本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板、顯示裝置。

背景技術(shù)：

tft-lcd(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay)是目前的主流顯示產(chǎn)品，近年來各大面板廠商都在不斷擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，市場需求越來越大，提高生產(chǎn)效率和生產(chǎn)高質(zhì)量的液晶顯示產(chǎn)品是占領(lǐng)市場的關(guān)鍵。

現(xiàn)有技術(shù)中制作薄膜晶體管需要對柵極進(jìn)行單獨(dú)的一次圖案化工藝處理，然后在對源極和漏極進(jìn)行一次單獨(dú)的圖案化處理，在進(jìn)行柵極絕緣層的處理，在上述處理過程中，需要對柵極、源極和漏極分別進(jìn)行單獨(dú)處理，制作薄膜晶體管的工藝流程較為復(fù)雜，并且柵極與源極和漏極容易產(chǎn)生層間段差，增加了開路風(fēng)險。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，以解決如何簡化雙柵極薄膜晶體管的工藝流程，進(jìn)而提高產(chǎn)品的良率的問題。

為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管，包括：

位于基板上處于同層的第一柵極、源極和漏極，所述源極與所述第一柵極之間形成有第一缺口，所述漏極與所述第一柵極之間形成有第二缺口；

覆蓋在所述第一柵極上的柵極絕緣層；

覆蓋在所述源極、所述柵極絕緣層、所述漏極上以及填充在所述第一缺口及所述第二缺口的半導(dǎo)體層。

可選的，所述源極包括第一源極和第二源極，所述第一源極與所述第一柵極之間，以及第二源極與所述第一柵極之間分別形成有所述第一缺口。

可選的，所述第一缺口或所述第二缺口形狀包括下列形狀之一：為弧形、方形、w形。

可選的，所述薄膜晶體管還包括：

位于所述半導(dǎo)體層上的鈍化層；

位于所述鈍化層上的第二柵極，所述第二柵極位于所述第一柵極上方；所述第一柵極和所述第二柵極通過柵極連接線連接，所述第一源極和所述第二源極通過源極連接線連接。

為了解決上述問題，本發(fā)明還公開了一種顯示面板，包括權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。

為了解決上述問題，本發(fā)明還公開了一種顯示裝置，包括權(quán)利要求5所述的顯示面板。

為了解決上述問題，本發(fā)明還公開了一種薄膜晶體管的制作方法，包括：

在基板上通過一次圖案化處理形成第一柵極、源極和漏極；所述源極與所述第一柵極之間形成有第一缺口，所述漏極與所述第一柵極之間形成有第二缺口；

在所述第一柵極上形成柵極絕緣層；

形成半導(dǎo)體層，其中，在所述第一柵極、所述源極和所述漏極上形成半導(dǎo)體層，且所述第一缺口和所述第二缺口中填充有半導(dǎo)體材料。

可選的，所述第一缺口或所述第二缺口形狀包括下列形狀之一：為弧形、方形、w形。

可選的，所述源極包括第一源極和第二源極，所述第一源極與所述第一柵極之間，以及第二源極與所述第一柵極之間分別形成有所述第一缺口。

可選的，所述方法還包括：

在所述半導(dǎo)體層上形成鈍化層；

形成柵極過孔和源極過孔；

形成金屬導(dǎo)電層；

對所述金屬導(dǎo)電層刻蝕形成第二柵極，所述第二柵極位于所述第一柵極的上方，其中，所述第一柵極和所述第二柵極通過所述柵極過孔的柵極連接線連接，所述第一源極和所述第二源極通過所述源極過孔的源極連接線連接。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明包括以下優(yōu)點(diǎn)：

首先，本發(fā)明通過一次圖案化工藝將第一柵極、源極和漏極在同一層形成，簡化了工藝流程，同時將第一柵極、源極和漏極在同一層形成還可以避免層間段差，減少開路風(fēng)險，提高了產(chǎn)品良率。

其次，第一柵極和第二柵極都可以起到開關(guān)的作用，該雙柵極結(jié)構(gòu)可極大提高響應(yīng)時間。

當(dāng)然，實(shí)施本發(fā)明的任一產(chǎn)品不一定需要同時達(dá)到以上所述的所有優(yōu)點(diǎn)。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例一所述一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明形成像素電極的俯視示意圖；

