本發(fā)明涉及光電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)光二極管的外延片及其制備方法。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(英文：lightemittingdiode，簡稱：led)作為光電子產(chǎn)業(yè)中極具影響力的新產(chǎn)品，具有體積小、使用壽命長、顏色豐富多彩、能耗低等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于照明、顯示屏、信號(hào)燈、背光源、玩具等領(lǐng)域。led的核心結(jié)構(gòu)是外延片，外延片的制作對(duì)led的光電特性有著較大的影響。

外延片通常包括緩沖層、u型gan層、n型gan層、發(fā)光層、電子阻擋層和p型gan層，在制作成led時(shí)，各層之間材料的存在差異，這使得各層之間的折射率也不同，由于折射率的不同，發(fā)光層發(fā)出的光可能會(huì)在發(fā)光層和電子阻擋層的界面上、電子阻擋層和p型gan層的界面上以及p型gan層和空氣的界面上發(fā)生全反射，導(dǎo)致光線反射回外延片內(nèi)部，而反射回的光線需要經(jīng)過多次反射才可能重新從外延片的表面射出，光線在多次反射的過程中會(huì)被吸收，反射次數(shù)越多則被吸收的越多，從而使得led的出光率下降，亮度降低。

為了提高發(fā)光二極管的出光率，通常會(huì)對(duì)電子阻擋層進(jìn)行粗化處理，以使電子阻擋層的表面粗糙，減少全反射的發(fā)生，但是對(duì)電子阻擋層進(jìn)行粗化不僅過程復(fù)雜，而且粗化后，容易出現(xiàn)電子阻擋層表面的顆粒過大、粗化不均勻等問題，從而導(dǎo)致發(fā)光二極管亮度不均勻。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決對(duì)電子阻擋層進(jìn)行粗化處理過程復(fù)雜，容易出現(xiàn)電子阻擋層表面的顆粒過大、粗化不均勻的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片及其制備方法。所述技術(shù)方案如下：

一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片，所述外延片包括襯底和依次層疊在所述襯底上的緩沖層、u型gan層、n型gan層、發(fā)光層、增透層、電子阻擋層和p型gan層，所述增透層包括層疊設(shè)置在所述發(fā)光層上的一層inn層和一層mg3n2層，或者所述增透層包括交替層疊設(shè)置的多層所述inn層和多層所述mg3n2層，且所述inn層和所述mg3n2層的層數(shù)相同。

優(yōu)選地，當(dāng)所述增透層包括交替層疊設(shè)置的多層所述inn層和多層所述mg3n2層時(shí)，所述inn層和所述mg3n2層交替層疊的周期數(shù)為8～10。

進(jìn)一步地，當(dāng)所述增透層包括交替層疊設(shè)置的多層所述inn層和多層所述mg3n2層時(shí)，所述增透層的厚度為32～60nm。

優(yōu)選地，所述inn層的厚度為2～3nm。

優(yōu)選地，所述mg3n2層的厚度為2～3nm。

另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種發(fā)光二極管的外延片的制備方法，所述制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上生長依次生長緩沖層、u型gan層、n型gan層、發(fā)光層、增透層、電子阻擋層和p型gan層，所述增透層包括層疊設(shè)置在所述發(fā)光層上的一層inn層和一層mg3n2層，或者所述增透層交替層疊設(shè)置的多層所述inn層和多層所述mg3n2層，且所述inn層和所述mg3n2層的層數(shù)相同。

