26是針對(duì)具有不同電感器高度的具有如圖22至24所示的側(cè)壁和l-c諧振器的bls的示例性實(shí)施方式，插入損耗(il)或屏蔽效能(db)對(duì)0至15ghz的頻率的線圖，圖26示出了不同電感器高度的效果，電容器長(zhǎng)度＝2mm。

圖27是根據(jù)示例性實(shí)施方式的包括沿著利用介電材料包覆成型的bls的上表面的三個(gè)l-c諧振器的bls的一部分的立體圖。

圖28是針對(duì)具有如圖27所示的側(cè)壁和l-c諧振器的bls的示例性實(shí)施方式，插入損耗(il)或屏蔽效能(db)對(duì)0至10ghz的頻率的線圖，圖28示出了用于寬帶操作的三個(gè)不同的電感器高度＝0.07mm、0.08mm和0.09mm。

圖29是根據(jù)示例性實(shí)施方式的包括虛擬接地柵欄或框架(vgf)的板級(jí)屏蔽件(bls)的立體圖，所述vgf包括沿著bls的上表面的l-c諧振器。

圖30是圖29所示的bls的一部分的立體圖。

圖31是具有僅出于例示目的而提供的示例性尺寸的圖29所示的bls的一部分的立體圖。

圖32是圖29所示的bls的俯視圖，并且示出了沿著印刷電路板的微帶線以及在所述微帶線的末端處的端口p1和p2。微帶線的其它端與匹配負(fù)載端接。

圖33是示出端口p1與p2(如圖32所示)之間的耦合(db)對(duì)0至9ghz的頻率的線圖，圖33示出了端口p1與端口p2之間的耦合。

圖34是當(dāng)端口p1(圖32)輻射時(shí)針對(duì)具有圖31中的尺寸的圖29所示的bls，屏蔽效能(db)對(duì)0至9ghz的頻率的線圖，圖34示出了當(dāng)端口p1輻射時(shí)的屏蔽效能。

圖35是當(dāng)端口p2(圖32)輻射時(shí)針對(duì)具有圖31中的尺寸的圖29所示的bls，屏蔽效能(db)對(duì)0至9ghz的頻率的線圖，圖35示出了當(dāng)端口p2輻射時(shí)的屏蔽效能。

圖36是根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的板級(jí)屏蔽件(bls)的立體圖，其中bls包括由沿著bls的一個(gè)側(cè)面的四個(gè)l-c諧振器限定或者包括沿著bls的一個(gè)側(cè)面的四個(gè)l-c諧振器的虛擬接地柵欄或框架(vgf)。bls沿著其它三個(gè)側(cè)面被接地。每個(gè)l-c諧振器包括通過線接合實(shí)現(xiàn)的電感器。

圖37是圖36所示的bls的一部分的立體圖，并且示出了l-c諧振器中的一個(gè)的線電感器的第一端和第二端分別線接合至電容器和bls封蓋。

圖38是針對(duì)包括利用如圖36和圖37所示的線接合實(shí)現(xiàn)的vgf的bls以及針對(duì)包括利用沖壓實(shí)現(xiàn)的vgf的bls，屏蔽效能(db)對(duì)0至10ghz的頻率的線圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述示例實(shí)施方式。

來自集成電路的電磁場(chǎng)輻射以及對(duì)集成電路的干擾主要利用板級(jí)屏蔽件來抑制。盡管板級(jí)屏蔽件通常用于有效地防止輻射的電磁輻射，但其性能直接取決于其接地結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。例如，傳統(tǒng)板級(jí)屏蔽件可用于建立法拉第籠的五個(gè)側(cè)面。為了有效，需要接地通孔或接地銷以將板級(jí)屏蔽件的五個(gè)側(cè)面連接至第六側(cè)面或接地(或者0伏特)平面。但是這些接地通孔占據(jù)pcb面積，在板設(shè)計(jì)工藝期間必須加以考慮。

本文公開了配置有虛擬接地能力的板級(jí)屏蔽件的示例性實(shí)施方式。如本文所公開的，板級(jí)屏蔽件(bls)的示例性實(shí)施方式可以相對(duì)于印刷電路板(pcb)(廣義地，基板)的第一側(cè)定位(例如，沿第一側(cè)設(shè)置、粘合地附接到第一側(cè)、焊接或者以其它方式安裝到第一側(cè)等)，使得沿著第一側(cè)的一個(gè)或更多個(gè)部件在由bls限定的內(nèi)部?jī)?nèi)，并且使得bls虛擬地連接至pcb下面的或者沿著pcb的第二側(cè)(例如，相反或相反朝向的側(cè)等)的接地平面。在示例性實(shí)施方式中，bls可以虛擬地連接至pcb下面的或者沿著pcb的相反側(cè)(或者在pcb內(nèi))的接地平面，而無(wú)需直接在bls與接地平面之間的物理電連接。例如，bls可以虛擬地連接至接地平面，而無(wú)需使用接地通孔、鍍覆通孔或者其它中間物理部件來創(chuàng)建從bls到接地平面的物理存在的電通路。

在示例性實(shí)施方式中，bls包括沿著bls的各個(gè)側(cè)面的一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器。所述l-c諧振器可以沿著bls的外周邊間隔開或者通常圍繞bls的外周邊設(shè)置。所述外周邊可以由bls的側(cè)壁和/或bls的上表面、封蓋、蓋或頂部限定。

一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器可以被配置為以諧振頻率(例如，約2.75ghz、約4ghz等)諧振。一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器可操作用于將封蓋虛擬地連接至接地平面(例如，無(wú)需使用接地通孔等)。例如，bls可以沿著印刷電路板(pcb)的第一側(cè)定位并且經(jīng)由一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器虛擬地連接至沿著pcb的第二側(cè)的接地平面，而無(wú)需直接在封蓋與接地平面之間的物理電連接。利用l-c諧振器，bls因此可虛擬地連接至pcb下面的或者沿著pcb的相反側(cè)的接地平面，而無(wú)需使用接地通孔。

每個(gè)l-c諧振器可以包括電感器和電容器。例如，電感器可以包括電感銷或者其它相對(duì)窄的電感元件，諸如具有矩形或圓形橫截面的導(dǎo)電(例如，金屬等)銷等。又如，電容器可以包括電容貼片元件或者其它相對(duì)寬的電容元件，例如通常矩形的導(dǎo)電(例如，金屬等)貼片元件或焊盤。另選地，l-c諧振器可以包括不同配置的電感器和電容器，例如由不同的材料制成、具有不同的形狀(例如，非圓形、非矩形、非直線等)。

與一些現(xiàn)有板級(jí)屏蔽件相比，本文所公開的示例性實(shí)施方式可以提供以下特征或優(yōu)點(diǎn)中的一個(gè)或更多個(gè)(但是未必是任何或所有)。例如，當(dāng)在特定頻率范圍內(nèi)或處存在輻射或干擾問題時(shí)本文所公開的示例性實(shí)施方式為emc/rfi工程師提供事后解決方案。本文所公開的示例性實(shí)施方式可以在相對(duì)窄的頻率范圍內(nèi)提供顯著高的屏蔽效能。例如，bls的示例性實(shí)施方式可以被配置為在相對(duì)窄的頻帶內(nèi)提供高達(dá)40分貝(db)的屏蔽效能，甚至無(wú)需任何特定物理接地機(jī)制(例如，鍍覆通孔等)。帶寬通常取決于諧振器中的損耗機(jī)制。例如，帶寬可以為諧振器的諧振頻率的5％至10％。在該示例中，如果諧振頻率為4ghz，則帶寬將為約200mhz至400mhz?？梢酝ㄟ^在特定或預(yù)定位置處向bls添加一個(gè)或更多個(gè)emi吸收劑來增加帶寬。通過使用如本文所公開的虛擬接地柵欄，示例性實(shí)施方式還可以允許消除需要導(dǎo)電通孔并且減小通常沿著bls(例如，屏蔽罩等)的周邊的保護(hù)跡線所占據(jù)的面積。例如，示例性實(shí)施方式可以允許釋放板空間(例如，與保護(hù)跡線等有關(guān)的大約50％)，在pcb的頂層上提供更大的布線區(qū)域，通過消除接地通孔和/或消除或減少焊接或回流工藝來降低成本。如發(fā)明人所認(rèn)識(shí)到的，對(duì)于增加的功能和更高的部件密度而言pcb空間是至關(guān)重要的。接合焊盤是占據(jù)pcb面積的重要因素。通過使用如本文所公開的虛擬接地柵欄，示例性實(shí)施方式還可以允許用于接合焊盤所占據(jù)的pcb面積的顯著減小(例如，接合焊盤等減小大約50％)。因此，本文所公開的示例性實(shí)施方式可以用于釋放有價(jià)值的pcb有效空間，而對(duì)屏蔽效能的影響最小。

參照附圖，圖1示出了根據(jù)本公開的方面的板級(jí)屏蔽件(bls)100的示例性實(shí)施方式。如圖所示，bls100包括上表面、封蓋、蓋或頂部104以及側(cè)壁108。該側(cè)壁108從上表面104向下懸垂或延伸。

每個(gè)側(cè)壁108包括上側(cè)壁部分112和下側(cè)壁部分，該下側(cè)壁部分包括l-c諧振器116、120、124或由其限定。在該示例性實(shí)施方式中，每個(gè)側(cè)壁108包括從上側(cè)壁部分112向下懸垂或延伸的三個(gè)l-c諧振器116、120、124。在另選實(shí)施方式中，bls可以不包括任何上側(cè)壁部分，并且l-c諧振器可以從bls的上表面懸垂并且直接連接至bls的上表面。在其它示例性實(shí)施方式中，l-c諧振器可以沿著bls框架或柵欄的上部(例如，上周邊緣或凸緣，圖13、圖18d、圖22、圖27和圖29等)間隔開。

在示例性實(shí)施方式中，存在足夠數(shù)量的l-c諧振器116、120、124以提供或限定虛擬接地柵欄或框架(vgf)，其允許bls100可以虛擬地連接至pcb140(廣義地，基板)下面的或者沿著pcb140的相反側(cè)的接地平面，而無(wú)需直接在bls100與接地平面之間的物理電連接。例如，bls100可以虛擬地連接至接地平面，而無(wú)需使用接地通孔、鍍覆通孔或者其它中間物理部件來創(chuàng)建從bls100到接地平面的物理存在的電通路。

l-c諧振器116、120、124可以沿著bls100的各個(gè)側(cè)面被放置在預(yù)定位置處并且彼此間隔開，以在其諧振頻率(例如，約2.75ghz等)下提供或適應(yīng)可接受的虛擬接地。在該示例性實(shí)施方式中，三個(gè)l-c諧振器116、120、124沿著對(duì)應(yīng)的側(cè)壁108彼此等距地間隔開。因此，第二l-c諧振器120沿著對(duì)應(yīng)的側(cè)壁108相對(duì)于第一l-c諧振器116和第三l-c諧振器124中的每一個(gè)等距地間隔開預(yù)定距離(例如，約15毫米(mm)等)。第一l-c諧振器116和第三l-c諧振器124相對(duì)于bls100的相應(yīng)的第一安裝腳128和第二安裝腳132等距地間隔開相同的預(yù)定距離(例如，約15mm等)。在另選實(shí)施方式中，可以存在沿著bls100的各個(gè)側(cè)面彼此等距地間隔開預(yù)定距離(例如，約9.2mm等)的四個(gè)l-c諧振器(例如，圖9等)。

l-c諧振器的數(shù)量、形狀和尺寸及其沿著bls的側(cè)面的位置可以取決于bls的配置(例如，形狀、尺寸等)和/或bls預(yù)期的特定最終用途。例如，圖1示出了具有正方形形狀的bls100，并且每個(gè)側(cè)壁108具有相同的長(zhǎng)度(例如，50mm等)和相同數(shù)量的(即，三個(gè))l-c諧振器116、120、124。另選地，bls可以包括沿著bls的任一個(gè)或更多個(gè)側(cè)面的多于或少于三個(gè)l-c諧振器(例如，四個(gè)l-c諧振器(圖9)等)和/或沿著一個(gè)側(cè)面的l-c諧振器的數(shù)量不同于另一側(cè)面。例如，bls可以具有矩形形狀，并且較長(zhǎng)側(cè)壁與較短側(cè)壁相比可具有更多的l-c諧振器。l-c諧振器的數(shù)量可以根據(jù)諧振頻率下所需的屏蔽效能的值而增加。也可以使用不同的諧振器尺寸以在較寬范圍內(nèi)擴(kuò)展諧振頻率以實(shí)現(xiàn)寬帶解決方案。

