本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管（led），尤其涉及一種應(yīng)用于平行光照明的發(fā)光二極管。

背景技術(shù)：

微電子、微機(jī)電系統(tǒng)制造都需要應(yīng)用到曝光機(jī)，曝光機(jī)中的光學(xué)系統(tǒng)是將光源發(fā)出的光轉(zhuǎn)換為理想平行光，然后，通過平行光將掩膜上的圖形等尺寸轉(zhuǎn)移到掩膜下面的菲林上，再通過刻蝕，將菲林上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上。在整個(gè)制造過程中，平行光的發(fā)散角決定了圖形從菲林轉(zhuǎn)移到基片的精度，發(fā)散角越小，轉(zhuǎn)移的精度越高。

傳統(tǒng)的平行光源往往采用體積較大的金屬或金屬鹵化物氣體放電燈，其譜線不純，壽命也較短，運(yùn)行成本高。近年來，隨著發(fā)光二極管技術(shù)的進(jìn)步，發(fā)光二極管燈珠在發(fā)光效率，發(fā)光壽命，譜線窄等方面的優(yōu)勢日益突出，正不斷取代曝光機(jī)中的傳統(tǒng)氣體放電燈，成為曝光機(jī)光源的主流。

伴隨著曝光機(jī)對精度要求的不斷提高，曝光機(jī)所要求平行光的發(fā)散角越來越小。例如，半發(fā)散角由過去的小于2.5°提高到小于0.5°。然而，隨著發(fā)散角的變小，曝光機(jī)光學(xué)系統(tǒng)所出射平行光的輻射出射度迅速降低，而無法達(dá)到被曝光物所需的曝光要求。單純對曝光機(jī)光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行改進(jìn)是無法解決該問題的，必須對光源進(jìn)行優(yōu)化。

本發(fā)明將從曝光機(jī)所采用的光源的角度去進(jìn)一步提高曝光機(jī)的性能。為了提高曝光機(jī)的光功率，用于曝光機(jī)的發(fā)光二極管燈珠一般采用大功率型。這種發(fā)光二極管往往注重的是轉(zhuǎn)換效率，即在一定的電能輸入下，如何獲得更高的輻射光功率。這樣的發(fā)光二極管并不總是有利于曝光機(jī)獲得更佳性能的平行光，特別在發(fā)散角要求極小的平行光源中。

研究表明：某一出射度為m的均勻自發(fā)輻射表面的輻射的發(fā)散角為某一值，通過光學(xué)系統(tǒng)后，其發(fā)散角可以降低，但同時(shí)出射度必然遠(yuǎn)小于m。近似地，出射度m下降的速度是發(fā)散角下降速度的二次方。自發(fā)輻射體一般是余弦發(fā)射體，因此，要獲得極小發(fā)散角的輸出光，同時(shí)對經(jīng)過光學(xué)系統(tǒng)后的出射度有一定要求，則必然要求作為光源的自發(fā)輻射體具有極大的輻射出射度m。

如圖1和圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)的曝光機(jī)的光源往往采用led陣列，包括多個(gè)led燈珠101，然后經(jīng)過擴(kuò)散勻光板102，構(gòu)成余弦體二次光源作為其大面積光源。然而，依據(jù)以上分析，雖然該二次光源的輻射通量很大，但光源表面的輻射出射度并不高，遠(yuǎn)小于發(fā)光二極管芯片表面的輻射出射度。如前所述，這種輻射出射度低的光源，采用任何光學(xué)系統(tǒng)，都不可能獲得小的發(fā)散角。

既然發(fā)光二極管芯片表面具有最大的輻射出射度，那顯然，將芯片表面出射的光直接導(dǎo)入光學(xué)系統(tǒng)，在保證最后輻射出射度的條件下，理論上可以獲得最小的發(fā)散角。因此，獲得盡可能高輻射出射度的發(fā)光二極管是制造極小發(fā)散角平行光源的關(guān)鍵。

目前發(fā)光二極管的設(shè)計(jì)重點(diǎn)在如何獲得最大的總輻射通量，而不是獲得最大輻射出射度，這兩者并不總是一致的。當(dāng)發(fā)光二極管芯片每個(gè)發(fā)光區(qū)域都獲得最大的輻射出射度，總的輻射通量一定也是最大的。

另一方面，也可以通過縮小發(fā)光二極管芯片發(fā)光區(qū)域，犧牲總輻射通量，在芯片表面的部分區(qū)域產(chǎn)生極大的輻射出射度。

發(fā)光二極管芯片并不是平面光源，實(shí)際上是六面立方體，接觸熱沉的面不出光，上表面，四個(gè)側(cè)面是發(fā)光二極管的光輻射的區(qū)域。芯片的光輻射通量主要是上表面產(chǎn)生。