進(jìn)一步地，所述增透層的生長溫度為750℃～800℃。

優(yōu)選地，所述增透層的生長壓力為300～400mbar。

可選地，當(dāng)所述增透層包括交替層疊設(shè)置的多層所述inn層和多層所述mg3n2層時(shí)，所述增透層的厚度為32～60nm。

可選地，當(dāng)所述增透層包括交替層疊設(shè)置的多層所述inn層和多層所述mg3n2層時(shí)，所述inn層和所述mg3n2層交替生長的周期數(shù)為8～10。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：通過將外延片設(shè)置為包括緩沖層、u型gan層、n型gan層、發(fā)光層、增透層、電子阻擋層和p型gan層的形式，其中增透層為層疊設(shè)置的一層inn層和一層mg3n2層或交替層疊設(shè)置的多層inn層和多層mg3n2層，使得從發(fā)光層發(fā)出的光會(huì)先進(jìn)入到增透層中，再經(jīng)過增透層和電子阻擋層的界面處進(jìn)入到電子阻擋層，由于inn材料和mg3n2材料具有表面粗糙的特性，因此光線會(huì)在inn層和mg3n2層的界面處發(fā)生漫反射，通過漫反射可以將朝向一個(gè)方向的反射光向多個(gè)方向反射，減少光線在增透層和電子阻擋層的界面處發(fā)生全反射的光的比例，且被反射回外延片內(nèi)部的光線，會(huì)在inn層和mg3n2層的界面處以漫反射的形式向遠(yuǎn)離發(fā)光層的一側(cè)反射，避免光線被再次反射會(huì)外延片內(nèi)部，從而減少光線在外延片內(nèi)部反射的次數(shù)，減少了外延片對(duì)光的吸收，從而提高了出光率，同時(shí)不需要對(duì)電子阻擋層進(jìn)行粗化處理，避免了對(duì)電子阻擋層進(jìn)行粗化處理過程復(fù)雜，容易出現(xiàn)電子阻擋層表面的顆粒過大、粗化不均勻的問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種增透層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管的外延片的制備方法的流程圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種發(fā)光二極管的外延片的制備方法的流程圖；

圖5～圖11是本發(fā)明實(shí)施例提供的發(fā)光二極管的外延片制作過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12是一種現(xiàn)有l(wèi)ed的外延片內(nèi)光線傳播路徑示意圖；

圖13是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種led的外延片內(nèi)光線傳播路徑示意圖；

圖14是一種現(xiàn)有的led的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15是一種采用本發(fā)明實(shí)施例中的外延片制備的led的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，外延片包括襯底10和依次層疊在襯底10上的緩沖層20、u型gan層30、n型gan層40、發(fā)光層50、增透層60、電子阻擋層70和p型gan層80，圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種增透層的結(jié)構(gòu)示意圖，增透層60包括交替層疊設(shè)置的多層inn層61和多層mg3n2層62，且inn層61和mg3n2層62的層數(shù)相同。

在本實(shí)施例中，增透層60包括交替層疊設(shè)置的多層inn層61和多層mg3n2層62，以構(gòu)成inn/mg3n2超晶格結(jié)構(gòu)，在本發(fā)明的另一種實(shí)施例方式中，增透層60也可以只包括層疊設(shè)置在發(fā)光層50上的一層inn層61和一層mg3n2層62。

本發(fā)明實(shí)施例通過將外延片設(shè)置為包括緩沖層、u型gan層、n型gan層、發(fā)光層、增透層、電子阻擋層和p型gan層的形式，其中增透層為層疊設(shè)置的一層inn層和一層mg3n2層或交替層疊設(shè)置的多層inn層和多層mg3n2層，使得從發(fā)光層發(fā)出的光會(huì)先進(jìn)入到增透層中，再經(jīng)過增透層和電子阻擋層的界面處進(jìn)入到電子阻擋層，由于inn材料和mg3n2材料具有表面粗糙的特性，因此光線會(huì)在inn層和mg3n2層的界面處發(fā)生漫反射，通過漫反射可以將朝向一個(gè)方向的反射光向多個(gè)方向反射，減少光線在增透層和電子阻擋層的界面處發(fā)生全反射的光的比例，且被反射回外延片內(nèi)部的光線，會(huì)在inn層和mg3n2層的界面處以漫反射的形式向遠(yuǎn)離發(fā)光層的一側(cè)反射，避免光線被再次反射會(huì)外延片內(nèi)部，從而減少光線在外延片內(nèi)部反射的次數(shù)，減少了外延片對(duì)光的吸收，從而提高了出光率，同時(shí)不需要對(duì)電子阻擋層進(jìn)行粗化處理，避免了對(duì)電子阻擋層進(jìn)行粗化處理過程復(fù)雜，容易出現(xiàn)電子阻擋層表面的顆粒過大、粗化不均勻的問題。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，襯底10可以為藍(lán)寶石襯底。