繼續(xù)參照?qǐng)D1，bls100包括在每對(duì)相鄰的側(cè)壁108之間的拐角部136。在拐角部136處或其附近，每個(gè)側(cè)壁108包括在側(cè)壁108的相反的端部的第一安裝腳128和第二安裝腳132。安裝腳128、132可以被配置為提供用于將bls100連接至基板140(例如，在第一側(cè)上和/或沿著第一側(cè)具有部件并且在第二側(cè)上和/或沿著第二側(cè)具有接地平面的pcb)的結(jié)構(gòu)。例如，安裝腳128、132可以提供用于將bls100粘合地附接至或焊接至基板140的區(qū)域。在這樣的實(shí)施方式中，安裝腳128、132與對(duì)應(yīng)的第一l-c諧振器116、或第三l-c諧振器124之間的空白空間或間隙可以允許焊料圍繞安裝腳128、132流動(dòng)，以用于將bls100固定到基板140。也可以使用除焊料和粘合劑之外的另選方式來將bls100附接至基板。

在示例性實(shí)施方式中，安裝腳128、132可以用于僅在bls100的拐角部136處將bls100直接連接至pcb接地。例如，安裝腳128、132可以被焊接至pcb上的焊盤和/或通孔(廣義地，導(dǎo)電部分)，使得焊料提供從安裝腳128、132到直接連接至pcb接地的焊盤和/或通孔的直接電連接。在該示例中，bls100因此將具有在bls100的四個(gè)拐角部136的每一個(gè)處與地的直接電連接以及經(jīng)由l-c諧振器116、120、124的虛擬接地。因此，由于每個(gè)拐角部136處的直接電連接，屏蔽效能可以提高，同時(shí)仍釋放安裝腳128、132之間的pcb空間。

如圖2所示，每個(gè)l-c諧振器116、120、124包括電感器144和電容器148。電感器144可以包括細(xì)長(zhǎng)的直線電感元件，諸如具有矩形或圓形橫截面的電感銷等。電容器148可以包括電容貼片元件，例如通常矩形的導(dǎo)電貼片元件等。電感器144和電容器148可以由不銹鋼制成，但是也可以使用其它導(dǎo)電材料(例如，其它金屬、非金屬等)。電容器148可以直接制造在pcb基板140上，并且電感器144可以被焊接至電容器148。例如，可以將電容焊盤納入到多層pcb(例如，4層pcb等)的頂層上。另選地，電容器148可以通過諸如沖壓等的其它制造工藝來形成。

同樣，電感器144可以利用除焊料之外的其它方式(例如導(dǎo)電粘合劑等)連接至電容器148?；蛘?，例如，電感器144和電容器148可以一體地形成(例如，從不銹鋼沖壓等)為具有整體式構(gòu)造的單件。

一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器116、120、124可以通過粘合劑(例如，高溫粘合劑、環(huán)氧樹脂、導(dǎo)電壓敏粘合劑(cpsa)、導(dǎo)電熱熔粘合劑等)來接至bls100。也可以使用其它或附加粘合劑和/或方法來將l-c諧振器附接至bls。在一些其它示例性實(shí)施方式中，l-c諧振器可以通過熔融的金屬接合至bls，其中通過熱能(例如，在回流工藝等中)、通過激光能量等來使所述金屬熔融。

如圖2所示，電感器144連接至電容器148，使得電容器148大致垂直于電感器144和上側(cè)壁部分112。另外，電容器148可以被配置為當(dāng)bls100被安裝到基板140時(shí)接觸基板140(例如，緊挨基板140、緊靠基板140、依靠在基板140上等)。另選地，l-c諧振器116、120、124可以包括具有不同配置的電感器和/或電容器，諸如具有不同的形狀(例如，如圖6所示的非圓形橫截面、非矩形形狀、非直線形狀等)和/或由不同的材料制成等。例如，電感銷(廣義地，電感器)可以具有任何橫截面形狀，只要電感銷的電感足以在電容貼片(廣義地，電容器)的幫助下在正確或預(yù)定位置處建立諧振頻率。另外，例如，l-c諧振器116、120、124的方位可以反轉(zhuǎn)或旋轉(zhuǎn)180度，使得電容器148連接至bls100并且電感器144設(shè)置在基板140與電容器148之間或者在基板140與電容器148之間延伸。

盡管在圖1中l(wèi)-c諧振器116、120、124被示出為相同，但其它示例性實(shí)施方式可以包括不與任何其它l-c諧振器相同的一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器。

l-c諧振器116、120、124沿著bls100的各個(gè)側(cè)面放置在預(yù)定位置處，以在其諧振頻率(例如，約2.75ghz等)下提供或適應(yīng)可接受的虛擬接地，從而將bls100虛擬地連接至接地平面，而無(wú)需直接在bls100與接地平面之間的物理電連接。例如，bls100可以相對(duì)于pcb140(廣義地，基板)的第一側(cè)或上側(cè)152(圖1)定位，使得沿著pcb的第一側(cè)的一個(gè)或更多個(gè)部件在由bls100限定的內(nèi)部?jī)?nèi)。l-c諧振器116、120、124可以將bls100虛擬地連接至pcb140的下面或者沿著所述第二側(cè)或下側(cè)的接地平面。在此示例性實(shí)施方式中，l-c諧振器116、120、124將bls100虛擬地連接至接地平面，而無(wú)需使用接地通孔、鍍覆通孔或者其它中間物理部件來創(chuàng)建從bls100到接地平面的物理存在的電通路。

圖1示出了具有正方形形狀的bls100。其它示例性實(shí)施方式可以包括具有不同配置(例如，圓形形狀、彎曲形狀、三角形形狀、不規(guī)則形狀、矩形形狀、非矩形形狀等)的bls。

圖3提供了可用于本文所公開的板級(jí)屏蔽件(例如，圖1中的bls100等)的示例性尺寸。如圖3所示，bls具有7毫米(mm)的高度、50mm的長(zhǎng)度和50mm的寬度?；迮c將設(shè)置l-c諧振器的上側(cè)壁部分的底部邊緣之間的空間或間隙為2mm。因此，上側(cè)壁部分具有5mm的高度。另外，沿著bls的側(cè)面的一對(duì)安裝腳之間的空間或間隙為46mm。如果三個(gè)l-c諧振器在該46mm間隙內(nèi)等距地間隔開，則相鄰l-c諧振器之間的距離將為約151/3mm，并且第一和第二安裝腳與最近的l-c諧振器之間的距離也將為約151/3mm。在該示例中，基板由fr4(阻燃玻璃纖維增強(qiáng)環(huán)氧樹脂層壓材料)制成并且具有0.1mm的厚度。本段和圖3中所提供的尺寸、形狀和材料僅是為了例示的目的，因?yàn)槠渌纠詫?shí)施方式中的bls可以根據(jù)例如特定應(yīng)用(例如，要屏蔽的電子部件)、總電子裝置內(nèi)的空間考慮、emi屏蔽和散熱需求以及其它因素而具有不同的配置，例如不同的尺寸(例如，更大或更小)、不同的形狀(例如，非矩形等)、不同的材料等。

圖4提供了可用于本文所公開的板級(jí)屏蔽件的示例性實(shí)施方式中的l-c諧振器(例如，圖1和圖2中的116、120、124等)的示例性尺寸。如圖4所示，l-c諧振器的電感器具有2mm的高度和矩形橫截面。電感器的矩形橫截面可以具有0.3mm的寬度和0.1mm的長(zhǎng)度。l-c諧振器的電容器具有0.1mm的厚度和矩形形狀。電容器的矩形形狀可以具有4mm的寬度和0.8mm的長(zhǎng)度。本段和圖4中所提供的尺寸和形狀僅是為了例示的目的，因?yàn)槠渌纠詫?shí)施方式中的l-c諧振器可以具有不同的配置，例如不同的尺寸(例如，更大或更小)和/或不同的形狀(例如，非矩形等)等。例如，l-c諧振器的電容器可以具有寬度為4mm并且長(zhǎng)度為2mm的矩形形狀。另外，例如，諧振器的數(shù)量可以根據(jù)諧振頻率下所需的屏蔽效能的值而增加。也可以使用不同的諧振器尺寸來在較寬范圍內(nèi)擴(kuò)展諧振頻率以實(shí)現(xiàn)寬帶解決方案。諧振頻率(fr)可由下面以及圖8所示的方程式來確定，其中l(wèi)是電感，c是電容。該式可以在頻率范圍已知時(shí)用于幫助確定電感器和電容器的配置，因?yàn)榭稍谥C振頻率下提供最佳接地連接。

較長(zhǎng)的銷(廣義地，電感器)與較短的銷相比將具有更高的電感。較大的焊盤區(qū)域(廣義地，電容器)與較小的焊盤區(qū)域相比將具有更高的電容。對(duì)于板級(jí)屏蔽件而言常見的是具有小于1mm的高度。利用這樣的屏蔽件，電感銷也相對(duì)較短，并具有較小的電感。與短電感銷相關(guān)聯(lián)的小電感可使通過使用較大電容焊盤來補(bǔ)償。根據(jù)上式，如果諧振頻率(fr)保持恒定并且電感(l)減小，則電容(c)增大。另外地或另選地，電感器可以是非直線的(例如，圖6所示的電感器244等)，從而增加其長(zhǎng)度而不必增加板級(jí)屏蔽件的高度。

圖5是出于比較目的的具有虛擬接地柵欄(vgf)的bls的示例性實(shí)施方式和沒有虛擬接地柵欄的bls的屏蔽效能(se)(分貝(db))相對(duì)于頻率(從0至8千兆赫(8ghz))的線圖。圖3和圖4提供了用于獲得圖5所示的測(cè)試數(shù)據(jù)的bls測(cè)試樣本的示例性配置(例如，尺寸、形狀等)。提供這些測(cè)試結(jié)果僅為了例示的目的，因?yàn)閎ls的其它示例性實(shí)施方式可以被不同地配置，使得bls更大、更小、不同地成形、具有不同的屏蔽效能和/或具有不同的諧振頻率。

通常，圖5示出了與沒有過虛擬接地柵欄的bls相比，具有虛擬接地柵欄的bls的改善的屏蔽效能。在該示例中，諧振頻率為約2.75ghz。向bls引入虛擬接地柵欄(vgf)使得在2.75ghz處屏蔽效能從約12.6db增加至約47.1db。利用虛擬接地柵欄，將bls連接至下面的接地(gnd)或電源(pwr)平面不需要接地通孔。該測(cè)試還用于確定是否僅在幾個(gè)位置將bls連接至地和/或確定vgf的添加是否提供更好的寬帶性能。例如，示例性實(shí)施方式可以包括僅在bls的每個(gè)拐角處(例如，在矩形bls的四個(gè)拐角中的每一個(gè)處等)與地的直接電連接以及經(jīng)由l-c諧振器的虛擬接地。每個(gè)bls拐角處的直接電連接可以幫助提高屏蔽效能，同時(shí)仍釋放pcb空間。

圖6示出了根據(jù)本公開的方面的板級(jí)屏蔽件(bls)200的示例性實(shí)施方式。如圖所示，bls200被安裝在基板240(例如，pcb等)上。bls200包括l-c諧振器216以及附接(例如，機(jī)械和電連接等)到l-c諧振器216的封蓋204。屏蔽件200可操作用于屏蔽可設(shè)置在基板240上由l-c諧振器216和封蓋204協(xié)作地限定的內(nèi)部或屏蔽空間中的一個(gè)或更多個(gè)部件。

l-c諧振器216可操作用于將bls200虛擬地連接至接地平面，(例如)而無(wú)需使用接地銷或通孔等。例如，bls200可以沿著印刷電路板(pcb)240(廣義地，基板)的第一側(cè)定位并且經(jīng)由l-c諧振器216虛擬地連接至沿著pcb240的第二側(cè)的接地平面，而無(wú)需直接在封蓋204與接地平面之間的物理電連接。

每個(gè)l-c諧振器216包括電感器244和電容器248。在該示例中，電感器244是非直線的。

如圖6所示，電感器244包括第一垂直端部分252、第一水平部分256、垂直中間部分260、第二水平部分264和第二垂直端部分268。第一垂直端部分252連接至bls100的封蓋204和/或相對(duì)于bls100的封蓋204向下延伸。第一水平部分256從第一垂直端部分252向外(例如，以直角水平地、大致垂直等)延伸。垂直中間部分260從第一水平部分256向下(例如，以直角垂直地、大致垂直等)延伸。第二水平部分264從中間垂直部分260向外(例如，以直角水平地、大致垂直等)延伸。第二水平部分264大致與第一水平部分256平行。第二垂直端部分268連接至電容器248。第二垂直端部分268從第二水平部分264向下(例如，以直角垂直地、大致垂直等)延伸。