圖3是本發(fā)明形成第一柵極、源極和漏極的俯視示意圖；

圖4是本發(fā)明形成半導(dǎo)體層的俯視示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例四所述一種薄膜晶體管的制作方法的流程圖；

圖6是本發(fā)明形成柵絕緣層的俯視示意圖；

圖7是本發(fā)明在鈍化層上形成柵極過孔和源極過孔的俯視示意圖；

圖7-1是本發(fā)明圖7中柵極過孔的剖面示意圖；

圖8是本發(fā)明形成雙柵極薄膜晶體管的俯視示意圖；

圖8-1是本發(fā)明形成的薄膜晶體管在b-b方向的剖面圖；

圖8-2是本發(fā)明形成的薄膜晶體管在a-a方向的剖面圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

實(shí)施例一

參照圖1，其示出了本發(fā)明實(shí)施例一所述一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。

該薄膜晶體管包括：位于基板上處于同層的第一柵極101、源極102和漏極103，所述源極102與所述第一柵極101之間形成有第一缺口，所述漏極與所述第一柵極之間形成有第二缺口。

覆蓋在所述第一柵極上的柵極絕緣層104。

覆蓋在所述源極102、所述柵極絕緣層104、所述漏極103上以及填充在所述第一缺口及所述第二缺口的半導(dǎo)體層105。

該結(jié)構(gòu)中，基板可以采用主成分為二氧化硅的透明玻璃材料形成，形成基板的材料不限于透明玻璃材料，也可以為透明塑料材料，該基板優(yōu)選的為玻璃基板。

在基板上處于同層采用一次圖案化形成第一柵極101、源極102和漏極103，所述源極102與所述第一柵極101之間形成有第一缺口，所述漏極103與所述第一柵極101之間形成有第二缺口，通過一次圖案化形成第一柵極、源極、漏極、第一缺口和第二缺口，簡化了工藝流程。

在實(shí)際制備過程中，如圖2所示，在基板上先形成像素電極106，然后在像素電極上通過一次圖案化形成第一柵極101、源極102和漏極103，使漏極103與像素電極106實(shí)現(xiàn)連接，如圖3所示。

其中，如圖3所示的源極102包括第一源極1021和第二源極1022，所述第一源極1021與所述第一柵極101之間，以及第二源極1022與所述第一柵極101之間分別形成有所述第一缺口301，在所述漏極103與所述第一柵極101之間形成有第二缺口302。

該第一缺口301或所述第二缺口302形狀包括下列形狀之一：為弧形、方形、w形、圓形等，本發(fā)明對此不作具體限制，優(yōu)選的，第一缺口或第二缺口為弧形。

第一柵極電極101、源極102、漏極103均是采用金屬材料制備，其可以是鉬(mo)、鈦(ti)、鋁(al)、銅(cu)中的一種或多種的堆棧組合，但并不限制于此，也可以為其他金屬材料。

需要說明的是，如圖1所示，柵極絕緣層104覆蓋于第一柵極101上，而源極102及漏極103上不需要覆蓋柵極絕緣層104。

在形成第一柵極101、源極102和漏極103，以及第一缺口301和第二缺口302之后，形成半導(dǎo)體層105，如圖4所示。

首先沉積半導(dǎo)體層105，然后在半導(dǎo)體層105上進(jìn)行一次圖案化處理，形成位于源極102、柵極絕緣層104、漏極103以及第一缺口301、第二缺口302上的半導(dǎo)體層105。

半導(dǎo)體層材料可以為金屬氧化物半導(dǎo)體或非晶硅半導(dǎo)體，但并不限制于此，也可以為其他金屬材料。

半導(dǎo)體通常采用濕法進(jìn)行刻蝕，而源極、漏極也是采用濕法刻蝕，因此源極、漏極上都依然保留半導(dǎo)體層，防止金屬層被刻蝕。

其中，第一源極1021與所述漏極103之間形成圓弧形溝道，所述第二源極1022與所述漏極103之間形成復(fù)合溝道，本發(fā)明通過圓弧形溝道和復(fù)合溝道替代了傳統(tǒng)的u形溝道，由于圓弧形溝道的長度可以做的較大，寬度可以做的更小，因此可有效提高離子的運(yùn)行，優(yōu)化電學(xué)特性，提高響應(yīng)時間。