也有部分發(fā)光二極管芯片，例如發(fā)紫外光的algan材料體系的led發(fā)光二極管芯片，其輻射甚至很大一部分是來自于四個(gè)側(cè)面。由于芯片的厚度極小，四個(gè)側(cè)面相對于上表面的面積小，因此，雖然四個(gè)側(cè)面的總輻射通量可能小于上表面的輻射通量，但四個(gè)側(cè)面的輻射出射度是遠(yuǎn)大于上表面的輻射出射度。因此，加強(qiáng)和利用這種發(fā)光二極管的側(cè)發(fā)光將可以制造具有高輻射出射度的發(fā)光二極管。

影響發(fā)光二極管出光的因素還包括其封裝結(jié)構(gòu)，如圖3所示，封裝結(jié)構(gòu)一般包括：熱沉103、芯片104以及光學(xué)結(jié)構(gòu)105。這些封裝結(jié)構(gòu)一般以提高發(fā)光二極管總的輻射通量為目標(biāo)進(jìn)行光學(xué)設(shè)計(jì)，然而，基于上文同樣的理由，經(jīng)過封裝后的發(fā)光二極管應(yīng)該以有利于發(fā)光二極管芯片表面具有最大輻射出射度區(qū)域的光能夠最少損失的由封裝體出射。

基于以上研究，設(shè)計(jì)一種適合用于平行光照明的發(fā)光二極管包含兩部分：從發(fā)光二極管芯片的層面考慮，要在發(fā)光二極管芯片發(fā)光表面形成具有高出射度的部分區(qū)域，而不是全部芯片表面區(qū)域；從發(fā)光二極管封裝層面考慮，要有利于發(fā)光二極管芯片表面極高輻射出射度區(qū)域的光出射，而不是所有輻射表面的光出射。

基于以上研究，我們提出了一種適用于平行光照明的發(fā)光二極管。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種適用于平行光照明的發(fā)光二極管，旨在用于解決現(xiàn)有的發(fā)光二極管輻射出射度低，不能獲得較小的發(fā)散角的問題。

本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種應(yīng)用于平行光照明的發(fā)光二極管，包括發(fā)光二極管芯片、熱沉以及光學(xué)封裝體，所述發(fā)光二極管芯片的下表面與所述熱沉接觸，其上表面及四個(gè)側(cè)面均為發(fā)光表面，所述光學(xué)封裝體包覆于所述發(fā)光二極管芯片外，所述發(fā)光表面的部分區(qū)域覆蓋有抑制光輻射的覆蓋層。

進(jìn)一步地，所述覆蓋層覆蓋于所述發(fā)光二極管芯片的四個(gè)側(cè)面及上表面中的任意一個(gè)面或多個(gè)面上，且位于任意一個(gè)面上的覆蓋層覆蓋該面的全部區(qū)域或者部分區(qū)域。

進(jìn)一步地，所述覆蓋層為鍍于所述發(fā)光表面的金屬膜。

進(jìn)一步地，所述發(fā)光二極管芯片的兩電極都位于發(fā)光二極管芯片的上表面，兩電極共同覆蓋發(fā)光二極管芯片的上表面且在僅中央形成圓形出光孔。

進(jìn)一步地，所述發(fā)光二極管芯片的兩電極分別位于發(fā)光二極管芯片的上表面和下表面，位于所述發(fā)光二極管芯片上表面的電極覆蓋發(fā)光二極管芯片的上表面且僅在中央形成圓形出光孔。

進(jìn)一步地，所述光學(xué)封裝體的頂部設(shè)有一個(gè)球面準(zhǔn)直透鏡，所述發(fā)光二極管芯片位于所述球面準(zhǔn)直透鏡的焦平面上，所述圓形出光孔的中心與所述球面準(zhǔn)直透鏡的中心對準(zhǔn)。

進(jìn)一步地，所述發(fā)光二極管采用覆晶封裝結(jié)構(gòu)且兩電極都位于發(fā)光二極管芯片的下表面，所述發(fā)光二極管芯片的襯底被減薄或者剝離，所述覆蓋層覆蓋于減薄或者剝離襯底后的發(fā)光二極管芯片的上表面。

進(jìn)一步地，所述發(fā)光二極管芯片減薄后的襯底的厚度為0-80微米。

進(jìn)一步地，所述發(fā)光二極管芯片為發(fā)紫外光的algan材料體系的led芯片，所述覆蓋層覆蓋于減薄或者剝離襯底后的發(fā)光二極管芯片的上表面的全部區(qū)域。