電感器244可以包括直線或非直線電感銷，諸如具有矩形或圓形橫截面的導(dǎo)電(例如，金屬等)銷等。又如，電容器248可以包括電容貼片元件，例如通常矩形的導(dǎo)電(例如，金屬等)貼片元件。電感器244和電容器248可以由不銹鋼制成，但是也可以使用其它導(dǎo)電材料(例如，其它金屬、非金屬等)。電容器248可以直接制造在pcb240上。例如，電容器248可以包括納入多層pcb(例如，4層fr4pcb等)的頂層上的電容焊盤。電感器244可以被焊接至電容器248。另選地，電容器248可以通過諸如沖壓等的其它制造工藝來形成。同樣，電感器244可以利用除焊料之外的其它方式連接至電容器248，例如導(dǎo)電粘合劑等?；蛘?，例如，電感器244和電容器248可以一體地形成(例如，從不銹鋼沖壓等)為具有整體式構(gòu)造的單件。l-c諧振器216可以包括不同地配置的電感器和電容器，例如由不同的材料制成、具有不同的形狀(例如，非圓形、非矩形等)。另外，例如，l-c諧振器216的方位可以反轉(zhuǎn)或旋轉(zhuǎn)180度，使得電容器248連接至封蓋204并且電感器244設(shè)置在pcb與電容器248之間或在pcb與電容器248之間延伸。

l-c諧振器216可以通過粘合劑(例如，高溫粘合劑、環(huán)氧樹脂、導(dǎo)電壓敏粘合劑(cpsa)、導(dǎo)電熱熔粘合劑等)連接至封蓋204。也可使用其它或附加粘合劑和/或方法來將l-c諧振器附接至封蓋。在一些其它示例性實(shí)施方式中，l-c諧振器可以通過熔融的金屬來結(jié)合至封蓋，其中通過熱能(例如，在回流工藝等中)、通過激光能量等來使所述金屬熔融

l-c諧振器216可以沿著封蓋204被放置在預(yù)定位置處并且彼此間隔開，以在其諧振頻率(例如，約2.75ghz等)下提供或適應(yīng)可接受的虛擬接地。在圖6所示的示例性實(shí)施方式中，四個(gè)l-c諧振器216沿著封蓋204的各個(gè)對(duì)應(yīng)側(cè)面或邊緣等距地彼此間隔開。l-c諧振器216的數(shù)量、形狀和尺寸及其沿著封蓋204的位置可以取決于封蓋204的配置(例如，形狀、尺寸等)和/或bls200預(yù)期的特定最終用途。l-c諧振器的數(shù)量可以根據(jù)諧振頻率下所需的屏蔽效能的值而增加。也可以使用不同的l-c諧振器尺寸來在較寬范圍內(nèi)擴(kuò)展諧振頻率以實(shí)現(xiàn)寬帶解決方案。

繼續(xù)參照?qǐng)D6，bls200在拐角處包括安裝腳228、232。安裝腳228、232可以被配置為提供用于將bls200連接至基板240(例如，在第一側(cè)上和/或沿著第一側(cè)具有部件并且在第二側(cè)上和/或沿著第二側(cè)具有接地平面的pcb)的結(jié)構(gòu)。例如，安裝腳228、232可以提供用于將bls200粘合地附接或焊接至基板240的區(qū)域。也可以使用除焊料和粘合劑之外的另選方式來將bls200附接至基板。

在示例性實(shí)施方式中，安裝腳228、232可以用于僅在bls200的拐角部處將bls200直接連接至pcb接地。例如，安裝腳228、232可以被焊接至pcb240上的焊盤和/或通孔(廣義地，導(dǎo)電部分)，使得焊料提供從安裝腳228、232到直接連接至pcb接地的焊盤和/或通孔的直接電連接。在該示例中，bls200因此將具有在bls200的四個(gè)拐角部中的每一個(gè)處與地的直接電連接以及經(jīng)由l-c諧振器216的虛擬接地。因此，由于每個(gè)拐角部處的直接電連接，屏蔽效能可以提高，同時(shí)仍釋放安裝腳228、232之間的pcb空間。

在一些示例性實(shí)施方式中，封蓋204可以是柔軟的、柔性的和/或配置有足夠的柔性，使得封蓋204能夠撓曲、折曲或彎曲成100mm的曲率半徑。另外地或另選地，封蓋204可以包括筆直的/可拉伸的或彎曲的段。封蓋204可以包括導(dǎo)電材料或內(nèi)層以及非導(dǎo)電外部材料或外層。非導(dǎo)電外層可以為導(dǎo)電層提供支撐。

封蓋204的導(dǎo)電層和非導(dǎo)電層可以包括較寬范圍的材料或者由較寬范圍的材料形成。例如，所述非導(dǎo)電層可以包括介電塑料(例如，聚酰亞胺、聚苯硫醚、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯等)，并且導(dǎo)電層可以包括介電塑料上的金屬涂層。該金屬涂層可以通過鍍覆、濺射、蒸發(fā)、粘合等來提供。用于封蓋204的附加示例性材料包括導(dǎo)電的可拉伸織物或膜、帶金屬涂層的泡沫織物(fabric-over-foam)材料、帶金屬涂層的聚酰亞胺、帶金屬涂層的聚苯硫醚、帶金屬涂層的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、金屬化的可拉伸織物(例如，氨綸等)等。又如，封蓋204可以包括鍍有金屬的非導(dǎo)電織造織物，其中織物是非導(dǎo)電織造可拉伸織物、非導(dǎo)電不可拉伸織造織物、非導(dǎo)電非織造可拉伸織物或者非導(dǎo)電不可拉伸非織造織物。

封蓋204還可以沿著導(dǎo)電層的內(nèi)表面包括介電或非導(dǎo)電材料。當(dāng)一個(gè)或更多個(gè)部件在屏蔽件200下面時(shí)，所述介電材料可以防止導(dǎo)電層直接接觸以及電短路一個(gè)或更多個(gè)部件。

在一些示例性實(shí)施方式中，封蓋204和/或l-c諧振器216可以由金屬或金屬合金形成，例如冷軋鋼(例如，鍍錫冷軋鋼等)、金屬板、不銹鋼、銅合金(例如，鍍錫銅合金等)、鎳銀合金(例如，鎳銀合金770等)、銅鎳合金、碳鋼、黃銅、銅、鋁、銅鈹合金、磷青銅、鋼、其合金以及其它合適的導(dǎo)電材料?；蛘撸馍w204和/或l-c諧振器216也可以由涂覆有導(dǎo)電材料的塑料形成。本文所提供的材料僅是為了例示的目的，封蓋204和l-c諧振器216可以根據(jù)例如特定應(yīng)用(例如，要屏蔽的電子部件)、總電子裝置內(nèi)的空間考慮、emi屏蔽和散熱需求以及其它因素而由不同的材料制成。

還公開了使用虛擬接地柵欄(vgf)的系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)或系統(tǒng)級(jí)芯片(soc)屏蔽的示例性實(shí)施方式。作為背景，系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)模塊通?？梢栽趩蝹€(gè)模塊(或封裝)中包括多個(gè)集成電路、芯片或者其它部件。屏蔽可以被集成到sip模塊或封裝中。在示例性實(shí)施方式中，emi吸收劑可以用于sip應(yīng)用中的包覆成型，由此諧振頻率可容易地向低頻移位。

圖7示出了根據(jù)本公開的方面的系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)屏蔽模塊300的示例性實(shí)施方式。如圖所示，sip屏蔽模塊300包括板級(jí)屏蔽(bls)框架或柵欄，其包括多個(gè)l-c諧振器316或由其限定。l-c諧振器316被配置為通常圍繞基板340上的一個(gè)或更多個(gè)部件安裝(例如，機(jī)械和電連接等)在基板340(例如，pcb等)上。在此示例性實(shí)施方式中，l-c諧振器316沿著基板340被焊接至接地焊盤372。另選實(shí)施方式(例如，圖13、圖15、圖18d、圖22、圖27和圖29等)可以包括使用虛擬接地柵欄的sip屏蔽，所述虛擬接地柵欄包括連接至bls框架或柵欄的上部(例如，上周邊緣或凸緣等)并沿其間隔開的l-c諧振器。

上屏蔽表面304被設(shè)置在(例如，涂覆到、粘合地附接到等)包覆成型的介電材料376(例如，包覆成型的塑料等)的頂部上。上屏蔽表面304可以包括金屬化膜、導(dǎo)電材料平板或?qū)?、金屬鍍覆膜、薄金屬層、?dǎo)電涂層(例如，通過鍍覆、濺射、蒸發(fā)等提供的金屬涂層)、不銹鋼板或者其它合適的導(dǎo)電封蓋或頂層等。

每個(gè)l-c諧振器316包括電感器344和電容器348。在該示例中，電感器344是直線的，但是在其它實(shí)施方式中電感器344可以是非直線的。

l-c諧振器316被配置為通過介電材料376虛擬地連接至上屏蔽表面304，而無(wú)需直接在l-c諧振器316與上屏蔽表面304之間的物理電連接。l-c諧振器316和上屏蔽表面304可操作用于為基板340上的一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽，所述一個(gè)或更多個(gè)部件在封蓋304下面并且在由間隔開的l-c諧振器316限定的空間或周邊內(nèi)。

繼續(xù)參照?qǐng)D7，介電材料376可以具有約0.8mm的頂部到底部的厚度。分離l-c諧振器316的頂部與上屏蔽表面304的間隙可為約0.15mm。本段中所提供的尺寸僅是為了例示的目的，其它示例性實(shí)施方式可以根據(jù)例如特定應(yīng)用(例如，要屏蔽的電子部件)、總電子裝置內(nèi)的空間考慮、emi屏蔽和散熱需求以及其它因素而具有不同的配置，例如不同的尺寸(例如，更大或更小)、不同的形狀(例如，非矩形等)、不同的材料等。

圖9示出了根據(jù)本公開的各方面的板級(jí)屏蔽件(bls)400的另一示例性實(shí)施方式。所述bls400可以包括與圖1所示的bls100的對(duì)應(yīng)特征相似的特征(例如，封蓋或上表面404、側(cè)壁408、上側(cè)壁部分412、l-c諧振器416、安裝腳428和432、拐角部436、電感器444、電容器448等)。

然而，在圖9所示的示例性實(shí)施方式中，bls400的每個(gè)側(cè)壁408包括從上側(cè)壁部分412向下懸垂或延伸的四個(gè)l-c諧振器416。相比較，圖1所示的bls100的每個(gè)側(cè)壁108包括三個(gè)l-c諧振器116、120、124。在另選實(shí)施方式中，bls可以不包括任何上側(cè)壁部分，并且l-c諧振器可以從bls的上表面懸垂并且直接連接至bls的上表面。在其它示例性實(shí)施方式中，l-c諧振器可以沿著bls框架或柵欄的上部(例如，上周邊緣或凸緣，圖13、18d、22、27和29等)間隔開。

l-c諧振器416被配置為可操作以提供或限定虛擬接地柵欄或框架(vgf)，其允許bls400可以虛擬地連接至pcb440(廣義地，基板)下面的或者沿著pcb440的相反側(cè)的接地平面，而無(wú)需直接在bls400與接地平面之間的物理電連接。例如，bls400可以虛擬地連接至接地平面，而無(wú)需使用接地通孔、鍍覆通孔或者其它中間物理部件來創(chuàng)建從bls400到接地平面的物理存在的電通路。

如圖9所示，每個(gè)l-c諧振器416包括電感器444和電容器448。電感器444可以包括細(xì)長(zhǎng)的直線電感元件，諸如具有矩形或圓形橫截面的電感銷等。電容器448可以包括電容貼片元件，諸如通常矩形的導(dǎo)電貼片元件等。電感器444和電容器448可以由不銹鋼制成，但是也可以使用其它導(dǎo)電材料(例如，其它金屬、非金屬等)。電容器448可以直接制造在pcb基板140上，并且電感器444可以被焊接至電容器448。例如，可以將電容焊盤納入到多層pcb(例如，4層pcb等)的頂層上。另選地，電容器448可以通過諸如沖壓等的其它制造工藝來形成。

同樣，電感器444可以使用除焊料之外的其它方式(諸如，導(dǎo)電粘合劑等)連接至電容器448?；蛘?，例如，電感器444和電容器448可以一體地形成(例如，從不銹鋼沖壓等)為具有整體式構(gòu)造的單件。

一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器416可以通過粘合劑(例如，高溫粘合劑、環(huán)氧樹脂、導(dǎo)電壓敏粘合劑(cpsa)、導(dǎo)電熱熔粘合劑等)連接至bls400。也可以使用其它或附加粘合劑和/或方法來將l-c諧振器附接至bls。在一些其它示例性實(shí)施方式中，l-c諧振器可以通過熔融的金屬接合至bls，其中通過熱能(例如，在回流工藝等中)、通過激光能量等來使所述金屬熔融。

如圖9所示，電感器444連接至電容器448，使得電容器448大致垂直于電感器444和上側(cè)壁部分412。另外，電容器448可以被配置為當(dāng)bls400被安裝到基板440時(shí)接觸基板140(例如，緊挨基板140、緊靠基板140、依靠在基板140上等)。另選地，l-c諧振器416可以包括具有不同配置的電感器和/或電容器，諸如具有不同的形狀(例如，如圖6所示的非圓形橫截面、非矩形形狀、非直線形狀等)和/或由不同的材料制成等。例如，電感銷(廣義地，電感器)可以具有任何橫截面形狀，只要電感銷的電感足以在電容貼片(廣義地，電容器)的幫助下在正確或預(yù)定位置處建立諧振頻率即可。另外，例如，l-c諧振器416的方位可以反轉(zhuǎn)或旋轉(zhuǎn)180度，使得電容器448連接至bls400并且電感器444設(shè)置在基板440與電容器448之間或者在基板440與電容器448之間延伸。