優(yōu)選地，增透層60包括交替層疊設(shè)置的多層inn層61和多層mg3n2層62，多層inn層61和多層mg3n2層62構(gòu)成inn/mg3n2超晶格結(jié)構(gòu)，可以具有多個(gè)inn層和mg3n2層的界面，多個(gè)界面都可以對(duì)光線進(jìn)行反射。

進(jìn)一步地，當(dāng)增透層60包括交替層疊設(shè)置的多層inn層61和多層mg3n2層62時(shí)，增透層60的厚度可以為32～60nm。優(yōu)選為45nm。若增透層60的厚度過大，會(huì)增厚外延片的總厚度，同時(shí)也會(huì)增加增透層60對(duì)光線的吸收量，若增透層60的厚度過小，則在每一個(gè)周期的厚度相同的情況下，周期數(shù)會(huì)減少。在增透層60的厚度相同的情況下，周期數(shù)越多，則光線在inn層和mg3n2層的界面處散射的次數(shù)越多，會(huì)使得發(fā)生全反射的光線比例越少，從而使出光率更高。

需要說明的是，圖2中僅示出了增透層60中的2個(gè)周期的結(jié)構(gòu)，并不用以限制inn層和mg3n2層交替層疊的周期數(shù)。

可選地，當(dāng)增透層60包括交替層疊設(shè)置的多層inn層61和多層mg3n2層62時(shí)，inn層61和mg3n2層62交替層疊的周期數(shù)可以為8～10。以使得光線在增透層60中進(jìn)行多次的散射。

可選地，inn層61的厚度可以為2～3nm。

可選地，mg3n2層62的厚度為2～3nm。

在本發(fā)明的一種實(shí)現(xiàn)方式中，緩沖層20可以是gan緩沖層。

可選地，發(fā)光層50包括交替層疊設(shè)置的inxga(1-x)n層和gan層，其中0.2＜x＜0.25。

可選地，電子阻擋層70可以是p型algan電子阻擋層。

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管的外延片的制備方法的流程圖，如圖3所示，該制備方法包括：

s11：提供一襯底。

s12：在襯底上生長依次生長緩沖層、u型gan層、n型gan層、發(fā)光層、增透層、電子阻擋層和p型gan層。

其中，增透層包括層疊設(shè)置在發(fā)光層上的一層inn層和一層mg3n2層，或者增透層包括交替層疊設(shè)置的多層inn層和多層mg3n2層，且inn層和mg3n2層的層數(shù)相同。

本發(fā)明實(shí)施例通過將外延片設(shè)置為包括緩沖層、u型gan層、n型gan層、發(fā)光層、增透層、電子阻擋層和p型gan層的形式，其中增透層為層疊設(shè)置的一層inn層和一層mg3n2層或交替層疊設(shè)置的多層inn層和多層mg3n2層，使得從發(fā)光層發(fā)出的光會(huì)先進(jìn)入到增透層中，再經(jīng)過增透層和電子阻擋層的界面處進(jìn)入到電子阻擋層，由于inn材料和mg3n2材料具有表面粗糙的特性，因此光線會(huì)在inn層和mg3n2層的界面處發(fā)生漫反射，通過漫反射可以將朝向一個(gè)方向的反射光向多個(gè)方向反射，減少光線在增透層和電子阻擋層的界面處發(fā)生全反射的光的比例，且被反射回外延片內(nèi)部的光線，會(huì)在inn層和mg3n2層的界面處以漫反射的形式向遠(yuǎn)離發(fā)光層的一側(cè)反射，避免光線被再次反射會(huì)外延片內(nèi)部，從而減少光線在外延片內(nèi)部反射的次數(shù)，減少了外延片對(duì)光的吸收，從而提高了出光率，同時(shí)不需要對(duì)電子阻擋層進(jìn)行粗化處理，避免了對(duì)電子阻擋層進(jìn)行粗化處理過程復(fù)雜，容易出現(xiàn)電子阻擋層表面的顆粒過大、粗化不均勻的問題。

