本發(fā)明涉及硅片檢測(cè)領(lǐng)域，具體涉及一種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備及其控制方法。

背景技術(shù)：

在太陽能單晶硅片在大規(guī)模生產(chǎn)中，硅片表面質(zhì)量檢測(cè)是重要一環(huán)，硅片的外觀品質(zhì)會(huì)直接影響到后續(xù)的太陽能電池片的制作和轉(zhuǎn)換效率等。由于切割的厚度非常薄且硅的物理性能又非常脆，所以生產(chǎn)過程中常常產(chǎn)生諸如崩邊、硅落、缺角以及化學(xué)殘留色斑等幾何和表面缺陷此外，切割過程中由于刀具的問題常常產(chǎn)生有規(guī)律方向的鋸痕，這些鋸痕導(dǎo)致表面的不平整度。

目前，太陽能硅片檢測(cè)分級(jí)方法主要包括：目視以及計(jì)算機(jī)圖像處理兩種方式。硅片的人工檢驗(yàn)存在著強(qiáng)度大、效率低、主觀誤差大等諸多缺陷,往往造成產(chǎn)品質(zhì)量的不穩(wěn)定，由于人工操作的不確定性，也會(huì)對(duì)硅片造成二次損傷。計(jì)算機(jī)圖像處理的檢測(cè)法，利用攝像頭采集傳輸帶上的硅片圖像傳送到處理器中分析，通過分料機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)太陽能硅片的分揀，但是計(jì)算機(jī)圖像處理無法檢測(cè)出硅片內(nèi)部的問題，無法準(zhǔn)確對(duì)硅片進(jìn)行分類，且現(xiàn)有技術(shù)一般僅對(duì)硅片進(jìn)行一次檢測(cè)，無法準(zhǔn)確將硅片分類，一次檢測(cè)需要的較長(zhǎng)影響生產(chǎn)效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明目的：針對(duì)背景技術(shù)中提到的問題，本發(fā)明提供一種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備及其控制方法。