盡管在圖9中l(wèi)-c諧振器416被示出為相同，但其它示例性實(shí)施方式可以包括不與任何其它l-c諧振器相同的一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器。l-c諧振器416沿著bls400的各個(gè)側(cè)面放置在預(yù)定位置處，以在其諧振頻率(例如，約2.75ghz等)下提供或適應(yīng)可接受的虛擬接地，從而將bls400虛擬地連接至接地平面，而無(wú)需直接在bls400與接地平面之間的物理電連接。例如，bls400可以相對(duì)于pcb440(廣義地，基板)的第一側(cè)或上側(cè)定位，使得沿著pcb的第一側(cè)的一個(gè)或更多個(gè)部件在由bls400限定的內(nèi)部?jī)?nèi)。l-c諧振器416可以將bls400虛擬地連接至pcb440的下面的或者沿著pcb440的第二側(cè)或下側(cè)的接地平面。在該示例性實(shí)施方式中，l-c諧振器416將bls400虛擬地連接至接地平面，而無(wú)需使用接地通孔、鍍覆通孔或者其它中間物理部件來創(chuàng)建從bls400到接地平面的物理存在的電通路。

圖9示出了具有正方形形狀的bls400。其它示例性實(shí)施方式可以包括具有不同配置(例如，圓形形狀、彎曲形狀、三角形形狀、不規(guī)則形狀、矩形形狀、非矩形形狀等)的bls。

圖10是針對(duì)圖9所示的bls400的示例性實(shí)施方式，插入損耗(il)或屏蔽效能(db)對(duì)0至6ghz的頻率的線圖。圖10還提供了用于測(cè)試目的的示例性尺寸。例如，板級(jí)屏蔽件的長(zhǎng)度、寬度和高度尺寸為50mm×50mm×7mm。焊盤尺寸為2mm×4mm。bls厚度為0.2mm。電感器銷高度為2mm。如圖10所示，bls400在3.6ghz的頻率具有-46.2684db的插入損耗或屏蔽效能。圖10所示的尺寸和測(cè)試結(jié)果僅是為了示例目的而提供，因?yàn)榭梢圆煌嘏渲闷渌纠詫?shí)施方式(例如，尺寸更大或更小、具有不同的性能等)。

圖11示出了根據(jù)本公開的各方面的板級(jí)屏蔽件(bls)500的另一示例性實(shí)施方式。所述bls500可以包括與圖1所示的bls100的對(duì)應(yīng)特征相似的特征(例如，封蓋或上表面504、側(cè)壁508、上側(cè)壁部分512、l-c諧振器516、電感器544、電容器548等)。

然而，在圖11所示的示例性實(shí)施方式中，bls500的僅一個(gè)側(cè)壁508包括從上側(cè)壁部分512向下懸垂或延伸的四個(gè)l-c諧振器516。bls500的其它三個(gè)側(cè)壁被接地并且不包括任何l-c諧振器。

圖12是針對(duì)圖11所示的bls500的示例性實(shí)施方式，插入損耗(il)或屏蔽效能(db)對(duì)0至18ghz的頻率的線圖。圖12還提供了用于測(cè)試目的的示例性尺寸，例如，在三個(gè)側(cè)面上接地，同時(shí)在最后一個(gè)側(cè)面上具有0.5mm×5.5mm的虛擬接地柵欄(vgf)。如圖12所示，bls500在8.2ghz的頻率下具有-32.5947db的插入損耗或屏蔽效能。圖12所示的尺寸和測(cè)試結(jié)果僅是為了示例目的而提供，因?yàn)榭梢圆煌嘏渲闷渌纠詫?shí)施方式(例如，尺寸更大或更小、具有不同的性能等)。

圖13至圖15示出了根據(jù)本公開的各方面的板級(jí)屏蔽件(bls)600的另一示例性實(shí)施方式。如圖13所示，l-c諧振器616沿著bls框架606的外和內(nèi)(或者外部和內(nèi)部)側(cè)壁608的上表面610(例如，周邊凸緣或緣等)彼此間隔開。

如圖14所示，每個(gè)l-c諧振器616包括電感器644和電容器648。在該示例中，電感器644是直線的，但是在其它實(shí)施方式中電感器644可以是非直線的。盡管在圖13中l(wèi)-c諧振器616被示出為相同，但其它示例性實(shí)施方式(例如，圖27等)可以包括不與任何其它l-c諧振器相同的一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器。

圖15示出了在介電材料676的包覆成型之后的bls600。上屏蔽表面(例如，圖7中的304等)可以被設(shè)置在(例如，涂覆到、粘合地附接到等)包覆成型的介電材料676(例如，包覆成型的塑料材料等)的頂部上，從而提供根據(jù)示例性實(shí)施方式的系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)屏蔽模塊。上屏蔽表面可以包括金屬化膜、導(dǎo)電材料的平板或?qū)印⒔饘馘兏材?、薄金屬層、?dǎo)電涂層(例如，通過鍍覆、濺射、蒸發(fā)等提供的金屬涂層)、不銹鋼板或者其它合適的導(dǎo)電封蓋或頂層等。

l-c諧振器616可以被配置為通過介電材料676虛擬地連接至上屏蔽表面，而無(wú)需直接在l-c諧振器616與上屏蔽表面之間的物理電連接。l-c諧振器616和上屏蔽表面可操作用于為基板640上的一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽，所述一個(gè)或更多個(gè)部件在由bls內(nèi)部和外部側(cè)壁608限定的空間或周邊內(nèi)。例如，圖13示出了在由bls側(cè)壁608限定的周邊內(nèi)沿著pcb基板640的第一微帶線660和第二微帶線664。

繼續(xù)參照?qǐng)D14，電感器644可以包括細(xì)長(zhǎng)的直線電感元件，諸如具有矩形或圓形橫截面的電感銷等。電容器648可以包括電容貼片元件，諸如通常矩形的導(dǎo)電貼片元件等。電感器644和電容器648可以由不銹鋼制成，但是也可以使用其它導(dǎo)電材料(例如，其它金屬、非金屬等)。

電感器644可以諸如通過焊料、導(dǎo)電粘合劑(例如，高溫粘合劑、環(huán)氧樹脂、導(dǎo)電壓敏粘合劑(cpsa)、導(dǎo)電熱熔粘合劑等)等連接至bls側(cè)壁608的上表面610。電容器648可以諸如通過焊料、導(dǎo)電粘合劑等連接至電感器644。電容器648在bls側(cè)壁608的上表面610上方通過電感器644來間隔開和/或支撐。每個(gè)電感器644在bls側(cè)壁608的上表面610與電容器648中相對(duì)應(yīng)的一個(gè)電容器之間延伸。另選地，l-c諧振器616的方位可以反轉(zhuǎn)或旋轉(zhuǎn)180度，使得電容器648連接至bls并且電感器644在電容器648上面向上延伸(例如，圖18等)。

在其它示例性實(shí)施方式中，電感器644和電容器648可以一體地形成(例如，從不銹鋼沖壓等)為具有整體式構(gòu)造的單件。也可以使用其它或附加粘合劑和/或方法來將l-c諧振器附接至bls。在一些其它示例性實(shí)施方式中，l-c諧振器可以通過熔融的金屬接合至bls，其中通過熱能(例如，在回流工藝等中)、通過激光能量等來使所述金屬熔融。

如圖14所示，電感器644連接至電容器648，使得電容器648大致垂直于電感器644并且大致平行于bls側(cè)壁608的上表面610。另選地，l-c諧振器616可以包括具有不同配置的電感器和/或電容器，諸如具有不同的形狀(例如，如圖6所示的非圓形橫截面、非矩形形狀、非直線形狀等)和/或由不同的材料制成等。例如，電感銷(廣義地，電感器)可以具有任何橫截面形狀，只要電感銷的電感足以在電容貼片(廣義地，電容器)的幫助下在正確或預(yù)定位置處建立諧振頻率即可。

bls框架606包括安裝腳628，該安裝腳628可以被配置為提供用于將bls600連接至基板640的結(jié)構(gòu)。例如，安裝腳628可以提供用于將bls600粘合地附接或焊接至基板640的區(qū)域。也可以使用除焊料和粘合劑之外的另選方式來將bls600附接至基板。

在示例性實(shí)施方式中，安裝腳628可以用于將bls600直接連接至pcb接地。例如，安裝腳628可以被焊接至pcb上的焊盤和/或通孔(廣義地，導(dǎo)電部分)，使得焊料提供從安裝腳628到直接連接至pcb接地的焊盤和/或通孔的直接電連接。在該示例中，bls600因此將具有在安裝腳628處與pcb接地的直接電連接以及通過介電材料676與上屏蔽表面的虛擬連接，而無(wú)需直接在l-c諧振器616與上屏蔽表面之間的物理電連接。

圖16是針對(duì)圖13至圖15所示的bls600的示例性實(shí)施方式，插入損耗(il)或屏蔽效能(db)對(duì)0至18ghz的頻率的線圖。圖16總體上示出了當(dāng)電容器長(zhǎng)度為1.2毫米(mm)并且電容器寬度為0.8mm時(shí)不同電感器大小的效果。圖16還總體上示出了較大的電感減小了諧振頻率。在該示例中，電感器具有側(cè)面寬度和長(zhǎng)度為0.025mm、0.05mm、0.075mm和0.1mm的正方形外形。如圖16所示，當(dāng)電感器寬度為0.025mm時(shí)在7.71ghz的頻率下插入損耗或屏蔽效能為-44.1785db，當(dāng)電感器寬度為0.05mm時(shí)在8.27ghz的頻率下為-45.0759db，當(dāng)電感器寬度為0.075mm時(shí)在8.84ghz的頻率下為-46.1032db，當(dāng)電感器寬度為0.1mm時(shí)在9.2ghz的頻率下為-46.8190db。圖16所示的尺寸和測(cè)試結(jié)果僅是為了示例目的而提供，因?yàn)榭梢圆煌嘏渲闷渌纠詫?shí)施方式(例如，尺寸更大或更小、具有不同的性能等)。

圖17是針對(duì)圖13至圖15所示的bls600的示例性實(shí)施方式，插入損耗(il)或屏蔽效能(db)對(duì)0至18ghz的頻率的線圖。圖17總體上示出了當(dāng)電感器具有長(zhǎng)度和寬度為25微米或0.025mm的正方形外形并且電容器寬度為0.8mm時(shí)不同電容器長(zhǎng)度的效果。圖17還總體上示出了電容元件大小可以用于控制諧振頻率。如圖17所示，當(dāng)電容器長(zhǎng)度為1.2mm時(shí)在5.82ghz的頻率下插入損耗或屏蔽效能為-46.4523db，當(dāng)電容器長(zhǎng)度為1.6mm時(shí)在6.28ghz的頻率下為-45.8068db，當(dāng)電容器長(zhǎng)度為2mm時(shí)在6.97ghz的頻率下為-44.7972db，當(dāng)電容器長(zhǎng)度為2.4mm時(shí)在7.7ghz的頻率下為-44.2311db。圖17所示的尺寸和測(cè)試結(jié)果僅是為了示例目的而提供，因?yàn)榭梢圆煌嘏渲闷渌纠詫?shí)施方式(例如，尺寸更大或更小、具有不同的性能等)。

圖18a、圖18b、圖18c和圖18d示出了根據(jù)示例性實(shí)施方式用于增加沿著bls框架706(例如，不銹鋼等)的側(cè)壁708的上表面710的l-c諧振器716的示例性工藝。圖18a示出了沿著bls框架側(cè)壁708的上表面710(例如，上周邊唇或緣等)的開口711(例如，缺口、切口等)。圖18b示出了沿著bls框架706的限定沿著bls框架側(cè)壁708的上表面710的開口711的部分設(shè)置電絕緣體或介質(zhì)713。

圖18c示出了在開口711內(nèi)緊靠電絕緣體713定位的電容器748(例如，不銹鋼、其它導(dǎo)電體等)。圖18d示出了連接至電容器748的電感器744(例如，不銹鋼、其它導(dǎo)電體等)，由此電感器744在電容器748上面向上延伸。

bls框架706可以包括沿著框架的側(cè)壁708的上表面710間隔開的多個(gè)l-c諧振器716。l-c諧振器716可以被配置為可操作用于通過包覆成型的介電材料虛擬地連接至上屏蔽表面，而無(wú)需直接在l-c諧振器716與上屏蔽表面之間的物理電連接。l-c諧振器716和上屏蔽表面可操作用于為基板上在由bls側(cè)壁708限定的空間或周邊內(nèi)的一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽。

