本發(fā)明涉及一種高頻天線，尤其是涉及一種無過橋高頻天線。

背景技術(shù)：

目前，rfid標(biāo)簽行業(yè)生產(chǎn)的高頻天線常規(guī)設(shè)計(jì)是在pet薄膜正面和反面各蝕刻一套鋁箔線路，通過模切機(jī)的模切功能將正、反面的線路導(dǎo)通。模切沖壓橋接在具體的應(yīng)用過程中存在如下缺點(diǎn)：

1)模切沖壓橋接后天線需要在線檢測(cè)電阻，制造工藝復(fù)雜，成本高；

2)由于模切機(jī)功能的局限性，溝通后的產(chǎn)品性能穩(wěn)定性、抗破壞性和使用壽命均較差；

3)產(chǎn)品可靠性差，生產(chǎn)過程中經(jīng)過滾軸多次繞卷造成過橋斷裂，產(chǎn)品性能失效。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種無過橋高頻天線，其具有制造工藝簡(jiǎn)單、成本低和產(chǎn)品質(zhì)量可靠穩(wěn)定的特點(diǎn)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中采用模切沖壓橋接的高頻天線存在的上述問題。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種無過橋高頻天線，其包括pet基材以及設(shè)置于所述pet基材兩面的正面線路和反面線路，其中，所述正面線路包括正面線圈、正面內(nèi)金屬鋁箔和正面外金屬鋁箔，所述正面內(nèi)金屬鋁箔和正面外金屬鋁箔分別位于所述正面線圈的內(nèi)部和外圍，所述正面線圈的一端與正面外金屬鋁箔串聯(lián)，另一端與ic芯片的射頻正極串聯(lián)，所述ic芯片的射頻負(fù)極與所述正面內(nèi)金屬鋁箔串聯(lián)，所述反面線路包括反面線圈、反面內(nèi)金屬鋁箔和反面外金屬鋁箔，所述反面線圈的兩端分別與反面內(nèi)金屬鋁箔和反面外金屬鋁箔串聯(lián)，正反兩面金屬鋁箔形成平板電容器，使得正反兩面線圈形成回路。

特別地，所述正面內(nèi)金屬鋁箔與所述反面內(nèi)金屬鋁箔的設(shè)置位置相對(duì)應(yīng)，所述正面外金屬鋁箔與所述反面線圈和反面外金屬鋁箔的設(shè)置位置相對(duì)應(yīng)。

特別地，所述正面內(nèi)金屬鋁箔包括第一正面鋁箔帶、第二正面鋁箔帶、第三正面鋁箔帶和第四正面鋁箔帶，所述第一正面鋁箔帶與所述第三正面鋁箔帶平行間隔設(shè)置，所述第二正面鋁箔帶垂直連接于所述第一正面鋁箔帶和所述第三正面鋁箔帶的一端，所述第三正面鋁箔帶的另一端垂直連接有第四正面鋁箔帶，所述第四正面鋁箔帶上連接有ic芯片。

特別地，所述正面外金屬鋁箔包括第五正面鋁箔帶、第六正面鋁箔帶、第七正面鋁箔帶和第八正面鋁箔帶，所述第五正面鋁箔帶的一端與正面線圈串聯(lián)，所述第五正面鋁箔帶與所述第七正面鋁箔帶平行間隔設(shè)置，所述第六正面鋁箔帶垂直連接于所述第五正面鋁箔帶和所述第七正面鋁箔帶的一端，所述第八正面鋁箔帶的一端垂直連接于第七正面鋁箔帶的另一端，另一端向靠近所述第五正面鋁箔帶方向延伸。

特別地，所述反面線圈的外形配合所述第六正面鋁箔帶、第七正面鋁箔帶和第八正面鋁箔帶的外形設(shè)置，所述反面外金屬鋁箔的外形配合所述第五正面鋁箔帶的外形設(shè)置，所述反面內(nèi)金屬鋁箔包括第一反面鋁箔帶、第二反面鋁箔帶和第三反面鋁箔帶，所述第一反面鋁箔帶與所述第三反面鋁箔帶平行間隔設(shè)置，所述第二反面鋁箔帶垂直連接于所述第一反面鋁箔帶和所述第三反面鋁箔帶的一端，所述第一反面鋁箔帶與反面線圈串聯(lián)，所述第三反面鋁箔帶的一端向靠近所述第一反面鋁箔帶方向垂直設(shè)置有延伸部。

本發(fā)明的有益效果為，與現(xiàn)有技術(shù)相比所述無過橋高頻天線當(dāng)線圈工作在變化的磁場(chǎng)中時(shí)，正反兩面線圈形成電動(dòng)勢(shì)，正反兩面金屬鋁箔形成平板電容器，使得正反兩面線圈形成回路。線圈形成的電感與金屬鋁箔形成的電容串聯(lián)，與ic等效輸入回路共同構(gòu)成一個(gè)諧振回路。不僅簡(jiǎn)化高頻天線生產(chǎn)工藝，而且提升產(chǎn)品可靠性，降低生產(chǎn)成本。