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種發(fā)光二極管的外延片的制備方法的流程圖，下面結(jié)合附圖5～11對(duì)圖4提供的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明：

s21：提供一襯底。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，該襯底可以是藍(lán)寶石襯底，藍(lán)寶石襯底是一種常見的襯底，制備工藝較為成熟。

在步驟s21中，可以對(duì)藍(lán)寶石襯底進(jìn)行預(yù)處理，將藍(lán)寶石襯底置于反應(yīng)腔中，對(duì)藍(lán)寶石襯底進(jìn)行退火處理8～10分鐘。

具體地，退火溫度可以為1000～1100℃，退火壓力可以為100～300mbar，進(jìn)行退火處理時(shí)，向反應(yīng)腔內(nèi)以100l/min～130l/min的速度通入h2，以在氫氣氣氛下進(jìn)行退火處理。

s22：在襯底上外延生長緩沖層。

如圖5所示，在襯底10上生長gan緩沖層20。

其中，gan緩沖層20的厚度可以為20nm～40nm，生長的gan緩沖層20的厚度不同，最終形成的外延層的質(zhì)量也會(huì)不同，若gan緩沖層20的厚度過薄，則會(huì)導(dǎo)致gan緩沖層20的表面較為疏松和粗糙，不能為后續(xù)結(jié)構(gòu)的生長提供一個(gè)好的模板，隨著gan緩沖層20厚度的增加，gan緩沖層20的表面逐漸變得較為致密和平整，有利于后續(xù)結(jié)構(gòu)的生長，但是若gan緩沖層20的厚度過厚，則會(huì)導(dǎo)致gan緩沖層20的表面過于致密，同樣不利于后續(xù)結(jié)構(gòu)的生長，無法減少外延層中的晶格缺陷。

具體地，生長gan緩沖層20時(shí)，控制nh3的流量為10000～20000sccm，三甲基鎵的流量為50～100sccm，h2的流量為100～130l/min。

gan緩沖層20的生長溫度可以為500～600℃，生長壓力可以為300～600mbar。

優(yōu)選地，在步驟s22之后，還可以對(duì)gan緩沖層20進(jìn)行處理，以使gan緩沖層20的表面形成不規(guī)則小島。

具體地，可以升高反應(yīng)腔內(nèi)的溫度到1000～1100℃，保持反應(yīng)腔內(nèi)的壓力為300～600mbar，控制nh3的流量為30000～40000sccm，h2的流量為100～130l/min，持續(xù)300～500秒，從而使得gan緩沖層20的表面形成不規(guī)則小島，避免gan緩沖層20的表面過于致密。

s23：在緩沖層上生長u型gan層。

如圖6所示，在gan緩沖層20上生長u型gan層30。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，u型gan層30的厚度可以為2μm～4μm，若u型gan層30的厚度過薄，會(huì)增加后續(xù)生長的結(jié)構(gòu)中的位錯(cuò)密度，u型gan層30的厚度過厚，會(huì)增大外延片的正向電阻。

具體地，生長u型gan層30時(shí)，控制nh3的流量為30000～40000sccm，三甲基鎵的流量為200～400sccm，h2的流量為100～130l/min。

u型gan層30的生長溫度可以為1000～1200℃，生長壓力可以為300～600mbar。

s24：在u型gan層上生長n型gan層。

如圖7所示，在u型gan層30上生長n型gan層40。

具體地，n型gan層40可以包括第一n型gan子層41和第二n型gan子層42。

步驟s24可以包括：

在u型gan層30上生長第一n型gan子層41。

其中，第一n型gan子層41的厚度可以為3～4μm。

進(jìn)一步地，生長第一n型gan子層41時(shí)，控制nh3的流量為30000～60000sccm，三甲基鎵的流量為200～400sccm，h2的流量為100～130l/min，sih4的流量為20～50sccm。