圖19是針對(duì)具有如圖18d所示的側(cè)壁708和l-c諧振器716的bls的示例性實(shí)施方式，插入損耗(il)或屏蔽效能(db)對(duì)0至18ghz的頻率的線圖。圖19總體上示出了當(dāng)電感器具有長(zhǎng)度和寬度為50微米或0.05mm的正方形外形，絕緣體為空氣，并且電容器寬度為0.05mm時(shí)不同電容器長(zhǎng)度的效果。圖19還總體上示出了較大的電容元件大小減小了諧振頻率。如圖19所示，當(dāng)電容器長(zhǎng)度為2mm時(shí)在15.31ghz的頻率下插入損耗或屏蔽效能為-39.5830db，當(dāng)電容器長(zhǎng)度為2.2mm時(shí)在15.08ghz的頻率下為-38.6878db，當(dāng)電容器長(zhǎng)度為2.4mm時(shí)在14.61ghz的頻率下為-37.8074db，當(dāng)電容器長(zhǎng)度為2.6mm時(shí)在14.11ghz的頻率下為-37.1292db，當(dāng)電容器長(zhǎng)度為2.8mm時(shí)在13.45ghz的頻率下為-36.7365db，當(dāng)電容器長(zhǎng)度為3mm時(shí)在12.45ghz的頻率下為-36.9099db。圖19所示的尺寸和測(cè)試結(jié)果僅是為了示例目的而提供，因?yàn)榭梢圆煌嘏渲闷渌纠詫?shí)施方式(例如，尺寸更大或更小、具有不同的性能等)。

圖20是針對(duì)具有如圖18d所示的側(cè)壁708和l-c諧振器716的bls的示例性實(shí)施方式，插入損耗(il)或屏蔽效能(db)對(duì)0至18ghz的頻率的線圖。圖20總體上示出了當(dāng)電容器長(zhǎng)度和寬度分別為2mm和0.54mm，并且絕緣體為空氣時(shí)不同電感器大小的效果。在該示例中，電感器具有側(cè)面寬度和長(zhǎng)度為0.025mm、0.05mm、0.075mm和0.1mm的正方形外形。如圖20所示，當(dāng)電感器寬度為0.025mm時(shí)在14.88ghz的頻率下插入損耗或屏蔽效能為-36.0108db，當(dāng)電感器寬度為0.05mm時(shí)在15.31ghz的頻率下為-39.5830db，當(dāng)電感器寬度為0.075mm時(shí)在15.63ghz的頻率下為-41.4161db，當(dāng)電感器寬度為0.1mm時(shí)在16.51ghz的頻率下為-42.4123db。圖19所示的尺寸和測(cè)試結(jié)果僅是為了示例目的而提供，因?yàn)榭梢圆煌嘏渲闷渌纠詫?shí)施方式(例如，尺寸更大或更小、具有不同的性能等)。

圖21是針對(duì)具有如圖18d所示的側(cè)壁708和l-c諧振器716的bls的示例性實(shí)施方式，插入損耗(il)或屏蔽效能(db)對(duì)0至18ghz的頻率的線圖。圖21總體上示出了當(dāng)電容器長(zhǎng)度和寬度分別為1.6mm和0.54mm，電感器具有長(zhǎng)度和寬度為50毫米或0.05mm的正方形外形，并且絕緣體厚度為20毫米或0.02mm時(shí)使用不同絕緣體(空氣和bsr2)的效果。bsr2是指來自laird的eccosorb^tm膜、柔性、高損耗、不導(dǎo)電硅橡膠片。這些具體類型的絕緣體、尺寸和測(cè)試結(jié)果僅是為了示例目的而提供。

圖22至圖24示出了根據(jù)本公開的各方面的板級(jí)屏蔽件(bls)800的另一示例性實(shí)施方式的一部分。如圖所示，l-c諧振器816沿著bls框架806的側(cè)壁808的上表面810(例如，周邊凸緣或緣等)定位。

介電材料876被設(shè)置(例如，包覆成型等)在l-c諧振器816上方。介電材料包覆成型物876可以具有200微米或0.2mm的厚度。該厚度尺寸僅是為了示例目的而提供，因?yàn)槠渌纠詫?shí)施方式可以具有更厚或更薄的介電材料包覆成型物。

上屏蔽表面(例如，圖7中的304等)可以被設(shè)置在(例如，涂覆到、粘合地附接到等)包覆成型的介電材料876(例如，包覆成型的塑料材料等)的頂部上，從而提供根據(jù)示例性實(shí)施方式的系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)屏蔽模塊。上屏蔽表面可以包括金屬化膜、導(dǎo)電材料平板或?qū)印⒔饘馘兏材?、薄金屬層、?dǎo)電涂層(例如，通過鍍覆、濺射、蒸發(fā)等提供的金屬涂層)、不銹鋼板或者其它合適的導(dǎo)電封蓋或頂層等。

l-c諧振器816可以被配置為通過介電材料876虛擬地連接至上屏蔽表面，而無(wú)需直接在l-c諧振器816與上屏蔽表面之間的物理電連接。l-c諧振器816和上屏蔽表面可操作用于為基板上在由bls內(nèi)部和外部側(cè)壁808限定的空間或周邊內(nèi)的一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽。

l-c諧振器816包括電感器844和電容器848。電感器844和/或電容器848可以由不銹鋼制成，但是也可以使用其它導(dǎo)電材料(例如，其它金屬、非金屬等)。

如圖22和圖24所示，電感器844可以諸如通過焊料、導(dǎo)電粘合劑(例如，高溫粘合劑、環(huán)氧樹脂、導(dǎo)電壓敏粘合劑(cpsa)、導(dǎo)電熱熔粘合劑等)等連接至bls側(cè)壁808的上表面810。電容器848可以諸如通過焊料、導(dǎo)電粘合劑等連接至電感器844。電容器848在bls側(cè)壁808的上表面810中的開口811上方通過電感器844來間隔開和/或支撐。電感器844在bls側(cè)壁808的上表面810與電容器848之間延伸。另選地，l-c諧振器816的方位可以反轉(zhuǎn)或旋轉(zhuǎn)180度，使得電容器848連接至bls框架側(cè)壁808并且電感器844在電容器848上面向上延伸。

在其它示例性實(shí)施方式中，電感器844和電容器848可以一體地形成(例如，從不銹鋼沖壓等)為具有整體式構(gòu)造的單件。也可以使用其它或附加粘合劑和/或方法來將l-c諧振器附接至bls。在一些其它示例性實(shí)施方式中，l-c諧振器可以通過熔融的金屬接合至bls，其中通過熱能(例如，在回流工藝等中)、通過激光能量等來使所述金屬熔融。

如圖22和圖24所示，電感器844連接至電容器848，使得電容器848大致垂直于電感器844并且大致平行于bls側(cè)壁808的上表面810。另選地，l-c諧振器816可以包括具有不同配置的電感器和/或電容器，諸如具有不同的形狀(例如，如圖6所示的非圓形橫截面、非矩形形狀、非直線形狀等)和/或由不同的材料制成等。

bls框架806可以包括沿著框架的側(cè)壁808的上表面810間隔開的多個(gè)l-c諧振器816。l-c諧振器816可以被配置為可操作用于通過包覆成型的介電材料虛擬地連接至上屏蔽表面，而無(wú)需直接在l-c諧振器816與上屏蔽表面之間的物理電連接。l-c諧振器816和上屏蔽表面可操作用于為基板上在由bls側(cè)壁808限定的空間或周邊內(nèi)的一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽。

圖25是針對(duì)具有不同電容器長(zhǎng)度的具有如圖22至圖24所示的側(cè)壁808和l-c諧振器816的bls的示例性實(shí)施方式，插入損耗(il)或屏蔽效能(db)對(duì)0至15ghz的頻率的線圖。圖25總體上示出了當(dāng)電感器高度為0.08mm+0.1mm電容元件厚度時(shí)不同電容器長(zhǎng)度(例如，2mm、2.2mm、2.4mm、2.6mm、2.8mm、3mm等)的效果。圖25所示的尺寸和測(cè)試結(jié)果僅是為了示例目的而提供，因?yàn)榭梢圆煌嘏渲闷渌纠詫?shí)施方式(例如，尺寸更大或更小、具有不同的性能等)。

圖26是針對(duì)具有不同電感器高度的具有如圖22至圖24所示的側(cè)壁808和l-c諧振器816的bls的示例性實(shí)施方式，插入損耗(il)或屏蔽效能(db)對(duì)0至15ghz的頻率的線圖。圖26總體上示出了當(dāng)電容器長(zhǎng)度為2mm時(shí)不同電感器高度(例如，0.05mm、0.06mm、0.07mm、0.08mm、0.09mm、0.1mm等)的效果。圖26還總體上示出了電感器高度的減小導(dǎo)致更大的電容，這可極大地影響諧振頻率。圖26所示的尺寸和測(cè)試結(jié)果僅是為了示例目的而提供，因?yàn)榭梢圆煌嘏渲闷渌纠詫?shí)施方式(例如，尺寸更大或更小、具有不同的性能等)。

圖27示出了根據(jù)本公開的各方面的板級(jí)屏蔽件(bls)900的另一示例性實(shí)施方式的一部分。如圖所示，l-c諧振器916、920、924沿著bls框架906的側(cè)壁908的上表面910(例如，周邊凸緣或緣等)定位。介電材料976被設(shè)置(例如，包覆成型等)在l-c諧振器916、920、924上方。

上屏蔽表面(例如，圖7中的304等)可以被設(shè)置在(例如，涂覆到、粘合地附接到等)包覆成型的介電材料976(例如，包覆成型的塑料等)的頂部上，從而提供根據(jù)示例性實(shí)施方式的系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)屏蔽模塊。上屏蔽表面可以包括金屬化膜、導(dǎo)電材料平板或?qū)印⒔饘馘兏材?、薄金屬層、?dǎo)電涂層(例如，通過鍍覆、濺射、蒸發(fā)等提供的金屬涂層)、不銹鋼板或者其它合適的導(dǎo)電封蓋或頂層等。

l-c諧振器916、920、924可以被配置為通過介電材料976虛擬地連接至上屏蔽表面，而無(wú)需直接在l-c諧振器916、920、924與上屏蔽表面之間的物理電連接。l-c諧振器916、920、924和上屏蔽表面可操作用于為基板上在由bls內(nèi)部和外部側(cè)壁908限定的空間或周邊內(nèi)的一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽。

每個(gè)l-c諧振器916、920、924包括電感器944和電容器948。電感器944和/或電容器948可以由不銹鋼制成，但是也可以使用其它導(dǎo)電材料(例如，其它金屬、非金屬等)。

電感器944可以諸如通過焊料、導(dǎo)電粘合劑(例如，高溫粘合劑、環(huán)氧樹脂、導(dǎo)電壓敏粘合劑(cpsa)、導(dǎo)電熱熔粘合劑等)等連接至bls側(cè)壁908的上表面910。電容器948可以諸如通過焊料、導(dǎo)電粘合劑等連接至電感器944。電容器948在bls側(cè)壁908的上表面910中的開口911上方通過電感器944來間隔開和/或支撐。電感器944在bls側(cè)壁908的上表面910與電容器948之間延伸。另選地，l-c諧振器916的方位可以反轉(zhuǎn)或旋轉(zhuǎn)180度，使得電容器948連接至bls框架側(cè)壁908并且電感器944在電容器948上面向上延伸。

在其它示例性實(shí)施方式中，電感器944和電容器948可以一體地形成(例如，從不銹鋼沖壓等)為具有整體式構(gòu)造的單件。也可以使用其它或附加粘合劑和/或方法來將l-c諧振器附接至bls。在一些其它示例性實(shí)施方式中，l-c諧振器可以通過熔融的金屬接合至bls，其中通過熱能(例如，在回流工藝等中)、通過激光能量等來使所述金屬熔融。

如圖22和圖24所示，電感器944連接至電容器948，使得電容器948大致垂直于電感器944并且大致平行于bls側(cè)壁908的上表面910。另選地，l-c諧振器916可以包括具有不同配置的電感器和/或電容器，諸如具有不同的形狀(例如，如圖6所示的非圓形橫截面、非矩形形狀、非直線形狀等)和/或由不同的材料制成等。

bls框架906可以包括沿著框架的側(cè)壁908的上表面910間隔開的多個(gè)l-c諧振器916。l-c諧振器916可以被配置為可操作用于通過包覆成型的介電材料976虛擬地連接至上屏蔽表面，而無(wú)需直接在l-c諧振器916與上屏蔽表面之間的物理電連接。l-c諧振器916和上屏蔽表面可操作用于為基板上在由bls側(cè)壁908限定的空間或周邊內(nèi)的一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽。

圖28是針對(duì)具有側(cè)壁908和l-c諧振器916、920、916的bls的示例性實(shí)施方式，插入損耗(il)或屏蔽效能(db)對(duì)0至10ghz的頻率的線圖。圖28總體上示出了當(dāng)三個(gè)電感器具有0.07mm、0.08mm和0.09mm的不同高度(例如，用于寬帶操作等)時(shí)不同電容器長(zhǎng)度的效果。圖26所示的尺寸和測(cè)試結(jié)果僅是為了示例目的而提供，因?yàn)榭梢圆煌嘏渲闷渌纠詫?shí)施方式(例如，尺寸更大或更小、具有不同的性能等)。