附圖說明

圖1是本發(fā)明具體實(shí)施方式1提供的無過橋高頻天線的剖面圖；

圖2是本發(fā)明具體實(shí)施方式1提供的無過橋高頻天線的正面線路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明具體實(shí)施方式1提供的無過橋高頻天線的反面線路的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖并通過具體實(shí)施方式來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。

請(qǐng)參閱圖1和圖3所示，本實(shí)施例中，一種無過橋高頻天線包括pet基材1以及設(shè)置于所述pet基材1兩面的正面線路2和反面線路3，所述正面線路2包括正面線圈20、正面內(nèi)金屬鋁箔21和正面外金屬鋁箔22，所述正面內(nèi)金屬鋁箔21和正面外金屬鋁箔22分別位于所述正面線圈20的內(nèi)部和外圍，所述正面線圈20的一端與正面外金屬鋁箔22串聯(lián)，另一端與ic芯片4的射頻正極串聯(lián)，所述ic芯片4的射頻負(fù)極與所述正面內(nèi)金屬鋁箔21串聯(lián)，所述反面線路3包括反面線圈30、反面內(nèi)金屬鋁箔31和反面外金屬鋁箔32，所述反面線圈30的兩端分別與反面內(nèi)金屬鋁箔31和反面外金屬鋁箔32串聯(lián)，正反兩面金屬鋁箔形成平板電容器，使得正反兩面線圈形成回路。

所述正面內(nèi)金屬鋁箔21與所述反面內(nèi)金屬鋁箔31的設(shè)置位置相對(duì)應(yīng)，所述正面外金屬鋁箔22與所述反面線圈30和反面外金屬鋁箔32的設(shè)置位置相對(duì)應(yīng)。所述正面內(nèi)金屬鋁箔21包括第一正面鋁箔帶210、第二正面鋁箔帶211、第三正面鋁箔帶212和第四正面鋁箔帶213，所述第一正面鋁箔帶210與所述第三正面鋁箔帶212平行間隔設(shè)置，所述第二正面鋁箔帶211垂直連接于所述第一正面鋁箔帶210和所述第三正面鋁箔帶212的一端，所述第三正面鋁箔帶212的另一端垂直連接有第四正面鋁箔帶213，所述第四正面鋁箔帶213上連接有ic芯片4。所述正面外金屬鋁箔22包括第五正面鋁箔帶220、第六正面鋁箔帶221、第七正面鋁箔帶222和第八正面鋁箔帶223，所述第五正面鋁箔帶220的一端與正面線圈20串聯(lián)，所述第五正面鋁箔帶220與所述第七正面鋁箔帶222平行間隔設(shè)置，所述第六正面鋁箔帶221垂直連接于所述第五正面鋁箔帶220和所述第七正面鋁箔帶222的一端，所述第八正面鋁箔帶223的一端垂直連接于第七正面鋁箔帶222的另一端，另一端向靠近所述第五正面鋁箔帶220方向延伸。

所述反面線圈30的外形配合所述第六正面鋁箔帶221、第七正面鋁箔帶222和第八正面鋁箔帶223的外形設(shè)置，所述反面外金屬鋁箔32的外形配合所述第五正面鋁箔帶221的外形設(shè)置，所述反面內(nèi)金屬鋁箔31包括第一反面鋁箔帶310、第二反面鋁箔帶311和第三反面鋁箔帶312，所述第一反面鋁箔帶310與所述第三反面鋁箔帶312平行間隔設(shè)置，所述第二反面鋁箔帶311垂直連接于所述第一反面鋁箔帶310和所述第三反面鋁箔帶312的一端，所述第一反面鋁箔帶310與反面線圈30串聯(lián)，所述第三反面鋁箔帶312的一端向靠近所述第一反面鋁箔帶310方向垂直設(shè)置有延伸部313。

上述無過橋高頻天線的正反兩面薄膜鋁箔組成類似平板電容器結(jié)構(gòu)，使得線圈形成回路，正反兩面鋁箔線圈的不同設(shè)計(jì)形成互感，當(dāng)線圈工作在變化的磁場(chǎng)中時(shí)，正反兩面線圈形成電動(dòng)勢(shì)，正反兩面金屬鋁箔形成平板電容器，使得正反兩面線圈形成回路。線圈形成的電感與金屬薄膜形成的電容串聯(lián)，與ic等效輸入回路(一個(gè)電阻并聯(lián)一個(gè)電容)共同構(gòu)成一個(gè)諧振回路。

以上實(shí)施例只是闡述了本發(fā)明的基本原理和特性，本發(fā)明不受上述事例限制，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還有各種變化和改變，這些變化和改變都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。