第一n型gan子層41的生長溫度可以為1000～1200℃，生長壓力可以為300～600mbar。

可選地，第一n型gan子層41中的si摻雜濃度可以為5e18cm^-3～1e19cm^-3。

在第一n型gan子層41上生長第二n型gan子層42。

其中，第二n型gan子層42的厚度可以為200～400nm。

進(jìn)一步地，生長第二n型gan子層42時(shí)，控制nh3的流量為30000～60000sccm，三甲基鎵的流量為200～400sccm，h2的流量為100～130l/min，sih4的流量為2～10sccm。

第二n型gan子層42的生長溫度可以為1000～1200℃，生長壓力可以為300～600mbar。

可選地，第二n型gan子層42中的si摻雜濃度可以為5e17cm^-3～1e18cm^-3。

s25：在n型gan層上生長發(fā)光層。

如圖8所示，在n型gan層40上生長發(fā)光層50。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，發(fā)光層50可以包括交替層疊的inxga(1-x)n層51和gan層52，其中0.2＜x＜0.25。inxga(1-x)n層51和gan層52交替層疊的周期數(shù)可以為7～15。

需要說明的是，圖8中僅示出了發(fā)光層50中的部分結(jié)構(gòu)，并不用于限制inxga(1-x)n層51和gan層52交替層疊的周期為2。

具體地，生長inxga(1-x)n層51時(shí)，控制nh3的流量為50000～70000sccm，三甲基鎵的流量為20～40sccm，三甲基銦的流量為1500～2000sccm，n2的流量為100～130l/min。

可選地，inxga(1-x)n層51的厚度可以為2.5～3.5nm。

inxga(1-x)n層51的生長溫度可以為700～750℃，生長壓力可以為300～400mbar。

具體地，生長gan層52時(shí)，控制nh3的流量為50000～70000sccm，三甲基鎵的流量為20～100sccm，n2的流量為100～130l/min。

可選地，gan層52的厚度可以為8～15nm。

gan層52的生長溫度可以為750～850℃，生長壓力可以為300～400mbar。

s26：在發(fā)光層上生長增透層。

如圖9所示，在發(fā)光層50上生長增透層60。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，增透層60可以包括交替層疊設(shè)置的多層inn層61和多層mg3n2層62。inn層61和mg3n2層62交替生長的周期數(shù)可以為8～10，以使得光線在增透層60中進(jìn)行多次的散射。

需要說明的是，圖9中僅示出了增透層60的部分結(jié)構(gòu)，并不用以限制inn層61和mg3n2層62各只有1層。

具體地，生長inn層61時(shí)，控制nh3的流量為50000～70000sccm，三甲基鎵的流量為30～60sccm，三甲基銦的流量為100～130sccm，n2的流量為100～130l/min。

可選地，inn層61的厚度可以為2～3nm。

inn層61的生長溫度可以為750～800℃，生長壓力可以為300～400mbar。

具體地，生長mg3n2層62時(shí)，控制nh3的流量為50000～70000sccm，二茂鎂的流量為1000～1300sccm，n2的流量為100～130l/min。

可選地，mg3n2層62的厚度可以為2～3nm。

mg3n2層62的生長溫度可以為750～800℃，生長壓力可以為300～400mbar。

優(yōu)選地，當(dāng)增透層60包括交替層疊設(shè)置的多層inn層61和多層mg3n2層62時(shí)，增透層60的厚度可以為32～60nm。若增透層60的厚度過大，會(huì)增厚外延片的總厚度，同時(shí)也會(huì)增加增透層60對(duì)光線的吸收量，若增透層60的厚度過小，則在每一個(gè)周期的厚度相同的情況下，周期數(shù)會(huì)減少，從而減少了光線在inn層61和mg3n2層62的界面處散射的次數(shù)。

在本實(shí)施例中，增透層60包括交替層疊設(shè)置的多層inn層61和多層mg3n2層62，從而構(gòu)成inn/mg3n2超晶格結(jié)構(gòu)，在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，增透層60也可以只包括層疊設(shè)置的一層inn層和一層mg3n2層，以降低制備成本。

