本發(fā)明涉及電阻制造過(guò)程中的調(diào)阻，特別是涉及一種熱敏電阻調(diào)阻方法。
背景技術(shù)：
：負(fù)溫度系數(shù)(negativetemperaturecoefficient，ntc)電阻、正溫度系數(shù)(positivetemperaturecoefficient，ptc)電阻等陶瓷熱敏電阻，其阻值會(huì)隨著溫度升高而呈指數(shù)關(guān)系降低或者升高。熱敏電阻由于測(cè)溫精度高、可靠性好等優(yōu)勢(shì)廣泛應(yīng)用于溫度測(cè)量和控制領(lǐng)域。然而，在薄膜或者厚膜制備過(guò)程中，不可避免存在濺射薄膜不均勻、光刻圖形有誤差、絲網(wǎng)印刷厚度不一致等問(wèn)題，導(dǎo)致生產(chǎn)出的片式熱敏電阻，其額定零功率阻值r25與設(shè)計(jì)值存在較大出入，進(jìn)而使產(chǎn)品良品率降低。因此在電阻的生產(chǎn)過(guò)程中，需要對(duì)電阻的阻值進(jìn)行修調(diào)，使其符合預(yù)期值。激光修調(diào)以其方向性好、定位精度高、切割線條窄等眾多優(yōu)勢(shì)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于片式電阻的工業(yè)生產(chǎn)，是提高產(chǎn)品良品率的有效方式。在進(jìn)行激光修調(diào)時(shí)，高能脈沖激光能夠?qū)⒆饔锰幍谋∧げ牧纤查g氣化，使電阻體導(dǎo)電面積減小，達(dá)到增大電阻的目的。在傳統(tǒng)的片式電阻批量生產(chǎn)中，調(diào)阻過(guò)程一般采用紅外激光調(diào)阻機(jī)完成。調(diào)阻機(jī)首先將電阻體基片移至待調(diào)阻區(qū)域，隨后探針臺(tái)與電阻體電極接觸，激光器通過(guò)激光束定位系統(tǒng)按照計(jì)算機(jī)程序設(shè)定的路徑實(shí)施調(diào)阻，測(cè)量系統(tǒng)通過(guò)探針臺(tái)將阻值實(shí)時(shí)地反饋給計(jì)算機(jī)。當(dāng)待調(diào)電阻達(dá)到目標(biāo)阻值時(shí)激光器立即停止修調(diào)。換句話說(shuō)，激光調(diào)阻機(jī)采用追蹤式阻值測(cè)量系統(tǒng)，通過(guò)實(shí)時(shí)測(cè)量修調(diào)中變化的電阻值，當(dāng)其達(dá)到目標(biāo)阻值誤差允許范圍內(nèi)即停止修調(diào)。這種方法只適用于溫度系數(shù)為零(即阻值不隨溫度產(chǎn)生非常大的變化)的電阻材料，因?yàn)榧す庑拚{(diào)時(shí)會(huì)產(chǎn)生熱量。而在對(duì)熱敏電阻采用追蹤式阻值測(cè)量時(shí)，這些不可忽略的熱量導(dǎo)致熱敏電阻體溫度上升進(jìn)而阻值發(fā)生變化，因而，追蹤式測(cè)量系統(tǒng)對(duì)熱敏電阻修調(diào)沒(méi)有意義。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：基于此，有必要提供一種針對(duì)熱敏電阻的調(diào)阻方法。一種熱敏電阻的調(diào)阻方法，包括：獲取多種預(yù)設(shè)圖形中的每一種預(yù)設(shè)圖形對(duì)應(yīng)的電阻增加率范圍；所述預(yù)設(shè)圖形用于形成在待調(diào)阻的片阻上，增加所述待調(diào)阻的片阻的阻值；測(cè)量待調(diào)阻的片阻的實(shí)際阻值，并計(jì)算出達(dá)到目標(biāo)阻值所需要的增加率；判斷所述所需要的增加率所處于的電阻增加率范圍，并獲取對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)圖形；將獲取到的預(yù)設(shè)圖形應(yīng)用于待調(diào)阻的片阻進(jìn)行修調(diào)。