【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及p型晶體硅基底鈣鈦礦疊層異質(zhì)結(jié)雙面電池結(jié)構(gòu)及其制法。

背景技術(shù)：

自1954年第一塊太陽(yáng)能電池在貝爾實(shí)驗(yàn)室誕生以來，晶體硅太陽(yáng)能電池得到了廣泛的應(yīng)用，轉(zhuǎn)換效率不斷提升，生產(chǎn)成本持續(xù)下降。目前，晶體硅太陽(yáng)能電池占太陽(yáng)能電池全球市場(chǎng)總額的90％以上，晶體硅電池片的產(chǎn)線轉(zhuǎn)換效率目前已突破21％，全球年新增裝機(jī)容量約70gw且增速明顯，與火力發(fā)電的度電成本不斷縮小，在未來幾年有望與之持平。晶體硅太陽(yáng)能電池作為一種清潔能源在改變能源結(jié)構(gòu)、緩解環(huán)境壓力等方面的重要作用日益凸顯。

p型晶體硅電池由于生產(chǎn)工藝成熟、制造成本低，在目前及今后相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)仍占據(jù)絕大部分市場(chǎng)份額。p型晶體硅太陽(yáng)能電池要想繼續(xù)保持競(jìng)爭(zhēng)力、獲得更大的發(fā)展與應(yīng)用，必須進(jìn)一步提高轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)降低生產(chǎn)成本。

perc技術(shù)著眼于電池的背面，在通過鈍化降低了背面復(fù)合速度的同時(shí)，增加了對(duì)紅外光的反射，從而吸收更廣的光譜范圍，該技術(shù)近年來在p型晶體硅電池中逐步得到大規(guī)模應(yīng)用，使多晶和單晶電池的效率分別提升0.5％和1％以上。作為對(duì)p型晶體硅perc電池的改進(jìn)，目前有將背面的全鋁層用細(xì)鋁柵線代替，使電池具有雙面發(fā)電的功能。雖然perc技術(shù)極大的提高了電池的背面性能，但是對(duì)電池的正面無顯著改善，尤其是電池的正面電極，目前主要采用絲網(wǎng)印刷的方式形成近百條細(xì)柵和若干條主柵，此工序造成電池片表面5％～7％的面積形成對(duì)光的遮擋，使p型perc雙面電池的效率優(yōu)勢(shì)未能充分發(fā)揮。

此外，常規(guī)的晶體硅電池在材料本身和工藝上都有一些限制。晶體硅的禁帶寬度為1.12ev，且為間接帶隙。此外，常規(guī)晶體硅太陽(yáng)能電池在擴(kuò)散和燒結(jié)過程中需要高溫，擴(kuò)散和燒結(jié)的峰值溫度都在800℃以上，這些高溫過程都加劇了少子復(fù)合。在熱擴(kuò)散工藝中，發(fā)射極屬于重?fù)诫s，俄歇復(fù)合的影響顯著。這些都導(dǎo)致晶體硅電池的開路電壓的極限值在750mv左右。

