本發(fā)明涉及封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種封裝結(jié)構(gòu)、顯示裝置及照明裝置。

背景技術(shù)：

有源矩陣有機電致發(fā)光器件(amoled)由于具有較高的色域，能實現(xiàn)超薄和柔性化的顯示，在顯示領(lǐng)域有著光明的前景。但是，有機電致發(fā)光器件(oled)的陰極材料多為活潑金屬，易與水氧發(fā)生反應，造成腐蝕。并且有機電致發(fā)光器件的有機發(fā)光層材料在受到水和氧氣的侵蝕后也會使像素受損，影響器件壽命，導致器件失效。因此需要對器件進行封裝，才能延長使用壽命。

對于大尺寸oled器件的封裝結(jié)構(gòu)，目前較為廣泛采用的是在oled之上制備無機阻擋層及有機阻擋層，并在所述無機阻擋層及所述有機阻擋層之上進一步用基板進行壓合。為了保證封裝效果，所述封裝結(jié)構(gòu)的最外圍邊緣距離oled的發(fā)光區(qū)域要保持一定的距離，以延長水汽和氧氣的走行路徑。然而，延長此段距離卻使得oled器件難以實現(xiàn)窄邊框化。并且，由于無機阻擋層及有機阻擋層的粘結(jié)性能不好，往往在搬運、裝配等過程中出現(xiàn)界面剝離的現(xiàn)象。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施例提供一種封裝結(jié)構(gòu)、顯示裝置及照明裝置，以更好實現(xiàn)窄邊框，并有效防止無機阻擋層及有機阻擋層之間出現(xiàn)界面剝離的問題。

為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明實施例的一方面，提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括相對設置的上基板和下基板，在所述下基板朝向所述上基板的一面設置有發(fā)光器件以及圍繞所述發(fā)光器件設置的至少一個擋墻；在所述發(fā)光器件之上設置有覆蓋所述發(fā)光器件及至少一個擋墻的第一阻擋層；在所述第一阻擋層之上設置有覆蓋所述擋墻和第一阻擋層的第二阻擋層；所述第二阻擋層連接所述上基板和所述下基板；在所述擋墻圍成的區(qū)域內(nèi)設置有連接所述第一阻擋層和第二阻擋層的連接層。

可選地，包括依次遠離所述發(fā)光器件設置的第一擋墻和第二擋墻，在所述第一擋墻與所述第二擋墻圍成的區(qū)域內(nèi)，和/或所述第一擋墻圍成的區(qū)域內(nèi)設置有所述連接層。

可選地，所述連接層為偶聯(lián)劑層，所述偶聯(lián)劑層用于連接所述第一阻擋層和第二阻擋層。

可選地，所述偶聯(lián)劑層包含甲氧基、乙氧基、甲氧基乙氧基、氯基中的至少一種，以及氨基、氨基甲酸酯、異氰酸基、酸酐、羥甲基、羧基等與環(huán)氧基或仲羥基中的至少一種。

可選地，所述偶聯(lián)劑層厚度為50nm至500nm。

可選地，還包括遠離所述發(fā)光器件及所述第二擋墻設置的第三擋墻，在所述第二擋墻和第三擋墻圍成的區(qū)域內(nèi)設置有所述連接層。

可選地，還包括依次遠離所述第一擋墻及所述第二擋墻設置的第四擋墻，以及設置在所述第一擋墻和所述發(fā)光器件之間的第五擋墻；在所述第二擋墻與第四擋墻之間設置的連接層，以及所述第一擋墻與第五擋墻之間設置的連接層的高度均低于所述第一擋墻和第二擋墻之間的連接層的高度。

可選地，所述第二擋墻的高度低于所述第一擋墻的高度，設置在所述第一擋墻和第二擋墻之間連接層的高度低于所述第一擋墻所圍成區(qū)域內(nèi)連接層的高度。

可選地，在所述第一擋墻和第二擋墻之間還間隔設置有第六擋墻，在所述第一擋墻、第二擋墻和第六擋墻之間設置有所述連接層。

可選地，所述第一阻擋層為無機層或有機與無機的疊層，所述第二阻擋層為有機層。

本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括上述的封裝結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明實施例提供一種照明裝置，包括上述的封裝結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明實施例提供一種封裝結(jié)構(gòu)，在所述發(fā)光器件的周邊設置的所述擋墻內(nèi)設置有連接層，所述連接層用于連接所述第一阻擋層和所述第二阻擋層，和/或所述第二阻擋層和所述基板，防止發(fā)生剝離現(xiàn)象。并且由于所述連接層的存在，能使所述發(fā)光器件到邊框的距離縮短，進一步實現(xiàn)窄邊框化。進一步地，當所述第一阻擋層為無機層，所述第二阻擋層為有機層時也能較好地保證粘結(jié)效果。進一步地，通過所述擋墻的阻擋，在制備所述連接層的工藝過程中，能有效防止所述連接層材料擴散到所述擋墻外部，造成污染。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的第一種封裝結(jié)構(gòu)去掉上基板及第二阻擋層的俯視示意圖；