需要說明的是，在生長增透層60時(shí)，可以先生長inn層61也可以先生長mg3n2層62。

s27：在增透層上生長電子阻擋層。

如圖10所示，在增透層60上生長p型algan電子阻擋層70。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，p型algan電子阻擋層70的厚度可以為50nm～100nm，若p型algan電子阻擋層70的厚度過薄，會(huì)降低對(duì)電子的阻擋能力，若p型algan電子阻擋層70的厚度過厚，則會(huì)增加p型algan電子阻擋層70會(huì)光的吸收，從而導(dǎo)致led的亮度降低。

具體地，生長p型algan電子阻擋層70時(shí)，控制nh3的流量為50000～70000sccm，三甲基鎵的流量為30～60sccm，h2的流量為100～130l/min，三甲基鋁的流量為100～130sccm，二茂鎂的流量為1000～1300sccm。

p型algan電子阻擋層70的生長溫度可以為900～950℃，生長壓力可以為200～400mbar。

可選地，p型algan電子阻擋層70中的mg摻雜濃度可以為1e19cm^-3～1e20cm^-3，al的濃度可以為1e20cm^-3～3e20cm^-3。

s28：在電子阻擋層上生長p型gan層。

如圖11所示，在電子阻擋層70上生長p型gan層80。

具體地，p型gan層80的厚度可以為50nm～200nm。

具體地，生長p型gan層80時(shí)，控制nh3的流量為50000～70000sccm，三甲基鎵的流量為20～100sccm，h2的流量為100～130l/min，二茂鎂的流量為1000～3000sccm。

p型gan層80的生長溫度可以為950～1000℃，生長壓力可以為400～900mbar。

可選地，p型gan層80中的mg摻雜濃度可以為1e19cm^-3～1e20cm^-3。

s29：將反應(yīng)腔在650～680℃保溫20～30min，之后關(guān)閉加熱系統(tǒng)和給氣系統(tǒng)，待反應(yīng)腔溫度降低至室溫。

之后可以對(duì)外延片進(jìn)行后續(xù)制程，以制備led。

圖12是一種現(xiàn)有l(wèi)ed的外延片內(nèi)光線傳播路徑示意圖，如圖12所示，部分光線在外延片的表面141處發(fā)生全反射，反射回外延片的內(nèi)部，并在電子阻擋層和p型gan層的界面142處再次發(fā)生反射，光線通過多次反射才會(huì)從外延片的表面141處射出。

圖13是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種led的外延片內(nèi)光線傳播路徑示意圖，如圖13所示，部分光線在外延片的表面151處發(fā)生全反射，反射回外延片的內(nèi)部，并在電子阻擋層和增透層的界面152處發(fā)生漫反射，漫反射后的部分光線可以直接從外延片的表面151處射出，只有一小部分會(huì)再次反射回外延片內(nèi)部，從而可以減少光線在外延片內(nèi)部反射的次數(shù)。

需要說明的是，圖12和圖13中的小圓圈表示外延片內(nèi)部的雜質(zhì)原子，例如碳原子等，該雜質(zhì)原子并非故意摻雜的原子，這種雜質(zhì)原子也會(huì)對(duì)光線進(jìn)行反射。

圖14是一種現(xiàn)有的led的結(jié)構(gòu)示意圖，圖15是一種采用本發(fā)明實(shí)施例中的外延片制備的led的結(jié)構(gòu)示意圖，兩種led中的歐姆接觸層120均為150nm的氧化銦錫層，且制備工藝相同，兩種led中的電極材料相同，均為cr/pt/au電極110，厚度均為1500nm，且制備工藝相同，兩種led中的保護(hù)層130均為100nm的sio2，兩種led的尺寸相同，均為25mil×25mil，且采用相同的切割工藝，在相同的封裝工藝下封裝成白光led，分別隨機(jī)抽取100顆，在350ma電流下進(jìn)行測試，下表為測試結(jié)果的統(tǒng)計(jì)表。

由以上數(shù)據(jù)可知，采用本發(fā)明中的外延片制備的led，亮度從126.01lm/w提升到了135.31lm/w，有效提高了led的亮度。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。