近年來，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池引起了人們的廣泛關(guān)注。1991年gratzel研究小組發(fā)明了dsscs，但其染色劑不能吸收所有的光，因此降低了電池的效率。為了做得更好，miyasaka將注意力轉(zhuǎn)向鈣鈦礦。他們使用了一層薄薄的吸光鈣鈦礦層，能效達(dá)3.8％。但不幸的是，這種電池也包含液體電解質(zhì)，會(huì)很快溶解鈣鈦礦，以致電池失效。該研究也開啟了鈣鈦礦太陽(yáng)能電池研究的先河。2013年被《科學(xué)》雜志評(píng)為年度10大突破，2016世界經(jīng)濟(jì)論壇將鈣鈦礦技術(shù)列為10大新興技術(shù)。僅僅4年時(shí)間，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池效率就從3.8％提升到22％。ch3nh3pbx3(x＝br，i)是一類具有鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)類型的有機(jī)-無機(jī)雜合(organic–inorganichybrid)半導(dǎo)體材料，具有較大的電子-空穴擴(kuò)散長(zhǎng)度和原好于晶體硅的光吸收系數(shù)。其中ch3nh3pbi3具有1.50～1.55ev的直接帶隙，能吸收波長(zhǎng)小于800nm的光子，對(duì)應(yīng)am1.5g光譜中的可見光部分。ch3nh3pbi3薄膜在可見光部分的吸收系數(shù)達(dá)到104～105cm^-1，與無機(jī)半導(dǎo)體材料gaas、cdte和cigs相近。而且ch3nh3pbi3薄膜具有成本低廉、載流子遷移率高、擴(kuò)散長(zhǎng)度大、晶體缺陷少等優(yōu)點(diǎn)，能夠很好的互補(bǔ)晶體硅太陽(yáng)能電池的短板，是制備硅基疊層太陽(yáng)電池的理想材料。

因此急需一種在p型晶體硅雙面perc電池上疊層鈣鈦礦的制作方法，來提升疊層電池的開路電壓，得到更高的短路電流，進(jìn)而得到更高的電池效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明的目的是提供p型晶體硅基底鈣鈦礦疊層異質(zhì)結(jié)雙面電池結(jié)構(gòu)及其制法，該電池結(jié)合了p型晶體硅背鈍化雙面和鈣鈦礦電池技術(shù)兩種電池的優(yōu)點(diǎn)，產(chǎn)生的協(xié)同效應(yīng)遠(yuǎn)大于單個(gè)技術(shù)，很好的解決了在單獨(dú)采用背景技術(shù)中所述兩項(xiàng)技術(shù)時(shí)產(chǎn)生的諸多問題，如晶體硅效率低，鈣鈦礦穩(wěn)定性差等。

本發(fā)明的目的通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

p型晶體硅基底鈣鈦礦疊層異質(zhì)結(jié)雙面電池結(jié)構(gòu)，疊層異質(zhì)結(jié)雙面電池從正面至背面依次包括透明導(dǎo)電膜、電子傳輸層、鈣鈦礦層、空穴傳輸層、復(fù)合層、n型層、p型基體、背面鈍化膜和背面電極。

所述p型基體為單晶或多晶硅片，n型層的摻雜劑含磷漿料。

所述含磷漿料為pocl3、ph3中的至少一種。

所述背面電極的材質(zhì)為銀漿或銀/鋁漿，復(fù)合層為本征非晶硅，其厚度為1-10nm。

所述空穴傳輸層的材料為有機(jī)物或無機(jī)物，當(dāng)為有機(jī)物時(shí)，空穴傳輸層為spiro-metad、ptaa或pedot-pss。

所述空穴傳輸層為無機(jī)物時(shí)，空穴傳輸層的材料為gap、nio、coo、feo、b12o3、m0o2、cr203或含cu(l)的化合物。

所述透明導(dǎo)電膜為ito薄膜、azo薄膜、gzo薄膜、fto薄膜、iwo薄膜和石墨烯薄膜中的一種或多種疊層構(gòu)成，透明導(dǎo)電膜1的厚度為50～500nm，透明導(dǎo)電膜的材料為tio2、sio2、zro2、al2o3或zno。