進(jìn)一步地，所述光學(xué)封裝體為中空的石英體，所述光學(xué)封裝體的內(nèi)側(cè)具有與所述發(fā)光二極管芯片的側(cè)面間隔設(shè)置的豎直面，所述光學(xué)封裝體的外側(cè)具有與所述豎直面處于同一高度且與水平方向呈45度角的第一傾斜面，所述光學(xué)封裝體的外側(cè)還具有位于第一傾斜面上方且與第一傾斜面沿水平方向?qū)ΨQ設(shè)置的第二傾斜面，所述光學(xué)封裝體的內(nèi)側(cè)還具有與第二傾斜面處于同一高度且與第二傾斜面平行設(shè)置的第三傾斜面，所述光學(xué)封裝體的頂部具有位于第三傾斜面上方的水平面。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：

（1）本發(fā)明提供的這種適用于平行光照明的發(fā)光二極管，通過在發(fā)光二極管芯片的發(fā)光表面的部分區(qū)域覆蓋抑制光輻射的覆蓋層，抑制發(fā)光二極管的總輻射通量，使得其他未處理發(fā)光表面區(qū)域獲得極大輻射出射度，該光源將有利于降低平行光發(fā)散角，優(yōu)化平行光的照明設(shè)計(jì)。

（2）本發(fā)明提供的這種適用于平行光照明的發(fā)光二極管，將位于發(fā)光二極管芯片頂部的襯底減薄或者至完全剝離，縮小四個(gè)側(cè)面的出光面積，降低側(cè)面的光輻射，抑制發(fā)光二極管的總輻射通量，使得其他未處理發(fā)光表面區(qū)域獲得極大輻射出射度，進(jìn)一步使得該光源利于降低平行光發(fā)散角，優(yōu)化平行光的照明設(shè)計(jì)。

（3）本發(fā)明提供的這種適用于平行光照明的發(fā)光二極管，將光學(xué)封裝體設(shè)計(jì)成使得發(fā)光二極管芯片表面極大輻射出射度區(qū)域的出射光能最少損失地沿芯片上表面法線方向出射，進(jìn)一步使得該光源利于降低平行光發(fā)散角，優(yōu)化平行光的照明設(shè)計(jì)。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的曝光機(jī)光源的led燈珠陣列的正視圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)的曝光機(jī)光源的led燈珠陣列以及勻光板的側(cè)視圖；

圖3為現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管的芯片與熱沉的封裝結(jié)構(gòu)圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例1提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管的芯片結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例2提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管的芯片結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例3、4提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管的芯片襯底減薄示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例3、4提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管的芯片襯底剝離示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例3提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管的芯片結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例4提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管的芯片結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例1、2、3提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例4提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖13為本發(fā)明實(shí)施例4提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)主視圖；

圖14為本發(fā)明實(shí)施例4提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)俯視圖。

附圖標(biāo)記說明：1-發(fā)光二極管芯片、2-熱沉、3-光學(xué)封裝體、4-覆蓋層、5-圓形出光孔、6-球面準(zhǔn)直透鏡、7-襯底、s1-豎直面、s2-第一傾斜面、s3-第二傾斜面、s4-第三傾斜面、s5-水平面。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供的適用于平行光照明的發(fā)光二極管，包括發(fā)光二極管芯片1、熱沉2以及光學(xué)封裝體（未圖示），如圖4所示，所述發(fā)光二極管芯片1的下表面與所述熱沉2接觸，所述發(fā)光二極管芯片1的上表面及四個(gè)側(cè)面均為發(fā)光表面，所述光學(xué)封裝體包覆于所述發(fā)光二極管芯片1外，所述發(fā)光二極管芯片1的發(fā)光表面的部分區(qū)域被處理，使得處理區(qū)域的光輻射受到抑制，從而光輻射只能在未處理的區(qū)域出射，并在未處理的區(qū)域獲得極大輻射出射度。所述處理包括在所述發(fā)光表面的部分區(qū)域覆蓋抑制光輻射的覆蓋層，所述覆蓋層覆蓋于所述發(fā)光二極管芯片1的四個(gè)側(cè)面及上表面這五個(gè)面中的任意一個(gè)面或多個(gè)面上，且位于任意一個(gè)面上的覆蓋層覆蓋該面的全部區(qū)域或者覆蓋該面的部分區(qū)域，覆蓋于任意一個(gè)面的部分區(qū)域上的覆蓋層的形狀可以是任意的，作為優(yōu)選地，覆蓋于上表面部分區(qū)域上的覆蓋層為中心對稱形狀且在中央形成圓形出光孔，以此獲得更好的出光效果。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述覆蓋層為鍍于所述發(fā)光表面的金屬膜，如金、銀等，當(dāng)封裝之后的發(fā)光二極管芯片1有電極位于芯片的上表面時(shí)，所述覆蓋層可以直接由電極擴(kuò)大形成，所述覆蓋層不限于金屬膜材料。當(dāng)發(fā)光二極管采用覆晶封裝結(jié)構(gòu)且兩電極都位于發(fā)光二極管芯片的下表面時(shí)，所述處理還包括對所述發(fā)光二極管芯片頂部的襯底減薄或者至完全剝離，并在減薄或者剝離襯底后的發(fā)光二極管芯片的上表面覆蓋抑制光輻射的覆蓋層，所述發(fā)光二極管芯片減薄或者剝離后的襯底的厚度優(yōu)選為0-80微米，此時(shí)可以獲得較好的出光效果。