本發(fā)明實(shí)施例，首先，通過一次圖案化形成第一柵極、源極、漏極、第一缺口和第二缺口，能夠減少柵極、源極、漏極mask工藝次數(shù)，簡化工藝流程，節(jié)約生產(chǎn)成本。進(jìn)一步的，由于柵極、源極和漏極在同一層形成，可避免層間段差產(chǎn)生，減少開路風(fēng)險，提高了薄膜晶體管的良率。

其次，位于同層的第一柵極、漏極、雙源極(第一源極及第二源極)，以及形成的復(fù)合溝道，還可以實(shí)現(xiàn)同層驅(qū)動功能，提高響應(yīng)時間。

再次，由于源漏極之間有第一柵極分開，避免了源漏極的短路發(fā)生，且第一柵極與源漏極之間有柵極絕緣層，可有效避免了第一柵極與源漏極之間的短路，進(jìn)而提高了產(chǎn)品良率。

進(jìn)一步的，所述薄膜晶體管還包括：

在所述半導(dǎo)體層105上的鈍化層108。

位于所述鈍化層105上的第二柵極107，所述第二柵極107位于所述第一柵極101的上方，其中，所述第一柵極101和所述第二柵極107通過柵極連接線連接，所述第一源極1021和所述第二源極1022通過源極連接線109連接。

其中，鈍化層的材料為氧化硅siox、氮化硅sinx、氮氧化硅sion、氧化鋁al2o3中的一種或多種，但不限制于此。

在所述鈍化層108上形成柵極過孔和源極過孔后，沉積金屬導(dǎo)電層，金屬導(dǎo)電層沉積至柵極過孔和源極過孔中，從而形成柵極連接線和源極連接線。然后再對金屬導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，即可形成第二柵極107，該第二柵極107位于第一柵極101上方，并與第一柵極101并聯(lián)，當(dāng)?shù)谝粬艠O101加入驅(qū)動電壓時，第一柵極101和第二柵極107均可以起到開關(guān)的作用，此雙柵結(jié)構(gòu)可提高響應(yīng)時間，并且當(dāng)?shù)谝粬艠O或者第二柵極中任意一個柵極失效時，另一個柵極可保證電壓信號的正常加入，有效提高了產(chǎn)品的良率。

實(shí)施例二

本發(fā)明還公開了一種顯示面板，包括實(shí)施例一中的所述薄膜晶體管。

所述薄膜晶體管具有上述實(shí)施例一中薄膜晶體管的所有優(yōu)點(diǎn)，在此不再贅述。

實(shí)施例三

本發(fā)明還公開了一種顯示裝置，包括實(shí)施例二中的所述顯示面板。

需要說明的是，本實(shí)施例中的顯示裝置可以為：手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

所述顯示裝置具有上述實(shí)施例二中顯示基板的所有優(yōu)點(diǎn)，在此不再贅述。

實(shí)施例四

參照圖5，其示出了本發(fā)明實(shí)施例四所述一種薄膜晶體管的制作方法的流程圖。

該薄膜晶體管的制作方法可以是在基板上形成像素電極后，然后在像素電極上圖案化形成第一柵極、源極和漏極，使漏極與像素電極實(shí)現(xiàn)連接，也可以直接在基板上形成第一柵極、源極和漏極，對此本發(fā)明不作具體限制，本實(shí)施例以在基板上形成像素電極后，在通過一次圖案化形成第一柵極、源極和漏極為例，介紹薄膜晶體管的制作方法。

步驟501：提供基板，在該基板上沉積、圖案化及刻蝕一層透明像素電極106。如圖2所示。

步驟502：在基板上通過一次圖案化處理形成第一柵極101、源極102和漏極103。

具體的，在基板上進(jìn)行沉積、一次圖案化處理和刻蝕形成第一柵極101、源極102和漏極103；所述源極102與所述第一柵極101之間形成有第一缺口301，所述漏極103與所述第一柵極101之間形成有第二缺口302。

具體的，所述源極102包括第一源極1021和第二源極1022，所述第一源極1021與所述第一柵極101之間，以及第二源極1022與所述第一柵極101之間分別形成有所述第一缺口301，如圖3所示。