p型晶體硅基底鈣鈦礦疊層異質(zhì)結(jié)雙面電池結(jié)構(gòu)的制法，包括如下步驟：

步驟一，將p型晶體硅片進(jìn)行表面織構(gòu)化處理；

步驟二，在p型晶體硅片的正面進(jìn)行磷摻雜處理形成n型層；

步驟三，刻蝕去掉p型晶體硅片正面的磷硅玻璃和背結(jié)；

步驟四，在p型晶體硅片的背面制作背面電極；

步驟五，進(jìn)行熱處理，使背面電極的柵線與p型硅基體形成良好的歐姆接觸；

步驟六，在p型晶體硅片表面生長(zhǎng)一層本征非晶硅作為復(fù)合層；

步驟七，在復(fù)合層的正面制作空穴傳輸層；

步驟八，在空穴傳輸層的正面生長(zhǎng)鈣鈦礦層；

步驟九，在鈣鈦礦層正面生長(zhǎng)透明導(dǎo)電膜。

所述步驟二中，在p型晶體硅片的正面進(jìn)行磷摻雜處理形成n型層后，方阻為40～100ω/□。

所述步驟五中，熱處理方式為在鏈?zhǔn)綗Y(jié)爐中燒結(jié)熱處理，燒結(jié)溫度為300～900℃。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：

本發(fā)明的p型晶體硅基底鈣鈦礦疊層異質(zhì)結(jié)雙面電池結(jié)構(gòu)結(jié)合了p型晶體硅背鈍化雙面和鈣鈦礦電池技術(shù)兩種電池的優(yōu)點(diǎn)，利用了差異化的帶隙結(jié)構(gòu)，通過鈣鈦礦疊層，極大提升了傳統(tǒng)晶體硅電池的開路電壓，疊層的下層采用p型晶體硅，晶體硅具有1.12ev的間接帶隙；上層采用鈣鈦礦，ch3nh3pbi3具有1.50～1.55ev的直接帶隙，疊層電池的開路電壓可以達(dá)到1.2-2.0v，遠(yuǎn)高于常規(guī)晶體硅電池的約0.7v。通過雙面受光的結(jié)構(gòu)，提升了疊層電池的短路電流，電流密度可以達(dá)到40-50ma/cm2，高于常規(guī)晶體硅電池的約37ma/cm2。從而極大提升了該疊層電池的效率，電池光電轉(zhuǎn)換效率為達(dá)到28％以上。同時(shí)解決了在單獨(dú)采用背景技術(shù)中所述兩項(xiàng)技術(shù)時(shí)產(chǎn)生的諸多問題，如晶體硅效率低，鈣鈦礦穩(wěn)定性差等。

【附圖說明】

圖1是本發(fā)明的p型晶體硅基底鈣鈦礦疊層異質(zhì)結(jié)雙面電池結(jié)構(gòu)的局部剖面示意圖；

圖2是p型晶體硅基底鈣鈦礦疊層異質(zhì)結(jié)雙面電池結(jié)構(gòu)背面外觀示意圖。

其中，1-透明導(dǎo)電膜，2-電子傳輸層，3-鈣鈦礦層，4-空穴傳輸層，5-復(fù)合層，6-n型層，7-p型基體，8-鈍化膜，9-背面電極，10-背面細(xì)柵線，11-背面主柵線。

【具體實(shí)施方式】

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例來對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。

如圖1和圖2所示，本發(fā)明提供的p型晶體硅基底鈣鈦礦疊層異質(zhì)結(jié)雙面電池結(jié)構(gòu)，從疊層電池從正面至背面包括：透明導(dǎo)電膜1、電子傳輸層2、鈣鈦礦層3、空穴傳輸層4、復(fù)合層5、n型層6、p型基體7、背面鈍化膜8、背面電極9。

本發(fā)明提供的p型晶體硅基底鈣鈦礦疊層異質(zhì)結(jié)雙面電池的制作方法，包括以下步驟，在p型硅片上依次經(jīng)過制絨、擴(kuò)散、清洗、印刷、燒結(jié)、鍍膜、制作空穴傳輸層、鈣鈦礦層、電子傳輸層、透明導(dǎo)電膜，制成p型晶體硅基底鈣鈦礦疊層異質(zhì)結(jié)雙面電池，具體步驟如下：