技術(shù)方案：一種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備，包括傳輸臺(tái)、傳輸帶裝置、自動(dòng)分揀裝置、控制處理裝置、控制臺(tái)，還包括：第一超聲波探頭、第二超聲波探頭、高清攝像頭、無影燈；所述傳輸臺(tái)裝置包括主臺(tái)、二級(jí)臺(tái)、三級(jí)臺(tái)，所述二級(jí)臺(tái)、三級(jí)臺(tái)與主臺(tái)垂直且均位于主臺(tái)一側(cè)，所述主臺(tái)還有檢測(cè)入口與檢測(cè)出口，所述三級(jí)臺(tái)位于檢測(cè)入口一側(cè)，所述主臺(tái)的末端為一級(jí)品區(qū)，所述二級(jí)臺(tái)的末端為二級(jí)品區(qū)，所述三級(jí)臺(tái)的末端為三級(jí)品區(qū)；所述傳輸帶裝置還包括傳輸帶，所述傳輸帶設(shè)置在傳輸臺(tái)上，所述傳輸帶包括主傳送帶、第二傳送帶、第三傳送帶，所述主傳送帶設(shè)置于主臺(tái)，所述第二傳送帶設(shè)置于二級(jí)臺(tái)，所述第三傳送帶設(shè)置于三級(jí)臺(tái)，所述傳輸帶裝置還包括主驅(qū)動(dòng)電機(jī)、第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)、第三驅(qū)動(dòng)電機(jī)，所述主驅(qū)動(dòng)電機(jī)與主傳送帶電連接，所述第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)與所述第二傳送帶連接，所述第三驅(qū)動(dòng)電機(jī)與所述第三傳送帶連接；所述主驅(qū)動(dòng)電機(jī)、第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)、第三驅(qū)動(dòng)電機(jī)與控制處理裝置電連接；所述自動(dòng)分揀裝置還包括可旋轉(zhuǎn)的第一機(jī)械臂與第二機(jī)械臂，所述第一機(jī)械臂與第二機(jī)械臂上還分別設(shè)置有第一吸取裝置與第二吸取裝置，所述自動(dòng)分揀裝置還包括第一機(jī)械臂驅(qū)動(dòng)裝置、第二機(jī)械臂驅(qū)動(dòng)裝置、第一吸取驅(qū)動(dòng)裝置、第二吸取驅(qū)動(dòng)裝置，所述第一機(jī)械臂驅(qū)動(dòng)裝置與第一機(jī)械臂電連接，所述第二機(jī)械臂驅(qū)動(dòng)裝置與第二機(jī)械臂電連接，所述第一吸取驅(qū)動(dòng)裝置與第一吸取裝置電連接，所述第二吸取驅(qū)動(dòng)裝置與第二吸取裝置電連接；所述第一機(jī)械臂驅(qū)動(dòng)裝置、第二機(jī)械臂驅(qū)動(dòng)裝置、第一吸取驅(qū)動(dòng)裝置、第二吸取驅(qū)動(dòng)裝置與控制處理裝置電連接；所述主臺(tái)還設(shè)置有第一測(cè)試臺(tái)與第二測(cè)試臺(tái)，所述第一測(cè)試臺(tái)設(shè)置于主臺(tái)與三級(jí)臺(tái)連接位置的檢測(cè)入口一側(cè)，所述第二測(cè)試臺(tái)設(shè)置于主臺(tái)與二級(jí)臺(tái)連接位置的檢測(cè)入口一側(cè)，所述第一測(cè)試臺(tái)底部設(shè)置有第一超聲波探頭，所述第二測(cè)試臺(tái)底部設(shè)置有第二超聲波探頭、高清攝像頭、無影燈，所述第一超聲波探頭、第二超聲波探頭、高清攝像頭、無影燈與控制處理裝置電連接；所述控制裝置與所述處理裝置電連接；所述控制臺(tái)顯示檢測(cè)設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)，并對(duì)檢測(cè)設(shè)備進(jìn)行操作。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方式，所述第二測(cè)試臺(tái)還設(shè)置有電阻率測(cè)試儀，所述電阻率測(cè)試儀分別與所述控制處理裝置電連接。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方式，所述傳輸帶為絕緣材質(zhì)。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方式，所述吸取裝置還設(shè)置有吸力控制裝置，所述自動(dòng)分揀裝置包括與所述第一吸取裝置連接的第一吸力控制裝置以及與第二吸取裝置連接的第二吸力控制裝置，所述吸力控制裝置與控制處理裝置連接。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方式，所述傳輸臺(tái)的末端還設(shè)置有計(jì)數(shù)裝置，所述計(jì)數(shù)裝置包括第一計(jì)數(shù)裝置、第二計(jì)數(shù)裝置、第三計(jì)數(shù)裝置，所述第一計(jì)數(shù)裝置設(shè)置于主臺(tái)，所述第二計(jì)數(shù)裝置設(shè)置于二級(jí)臺(tái)，所述第三計(jì)數(shù)裝置設(shè)置于三級(jí)臺(tái)；所述計(jì)數(shù)裝置與控制處理器電連接。

一種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備的控制方法，包括以下步驟：

s100：控制處理器向主驅(qū)動(dòng)電機(jī)、第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)、第三驅(qū)動(dòng)電機(jī)輸出工作信號(hào)，所述主驅(qū)動(dòng)電機(jī)、第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)、第三驅(qū)動(dòng)電機(jī)分別驅(qū)動(dòng)主傳送帶、第二傳送帶、第三傳送帶運(yùn)轉(zhuǎn)，將硅片從檢測(cè)入口向檢測(cè)出口傳輸，所述還向所述第一超聲波探頭、第二超聲波探頭、高清攝像頭、無影燈輸出工作信號(hào)，所述第一超聲波探頭、第二超聲波探頭、高清攝像頭、無影燈開啟；

