【技術領域】

本發(fā)明涉及顯示器技術領域，特別是涉及一種柔性有機發(fā)光二極管顯示器及其制作方法。

背景技術：

柔性光電器在下一代顯示、照明、傳感器或可再生能源等方面廣泛地被應用，特別是有機光電器件，如有機發(fā)光二極管(oled)和有機光伏電池(opv)已經(jīng)出現(xiàn)了各種可穿戴或柔性智能電子產(chǎn)品，比如可彎曲智能手機、可折疊的觸摸屏等。尤其是可撓式有機發(fā)光二極體(flexibleoled)顯示出巨大的市場潛力。

但是現(xiàn)有的oled在彎曲或折疊過程中像素定義層容易與oled顯示層發(fā)生分離，且有機發(fā)光單元之間容易產(chǎn)生漏電流。

因此，有必要提供一種柔性有機發(fā)光二極管顯示器及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術所存在的問題。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種柔性有機發(fā)光二極管顯示器及其制作方法，能夠防止有機發(fā)光單元之間的漏電流。

為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法，其包括：

在柔性襯底上依次形成主動陣列層和光阻層；

對所述光阻層進行圖案化處理，以形成多個像素定義單元；

在相鄰兩個像素定義單元之間形成發(fā)光主體層，所述發(fā)光主體層包括陽極、空穴傳輸層、空穴注入層以及發(fā)光層；

采用有機溶劑將所述像素定義單元剝離；

在所述發(fā)光主體層上形成導體傳輸層，該導體傳輸層包括電子傳輸層、電子注入層以及陰極；

在所述導體傳輸層上形成封裝層。

在本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法中，所述在柔性襯底上依次形成主動陣列層和光阻層的步驟包括：

在所述主動陣列層上涂布有機負性光阻材料，以得到所述光阻層。

在本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法中，所述光阻層的厚度范圍為0.5μm-2μm。

在本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法中，所述在所述導體傳輸層上形成封裝層的步驟包括：

在所述導體傳輸層上依次形成第一有機層、第一無機層、第二有機層以及第二無機層。

在本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法中，所述第一有機層的厚度范圍和所述第二有機層的厚度范圍都為1μm-12μm。

在本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法中，所述第一有機層的材料為低溫熱固化型化合物或紫外光固化型化合物。

在本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法中，所述第一無機層的厚度范圍和所述第二無機層的厚度范圍都為0.5μm-1μm。

在本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法中，所述第一無機層的材料包括鋯鋁酸鹽、石墨烯、氧化鋁、二氧化鋯、過氧化鋅、氮化硅、硅碳氮、siox、二氧化鈦以及類金剛石中的至少一種。

在本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法中，所述方法還包括：

在所述第二無機層上依次形成第三有機層和第三無機層。

本發(fā)明還提供一種柔性有機發(fā)光二極管顯示器，其包括：

柔性襯底；

主動陣列層，位于所述柔性襯底上；

發(fā)光主體層，位于所述主動陣列層上；

導體傳輸層，位于所述發(fā)光主體層上；

封裝層，位于所述導體傳輸層上。

本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器及其制作方法，利用有機物形成像素定義層，以將oled顯示層包覆在有機層中，從而防止oled顯示層在彎曲或折疊過程中與像素定義層的分離，另外將有機物作為像素定義層，以隔離有機發(fā)光單元，能夠有效地防止漏電流。

【附圖說明】

圖1為本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第一步的示意圖。

圖2為本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第二步的示意圖。

圖3為本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第三步的示意圖。

圖4為本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第四步的示意圖。

圖5為本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第五步的示意圖。

圖6為本發(fā)明的種柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第六步的示意圖。

圖7為本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第七步的示意圖。

圖8為本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第八步的示意圖。

圖9為本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第九步的示意圖。

圖10為本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第十步的示意圖。

圖11為本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第十一步的示意圖。

【具體實施方式】

以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。在圖中，結構相似的單元是以相同標號表示。

請參照圖1-11，圖1為本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第一步的示意圖。

本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法，包括：

s101、在柔性襯底上依次形成主動陣列層和光阻層。

如圖1所示，在柔性襯底基板11上依次形成主動陣列層12和光阻層13。該主動陣列層12具有多個薄膜晶體管，該薄膜薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極。該主動陣列層12包括用于形成溝道的主動層、柵絕緣層、第一金屬層、層間絕緣層、第二金屬層。