(1)采用化學(xué)藥液腐蝕、等離子刻蝕、金屬催化或激光刻蝕將p型晶體硅片進(jìn)行表面織構(gòu)化處理，p型晶體硅片為單晶或多晶硅片；

(2)進(jìn)行磷摻雜處理，在p型晶體硅片的正面形成n型層，摻雜的方法采用激光摻雜、低壓擴(kuò)散、常壓擴(kuò)散、離子注入或雜質(zhì)漿料涂敷加熱處理，摻雜劑為pocl3、ph3或其他含磷漿料，摻雜后的方阻為40～100ω/□；

(3)刻蝕去掉p型晶體硅片正面的磷硅玻璃和背結(jié)，刻蝕的方法采用濕法刻蝕或干法刻蝕；

(4)采用絲網(wǎng)印刷、電鍍等方法在p型晶體硅片背面制作柵線電極，柵線電極使用的漿料為銀漿或銀/鋁漿，之后烘干；

(5)在300～900℃下在鏈?zhǔn)綗Y(jié)爐中進(jìn)行鏈?zhǔn)綗Y(jié)熱處理，使背面電極柵線與p型硅基體形成良好的歐姆接觸；

(6)通過化學(xué)氣相沉積的方式在硅片表面生長(zhǎng)一層1-10nm的本征非晶硅作為復(fù)合層；

(7)在復(fù)合層的正面制作10-100nm的空穴傳輸層，空穴傳輸層的材料為有機(jī)物或無機(jī)物，無機(jī)物為含cu(l)的化合物，例如cul，cuscn，或者為其它材料，例如：gap，nio，coo，feo，b12o3，m0o2或cr203用來做無機(jī)的htl；有機(jī)物為spiro-metad，ptaa或pedot-pss，無機(jī)材料通過濺射、氣相沉積、3d打印、印刷、噴涂工藝來制作，有機(jī)材料通過旋涂的方式制作；

(8)通過溶液法、共蒸法或氣象溶液輔助法在空穴傳輸層正面生長(zhǎng)鈣鈦礦層；

(9)通過濺射、氣相沉積、3d打印、印刷、噴涂工藝的方式在鈣鈦礦層正面生長(zhǎng)透明導(dǎo)電膜，透明導(dǎo)電膜的厚度控制在50～500nm，透明導(dǎo)電膜為ito薄膜、azo薄膜、gzo薄膜、fto薄膜、iwo薄膜和石墨烯薄膜中的一種或多種疊層構(gòu)成，透明導(dǎo)電膜的材料是：tio2，sio2，zro2，al2o3或zno，透明導(dǎo)電膜層同時(shí)起到電子傳輸層(electrontransportlayer)的作用。

實(shí)施例1

本實(shí)施例的p型晶體硅基底鈣鈦礦疊層異質(zhì)結(jié)雙面電池結(jié)通過如下步驟制作：

(1)將p型單晶硅片在80-90℃的koh溶液中異向腐蝕，獲得表面金字塔結(jié)構(gòu)；

(2)在800～900℃下以pocl3為摻雜劑進(jìn)行低壓擴(kuò)散，在p型單晶硅片的正面上形成n型層，摻雜后的方阻為70ω/□；

(3)采用濕法刻蝕去掉p型單晶硅片正面的磷硅玻璃及背結(jié)；

(4)在p型單晶硅片背面的鈍化膜上按特定圖形采用進(jìn)行開膜，開膜圖形為5組相互平行的線段狀，長(zhǎng)度為155mm，寬度為100um，相鄰兩個(gè)線段之間的間距為1.3mm；

(5)采用絲網(wǎng)印刷的方法在p型單晶硅片背面按激光開膜圖案制作背面正極細(xì)鋁柵線，背面鋁柵線圖形和上一步中開膜圖形一致，之后烘干；

(6)在300～900℃下進(jìn)行鏈?zhǔn)綗Y(jié)熱處理，使背面正極鋁細(xì)柵線與p型硅基體形成良好的歐姆接觸，同時(shí)與背面正極銀主柵線熔接在一起，構(gòu)成電池的正極；