s200：所述第一超聲波探頭向下方的硅片發(fā)出超聲波信號(hào)并接收返回信號(hào)，所述第一超聲波探頭將返回?cái)?shù)據(jù)向控制處理器輸出，若控制處理器判斷出硅片翹曲率與彎曲度超出第一預(yù)設(shè)閾值，或硅片存在隱裂，則所述控制處理器向第一機(jī)械臂驅(qū)動(dòng)裝置與第一吸取驅(qū)動(dòng)裝置輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，第一機(jī)械臂將該硅片從主傳送帶吸取并放置于第三傳送帶上；

s201：所述第二超聲波探頭向下方的硅片發(fā)出超聲波信號(hào)并接收返回信號(hào)，所述第一超聲波探頭將返回?cái)?shù)據(jù)輸出予控制處理器，所述控制處理器根據(jù)第二超聲波探頭的信息判斷出硅片翹曲率與彎曲度超出第二預(yù)設(shè)閾值，若是，則執(zhí)行s300；若否，則執(zhí)行s202；

s202：所述高清攝像頭攝取下方硅片影像并將其傳輸予控制處理器，所述控制處理器根據(jù)硅片影像判斷硅片是否存在表面污跡與邊緣缺損，若是，則執(zhí)行s300；

s300：所述控制處理器向第二機(jī)械臂驅(qū)動(dòng)裝置與第二吸取驅(qū)動(dòng)裝置輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，第二機(jī)械臂將該硅片從主傳送帶吸取并放置于第二傳送帶上。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方式，所述s203還包括：若否，則執(zhí)行s203；

s203：所述電阻率測(cè)試儀測(cè)試硅片的電阻率并傳輸予控制處理器，所述控制處理器判斷電阻率是否不小于第四預(yù)設(shè)閾值時(shí)，若是，則執(zhí)行s300；

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方式，所述計(jì)數(shù)裝置記錄預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)傳輸帶上硅片的數(shù)量并輸出予所述控制處理器，所述控制處理器統(tǒng)計(jì)所述硅片品級(jí)比率并將其設(shè)為預(yù)設(shè)品級(jí)閾值，當(dāng)一級(jí)品級(jí)比率下降超過預(yù)設(shè)品級(jí)閾值時(shí)，向所述控制臺(tái)輸出警告信號(hào)。

本發(fā)明實(shí)現(xiàn)以下有益效果：

1.對(duì)硅片進(jìn)行兩次檢測(cè)；

2.利用超聲波檢測(cè)硅片內(nèi)部的裂痕；

3.檢測(cè)硅片的電阻率；

4.統(tǒng)計(jì)硅片品級(jí)比率，當(dāng)一級(jí)品比率下降時(shí)發(fā)出警告。

附圖說明

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本公開的實(shí)施例，并于說明書一起用于解釋本公開的原理。

圖1為本發(fā)明提供的一種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備的俯視示意圖；

圖2為本發(fā)明提供的一種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備的第一測(cè)試臺(tái)示意圖；

圖3為本發(fā)明提供的一種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備的第測(cè)試臺(tái)示意圖；

圖4為本發(fā)明提供的一種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備的框圖；

圖5為本發(fā)明提供的一種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備吸力控制裝置連接關(guān)系圖；

圖6為本發(fā)明提供的第二種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備的第二測(cè)試臺(tái)示意圖；

圖7為本發(fā)明提供的第二種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備的框圖；

圖8為本發(fā)明提供的第三種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備的第二測(cè)試臺(tái)示意圖；