圖29至圖32示出了根據(jù)本公開的各方面的板級(jí)屏蔽件(bls)1000的另一示例性實(shí)施方式。如圖29所示，l-c諧振器1016沿著bls框架1006的外和內(nèi)(或者外部和內(nèi)部)側(cè)壁1008的上表面1010(例如，周邊凸緣或緣等)彼此間隔開。

如圖30和圖31所示，每個(gè)l-c諧振器1016包括電感器1044和電容器1048。在該示例中，電感器1044是直線的，但是在其它實(shí)施方式中電感器1044可以是非直線的。

介電材料可以被包覆成型在l-c諧振器1016上方。上屏蔽表面(例如，圖7中的304等)可以被設(shè)置在(例如，涂覆到、粘合地附接到等)包覆成型的介電材料(例如，包覆成型的塑料等)的頂部上，從而提供根據(jù)示例性實(shí)施方式的系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)屏蔽模塊。上屏蔽表面可以包括金屬化膜、導(dǎo)電材料平板或?qū)?、金屬鍍覆膜、薄金屬層、?dǎo)電涂層(例如，通過鍍覆、濺射、蒸發(fā)等提供的金屬涂層)、不銹鋼板或者其它合適的導(dǎo)電封蓋或頂層等。

l-c諧振器1016可以被配置為通過介電材料虛擬地連接至上屏蔽表面，而無(wú)需直接在l-c諧振器1016與上屏蔽表面之間的物理電連接。l-c諧振器1016和上屏蔽表面可操作用于為基板1040上在由bls內(nèi)部和外部側(cè)壁1008限定的空間或周邊內(nèi)的一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽。例如，圖29和圖32示出了在由bls側(cè)壁1008限定的周邊內(nèi)沿著pcb基板1040的第一微帶線1060和第二微帶線1064。如圖32所示，端口1(p1)和端口2(p2)分別被限定于或位于第一微帶線1060和第二微帶線1064的末端處。微帶線1060、1064的其它端可以與匹配負(fù)載端接。

繼續(xù)參照?qǐng)D31，電感器1044可以包括具有矩形橫截面的直線電感元件等。電容器1048可以包括電容貼片元件，諸如通常矩形的導(dǎo)電貼片元件等。電感器1044和電容器1048可以由不銹鋼制成，但是也可以使用其它導(dǎo)電材料(例如，其它金屬、非金屬等)。

電感器1044可以諸如通過焊料、導(dǎo)電粘合劑(例如，高溫粘合劑、環(huán)氧樹脂、導(dǎo)電壓敏粘合劑(cpsa)、導(dǎo)電熱熔粘合劑等)等連接至bls側(cè)壁1008的上表面1010。電容器1048可以諸如通過焊料、導(dǎo)電粘合劑等連接至電感器1044。電容器1048在bls側(cè)壁1008的上表面1010中的開口1011上方通過電感器1044來間隔開和/或支撐。每個(gè)電感器1044在bls側(cè)壁1008的上表面1010與電容器1048中相對(duì)應(yīng)的一個(gè)之間延伸。另選地，l-c諧振器1016的方位可以反轉(zhuǎn)或旋轉(zhuǎn)180度，使得電容器1048連接至bls并且電感器1044在電容器1048上面向上延伸(例如，圖18等)。

在其它示例性實(shí)施方式中，電感器1044和電容器1048可以一體地形成(例如，從不銹鋼沖壓等)為具有整體式構(gòu)造的單件。也可以使用其它或附加粘合劑和/或方法來將l-c諧振器附接至bls。在一些其它示例性實(shí)施方式中，l-c諧振器可以通過熔融的金屬接合至bls，其中通過熱能(例如，在回流工藝等中)、通過激光能量等來使所述金屬熔融。

如圖31所示，電感器1044連接至電容器1048，使得電容器1048大致垂直于電感器1044并且大致平行于bls側(cè)壁1008的上表面1010。另選地，l-c諧振器1016可以包括具有不同配置的電感器和/或電容器，諸如具有不同的形狀(例如，如圖10所示的非圓形橫截面、非矩形形狀、非直線形狀等)和/或由不同的材料制成等。

bls框架1006包括安裝腳1028，該安裝腳1028可以被配置為提供用于將bls1000連接至基板1040的結(jié)構(gòu)。例如，安裝腳1028可以提供用于將bls1000粘合地附接或焊接至基板1040的區(qū)域。也可以使用除焊料和粘合劑之外的另選方式來將bls1000附接至基板。

在示例性實(shí)施方式中，安裝腳1028可以用于將bls1000直接連接至pcb接地。例如，安裝腳1028可以被焊接至pcb上的焊盤和/或通孔(廣義地，導(dǎo)電部分)，使得焊料提供從安裝腳1028到直接連接至pcb接地的焊盤和/或通孔的直接電連接。在該示例中，bls1000因此將具有在安裝腳1028處與pcb接地的直接電連接以及通過介電材料1076與上屏蔽表面的虛擬連接，而無(wú)需直接在l-c諧振器1016與上屏蔽表面之間的物理電連接。

圖33是示出端口p1與p2之間的耦合(db)對(duì)0至9ghz的頻率的線圖。在圖32中限定了端口p1和p2，在圖31中提供了bls尺寸。從圖23估計(jì)諧振。出于比較目的，圖33還示出了在沒有bls的情況下端口p1與p2之間的耦合以及在不具有虛擬接地柵欄(vgf)的bls的情況下端口p1與p2之間的耦合。如圖33所示，在4.5ghz的頻率下在沒有任何bls的情況下端口p1與p2之間的耦合為-48.6251db。在4.6ghz的頻率下在bls存在但是沒有任何虛擬接地柵欄的情況下端口p1與p2之間的耦合為-62.6668db。在4.5ghz的頻率下在存在具有虛擬接地柵欄的bls的情況下端口p1與p2之間的耦合為-68.7998db。因此，圖33示出了使用如本文所公開的具有虛擬接地柵欄的bls可以實(shí)現(xiàn)端口p1與p2之間的改進(jìn)隔離。圖33所示的尺寸和測(cè)試結(jié)果僅是為了示例目的而提供，因?yàn)榭梢圆煌嘏渲闷渌纠詫?shí)施方式(例如，尺寸更大或更小、具有不同的性能等)。

圖34和圖35分別是當(dāng)端口p1(圖32)輻射時(shí)以及當(dāng)端口p2(圖32)輻射時(shí)針對(duì)具有圖31中的尺寸的圖29所示的bls1000，屏蔽效能(db)對(duì)0至9ghz的頻率的線圖。出于比較目的，圖34和圖35還示出了沒有虛擬接地柵欄(vgf)的bls的屏蔽效能對(duì)頻率。圖34和圖35示出了當(dāng)bls包括虛擬接地柵欄時(shí)屏蔽效能顯著改進(jìn)。所述尺寸、包覆成型物介電常數(shù)4以及圖31、圖34和圖35所示的測(cè)試結(jié)果僅是為了示例目的而提供，因?yàn)榭梢圆煌嘏渲闷渌纠詫?shí)施方式(例如，尺寸更大或更小、具有不同的性能等)。

圖36和圖37示出了根據(jù)本公開的各方面的板級(jí)屏蔽件(bls)1100的另一示例性實(shí)施方式。如圖36所示，四個(gè)l-c諧振器1116沿著bls1100的四個(gè)側(cè)面中的一個(gè)側(cè)面彼此間隔開。因此，bls1100包括由僅沿著bls1100的一個(gè)側(cè)面的四個(gè)l-c諧振器1116限定或者包括這四個(gè)l-c諧振器1116的虛擬接地柵欄或框架(vgf)。bls1100沿著其它三個(gè)側(cè)面被接地。盡管圖36示出了僅沿著bls1100的單個(gè)側(cè)面的四個(gè)l-c諧振器1116，但是其它示例性實(shí)施方式可以包括沿著bls1100的一個(gè)側(cè)面的多于四個(gè)或少于四個(gè)l-c諧振器1116和/或可以包括沿著bls1100的不止一個(gè)側(cè)面的l-c諧振器1116。例如，另一示例性實(shí)施方式可以包括沿著bls1100的各個(gè)側(cè)面的多于四個(gè)或少于四個(gè)l-c諧振器1116。

如圖37所示，每個(gè)l-c諧振器1116包括通過使用線接合實(shí)現(xiàn)的電感器1148。在該示例性實(shí)施方式中，電感器1148包括具有第一和第二相反端1150、1154的導(dǎo)電線(例如，鋁接合線、銅接合線、銀接合線、金接合線等)。線電感器1148的第一端1150附接至或連接至電容器1144。線電感器1148的第二端1154連接至bls1100的頂部或封蓋1104。第一端1150和第二端1154可以分別通過使用線接合(可以包括向下壓力、超聲能量和/或熱的組合以形成焊縫等)附接至電容器1144和bls封蓋1104。

使用線接合來實(shí)現(xiàn)l-c諧振器1116的電感器1148有助于實(shí)現(xiàn)更高的電感，并且因此使諧振頻率向更低范圍移位。例如，線電感器1148可以被配置為從電容器1144向bls封蓋1104非直線地延伸，使得線電感器1148與較短的直線電感器相比更長(zhǎng)并且具有更高的電感。在該示例中，線電感器1148包括中間直線線段1166，該中間直線線段1166在分別包括第一端1150和第二端1154的第一直線線段1162與第二直線線段1170之間延伸。中間直線線段1166可以大致平行于bls封蓋1104。第一直線線段1162和第二直線線段1170連接至中間直線線段1166并且從中間直線線段1166(例如，以鈍角等)延伸。另選地，l-c諧振器1116可以包括具有不同配置的電感器和/或電容器，例如具有不同的形狀和/或由不同的材料制成等。

另外，電容器1148可以沿著基板1140設(shè)置在由bls側(cè)壁1108限定的bls周邊或占用區(qū)域外側(cè)的位置處，使得電容器1148不設(shè)置在bls1100的側(cè)壁部分1112正下方。這允許電感器1148具有增大的長(zhǎng)度和更高的電感。并且，電感器1148的第二端1154可以在從bls周邊向內(nèi)的位置處附接至bls封蓋1104。這也允許電感器1148具有增大的長(zhǎng)度和更高的電感。

l-c諧振器1116可以被配置為虛擬地連接至沿著基板1140的相反側(cè)的接地平面，而無(wú)需直接在l-c諧振器1116與接地平面之間的物理電連接。bls1100可操作用于為基板1140上在由bls1100限定的空間或周邊內(nèi)的一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽。

bls框架1106包括安裝腳1128，該安裝腳1128可以被配置為提供用于將bls1100連接至基板1140的結(jié)構(gòu)。例如，安裝腳1128可以提供用于將bls1100粘合地附接或焊接至基板1140的區(qū)域。也可以使用除焊料和粘合劑之外的另選方式來將bls1100附接至基板。

如圖37所示，安裝腳1128可以用于將bls1100直接連接至pcb接地。例如，安裝腳1128可以被焊接至pcb上的焊盤1158和/或通孔(廣義地，導(dǎo)電部分)，使得焊料提供從安裝腳1128到直接連接至pcb接地的焊盤1158和/或通孔的直接電連接。在該示例中，bls1100因此將具有在安裝腳1128處與pcb接地的直接電連接以及與接地平面或屏蔽表面的虛擬連接，而無(wú)需直接在l-c諧振器1116與接地平面或屏蔽表面之間的物理電連接。

圖38是針對(duì)包括利用如圖36和圖37所示的線接合實(shí)現(xiàn)的vgf的bls1100以及針對(duì)包括利用沖壓實(shí)現(xiàn)的vgf的bls，屏蔽效能(db)對(duì)0至10ghz的頻率的線圖?？傮w上，圖38示出了使用線接合實(shí)現(xiàn)l-c諧振器1116的電感器1148有助于實(shí)現(xiàn)更高的電感，并且因此使諧振頻率向更低范圍移位(例如，從6.2ghz到3ghz等)。

作為背景，傳統(tǒng)sip模塊可以通過首先挑選部件并將其放置在基板(例如，pcb等)上來制成。選取金屬框架壁并將其放置在基板上部件之間。金屬框架壁經(jīng)歷焊料回流以將金屬框架壁附接至基板。焊料還將金屬框架壁電連接至基板的導(dǎo)電部分。所述部件和金屬框架壁被包封在塑料內(nèi)和/或利用塑料包覆成型。經(jīng)由激光燒蝕去除一部分塑料，以便暴露金屬框架壁的上邊緣。經(jīng)由濺射涂覆將金屬施加在塑料的頂部，從而提供與金屬框架的暴露的上邊緣直接接觸的上屏蔽表面或屏蔽件頂部。