(7)通過化學(xué)氣相沉積的方式在硅片表面生長(zhǎng)一層1.0nm的本征非晶硅作為復(fù)合層；

(8)在復(fù)合層正面通過濺射的方法沉積10nm的cui作為空穴傳輸層；

(9)在空穴傳輸層之上通過共蒸法，在真空條件下，將pbi2與ch3nh3i氣相共蒸發(fā)沉積，沉積生成200nm的ch3nh3pbi3，作為鈣鈦礦層；

(10)在鈣鈦礦層上采用濺射法制作厚度為150nm的ito透明導(dǎo)電膜，作為電子傳輸層，同時(shí)起到透明導(dǎo)電薄膜。

實(shí)施例2

本實(shí)施例的p型晶體硅基底鈣鈦礦疊層異質(zhì)結(jié)雙面電池結(jié)通過如下步驟制作：

(1)將p型單晶硅片在80-90℃的koh溶液中異向腐蝕，獲得表面金字塔結(jié)構(gòu)；

(2)在800～900℃下以pocl3為摻雜劑進(jìn)行低壓擴(kuò)散，在p型單晶硅片的正面上形成n型層，摻雜后的方阻為70ω/□；

(3)采用濕法刻蝕去掉p型單晶硅片正面的磷硅玻璃及背結(jié)；

(4)在p型單晶硅片背面的鈍化膜上按特定圖形采用進(jìn)行開膜，開膜圖形為5組相互平行的線段狀，長(zhǎng)度為155mm，寬度為100um，相鄰兩個(gè)線段之間的間距為1.3mm；

(5)采用絲網(wǎng)印刷的方法在p型單晶硅片背面按激光開膜圖案制作背面正極細(xì)鋁柵線，背面鋁柵線圖形和上一步中開膜圖形一致，之后烘干；

(6)在300～900℃下進(jìn)行鏈?zhǔn)綗Y(jié)熱處理，使背面正極鋁細(xì)柵線與p型硅基體形成良好的歐姆接觸，同時(shí)與背面正極銀主柵線熔接在一起，構(gòu)成電池的正極；

(7)通過化學(xué)氣相沉積的方式在硅片表面生長(zhǎng)一層2.0nm的本征非晶硅作為復(fù)合層；

(8)在復(fù)合層正面通過濺射的方法沉積30nm的cui作為空穴傳輸層；

(9)在空穴傳輸層之上通過共蒸法，在真空條件下，將pbi2與ch3nh3i氣相共蒸發(fā)沉積，沉積生成200nm的ch3nh3pbi3，作為鈣鈦礦層；

(10)在鈣鈦礦層上采用濺射法制作厚度為150nm的ito透明導(dǎo)電膜，作為電子傳輸層，同時(shí)起到透明導(dǎo)電薄膜。

實(shí)施例3

本實(shí)施例的p型晶體硅基底鈣鈦礦疊層異質(zhì)結(jié)雙面電池結(jié)通過如下步驟制作：

(1)將p型單晶硅片在80-90℃的koh溶液中異向腐蝕，獲得表面金字塔結(jié)構(gòu)；

(2)在800～900℃下以pocl3為摻雜劑進(jìn)行低壓擴(kuò)散，在p型單晶硅片的正面上形成n型層，摻雜后的方阻為70ω/□；

(3)采用濕法刻蝕去掉p型單晶硅片正面的磷硅玻璃及背結(jié)；

(4)在p型單晶硅片背面的鈍化膜上按特定圖形采用進(jìn)行開膜，開膜圖形為5組相互平行的線段狀，長(zhǎng)度為155mm，寬度為100um，相鄰兩個(gè)線段之間的間距為1.3mm；