圖2為圖1的a-a’方向的截面圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的第二種封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的第三種封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的第四種封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例提供的第五種封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例提供的第六種封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實施例提供的第七種封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明實施例提供的第八種封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖標記：

01-上基板；02-第二阻擋層；03-下基板；04-第一阻擋層；05-發(fā)光器件；06-第六擋墻；07-連接層；08、08’-第一擋墻；09、09’-第二擋墻；10-第三擋墻；11-第四擋墻；12-第五擋墻。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。附圖中各部件的形狀和大小不反映顯示裝置的真實比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

在對本發(fā)明的不同示例性實施方式的描述中，雖然本說明書中使用術(shù)語“上”、“下”等來描述本發(fā)明的不同示例性特征和元件，但是這些術(shù)語用于本文中僅出于方便，例如本發(fā)明實施例中所描述的上基板和下基板僅用于描述各部件之間的連接關(guān)系。本說明書中的任何內(nèi)容都不應理解為需要結(jié)構(gòu)的特定方向才落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。

本發(fā)明實施例提供第一種封裝結(jié)構(gòu)，如圖1和圖2所示，包括相對設置的上基板01和下基板03，在下基板03朝向上基板01的一面設置有發(fā)光器件05，在發(fā)光器件05的周邊，圍繞發(fā)光器件05依次設置有第一擋墻08和第二擋墻09。發(fā)光器件05、第一擋墻08和第二擋墻09上覆蓋有第一阻擋層04。在第一阻擋層04之上設置有覆蓋第一阻擋層04的第二阻擋層02。第二阻擋層02在封裝發(fā)光器件的同時也用于連接上基板01和下基板03。在第一擋墻08和第二擋墻09之間所圍成的區(qū)域內(nèi)(見圖1中標注07的區(qū)域)，和/或在第一擋墻08所圍成的區(qū)域內(nèi)設置有連接第一阻擋層04和第二阻擋層02的連接層07。

具體地，第一阻擋層04可以為無機層，第二阻擋層02為有機層；或者第一阻擋層04和第二阻擋層02都為無機層或者都為有機層；或者第一阻擋層04和第二阻擋層02分別為多層有機和/或無機層的疊層；或者第一阻擋層04和第二阻擋層02都為有機材料和無機材料的混合層。

具體地，連接層07可以為偶聯(lián)劑層或者具有吸水功能的粘結(jié)層，在此不做具體限制。下面以連接層07為偶聯(lián)劑層進行說明。偶聯(lián)劑層是一種具有特殊結(jié)構(gòu)的有機硅化合物層，在它的分子中同時具有能與無機材料(如玻璃、水泥、金屬等)結(jié)合的反應性基團，和與有機材料(如合成樹脂等)結(jié)合的反應性基團。其中，能與無機材料結(jié)合的反應性基團可以選自甲氧基、乙氧基、甲氧基乙氧基、氯基等基團中的至少一種，這些基團遇到水汽可水解反應生成硅醇，所述硅醇可進一步與無機層反應生成硅氧烷；能與有機材料結(jié)合的反應性基團可以選自氨基、氨基甲酸酯、異氰酸基、酸酐、羥甲基、羧基等基團中的至少一種，這些基團可進一步與含有環(huán)氧基或仲羥基等有機材料反應鍵合。因此，所述偶聯(lián)劑層在遇到外部侵入的水汽后可以同時與有機層和/或無機層粘結(jié)，從而阻擋外部的水汽侵入發(fā)光器件。此外，在制備的工藝方法上，所述偶聯(lián)劑層可通過蒸鍍、溶液噴涂或旋涂的方式制備所述擋墻形成的區(qū)域內(nèi)。通過第一擋墻08和第二擋墻09的阻擋，在制備所述偶聯(lián)劑層的工藝過程中，能有效防止偶聯(lián)劑層擴散到所述擋墻外部，造成污染。