在其中一個(gè)實(shí)施例中，依次對(duì)多個(gè)片阻進(jìn)行調(diào)阻：在將獲取到的預(yù)設(shè)圖形應(yīng)用于當(dāng)前待調(diào)阻的片阻進(jìn)行修調(diào)的步驟之后，測(cè)量下一個(gè)待調(diào)阻的片阻的實(shí)際阻值。在其中一個(gè)實(shí)施例中，依次對(duì)多個(gè)片阻進(jìn)行調(diào)阻：在將獲取到的預(yù)設(shè)圖形應(yīng)用于當(dāng)前待調(diào)阻的片阻進(jìn)行修調(diào)的同時(shí)，測(cè)量下一個(gè)待調(diào)阻的片阻的實(shí)際阻值。在其中一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)修調(diào)后不符合預(yù)期的熱敏電阻根據(jù)再次確定的預(yù)設(shè)圖形進(jìn)行修調(diào)。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述獲取電阻增加率范圍的步驟包括：對(duì)每種預(yù)設(shè)圖形，將其應(yīng)用于修調(diào)多個(gè)不同的片阻，獲取多個(gè)不同的片阻在應(yīng)用預(yù)設(shè)圖形修調(diào)前后的電阻增加率；根據(jù)所獲得的多個(gè)電阻增加率確定每種預(yù)設(shè)圖形對(duì)應(yīng)的電阻增加率范圍。在其中一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)篩選使所有的電阻增加率范圍互不重疊并相互接續(xù)。在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括：將預(yù)設(shè)圖形和對(duì)應(yīng)的電阻增加率范圍對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)于數(shù)據(jù)庫(kù)中，并將數(shù)據(jù)庫(kù)導(dǎo)入激光調(diào)阻機(jī)中。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述多個(gè)預(yù)設(shè)圖形包括不同數(shù)量、相同或不同大小的圓點(diǎn)圖形。在其中一個(gè)實(shí)施例中，在將獲取到的預(yù)設(shè)圖形應(yīng)用于待調(diào)阻的片阻進(jìn)行修調(diào)的步驟中，對(duì)于滿足條件的多個(gè)電阻增加率范圍，選擇其中一個(gè)進(jìn)行修調(diào)。在其中一個(gè)實(shí)施例中，在將獲取到的預(yù)設(shè)圖形應(yīng)用于待調(diào)阻的片阻進(jìn)行修調(diào)的步驟中，對(duì)于滿足條件的多個(gè)電阻增加率范圍，選擇使調(diào)阻后電阻精度誤差最小的一個(gè)圖形進(jìn)行修調(diào)。上述方法，測(cè)量片阻的實(shí)際阻值是在激光修調(diào)之前進(jìn)行，避免了由于激光產(chǎn)生的熱量導(dǎo)致熱敏電阻值變化的情況，而且探針只需要單次測(cè)量即可，在保證準(zhǔn)確測(cè)量熱敏電阻值的同時(shí)，也簡(jiǎn)化了阻值測(cè)量。附圖說(shuō)明圖1為一實(shí)施例的熱敏電阻的調(diào)阻方法流程圖；圖2為圖1中的步驟s110的一種處理方法流程圖；圖3為片阻的俯視圖；圖4為采用不同預(yù)設(shè)圖形修調(diào)后的實(shí)驗(yàn)結(jié)果分布圖。具體實(shí)施方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。以下實(shí)施例提供一種熱敏電阻的調(diào)阻方法，用于在熱敏電阻的生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)阻值不符合預(yù)期目標(biāo)的熱敏電阻進(jìn)行修調(diào)，使其阻值符合條件，提高良品率。