(5)采用絲網(wǎng)印刷的方法在p型單晶硅片背面按激光開膜圖案制作背面正極細(xì)鋁柵線，背面鋁柵線圖形和上一步中開膜圖形一致，之后烘干；

(6)在300～900℃下進(jìn)行鏈?zhǔn)綗Y(jié)熱處理，使背面正極鋁細(xì)柵線與p型硅基體形成良好的歐姆接觸，同時(shí)與背面正極銀主柵線熔接在一起，構(gòu)成電池的正極；

(7)通過化學(xué)氣相沉積的方式在硅片表面生長(zhǎng)一層5.0nm的本征非晶硅作為復(fù)合層；

(8)在復(fù)合層正面通過濺射的方法沉積50nm的cui作為空穴傳輸層；

(9)在空穴傳輸層之上通過共蒸法，在真空條件下，將pbi2與ch3nh3i氣相共蒸發(fā)沉積，沉積生成200nm的ch3nh3pbi3，作為鈣鈦礦層；

(10)在鈣鈦礦層上采用濺射法制作厚度為150nm的ito透明導(dǎo)電膜，作為電子傳輸層，同時(shí)起到透明導(dǎo)電薄膜。

實(shí)例1,2,3制成的太陽(yáng)能疊層電池的開路電壓1.6-1.8v，短路電流39-45ma/cm²，光電轉(zhuǎn)換效率為25-27％。

實(shí)施例4

本實(shí)施例的p型晶體硅基底鈣鈦礦疊層異質(zhì)結(jié)雙面電池結(jié)通過如下步驟制作：

(1)將p型單晶硅片在80-90℃的koh溶液中異向腐蝕，獲得表面金字塔結(jié)構(gòu)；

(2)在800～900℃下以pocl3為摻雜劑進(jìn)行低壓擴(kuò)散，在p型單晶硅片的正面上形成n型層，摻雜后的方阻為70ω/□。

(3)采用濕法刻蝕去掉p型單晶硅片正面的磷硅玻璃及背結(jié)；

(4)在p型單晶硅片背面的鈍化膜上按特定圖形采用進(jìn)行開膜，開膜圖形為5組相互平行的線段狀，長(zhǎng)度為155mm，寬度為100um，相鄰兩個(gè)線段之間的間距為1.3mm；

(5)采用絲網(wǎng)印刷的方法在p型單晶硅片背面按激光開膜圖案制作背面正極細(xì)鋁柵線，背面鋁柵線圖形和上一步中開膜圖形一致，之后烘干；

(6)在300～900℃下進(jìn)行鏈?zhǔn)綗Y(jié)熱處理，使背面正極鋁細(xì)柵線與p型硅基體形成良好的歐姆接觸，同時(shí)與背面正極銀主柵線熔接在一起，構(gòu)成電池的正極；

(7)通過lpcvd的方法在硅片正表面生長(zhǎng)一層1.0nm的本征非晶硅作為復(fù)合層；

(8)在正面復(fù)合層之上通過旋涂的方法沉積50nm的spiro-metad作為空穴傳輸層。

(9)在空穴傳輸層之上通過共蒸法，在真空條件下，將pbi2與ch3nh3i氣相共蒸發(fā)沉積，沉積生成200nm的ch3nh3pbi3，作為鈣鈦礦層；

(10)在鈣鈦礦層上采用濺射法制作厚度為150nm的ito透明導(dǎo)電膜，作為電子傳輸層，同時(shí)起到透明導(dǎo)電薄膜。

實(shí)施例5

本實(shí)施例的p型晶體硅基底鈣鈦礦疊層異質(zhì)結(jié)雙面電池結(jié)通過如下步驟制作：

(1)將p型單晶硅片在80-90℃的koh溶液中異向腐蝕，獲得表面金字塔結(jié)構(gòu)；

(2)在800～900℃下以pocl3為摻雜劑進(jìn)行低壓擴(kuò)散，在p型單晶硅片的正面上形成n型層，摻雜后的方阻為70ω/□。

(3)采用濕法刻蝕去掉p型單晶硅片正面的磷硅玻璃及背結(jié)；

(4)在p型單晶硅片背面的鈍化膜上按特定圖形采用進(jìn)行開膜，開膜圖形為5組相互平行的線段狀，長(zhǎng)度為155mm，寬度為100um，相鄰兩個(gè)線段之間的間距為1.3mm；