圖9為本發(fā)明提供的第三種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備的框圖。

其中：1.傳輸臺(tái)、2.傳輸帶裝置、21.主臺(tái)、211.檢測(cè)入口、212.檢測(cè)出口、22.二級(jí)臺(tái)、23.三級(jí)臺(tái)、24.傳輸帶、241.主傳送帶、242.第二傳送帶、243.第三傳送帶、25.主驅(qū)動(dòng)電機(jī)、26.第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)、27.第三驅(qū)動(dòng)電機(jī)、3.自動(dòng)分揀裝置、31.第一機(jī)械臂、32.第二機(jī)械臂、33.第一吸取裝置、34.第二吸取裝置、35.第一機(jī)械臂驅(qū)動(dòng)裝置、36.第二機(jī)械臂驅(qū)動(dòng)裝置、37.第一吸取驅(qū)動(dòng)裝置、38.第二吸取驅(qū)動(dòng)裝置、4.控制處理裝置、5.控制臺(tái)、6.第一超聲波探頭、7.第二超聲波探頭、8.高清攝像頭、9.無影燈、10.第一測(cè)試臺(tái)、11.第二測(cè)試臺(tái)、12.電阻率測(cè)試儀、13.吸力控制裝置、131.第一吸力控制裝置、132.第二吸力控制裝置、14.計(jì)數(shù)裝置、141.第一計(jì)數(shù)裝置、142.第二計(jì)數(shù)裝置、143.第三計(jì)數(shù)裝置。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。

實(shí)施例一

參考圖1-5，圖1為本發(fā)明提供的一種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備的俯視示意圖；圖2為本發(fā)明提供的一種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備的第一測(cè)試臺(tái)示意圖；圖3為本發(fā)明提供的一種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備的第二測(cè)試臺(tái)示意圖；圖4為本發(fā)明提供的一種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備的框圖；圖5為本發(fā)明提供的一種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備吸力控制裝置連接關(guān)系圖。

一種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備，包括傳輸臺(tái)1、傳輸帶24裝置、自動(dòng)分揀裝置3、控制處理裝置4、控制臺(tái)5，還包括：第一超聲波探頭6、第二超聲波探頭7、高清攝像頭8、無影燈9；所述傳輸臺(tái)1裝置包括主臺(tái)21、二級(jí)臺(tái)22、三級(jí)臺(tái)23，所述二級(jí)臺(tái)22、三級(jí)臺(tái)23與主臺(tái)21垂直且均位于主臺(tái)21一側(cè)，所述主臺(tái)21還有檢測(cè)入口211與檢測(cè)出口212，所述三級(jí)臺(tái)23位于檢測(cè)入口211一側(cè)，所述主臺(tái)21的末端為一級(jí)品區(qū)，所述二級(jí)臺(tái)22的末端為二級(jí)品區(qū)，所述三級(jí)臺(tái)23的末端為三級(jí)品區(qū)；所述傳輸帶24裝置還包括傳輸帶24，所述傳輸帶24設(shè)置在傳輸臺(tái)1上，所述傳輸帶24包括主傳送帶241、第二傳送帶242、第三傳送帶243，所述主傳送帶241設(shè)置于主臺(tái)21，所述第二傳送帶242設(shè)置于二級(jí)臺(tái)22，所述第三傳送帶243設(shè)置于三級(jí)臺(tái)23，所述傳輸帶24裝置還包括主驅(qū)動(dòng)電機(jī)25、第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)26、第三驅(qū)動(dòng)電機(jī)27，所述主驅(qū)動(dòng)電機(jī)25與主傳送帶241電連接，所述第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)26與所述第二傳送帶242連接，所述第三驅(qū)動(dòng)電機(jī)27與所述第三傳送帶243連接；所述主驅(qū)動(dòng)電機(jī)25、第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)26、第三驅(qū)動(dòng)電機(jī)27與控制處理裝置4電連接；所述自動(dòng)分揀裝置3還包括可旋轉(zhuǎn)的第一機(jī)械臂31與第二機(jī)械臂32，所述第一機(jī)械臂31與第二機(jī)械臂32上還分別設(shè)置有第一吸取裝置33與第二吸取裝置34，所述自動(dòng)分揀裝置3還包括第一機(jī)械臂31驅(qū)動(dòng)裝置35、第二機(jī)械臂32驅(qū)動(dòng)裝置36、第一吸取驅(qū)動(dòng)裝置37、第二吸取驅(qū)動(dòng)裝置38，所述第一機(jī)械臂31驅(qū)動(dòng)裝置35與第一機(jī)械臂31電連接，所述第二機(jī)械臂32驅(qū)動(dòng)裝置36與第二機(jī)械臂32電連接，所述第一吸取驅(qū)動(dòng)裝置37與第一吸取裝置33電連接，所述第二吸取驅(qū)動(dòng)裝置38與第二吸取裝置34電連接；所述第一機(jī)械臂31驅(qū)動(dòng)裝置35、第二機(jī)械臂32驅(qū)動(dòng)裝置36、第一吸取驅(qū)動(dòng)裝置37、第二吸取驅(qū)動(dòng)裝置38與控制處理裝置4電連接；所述主臺(tái)21還設(shè)置有第一測(cè)試臺(tái)10與第二測(cè)試臺(tái)11，所述第一測(cè)試臺(tái)10設(shè)置于主臺(tái)21與三級(jí)臺(tái)23連接位置的檢測(cè)入口211一側(cè)，所述第二測(cè)試臺(tái)11設(shè)置于主臺(tái)21與二級(jí)臺(tái)22連接位置的檢測(cè)入口211一側(cè)，所述第一測(cè)試臺(tái)10底部設(shè)置有第一超聲波探頭6，所述第二測(cè)試臺(tái)11底部設(shè)置有第二超聲波探頭7、高清攝像頭8、無影燈9，所述第一超聲波探頭6、第二超聲波探頭7、高清攝像頭8、無影燈9與控制處理裝置4電連接；所述控制裝置與所述處理裝置電連接；所述控制臺(tái)5顯示檢測(cè)設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)，并對(duì)檢測(cè)設(shè)備進(jìn)行操作。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方式，所述自動(dòng)分揀裝置3還設(shè)置有吸力控制裝置13，所述吸力控制裝置13包括與所述第一吸取裝置33連接的第一吸力控制裝置131以及與第二吸取裝置34連接的第二吸力控制裝置132，所述吸力控制裝置13與控制處理裝置4連接。

