技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及LED芯片工藝領(lǐng)域，公開(kāi)了一種LED倒裝芯片的制備方法，包括提供透光襯底；在透光襯底上生長(zhǎng)外延層；在各芯片單元區(qū)域上刻蝕出N電極溝槽以形成Mesa平臺(tái)；在Mesa平臺(tái)之上形成P?歐姆接觸層；在P?歐姆接觸層之上形成反射層；在N電極溝槽上形成N?歐姆接觸層；制作覆蓋各N電極溝槽、Mesa平臺(tái)、反射層以及N?歐姆接觸層的隔離層；圖形化隔離層以形成P導(dǎo)電通道和N導(dǎo)電通道；制作分別覆蓋各P導(dǎo)電通道和各N導(dǎo)電通道的P焊墊和N焊墊；制作chip。本發(fā)明可以同時(shí)避開(kāi)P電極上導(dǎo)電層吸收光和電極焊墊遮光，降低驅(qū)動(dòng)電壓及提高光強(qiáng)；減少電壓轉(zhuǎn)換時(shí)的能量損失，緩解電流積聚，便于光學(xué)設(shè)計(jì)。

技術(shù)研發(fā)人員：李智勇;張向飛;劉堅(jiān)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：淮安澳洋順昌光電技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.25
技術(shù)公布日：2017.07.11