(5)采用絲網(wǎng)印刷的方法在p型單晶硅片背面按激光開膜圖案制作背面正極細(xì)鋁柵線，背面鋁柵線圖形和上一步中開膜圖形一致，之后烘干；

(6)在300～900℃下進(jìn)行鏈?zhǔn)綗Y(jié)熱處理，使背面正極鋁細(xì)柵線與p型硅基體形成良好的歐姆接觸，同時(shí)與背面正極銀主柵線熔接在一起，構(gòu)成電池的正極；

(7)通過lpcvd的方法在硅片正表面生長(zhǎng)一層1.5nm的本征非晶硅作為復(fù)合層；

(8)在正面復(fù)合層之上通過旋涂的方法沉積70nm的spiro-metad作為空穴傳輸層。

(9)在空穴傳輸層之上通過共蒸法，在真空條件下，將pbi2與ch3nh3i氣相共蒸發(fā)沉積，沉積生成200nm的ch3nh3pbi3，作為鈣鈦礦層；

(10)在鈣鈦礦層上采用濺射法制作厚度為150nm的ito透明導(dǎo)電膜，作為電子傳輸層，同時(shí)起到透明導(dǎo)電薄膜。

實(shí)施例6

本實(shí)施例的p型晶體硅基底鈣鈦礦疊層異質(zhì)結(jié)雙面電池結(jié)通過如下步驟制作：

(1)將p型單晶硅片在80-90℃的koh溶液中異向腐蝕，獲得表面金字塔結(jié)構(gòu)；

(2)在800～900℃下以pocl3為摻雜劑進(jìn)行低壓擴(kuò)散，在p型單晶硅片的正面上形成n型層，摻雜后的方阻為70ω/□。

(3)采用濕法刻蝕去掉p型單晶硅片正面的磷硅玻璃及背結(jié)；

(4)在p型單晶硅片背面的鈍化膜上按特定圖形采用進(jìn)行開膜，開膜圖形為5組相互平行的線段狀，長(zhǎng)度為155mm，寬度為100um，相鄰兩個(gè)線段之間的間距為1.3mm；

(5)采用絲網(wǎng)印刷的方法在p型單晶硅片背面按激光開膜圖案制作背面正極細(xì)鋁柵線，背面鋁柵線圖形和上一步中開膜圖形一致，之后烘干；

(6)在300～900℃下進(jìn)行熱處理，使背面正極鋁細(xì)柵線與p型硅基體形成良好的歐姆接觸，同時(shí)與背面正極銀主柵線熔接在一起，構(gòu)成電池的正極；

(7)通過lpcvd的方法在硅片正表面生長(zhǎng)一層5.0nm的本征非晶硅作為復(fù)合層；

(8)在正面復(fù)合層之上通過旋涂的方法沉積100nm的spiro-metad作為空穴傳輸層；

(9)在空穴傳輸層之上通過共蒸法，在真空條件下，將pbi2與ch3nh3i氣相共蒸發(fā)沉積，沉積生成200nm的ch3nh3pbi3，作為鈣鈦礦層；

(10)在鈣鈦礦層上采用濺射法制作厚度為150nm的ito透明導(dǎo)電膜，作為電子傳輸層，同時(shí)起到透明導(dǎo)電薄膜。

本實(shí)例制成的太陽(yáng)能疊層電池的開路電壓1.7-2.0v，短路電流39-45ma/cm2，光電轉(zhuǎn)換效率為26-28％。