在示例性實(shí)施方式(例如，圖7、圖13、圖15、圖18d、圖22、圖27和圖29等)中，在sip模塊或封裝中代替金屬框架壁使用一個(gè)或更多個(gè)諧振器或者除了金屬框架壁之外還使用一個(gè)或更多個(gè)諧振器。所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以連接(例如，焊接等)至基板，通常在基板的第一側(cè)上的兩個(gè)或更多個(gè)部件之間。所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以包括彼此間隔開并且通常圍繞部件設(shè)置的多個(gè)諧振器。介電材料(例如，塑料等)可以包封和/或被包覆成型到基板上的部件上以及所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器上。上屏蔽表面或屏蔽件頂部可以被設(shè)置在(例如，涂覆到、粘合地附接到等)包覆成型的介電材料的頂部上。例如，上屏蔽表面可以包括金屬化膜、導(dǎo)電材料平板或?qū)?、金屬鍍覆膜、薄金屬層、?dǎo)電涂層(例如，通過鍍覆、濺射、蒸發(fā)等提供的金屬涂層)、不銹鋼板等。

所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器通過介電材料虛擬地連接至上屏蔽表面，而無(wú)需直接在諧振器與上屏蔽表面之間的物理電連接。所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器還可以虛擬地連接至沿著與第一側(cè)相反的基板的第二側(cè)的接地平面。與接地平面的該虛擬連接可以在沒有直接在所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器與接地平面之間的物理電連接的情況下實(shí)現(xiàn)。諧振器和上屏蔽表面可操作用于為一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽。

在示例性實(shí)施方式中，與sip模塊中當(dāng)前使用的屏蔽相比，在系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)模塊中使用虛擬接地柵欄可以提供以下特征或優(yōu)點(diǎn)中的一個(gè)或更多個(gè)(但未必是任何或所有)。例如，使用虛擬接地柵欄允許用于在系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)模塊內(nèi)部提供屏蔽的相對(duì)更簡(jiǎn)單的工藝和/或降低的成本。通過使用與屏蔽件頂部進(jìn)行虛擬連接的vgf概念，將不需要用于去除包覆成型的介電材料以暴露金屬屏蔽的激光燒蝕的步驟，從而提供更簡(jiǎn)單的工藝。例如，當(dāng)金屬化膜、金屬鍍覆膜或其它導(dǎo)電層代替金屬涂層用作上屏蔽表面或屏蔽件頂部時(shí)，可以省去pvd(物理氣相沉積)或其它涂覆工藝。

在示例性實(shí)施方式中，板級(jí)屏蔽件包括一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器，所述一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器被配置為可操作用于將所述板級(jí)屏蔽件虛擬地連接至接地平面或屏蔽表面。所述一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器可以包括沿著所述板級(jí)屏蔽件的各個(gè)側(cè)面或者沿著少于所有側(cè)面(例如，單個(gè)側(cè)面等)的至少一個(gè)l-c諧振器。例如，所述一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器可以包括沿著所述板級(jí)屏蔽件的各個(gè)側(cè)面的多個(gè)l-c諧振器(例如，等距地彼此間隔開的三個(gè)或四個(gè)l-c諧振器等)。所述一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器可以包括通常圍繞bls的外周邊的多個(gè)l-c諧振器。所述一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器可以被配置為以預(yù)定諧振頻率諧振。每個(gè)l-c諧振器可以包括電感器和電容器。電感器或電容器可以連接至板級(jí)屏蔽件。電容器可以連接至電感器。電感器可以是電感銷或其它電感直線或非直線元件。電容器可以是電容貼片或焊盤。

板級(jí)屏蔽件可以包括上表面以及從上表面懸垂的一個(gè)或更多個(gè)側(cè)壁。一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器中的每一個(gè)可以連接至或限定所述一個(gè)或更多個(gè)側(cè)壁中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)的至少一部分。或者，例如，一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器中的每一個(gè)可以連接至或限定bls柵欄或框架的頂表面(例如，上周邊緣或凸緣等)的至少一部分。

板級(jí)屏蔽件可以包括上表面以及從上表面懸垂的一個(gè)或更多個(gè)上側(cè)壁部分。一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器中的每一個(gè)可以連接至所述一個(gè)或更多個(gè)上側(cè)壁部分中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)。所述一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器可以包括多個(gè)l-c諧振器，每個(gè)l-c諧振器包括電感銷和電容貼片。電感銷可以連接至所述一個(gè)或更多個(gè)上側(cè)壁部分中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)。電容貼片可以連接至電感銷，使得電容貼片大致垂直于電感銷和所述一個(gè)或更多個(gè)上側(cè)壁部分中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)。板級(jí)屏蔽件的上表面可以與上側(cè)壁部分成一體或可拆卸地附接至上側(cè)壁部分。

電子裝置可以包括接地平面和板級(jí)屏蔽件。所述一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器可以將板級(jí)屏蔽件虛擬地連接至接地平面，而無(wú)需直接在板級(jí)屏蔽件與接地平面之間的物理電連接。

電子裝置可以包括印刷電路板，該印刷電路板包括具有一個(gè)或更多個(gè)部件的第一側(cè)以及具有接地平面的第二側(cè)。板級(jí)屏蔽件可以相對(duì)于印刷電路板定位，使得沿著印刷電路板的第一側(cè)的所述一個(gè)或更多個(gè)部件在由板級(jí)屏蔽件限定的內(nèi)部?jī)?nèi)，并且使得所述一個(gè)或更多個(gè)l-c諧振器將板級(jí)屏蔽件虛擬地連接至沿著印刷電路板的第二側(cè)的接地平面。

在示例性實(shí)施方式中，板級(jí)屏蔽件包括沿著該板級(jí)屏蔽件的各個(gè)側(cè)面或者少于所有側(cè)面(例如，單個(gè)側(cè)面等)的一個(gè)或更多個(gè)諧振器。所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器被配置為使得板級(jí)屏蔽件能夠虛擬地連接至接地平面或屏蔽表面，而無(wú)需直接在板級(jí)屏蔽件與接地平面或屏蔽表面之間的物理電連接。所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以包括沿著板級(jí)屏蔽件的一個(gè)或更多個(gè)側(cè)面等距地間隔開的多個(gè)l-c諧振器(例如，三個(gè)、四個(gè)、五個(gè)等)。所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以被配置為以預(yù)定諧振頻率諧振。每個(gè)諧振器可以包括電感器和電容器。電感器可以連接至板級(jí)屏蔽件。電容器可以連接至電感器。電感器可以是電感銷。電容器可以是電容貼片。

板級(jí)屏蔽件可以包括上表面以及從上表面懸垂的一個(gè)或更多個(gè)側(cè)壁。一個(gè)或更多個(gè)諧振器中的每一個(gè)可以連接至或限定所述一個(gè)或更多個(gè)側(cè)壁中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)的至少一部分。

板級(jí)屏蔽件可以包括上表面以及從上表面懸垂的一個(gè)或更多個(gè)上側(cè)壁部分。一個(gè)或更多個(gè)諧振器中的每一個(gè)連接至所述一個(gè)或更多個(gè)上側(cè)壁部分中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)。

所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以包括多個(gè)l-c諧振器，每個(gè)l-c諧振器包括電感銷和電容貼片。電感銷可以連接至所述一個(gè)或更多個(gè)上側(cè)壁部分中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)。電容貼片可以連接至電感銷，使得電容貼片大致垂直于電感銷和所述一個(gè)或更多個(gè)上側(cè)壁部分中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)。上表面可以與上側(cè)壁部分成一體或可拆卸地附接至上側(cè)壁部分。

電子裝置可以包括接地平面和板級(jí)屏蔽件。一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以將板級(jí)屏蔽件虛擬地連接至接地平面，而無(wú)需直接在板級(jí)屏蔽件與接地平面之間的物理電連接。

電子裝置可以包括印刷電路板，該印刷電路板包括具有一個(gè)或更多個(gè)部件的第一側(cè)以及具有接地平面的第二側(cè)。板級(jí)屏蔽件可以相對(duì)于印刷電路板定位，使得沿著印刷電路板的第一側(cè)的所述一個(gè)或更多個(gè)部件在由板級(jí)屏蔽件限定的內(nèi)部?jī)?nèi)，并且使得一個(gè)或更多個(gè)諧振器將板級(jí)屏蔽件虛擬地連接至沿著印刷電路板的第二側(cè)的接地平面。

具有虛擬接地的板級(jí)屏蔽件可用于系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)模塊。該板級(jí)屏蔽件可以包括上屏蔽表面。一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以被配置為可操作用于虛擬地連接至上屏蔽表面。介電材料(例如，塑料等)可以包封和/或被包覆成型到所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器上。

一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以通過介電材料虛擬地連接至上屏蔽表面，而無(wú)需直接在所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器與上屏蔽表面之間的物理電連接。因此，所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以通過包覆成型的介電材料與上屏蔽表面虛擬地連接，而不必去除(例如，經(jīng)由激光燒蝕等)包覆成型的介電材料的任何部分來暴露所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器的導(dǎo)電部分。

系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)模塊可以包括印刷電路板，該印刷電路板包括具有一個(gè)或更多個(gè)部件的第一側(cè)以及具有接地平面的第二側(cè)。介電材料也可以包封和/或被包覆成型到沿著印刷電路板的第一側(cè)的一個(gè)或更多個(gè)部件上。一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以包括多個(gè)l-c諧振器，每個(gè)l-c諧振器包括連接至印刷電路板的第一側(cè)或者沿著印刷電路板的第一側(cè)的電容器以及連接至所述電容器的電感器。上屏蔽表面可以被設(shè)置在所述一個(gè)或更多個(gè)部件上方。l-c諧振器可以虛擬地連接至沿著印刷電路板的第二側(cè)的接地平面，而無(wú)需直接在l-c諧振器與接地平面之間的物理電連接。l-c諧振器還可以通過介電材料虛擬地連接至上屏蔽表面，而無(wú)需直接在l-c諧振器與上屏蔽表面之間的物理電連接。l-c諧振器和上屏蔽表面可操作用于為所述一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽。

在示例性實(shí)施方式中，系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)屏蔽模塊通常包括印刷電路板，該印刷電路板包括具有一個(gè)或更多個(gè)部件的第一側(cè)。上屏蔽表面在所述一個(gè)或更多個(gè)部件上方。多個(gè)諧振器彼此間隔開。介電材料可以包封和/或被包覆成型到沿著印刷電路板的第一側(cè)的所述一個(gè)或更多個(gè)部件上以及所述多個(gè)諧振器上。諧振器通過介電材料虛擬地連接至上屏蔽表面，而無(wú)需直接在諧振器與上屏蔽表面之間的物理電連接。

印刷電路板可以包括具有接地平面并且與具有一個(gè)或更多個(gè)部件的第一側(cè)相反的第二側(cè)。諧振器可以虛擬地連接至沿著印刷電路板的第二側(cè)的接地平面，而無(wú)需直接在諧振器與接地平面之間的物理電連接。諧振器和上屏蔽表面可操作用于為所述一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽。

其它示例性實(shí)施方式包括制造板級(jí)emi屏蔽設(shè)備或組件的方法以及與為基板上的一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽有關(guān)的方法。另外的示例性實(shí)施方式包括與制造系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)屏蔽模塊有關(guān)的方法以及與為系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)模塊的一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽有關(guān)的方法。

在示例性實(shí)施方式中，一種方法通常包括提供具有一個(gè)或更多個(gè)諧振器的板級(jí)屏蔽件，所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器被配置為可操作用于將板級(jí)屏蔽件虛擬地連接至接地平面，而無(wú)需直接在板級(jí)屏蔽件與接地平面之間的物理電連接。在另一示例性實(shí)施方式中，一種方法通常包括使用一個(gè)或更多個(gè)諧振器來將板級(jí)屏蔽件虛擬地連接至接地平面，而無(wú)需使用直接在板級(jí)屏蔽件與接地平面之間的物理電連接。

一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以包括沿著板級(jí)屏蔽件的各個(gè)側(cè)面或者沿著少于所有側(cè)面(例如，沿著單個(gè)側(cè)面等)間隔開的多個(gè)諧振器。每個(gè)諧振器可以包括電感器和電容器。電感器可以連接至板級(jí)屏蔽件。電容器可以連接至電感器。電感器可以是電感銷。電容器可以是電容貼片。所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以包括沿著板級(jí)屏蔽件的各個(gè)側(cè)面等距地間隔開的多個(gè)(例如，三個(gè)、四個(gè)等)l-c諧振器。

該方法可以包括將一個(gè)或更多個(gè)諧振器中的每一個(gè)連接至板級(jí)屏蔽件的對(duì)應(yīng)的上側(cè)壁部分。所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以包括多個(gè)l-c諧振器，每個(gè)l-c諧振器包括電感銷和電容貼片。電感銷可以連接至板級(jí)屏蔽件的對(duì)應(yīng)的上側(cè)壁部分。電容貼片可以連接至電感銷，使得電容貼片大致垂直于電感銷和對(duì)應(yīng)的上側(cè)壁部分。