其中，所述控制處理裝置4可以為plc，所述控制處理裝置4處理接收到的信息也輸出控制信號(hào)，所述控制臺(tái)5與控制處理裝置4連接，控制臺(tái)5可顯示控制處理裝置4輸出的信息或向控制處理裝置4輸出指令。

所述傳輸臺(tái)1裝置包括主臺(tái)21、二級(jí)臺(tái)22、三級(jí)臺(tái)23，所述傳輸帶24裝置包括主傳送帶241、第二傳送帶242、第三傳送帶243，所述主傳送帶241設(shè)置于主臺(tái)21，所述第二傳送帶242設(shè)置于二級(jí)臺(tái)22，所述第三傳送帶243設(shè)置于三級(jí)臺(tái)23，所述主驅(qū)動(dòng)電機(jī)25與主傳送帶241電連接，所述第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)26與所述第二傳送帶242連接，所述第三驅(qū)動(dòng)電機(jī)27與所述第三傳送帶243連接，所述主驅(qū)動(dòng)電機(jī)25、第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)26、第三驅(qū)動(dòng)電機(jī)27與控制處理裝置4電連接，控制處理裝置4向主驅(qū)動(dòng)電機(jī)25、第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)26、第三驅(qū)動(dòng)電機(jī)27輸出工作信號(hào)，所述主驅(qū)動(dòng)電機(jī)25、第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)26、第三驅(qū)動(dòng)電機(jī)27根據(jù)信號(hào)分別驅(qū)動(dòng)主傳送帶241、第二傳送帶242、第三傳送帶243工作，傳輸帶24將在傳輸帶24上的硅片傳輸?shù)絺鬏攷?4末端。