為了獲得盡可能高的輻射出射度，實(shí)現(xiàn)更好的出光效果，所述光學(xué)封裝體還可以根據(jù)發(fā)光二極管芯片表面極大輻射出射度區(qū)域進(jìn)行設(shè)計(jì)，使得該區(qū)域的輻射最少損失地沿發(fā)光二極管芯片的上表面法線方向出射，此時(shí)會(huì)伴隨其他區(qū)域的光輻射的出射效率受損或無法有效地沿芯片上表面法線方向出射。

以下根據(jù)發(fā)光二極管芯片自身結(jié)構(gòu)及封裝形式對本發(fā)明的具體實(shí)施例加以說明。

實(shí)施例1：

當(dāng)發(fā)光二極管芯片的兩電極都位于發(fā)光二極管芯片的上表面時(shí)，如圖5所示，覆蓋層4由兩電極形成，將兩電極設(shè)計(jì)成共同覆蓋發(fā)光二極管芯片1的上表面且僅在中央形成圓形出光孔5，所述圓形出光孔5的直徑優(yōu)選為0.1-0.5毫米。兩電極在發(fā)光二極管芯片1的上表面的面積遠(yuǎn)大于普通發(fā)光二極管兩電極的面積，由于可發(fā)光區(qū)域的面積降低，總輻射通量下降，但中央圓形出光孔5區(qū)域的輻射出射度上升，有利于降低平行光發(fā)散角。對應(yīng)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)如圖11所示，包括發(fā)光二極管芯片1、熱沉2以及光學(xué)封裝體3，所述光學(xué)封裝體3的頂部設(shè)有一個(gè)球面準(zhǔn)直透鏡6，發(fā)光二極管芯片1位于球面準(zhǔn)直透鏡6的焦平面上，發(fā)光二極管芯片1的圓形出光孔5的中心對準(zhǔn)球面準(zhǔn)直透鏡6的中心，使得出光區(qū)域的輻射最少損失地沿發(fā)光二極管芯片1的上表面法線方向出射，從而獲得更高的輻射出射度。

實(shí)施例2：

當(dāng)發(fā)光二極管芯片的兩電極分別位于發(fā)光二極管芯片的上表面和下表面時(shí)，如圖6所示，覆蓋層4由位于發(fā)光二極管芯片1上表面的電極形成，將位于發(fā)光二極管芯片1上表面的電極面積增大，使得位于發(fā)光二極管芯片1上表面的電極覆蓋發(fā)光二極管芯片1的上表面且僅在中央形成圓形出光孔5，所述圓形出光孔5的直徑優(yōu)選為0.1-0.5毫米。由于可發(fā)光區(qū)域的面積降低，總輻射通量下降，但中央圓形出光孔5區(qū)域的輻射出射度上升，有利于降低平行光發(fā)散角。對應(yīng)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)如圖11所示，包括發(fā)光二極管芯片1、熱沉2以及光學(xué)封裝體3，所述光學(xué)封裝體3的頂部設(shè)有一個(gè)球面準(zhǔn)直透鏡6，發(fā)光二極管芯片1位于球面準(zhǔn)直透鏡6的焦平面上，發(fā)光二極管芯片1的圓形出光孔5的中心對準(zhǔn)球面準(zhǔn)直透鏡6的中心，使得出光區(qū)域的輻射最少損失地沿發(fā)光二極管芯片1的上表面法線方向出射，從而獲得更高的輻射出射度。