具體的，第一柵極101與第二源極1022，以及第一柵極101與第一源極1021形成的第一缺口301為對稱設(shè)置或非對稱設(shè)置，所述漏極103與所述第一柵極101之間形成有第二缺口302，該第二缺口302可以位于第一缺口301的上方，也可以為其他位置，對此本發(fā)明不作具體限制。

需要說明的是，第一缺口或所述第二缺口形狀包括下列形狀之一：弧形、方形、w形，u形，但不限制于此。

步驟503：在所述第一柵極101上形成柵極絕緣層104。

具體地，采用常壓化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積、等離子輔助體化學(xué)氣相沉積或?yàn)R射等方法，沉積如氧化硅siox、氮化硅sinx、氮氧化硅sion、氧化鋁al2o3、氧化鉿hfo2、氧化鋯zro2、氧化鈦tio2,，氧化釔y2o3、氧化鑭la2o3、氧化鉭ta2o5等氧化物形成的單層或多層?xùn)艠O絕緣層，并采用絕緣層刻蝕掩膜版同時刻蝕，形成柵絕緣層104，如圖6所示。

步驟504：形成半導(dǎo)體層105。

其中，在所述第一柵極101、所述源極102和所述漏極103上形成半導(dǎo)體層105，且所述第一缺口301和所述第二缺口302中填充有半導(dǎo)體材料，如圖4所示。

步驟505：在所述半導(dǎo)體層105上形成鈍化層108。

在所述半導(dǎo)體層105上沉積、圖案化以及刻蝕形成鈍化層108(在圖7中未標(biāo)出)，并在鈍化層108上形成柵極過孔(701,702)和源極過孔(703,704)，如圖7所示。

對鈍化層進(jìn)行圖案化、刻蝕形成柵極過孔和源極過孔，為了更好的說明在鈍化層上形成柵極過孔，參見圖7-1其示出了圖7中柵極過孔虛線位置的截面示意圖。

步驟506：形成金屬導(dǎo)電層，對所述金屬導(dǎo)電層刻蝕形成第二柵極107，所述第二柵極107位于所述第一柵極101的上方。

其中，所述第一柵極101和所述第二柵極107通過所述柵極過孔的柵極連接線連接，所述第一源極和所述第二源極通過所述源極過孔的源極連接線連接，如圖8所示。

參見圖8-1其示出了經(jīng)過上述步驟形成的薄膜晶體管在圖8中從b-b方向的剖視圖。

參見圖8-2其示出了經(jīng)過上述步驟形成的薄膜晶體管在圖8中從a-a方向的剖視圖。

本發(fā)明實(shí)施例，通過一次圖案化工藝將第一柵極、源極和漏極在同一層形成，簡化了工藝流程，同時將第一柵極、源極和漏極在同一層形成還可以避免層間段差，減少開路風(fēng)險，提高了產(chǎn)品良率。

需要說明的是，對于前述的方法實(shí)施例，為了簡單描述，故將其都表述為一系列的動作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動作順序的限制，因?yàn)橐罁?jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其他順序或者同時進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說明書中所描述的實(shí)施例均屬于優(yōu)選實(shí)施例，所涉及的動作并不一定是本發(fā)明所必需的。

對于上述裝置實(shí)施例而言，由于其與方法實(shí)施例基本相似，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見所示方法實(shí)施例的部分說明即可。

本說明書中的各個實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。

本領(lǐng)域技術(shù)人員易于想到的是：上述各個實(shí)施例的任意組合應(yīng)用都是可行的，故上述各個實(shí)施例之間的任意組合都是本發(fā)明的實(shí)施方案，但是由于篇幅限制，本說明書在此就不一一詳述了。

需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實(shí)體或者操作與另一個實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”，不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

而且，上文中的“和/或”表示本文既包含了“和”的關(guān)系，也包含了“或”的關(guān)系，其中：如果方案a與方案b是“和”的關(guān)系，則表示某實(shí)施例中可以同時包括方案a和方案b；如果方案a與方案b是“或”的關(guān)系，則表示某實(shí)施例中可以單獨(dú)包括方案a，或者單獨(dú)包括方案b。

盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實(shí)施例做出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。

以上對本發(fā)明所提供的一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。