所述第一聲波探頭、第二超聲波探頭7向指定方向發(fā)射超聲波，并接受反射回來的超聲波，后將超聲波信息輸出予控制處理器。

所述高清攝像頭8可攝取高清影像，所述無影燈9向經(jīng)過第二測(cè)試臺(tái)11下方的硅片提供無影燈9光，所述高清攝像頭8攝取無影燈9下的硅片的高清影像并輸出予控制處理器。

優(yōu)選的，所述自動(dòng)分揀裝置3還設(shè)置有吸力控制裝置13，用于調(diào)整自動(dòng)分揀裝置3的吸力，由于硅片脆弱的特性，過于強(qiáng)力的吸力會(huì)對(duì)硅片造成破壞，所述吸力控制裝置13包括與所述第一吸取裝置33連接的第一吸力控制裝置131以及與第二吸取裝置34連接的第二吸力控制裝置132，所述吸力控制裝置13與控制處理裝置4連接。

具體的，控制處理器向主驅(qū)動(dòng)電機(jī)25、第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)26、第三驅(qū)動(dòng)電機(jī)27輸出工作信號(hào)，所述主驅(qū)動(dòng)電機(jī)25、第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)26、第三驅(qū)動(dòng)電機(jī)27分別驅(qū)動(dòng)主傳送帶241、第二傳送帶242、第三傳送帶243運(yùn)轉(zhuǎn)，將硅片從檢測(cè)入口211向檢測(cè)出口212傳輸，所述還向所述第一超聲波探頭6、第二超聲波探頭7、高清攝像頭8、無影燈9輸出工作信號(hào)，所述第一超聲波探頭6、第二超聲波探頭7、高清攝像頭8、無影燈9開啟。所述第一超聲波探頭6向下方的硅片發(fā)出超聲波信號(hào)并接收返回信號(hào)，所述第一超聲波探頭6將返回?cái)?shù)據(jù)向控制處理器輸出，若控制處理器判斷出硅片翹曲率與彎曲度超出第一預(yù)設(shè)閾值，或硅片存在內(nèi)部裂紋，則所述控制處理器向第一機(jī)械臂31驅(qū)動(dòng)裝置35與第一吸取驅(qū)動(dòng)裝置37輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，第一機(jī)械臂31將該硅片從主傳送帶241吸取并放置于第三傳送帶243上，所述第一預(yù)設(shè)閾值可在50-80μm之間，在本實(shí)施例中可設(shè)置為80μm。所述第二超聲波探頭7向下方的硅片發(fā)出超聲波信號(hào)并接收返回信號(hào)，所述第一超聲波探頭6將返回?cái)?shù)據(jù)輸出予控制處理器，所述控制處理器根據(jù)第二超聲波探頭7的信息判斷出硅片翹曲率與彎曲度超出第二預(yù)設(shè)閾值，所述第二預(yù)設(shè)閾值可在30-50μm之間，在本實(shí)施例中設(shè)置為50μm，若是，則所述控制處理器向第二機(jī)械臂32驅(qū)動(dòng)裝置36與第二吸取驅(qū)動(dòng)裝置38輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，第二機(jī)械臂32將該硅片從主傳送帶241吸取并放置于第二傳送帶242上；若否，則所述高清攝像頭8攝取下方硅片影像并將其傳輸予控制處理器，所述控制處理器根據(jù)硅片影像判斷硅片是否存在表面污跡與邊緣缺損，做為一種判斷方式，所述控制處理器可內(nèi)存一合格硅片圖像，控制處理器將接收到的硅片影像與預(yù)存硅片圖像對(duì)比，所述硅片影像若相對(duì)于預(yù)存硅片圖像有邊緣線不一致或表面有異常則判定存在表面污跡與邊緣缺損，則所述控制處理器向第二機(jī)械臂32驅(qū)動(dòng)裝置36與第二吸取驅(qū)動(dòng)裝置38輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，第二機(jī)械臂32將該硅片從主傳送帶241吸取并放置于第二傳送帶242上。