實(shí)施例3：

當(dāng)發(fā)光二極管采用覆晶封裝結(jié)構(gòu)且兩電極都位于發(fā)光二極管芯片與熱沉接觸的下表面時(shí)，此時(shí)發(fā)光二極管芯片1的襯底位于發(fā)光二極管芯片1的頂部，如圖7所示，所述發(fā)光二極管芯片1頂部的襯底7被減薄，使得剩余襯底7厚度為0-80微米，或者如圖8所示，所述發(fā)光二極管芯片1的襯底7完全剝離，通過減薄或者剝離襯底從而縮小發(fā)光二極管芯片1四個(gè)側(cè)面的出光面積，降低側(cè)面的光輻射，并且，如圖9所示，在減薄或者剝離襯底后的發(fā)光二極管芯片1的上表面覆蓋抑制光輻射的覆蓋層4，所述覆蓋層4為鍍于所述發(fā)光二極管芯片1上表面的金屬膜，例如金，銀等，并在中央留出較小的出光區(qū)域，該出光區(qū)域形狀任意，本優(yōu)選實(shí)施例中，所述出光區(qū)域?yàn)槲挥诟采w層4中央的圓形出光孔5，所述圓形出光孔5的直徑優(yōu)選為0.1-0.5毫米。對應(yīng)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)如圖11所示，包括發(fā)光二極管芯片1、熱沉2以及光學(xué)封裝體3，所述光學(xué)封裝體3的頂部設(shè)有一個(gè)球面準(zhǔn)直透鏡6，發(fā)光二極管芯片1位于球面準(zhǔn)直透鏡6的焦平面上，發(fā)光二極管芯片1的圓形出光孔5的中心對準(zhǔn)球面準(zhǔn)直透鏡6的中心，使得出光區(qū)域的輻射最少損失地沿發(fā)光二極管芯片1的上表面法線方向出射，從而獲得更高的輻射出射度。

實(shí)施例4：

當(dāng)發(fā)光二極管采用覆晶封裝結(jié)構(gòu)且兩電極都位于發(fā)光二極管芯片與熱沉接觸的下表面，并且發(fā)光二極管芯片為發(fā)紫外光的algan材料體系的led芯片時(shí)，此時(shí)發(fā)光二極管的四個(gè)側(cè)面的光輻射通量占發(fā)光二極管總光輻射通量比例較大，通常會(huì)超過50%，如圖7所示，所述發(fā)光二極管芯片1上表面的襯底7被減薄，使得剩余襯底7厚度為0-80微米，或者如圖8所示，所述發(fā)光二極管芯片1的襯底7完全剝離，通過減薄或者剝離襯底從而縮小發(fā)光二極管芯片1四個(gè)側(cè)面的出光面積，降低側(cè)面的光輻射，并且，如圖10所示，在減薄或者剝離襯底后的發(fā)光二極管芯片1上表面的全部區(qū)域覆蓋抑制光輻射的覆蓋層4，所述覆蓋層4為鍍于發(fā)光二極管芯片1上表面全部區(qū)域的金屬膜，例如金，銀等，最終在發(fā)光二極管芯片1的四個(gè)側(cè)面獲得極大輻射出射度。該發(fā)光二極管芯片1的發(fā)光區(qū)域全部位于側(cè)面，對應(yīng)的光學(xué)封裝體3結(jié)構(gòu)如圖12-14所示，所述光學(xué)封裝體1為中空的石英體，所述光學(xué)封裝體3的內(nèi)側(cè)具有與所述發(fā)光二極管芯片1的四個(gè)側(cè)面均間隔設(shè)置的豎直面s1，所述光學(xué)封裝體3的外側(cè)具有與所述豎直面s1處于同一高度且與水平方向呈45度角的第一傾斜面s2，所述光學(xué)封裝體3的外側(cè)還具有位于第一傾斜面s2上方與第一傾斜面s2沿水平方向?qū)ΨQ設(shè)置的第二傾斜面s3，所述光學(xué)封裝體3的內(nèi)側(cè)還具有與第二傾斜面s3處于同一高度且與第二傾斜面s3平行設(shè)置的第三傾斜面s4，所述光學(xué)封裝體3的頂部具有位于第三傾斜面s4上方的水平面s5。該光學(xué)封裝體3使得所述發(fā)光二極管芯片1側(cè)面出射的光先經(jīng)過所述豎直面s1透射，經(jīng)過所述豎直面s1透射后依次經(jīng)過所述第一傾斜面s2、所述第二傾斜面s3、所述第三傾斜面s4進(jìn)行內(nèi)全反射，最后垂直于所述水平面s5出射，所述發(fā)光二極管芯片1的四個(gè)側(cè)面的光經(jīng)過這個(gè)光學(xué)封裝體1后，將在水平面s5中心區(qū)域形成一個(gè)具有高出射度的光斑，從而獲得較高的輻射出射度。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。