具體地，該步驟可以包括：

s1011、在所述主動陣列層上涂布有機負性光阻材料，以得到所述光阻層。

例如，利用噴墨印刷ijp、旋轉(zhuǎn)涂布(spin-coating)、狹縫式涂布(slotcoating)以及絲網(wǎng)印刷(screenprinting)等方式中的一種在主動陣列層12上涂布一層有機負性光阻材料，以得到該光阻層13。

在一實施方式中，該光阻層13的厚度范圍為0.5-2μm。由于厚度在此范圍內(nèi)，能更好地限定形成有機發(fā)光單元。

s102、對所述光阻層進行圖案化處理，形成多個像素定義單元。

如圖2所示，根據(jù)有機發(fā)光單元的尺寸(r、g、b像素的大小)對光阻層13進行曝光顯影，形成多個像素定義單元131。也即該光阻層13用于形成像素定義層，該像素定義層包括多個像素定義單元131。

s103、在所述像素定義單元之間形成發(fā)光主體層，所述發(fā)光主體層包括陽極、空穴傳輸層、空穴注入層、發(fā)光層。

如圖3所示，利用常用掩膜(commonmask)和精細金屬掩膜(finemetalmask)分別在像素定義單元131上依次沉積陽極、空穴傳輸層、空穴注入層以及發(fā)光層14(圖中僅用單層結構表示)，從而在像素定義層13上形成沉積層141以及在相鄰兩個像素定義單元131之間(也即r、g、b像素定義區(qū))形成發(fā)光主體層142，該發(fā)光主體層142包括r、g以及b發(fā)光主體層。

s104、采用有機溶劑將所述像素定義單元剝離。

如圖4所示，利用氟類有機溶劑將所述像素定義單元131剝離，使得位于該像素定義單元131上的沉積層141也被去除，只剩下發(fā)光主體層142。

s105、在所述發(fā)光主體層上形成導體傳輸層，該導體傳輸層包括電子傳輸層、電子注入層以及陰極。

如圖5所示，利用蒸鍍工藝依次在發(fā)光主體層142上沉積電子傳輸層、電子注入層以及陰極(圖中僅用單層結構表示)，以形成導體傳輸層15。該導體傳輸層15與該發(fā)光主體層142配合形成完整的oled顯示層，其中oled顯示層包括多個有機發(fā)光單元。

s106、在所述導體傳輸層上形成封裝層。

具體地，該步驟可包括：

s1061、在所述導體傳輸層上形成第一有機層。

如圖6所示，再次利用ijp、spin-coating、screenprinting以及slotcoating中的一種方式在該導體傳輸層15上整面涂布一層有機材料，以得到第一有機層16。該第一有機層16用于使柔性有機發(fā)光二極管顯示器的表面平整。該有機層16的材料可以是低溫熱固化型或紫外光(uv)固化型化合物，形成的聚合物可以是亞克力系列、硅烷系列以及環(huán)氧樹脂聚合物中的任何一種。

該第一有機層16的厚度范圍為1-12μm。由于厚度在此范圍內(nèi)，能使有機發(fā)光二極管的表面平整，且不會增加顯示器的厚度。

s1062、在所述第一有機層上形成第一無機層。

如圖7所示，利用原子層沉積(ald，atomiclayerdeposition)、脈沖激光沉積(pld，pulsedlaserdeposition)、濺射以及等離子體增強化學氣相沉積法(pecvd，plasmaenhancedchemicalvapordeposition)等方式中的一種在第一有機層16上沉積一層無機材料，以得到第一無機層17，該第一無機層17用于阻隔外界的水氧。