另外根據(jù)吸取的硅片狀態(tài)調(diào)整吸力控制裝置13，若硅片在經(jīng)過轉(zhuǎn)移后有損傷，則控制處理裝置4向第一吸力控制裝置131與第二吸力控制裝置132輸出減小信號(hào)，所述第一吸取裝置33與第二吸取裝置34減小吸力，若硅片無法吸取或吸取后易掉落，則控制處理裝置4向第一吸力控制裝置131與第二吸力控制裝置132輸出增大信號(hào)，所述第一吸取裝置33與第二吸取裝置34增大吸力。

實(shí)施例二

參考圖6-7，圖6為本發(fā)明提供的第二種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備的第二測(cè)試臺(tái)示意圖；圖7為本發(fā)明提供的第二種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備的框圖。

本實(shí)施例與上述實(shí)施例基本相同，不同之處在于，所述第二測(cè)試臺(tái)11還設(shè)置有電阻率測(cè)試儀12，所述電阻率測(cè)試儀12分別與所述控制處理裝置4電連接。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方式，所述傳輸帶24為絕緣材質(zhì)。

所述電阻率測(cè)試裝置通過探頭接觸硅片表面，可檢測(cè)出硅片的電阻率。

具體的，在高清攝像頭8檢測(cè)后還設(shè)置有電阻率檢測(cè)，所述電阻率測(cè)試儀12測(cè)試硅片的電阻率并傳輸予控制處理器，所述控制處理器判斷電阻率是否不小于第四預(yù)設(shè)閾值時(shí)，若是，則所述控制處理器向第二機(jī)械臂32驅(qū)動(dòng)裝置36與第二吸取驅(qū)動(dòng)裝置38輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，第二機(jī)械臂32將該硅片從主傳送帶241吸取并放置于第二傳送帶242上，其中所述第四閾值可設(shè)置于0.5-3.6ω?cm之間，在本實(shí)施例中可設(shè)置為3ω?cm。

實(shí)施例三

參考圖8-9，圖8為本發(fā)明提供的第三種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備的第二測(cè)試臺(tái)示意圖；圖9為本發(fā)明提供的第三種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備的框圖。

本實(shí)施例與上述實(shí)施例基本相同，不同之處在于，所述傳輸臺(tái)1的末端還設(shè)置有計(jì)數(shù)裝置14，所述計(jì)數(shù)裝置14包括第一計(jì)數(shù)裝置141、第二計(jì)數(shù)裝置142、第三計(jì)數(shù)裝置143，所述第一計(jì)數(shù)裝置141設(shè)置于主臺(tái)21，所述第二計(jì)數(shù)裝置142設(shè)置于二級(jí)臺(tái)22，所述第三計(jì)數(shù)裝置143設(shè)置于三級(jí)臺(tái)23；所述計(jì)數(shù)裝置14與控制處理器電連接。

所述計(jì)數(shù)裝置14記錄經(jīng)過的硅片數(shù)量，所述計(jì)數(shù)裝置14可為以紅外線傳感器為檢測(cè)手段的計(jì)數(shù)裝置14。

所述計(jì)數(shù)裝置14記錄預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)傳輸帶24上硅片的數(shù)量并輸出予所述控制處理器，所述控制處理器統(tǒng)計(jì)所述硅片品級(jí)比率并將其設(shè)為預(yù)設(shè)品級(jí)閾值，當(dāng)一級(jí)品級(jí)比率下降超過預(yù)設(shè)品級(jí)閾值時(shí)，向所述控制臺(tái)5輸出警告信號(hào)。所述預(yù)設(shè)時(shí)間可設(shè)置為一個(gè)月至一年，時(shí)間越久樣本數(shù)據(jù)越多，數(shù)據(jù)越精確，在本實(shí)施例中可選擇六個(gè)月。所述預(yù)設(shè)品級(jí)閾值為統(tǒng)計(jì)六個(gè)月內(nèi)的一級(jí)品、二級(jí)品、三級(jí)品的占比，若一級(jí)品占比下降，說明制作過程中有失誤過程，控制處理器向控制臺(tái)5輸出警告信號(hào)，通知操作人員排查生產(chǎn)過程中的問題。