具體地，第一擋墻08和第二擋墻09可以采用有機樹脂單獨制備，也可以直接利用制備發(fā)光器件05時的像素界定層材料一體成型。所采用的有機樹脂具體可以為感光型樹脂類，通過光刻的方式形成在下基板03上。其中，第一擋墻08和第二擋墻09的高度可以相同也可以不同，只要滿足在制備過程中連接層07的高度不超過第一擋墻08或第二擋墻09的高度即可。

具體地，上基板01和下基板03的材料可以相同也可以不同，例如可以選自玻璃、金屬、石英、塑料等，在此不做具體限定。

本實施例通過在第一擋墻08和第二擋墻09之間所圍成的區(qū)域內(nèi)(見圖1中標注07的區(qū)域)，和/或在第一擋墻08所圍成的區(qū)域內(nèi)設置有連接第一阻擋層04和第二阻擋層02的連接層07。當水汽侵入所述封裝結(jié)構(gòu)時，通過連接層07和水汽反應，避免水汽進入發(fā)光器件進一步引起發(fā)光器件05性質(zhì)的劣化。同時，第一阻擋層04和第二阻擋層02也具有防止氧氣進入的效果。進一步地，本發(fā)明通過連接層07將第一阻擋層04和第二阻擋層02連接在一起，加固了第一阻擋層04和第二阻擋層02之間的結(jié)合力，防止發(fā)生剝離。并且，由于連接層07的存在，能進一步縮短發(fā)光器件05與邊框的距離，實現(xiàn)了窄邊框的效果。

可選地，本發(fā)明實施例提供的第二種封裝結(jié)構(gòu)如圖3所示，第一阻擋層04只覆蓋發(fā)光器件05和第一擋墻08(不覆蓋第二擋墻09)。在第一擋墻08與第二擋墻09圍成的區(qū)域內(nèi)設置有連接層07，利用連接層07封住第一阻擋層04的邊緣，防止外部水汽侵入發(fā)光器件05，引起發(fā)光器件05的劣化。同時，通過設置連接層07能增強第一阻擋層04、第二阻擋層02以及下基板03之間的粘結(jié)力，防止發(fā)生剝離現(xiàn)象，并進一步縮短發(fā)光結(jié)構(gòu)05到邊框的距離，實現(xiàn)窄邊框的效果。

可選地，本發(fā)明實施例提供的第三種封裝結(jié)構(gòu)如圖4所示，在第一擋墻08與第二擋墻09之間所圍成的區(qū)域內(nèi)間隔設置有多個第六擋墻06，第一擋墻08、第二擋墻09和多個第六擋墻06可以圍成多個區(qū)域，并在所述區(qū)域內(nèi)設置有多個連接層07。由此，使連接層07間隔分塊設置。增強第一阻擋層04、第二阻擋層02之間的粘結(jié)力，防止發(fā)生剝離現(xiàn)象，并進一步縮短發(fā)光結(jié)構(gòu)05到邊框的距離，實現(xiàn)窄邊框的效果。

可選地，本發(fā)明實施例提供的第四種封裝結(jié)構(gòu)如圖5所示，使第二擋墻09的高度高于第一擋墻08’及發(fā)光器件05。并在在第二擋墻09所圍成的區(qū)域內(nèi)，使連接層07覆蓋發(fā)光器件05和第一擋墻08’。第二阻擋層02覆蓋在連接層07和第一阻擋層04之上。由此，第二阻擋層02在封裝發(fā)光器件05的同時也用于連接上基板01和下基板03。需要說明的是，本實施例將連接層07設置在第一擋墻08’之上，由于第一擋墻08’的存在，因此造成連接層7的底面為非平面結(jié)構(gòu)，進一步增強了第一阻擋層04之間的粘結(jié)力，防止發(fā)生剝離現(xiàn)象，并進一步縮短發(fā)光結(jié)構(gòu)05到邊框的距離，實現(xiàn)窄邊框的效果。

可選地，本發(fā)明實施例提供的第五種封裝結(jié)構(gòu)如圖6所示，第一擋墻08的高度高于第二擋墻09’和發(fā)光器件05。在第一擋墻08圍成的區(qū)域內(nèi)，以及第一擋墻08與第二擋墻09’之間圍成的區(qū)域內(nèi)，分別設置有連接層07。上述兩個區(qū)域內(nèi)的連接層高度不等。能進一步增強與第一阻擋層04、第二阻擋層02之間的粘結(jié)力，防止發(fā)生剝離現(xiàn)象，并進一步縮短發(fā)光結(jié)構(gòu)05到邊框的距離，實現(xiàn)窄邊框的效果。