該第一無機層17的材料包括金屬氧化物或硫化物、非金屬氧化物或硫化物中的至少一種。其具體可以包括zralxoy(鋯鋁酸鹽)、石墨烯、氧化鋁al2o3、二氧化鋯zro2、過氧化鋅zno2、氮化硅sinx、硅碳氮sicn、siox、二氧化鈦tio2、dlc(類金剛石)中的至少一種。由于這些材料不溶于水、且不與氧氣發(fā)生反應、耐蝕性強，使得第一無機層17具有很好的阻隔的水氧的特性，因此可以更好地防止有機發(fā)光單元被腐蝕。

該第一無機層17的厚度在0.5-1μm。由于厚度在此范圍內(nèi)，能更好地阻隔外界的水氧，且不會增加顯示器的厚度。

s1063、在所述第一無機層上形成第二有機層。

如圖8所示，再次利用ijp、spin-coating、screenprinting以及slotcoating等方式中的一種在該第一無機層17上整面涂布一層有機材料，以得到第二有機層18。該第二有機層18用于緩解彎曲時候產(chǎn)生的應力。

該第二有機層18的厚度范圍為1-12μm，由于厚度在此范圍內(nèi)，能更好對有機發(fā)光二極管起到保護作用，且不會增加顯示器的厚度。

s1064、在所述第二有機層上形成第二無機層。

如圖9所示，再次利用pecvd、ald、pld以及sputter等方式中的一種在該第二有機層18上沉積一層無機材料，以得到第二無機層19，該第二無機層19也用于阻隔外界的水氧。該第二無機層19的厚度或材料可以與該第一無機層17的厚度或材料相同。

優(yōu)選地，上述方法還可以包括：

s107、在所述第二無機層上形成第三有機層。

如圖10所示，利用ijp、spin-coating、screenprinting以及slotcoating等方式中的一種涂布有機材料，以得到第三有機層20。該第三有機層20的厚度范圍和材料類型可與第一有機層16或者第二有機層18厚度范圍和材料相同。

s108、在所述第三有機層上形成第三無機層。

如圖11所示，用pecvd、ald、pld以及sputter等方式中的一種在第三有機層20上沉積一層無機材料，以得到第三無機層21。該第三無機層21的厚度范圍和材料類型可與第一無機層17或者第二無機層19的厚度范圍和材料類型相同。

由于在第二無機層上再設置一層有機層和無機層，能夠進一步增強阻隔外界水氧的能力，更好地對有機發(fā)光二極管進行保護。

由于將有機物作為像素定義層，以隔離有機發(fā)光單元，不但能夠有效地防止漏電流，而且能夠很好防止有機發(fā)光單元在彎曲或折疊中產(chǎn)生變形或脫落。另外，采用無機有機交替的封裝結構可以提高元件的壽命，從而實現(xiàn)高分辨率的rgb全彩化flexibleoled顯示技術。

如圖9所示，本發(fā)明實施例提供一種柔性有機發(fā)光二極管顯示器，其包括柔性襯底11、主動陣列層12、發(fā)光主體層142、導體傳輸層15以及封裝層16-19。主動陣列層12位于所述柔性襯底11上；發(fā)光主體層142位于所述主動陣列層12上；導體傳輸層15位于所述發(fā)光主體層142上；封裝層16-19位于所述導體傳輸層15上。

本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器及其制作方法，利用有機物形成像素定義層，從而將oled顯示層包覆在有機層中，進而防止oled顯示層在彎曲或折疊過程中與像素定義層的分離，另外將有機物作為像素定義層，以隔離有機發(fā)光單元，能夠有效地防止漏電流。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領域的普通技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍以權利要求界定的范圍為準。