實(shí)施例四

一種硅片自動(dòng)化檢測(cè)分類設(shè)備的控制方法，包括以下步驟：

s100：控制處理器向主驅(qū)動(dòng)電機(jī)25、第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)26、第三驅(qū)動(dòng)電機(jī)27輸出工作信號(hào)，所述主驅(qū)動(dòng)電機(jī)25、第二驅(qū)動(dòng)電機(jī)26、第三驅(qū)動(dòng)電機(jī)27分別驅(qū)動(dòng)主傳送帶241、第二傳送帶242、第三傳送帶243運(yùn)轉(zhuǎn)，將硅片從檢測(cè)入口211向檢測(cè)出口212傳輸，所述還向所述第一超聲波探頭6、第二超聲波探頭7、高清攝像頭8、無影燈9輸出工作信號(hào)，所述第一超聲波探頭6、第二超聲波探頭7、高清攝像頭8、無影燈9開啟；

s200：所述第一超聲波探頭6向下方的硅片發(fā)出超聲波信號(hào)并接收返回信號(hào)，所述第一超聲波探頭6將返回?cái)?shù)據(jù)向控制處理器輸出，若控制處理器判斷出硅片翹曲率與彎曲度超出第一預(yù)設(shè)閾值，或硅片存在隱裂，則所述控制處理器向第一機(jī)械臂31驅(qū)動(dòng)裝置35與第一吸取驅(qū)動(dòng)裝置37輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，第一機(jī)械臂31將該硅片從主傳送帶241吸取并放置于第三傳送帶243上。

s201：所述第二超聲波探頭7向下方的硅片發(fā)出超聲波信號(hào)并接收返回信號(hào)，所述第一超聲波探頭6將返回?cái)?shù)據(jù)輸出予控制處理器，所述控制處理器根據(jù)第二超聲波探頭7的信息判斷出硅片翹曲率與彎曲度超出第二預(yù)設(shè)閾值，若是，則執(zhí)行s300；若否，則執(zhí)行s202；

s202：所述高清攝像頭8攝取下方硅片影像并將其傳輸予控制處理器，所述控制處理器根據(jù)硅片影像判斷硅片是否存在表面污跡與邊緣缺損，若是，則執(zhí)行s300；

s300：所述控制處理器向第二機(jī)械臂32驅(qū)動(dòng)裝置36與第二吸取驅(qū)動(dòng)裝置38輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，第二機(jī)械臂32將該硅片從主傳送帶241吸取并放置于第二傳送帶242上；

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方式，所述s203還包括：若否，則執(zhí)行s203；

s203：所述電阻率測(cè)試儀12測(cè)試硅片的電阻率并傳輸予控制處理器，所述控制處理器判斷電阻率是否不小于第四預(yù)設(shè)閾值時(shí)，若是，則執(zhí)行s300；

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方式，所述計(jì)數(shù)裝置記錄預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)傳輸帶上硅片的數(shù)量并輸出予所述控制處理器，所述控制處理器統(tǒng)計(jì)所述硅片品級(jí)比率并將其設(shè)為預(yù)設(shè)品級(jí)閾值，當(dāng)一級(jí)品級(jí)比率下降超過預(yù)設(shè)品級(jí)閾值時(shí)，向所述控制臺(tái)輸出警告信號(hào)。

本實(shí)施例為上述實(shí)施例的方法論，具體內(nèi)容與上述實(shí)施例基本相同，在此不再贅敘。

上述實(shí)施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的是讓熟悉該技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作出的等同變換或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。