可選地，本發(fā)明實施例提供的第六種封裝結(jié)構(gòu)如圖7所示，包括相對設置的上基板01和下基板03，在下基板03朝向上基板01的一面設置有發(fā)光器件05，在發(fā)光器件05的周邊圍繞發(fā)光器件05設置有第一擋墻08。在第一擋墻08所圍成的區(qū)域內(nèi)，設置有連接第一阻擋層04和第二阻擋層02的連接層07。第二阻擋層02整體覆蓋連接層07及第一阻擋層04，同時也用于連接上基板01和下基板03。本實施例通過在第一擋墻08圍成的區(qū)域內(nèi)(發(fā)光器件05之上)設置連接層07，在水汽侵入所述封裝結(jié)構(gòu)時，通過連接層07和水汽反應，避免水汽進入發(fā)光器件05，進一步引起發(fā)光器件05性質(zhì)的劣化。同時通過連接層07將第一阻擋層04和第二阻擋層02連接在一起，增強了粘結(jié)力，防止發(fā)生剝離，并實現(xiàn)窄邊框的效果。

可選地，本發(fā)明的實施例提供的第七種封裝結(jié)構(gòu)如圖8所示，包括相對設置的上基板01和下基板03，在下基板03朝向上基板01的一面設置有發(fā)光器件05，圍繞發(fā)光器件05的周邊，遠離發(fā)光器件05依次設置有第一擋墻08、第二擋墻09和第三擋墻10。在發(fā)光器件05、第一擋墻08、第二擋墻09和第三擋墻10之上，設置有第一阻擋層04。在第一擋墻08、第二擋墻09之間所圍成的區(qū)域內(nèi)，以及第二擋墻09和第三擋墻10之間所圍成的區(qū)域內(nèi)，同時設置有連接層07。能進一步加強第一阻擋層04和第二阻擋層02之間的粘結(jié)力。此外，也可以在第一擋墻08圍成的區(qū)域內(nèi)進一步設置連接層7(圖中未示出)。在第一阻擋層04之上整體覆蓋有第二阻擋層02。第二阻擋層02在封裝發(fā)光器件的同時也用于連接上基板01和下基板03。通過連接層07，增強了第一阻擋層04、第二阻擋層02之間的粘結(jié)力，防止發(fā)生剝離，并實現(xiàn)窄邊框的效果。

可選地，本發(fā)明的實施例提供的第八種封裝結(jié)構(gòu)如圖9所示，包括相對設置的上基板01和下基板03，在下基板03朝向上基板01的一面設置有發(fā)光器件05，圍繞發(fā)光器件05的周邊，遠離發(fā)光器件05依次設置有第五擋墻12、第一擋墻08、第二擋墻09和第四擋墻11。在發(fā)光器件05、第五擋墻12、第一擋墻08、第二擋墻09和第四擋墻11之上，設置有第一阻擋層04。此時，在第五擋墻12和第一擋墻08之間所圍成的區(qū)域內(nèi)，第一擋墻08和第二擋墻09之間所圍成的區(qū)域內(nèi)，以及第二擋墻09和第四擋墻11之間所圍成的區(qū)域內(nèi)分別設置有連接層07。并且各區(qū)域的連接層高度可以相同或不同。能進一步加強所述連接層與第一阻擋層04和第二阻擋層02之間的粘結(jié)力。此外，也可以同時在第一擋墻08圍成的區(qū)域內(nèi)進一步設置連接層07(圖中未示出)。在第一阻擋層04之上整體覆蓋有第二阻擋層02。第二阻擋層02在封裝發(fā)光器件05的同時也用于連接上基板01和下基板03。

綜上所述，本實施例通過在所述封裝結(jié)構(gòu)的擋墻內(nèi)設置連接層，用于連接所述第一阻擋層和第二阻擋層，和/或者連接所述第二阻擋層和所述下基板，加強了結(jié)合力，防止發(fā)生剝離。并且由于連接層07的存在，能使所述發(fā)光器件到邊框的距離縮短，進一步實現(xiàn)窄邊框化。

本發(fā)明所述封裝結(jié)構(gòu)具體可以應用到有機電致發(fā)光器件(oled)、量子點發(fā)光二級管(qled)或其他照明器件，在此不做具體限制。

在此需要說明的是，本發(fā)明所述發(fā)光器件具體是指整個顯示面板的發(fā)光區(qū)域，而所述發(fā)光器件的周邊為周邊區(qū)域，所述擋墻位于所述周邊區(qū)域內(nèi)。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。