該方法可以包括將板級(jí)屏蔽件相對(duì)于印刷電路板定位，使得一個(gè)或更多個(gè)諧振器將板級(jí)屏蔽件虛擬地連接至沿著印刷電路板的第二側(cè)的接地平面，由此板級(jí)屏蔽件可操作用于為由板級(jí)屏蔽件限定的內(nèi)部?jī)?nèi)的一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽。

另一示例性實(shí)施方式包括與為基板的第一側(cè)上的一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽有關(guān)的方法。在該示例性實(shí)施方式中，該方法通常包括將板級(jí)屏蔽件相對(duì)于基板的第一側(cè)定位，使得板級(jí)屏蔽件虛擬地連接至與第一側(cè)相反的基板的第二側(cè)上和/或沿著第二側(cè)的接地平面，而無(wú)需直接在板級(jí)屏蔽件與接地平面之間的物理電連接，由此板級(jí)屏蔽件可操作用于為所述一個(gè)或更多個(gè)部件提供屏蔽。

另一示例性實(shí)施方式包括一種方法，該方法通常包括將上屏蔽表面與一個(gè)或更多個(gè)諧振器虛擬地連接。所述上屏蔽表面被設(shè)置在沿著系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)屏蔽模塊的印刷電路板的第一側(cè)的一個(gè)或更多個(gè)部件上方。介電材料包封和/或被包覆成型到沿著印刷電路板的第一側(cè)的所述一個(gè)或更多個(gè)部件上以及所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器上。所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器通過介電材料虛擬地連接至上屏蔽表面，而無(wú)需直接在所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器與上屏蔽表面之間的物理電連接。

一個(gè)或更多個(gè)諧振器可以包括至少一個(gè)l-c諧振器，所述l-c諧振器包括電容器以及連接至該電容器的電感器。該方法可以包括將介電材料包覆成型到沿著系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)屏蔽模塊的印刷電路板的第一側(cè)的一個(gè)或更多個(gè)部件上以及所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器上。該方法還可以包括通過介電材料將上屏蔽表面虛擬地連接至所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器，而無(wú)需去除(例如，經(jīng)由激光燒蝕等)包覆成型的介電材料的任何部分來暴露所述一個(gè)或更多個(gè)諧振器的導(dǎo)電部分。

在示例性實(shí)施方式中，bls可以包括與bls的上表面、封蓋、蓋或頂部一體地形成的上側(cè)壁部分。例如，上側(cè)壁部分和上表面可以通過對(duì)同一導(dǎo)電材料片進(jìn)行沖壓然后折疊所沖壓的材料來形成，使得上側(cè)壁部分大致垂直于上表面。另選地，上側(cè)壁部分可以不與bls的上表面一體地制造，而是分開制造。在一些示例性實(shí)施方式中，bls可以包括兩件式屏蔽件，其中上表面、封蓋、蓋或頂部能夠從側(cè)壁移除以及重新附接至側(cè)壁。在一些示例性實(shí)施方式中，bls可以包括附接至bls和/或與bls一體地形成的一個(gè)或更多個(gè)內(nèi)壁、分隔物或者隔板。在這樣的示例性實(shí)施方式中，bls封蓋、側(cè)壁和內(nèi)壁可以協(xié)作地限定多個(gè)單獨(dú)的emi屏蔽隔室(例如，圖13至圖15中所示的bls600等)。

本文所公開的板級(jí)屏蔽部件(例如，100、200、304、316、400、500、600、706、800、900、1000、1100等)可以由較寬范圍的材料形成。例如，bls和/或l-c諧振器可以由金屬或金屬合金形成，例如冷軋鋼(例如，鍍錫冷軋鋼等)、金屬板、不銹鋼、銅合金(例如，鍍錫銅合金等)、鎳銀合金(例如，鎳銀合金770等)、銅鎳合金、碳鋼、黃銅、銅、鋁、銅鈹合金、磷青銅、鋼、其合金以及其它合適的導(dǎo)電材料。或者，bls和/或l-c諧振器也可以由涂覆有導(dǎo)電材料的塑料形成。本文所提供的材料僅是為了例示的目的，因?yàn)閎ls和/或l-c諧振器可以根據(jù)例如特定應(yīng)用(例如，要屏蔽的電子部件)、總電子裝置內(nèi)的空間考慮、emi屏蔽和散熱需求以及其它因素而由不同的材料制成。

在一些示例性實(shí)施方式中，bls的至少一部分可以是導(dǎo)熱的，以幫助建立或限定從熱源(例如，電子裝置的板載發(fā)熱電子部件等)到散熱和/或排熱結(jié)構(gòu)(例如，熱沉、電子裝置(例如，蜂窩電話、智能電話、平板、膝上型計(jì)算機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)等)的外部殼體或外殼、散熱器、熱管等)的導(dǎo)熱路徑的至少一部分。例如，bls的側(cè)壁和封蓋可以是導(dǎo)電的和導(dǎo)熱的。在該示例中，一個(gè)或更多個(gè)熱界面材料(tim)(例如，適形或可適形熱界面墊、油灰或填隙料等)可以沿著bls封蓋或蓋的外表面和/或內(nèi)表面設(shè)置(例如，經(jīng)由psa膠帶粘附地附接等)。沿著封蓋的外表面的熱界面材料可以被配置為與散熱裝置或排熱結(jié)構(gòu)接觸(例如，直接物理接觸等)。作為另外的示例，熱界面材料可以包括適形和/或可流動(dòng)的熱界面材料，其具有足夠的可壓縮性、柔性、可變形性和/或可流動(dòng)性以允許熱界面材料相對(duì)緊密地適形于散熱裝置或者排熱結(jié)構(gòu)的尺寸和外形，從而去除它們之間的氣隙。熱界面也可以是可被就地分配到屏蔽設(shè)備上的點(diǎn)膠成形材料。作為另外的示例，tim可以由導(dǎo)熱和導(dǎo)電彈性體模制而成。tim可以包括由在橡膠、凝膠、油脂或蠟等基質(zhì)中的陶瓷顆粒、金屬顆粒、鐵氧體emi/rfi吸收顆粒、金屬或玻璃纖維網(wǎng)片形成的導(dǎo)熱適形材料或者導(dǎo)熱界面材料。

在一些示例性實(shí)施方式中，一個(gè)或更多個(gè)emi或微波吸收劑可以沿著bls的外表面和/或內(nèi)表面設(shè)置。在包括一個(gè)或更多個(gè)emi或微波吸收劑的實(shí)施方式中，可以使用較寬范圍的材料，例如羰基鐵、硅化鐵、鐵顆粒、鐵鉻化合物、金屬銀、羰基鐵粉末、sendust(包含85％鐵、9.5％硅和5.5％鋁的合金)、坡莫合金(包含約20％鐵和80％鎳的合金)、鐵氧體、磁性合金、磁性粉末、磁性薄片、磁性顆粒、基于鎳的合金和粉末、鉻合金、及其任何組合。emi吸收劑可包括顆粒、球、微球、橢球、不規(guī)則球、束、薄片、粉末中的一個(gè)或更多個(gè)和/或這些形狀中的任何或所有的組合。

提供示例實(shí)施方式，使得本公開透徹，并將范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。陳述諸如特定部件、裝置和方法的示例這樣的許多具體細(xì)節(jié)，來提供本公開的實(shí)施方式的透徹理解。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，不必采用具體細(xì)節(jié)，示例實(shí)施方式可以以許多不同形式來實(shí)施，且示例實(shí)施方式不應(yīng)解釋為限制公開的范圍。在某些示例性實(shí)施方式中，不對(duì)已知工藝、已知裝置結(jié)構(gòu)和已知技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)描述。另外，可以憑借本公開的一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)的優(yōu)點(diǎn)和改進(jìn)僅是為了例示的目的而提供的，并且不限制本公開的范圍，這是因?yàn)楸疚乃_的示例性實(shí)施方式可以提供所有上述優(yōu)點(diǎn)和改進(jìn)或都不提供，并且仍然落在本公開的范圍內(nèi)。

本文所公開的具體尺寸、具體材料和/或具體形狀實(shí)質(zhì)上是示例，并且不限制本公開的范圍。本文所公開的給定參數(shù)的具體值和值的具體范圍不排除可以在本文所公開的一個(gè)或更多個(gè)示例中使用的其它值和值的范圍。而且，可以想到，本文所描述的具體參數(shù)的任意兩個(gè)具體值可以限定可適合于給定參數(shù)的值的范圍的端點(diǎn)(即，公開給定參數(shù)的第一值和第二值可被解釋為公開給定值也可以采用介于第一值與第二值之間的任何值)。例如，如果本文中參數(shù)x被例示為具有值a并且還被例示為具有值z(mì)，則可以想到，參數(shù)x可以具有從約a至約z的值范圍。類似地，可以想到，公開參數(shù)的兩個(gè)或更多個(gè)值范圍(無(wú)論這些范圍是嵌套的、交疊的還是相異的)包含了可利用所公開的范圍的端點(diǎn)主張的值范圍的所有可能組合。例如，如果本文中參數(shù)x被示例為具有在1–10或者2–9或者3–8范圍內(nèi)的值，則也可以想到，參數(shù)x可以具有其它值范圍，包括1–9、1–8、1–3、1–2、2–10、2–8、2–3、3–10以及3–9。

本文所使用的術(shù)語(yǔ)僅僅是為了描述特定示例實(shí)施方式，并非旨在限制。如本文所使用的，除非上下文中明確指示，否則單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”也旨在包括復(fù)數(shù)形式。術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”和“具有”可兼用，因此指定存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件，但是不排除存在或添加一個(gè)或更多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其群組。本文所描述的方法步驟、處理和操作不應(yīng)被解釋為必須要求它們按照所討論或者示出的特定順序來執(zhí)行，除非明確地標(biāo)識(shí)了執(zhí)行順序。還應(yīng)理解，可以采用附加或另選步驟。

當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“在”另一元件或?qū)印吧稀?、“接合到”另一元件或?qū)?、“連接到”另一元件或?qū)踊蛘摺敖Y(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，它可以直接在另一元件或?qū)由?、接合到另一元件或?qū)?、連接到另一元件或?qū)踊蛘呓Y(jié)合到另一元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖谥虚g元件或?qū)?。相比之下，?dāng)元件被稱作“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接接合到”另一元件或?qū)?、“直接連接到”另一元件或?qū)踊蛘摺爸苯咏Y(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，可能不存在中間元件或?qū)印Ｓ糜诿枋鲈g的關(guān)系的其它詞應(yīng)該按照類似方式來解釋(例如，“在之間”與“直接在之間”、“相鄰”與“直接相鄰”等)。如本文所使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)的任何以及所有組合。

術(shù)語(yǔ)“約”在應(yīng)用于值時(shí)指示計(jì)算或測(cè)量允許值的一些輕微的不精確(與值的精確值有某些接近；近似或者合理地接近該值；差不多)。如果出于某些原因，“約”所提供的不精確在本領(lǐng)域中無(wú)法使用此普通含義來理解，則本文所使用的“約”至少指示可能由于普通測(cè)量方法或者使用這些參數(shù)而產(chǎn)生的變化。例如，本文中術(shù)語(yǔ)“通?！?、“約”和“大致”可用于表示在制造容差內(nèi)。

盡管本文中可以使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等來描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)可以僅用于將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一區(qū)域、層或部分區(qū)分開。本文中所使用的諸如“第一”、“第二”的術(shù)語(yǔ)以及其它數(shù)字術(shù)語(yǔ)并不暗示順序或次序，除非上下文明確指示。因此，在不脫離示例實(shí)施方式的教導(dǎo)的情況下，第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可被稱作第二元件、部件、區(qū)域、層或部分。

為了便于描述，本文中可以使用諸如“內(nèi)”、“外”、“下方”、“下面”、“下”、“上面”、“上”等的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)來描述如圖所示的一個(gè)元件或特征與另一元件或特征的關(guān)系?？臻g相對(duì)術(shù)語(yǔ)可以旨在除了圖中所描繪的方位之外還涵蓋裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其它元件或特征“下面”或“下方”的元件將在其它元件或特征“上面”。因此，示例術(shù)語(yǔ)“下面”可以涵蓋上面和下面的兩種方位。裝置可以按照其它方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或者處于其它方位)，并且相應(yīng)地解釋本文所使用的空間相對(duì)描述詞。

對(duì)實(shí)施方式的上述說明是為了例示和說明的目的而提供的。并非旨在對(duì)本公開進(jìn)行窮盡，或者限制。具體實(shí)施方式的獨(dú)立元件、所預(yù)期或所描述的用途或特征通常不限于該具體實(shí)施方式，而在適用情況下可互換，并且可用于所選實(shí)施方式中(即使沒有具體示出或描述)。實(shí)施方式還可以以許多方式來改變。這種變型例不被認(rèn)為偏離公開，并且所有這種修改例旨在包括在公開的范圍內(nèi)。