本實(shí)施例中的熱敏電阻特指方塊電阻，在封裝完成之前，對(duì)電阻材料刻蝕特定的圖形達(dá)到修調(diào)的目的。本實(shí)施例中的調(diào)阻方法主要由激光調(diào)阻機(jī)執(zhí)行。激光調(diào)阻機(jī)通常包括以下幾個(gè)部分：光學(xué)系統(tǒng)，主要包括激光器、控制光路的掃描振鏡以及ccd在線監(jiān)控系統(tǒng)；基片傳輸系統(tǒng)，主要控制上片、移動(dòng)定位、下片等等操作；阻值追蹤檢測(cè)系統(tǒng)，包括探針卡、精密電橋和矩陣網(wǎng)絡(luò)等等。圖1為一實(shí)施例的熱敏電阻的調(diào)阻方法流程圖。該方法包括以下步驟s110～s140。步驟s110：獲取多種預(yù)設(shè)圖形中的每一種預(yù)設(shè)圖形對(duì)應(yīng)的電阻增加率范圍。所述預(yù)設(shè)圖形用于形成在待調(diào)阻的片阻上，增加所述待調(diào)阻的片阻的阻值。預(yù)設(shè)圖形例如可以是打點(diǎn)、單刀、雙刀、l型切口等。一種預(yù)設(shè)圖形應(yīng)用在片阻上進(jìn)行修調(diào)時(shí)，電阻增加率會(huì)在一定范圍內(nèi)波動(dòng)。可以預(yù)先得到每種預(yù)設(shè)圖形對(duì)應(yīng)的電阻增加率的波動(dòng)范圍，即電阻增加率范圍。本實(shí)施例的方法對(duì)熱敏電阻的具體圖形沒(méi)有要求，其片阻可以是條形、蛇形等等具有固定邊界的形狀。步驟s120：測(cè)量待調(diào)阻的片阻的實(shí)際阻值，并計(jì)算出達(dá)到目標(biāo)阻值所需要的增加率。激光調(diào)阻機(jī)上的探針卡可與片阻的兩極接觸，測(cè)量得到片阻的實(shí)際阻值r0。假設(shè)目標(biāo)阻值為r1，則達(dá)到目標(biāo)阻值所需要的增加率為(r1-r0)/r0。步驟s130：判斷所述所需要的增加率所處于的電阻增加率范圍，并獲取對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)圖形。步驟s140：將獲取到的預(yù)設(shè)圖形應(yīng)用于待調(diào)阻的片阻進(jìn)行修調(diào)。上述方法，測(cè)量片阻的實(shí)際阻值是在激光修調(diào)之前進(jìn)行，避免了由于激光產(chǎn)生的熱量導(dǎo)致熱敏電阻值變化的情況，而且探針只需要單次測(cè)量即可，在保證準(zhǔn)確測(cè)量熱敏電阻值的同時(shí)，簡(jiǎn)化了阻值測(cè)量。一般地，在熱敏電阻的制造過(guò)程中，是批量得到呈陣列排布的多個(gè)片阻，因此調(diào)阻也應(yīng)該是批量進(jìn)行的。批量進(jìn)行調(diào)阻時(shí)，可以包括以下步驟：獲取一個(gè)熱敏電阻中的片阻的數(shù)量；將熱敏電阻基片進(jìn)行上片操作；當(dāng)上片的基片需要調(diào)阻時(shí)，執(zhí)行上述步驟s120～s140對(duì)每個(gè)需要調(diào)阻的片阻進(jìn)行修調(diào)處理。修調(diào)完成后，將上片的基片下片。在一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)需要調(diào)阻的片阻的修調(diào)過(guò)程可以是每個(gè)片阻先后依次執(zhí)行步驟s120～s140。即：在將獲取到的預(yù)設(shè)圖形應(yīng)用于當(dāng)前待調(diào)阻的熱敏電阻進(jìn)行修調(diào)的步驟之后，測(cè)量下一個(gè)待調(diào)阻的熱敏電阻的實(shí)際阻值。在另一實(shí)施例中，多個(gè)需要調(diào)阻的片阻的修調(diào)過(guò)程也可以是并行執(zhí)行。即：在將獲取到的預(yù)設(shè)圖形應(yīng)用于當(dāng)前待調(diào)阻的熱敏電阻進(jìn)行修調(diào)的同時(shí)，測(cè)量下一個(gè)待調(diào)阻的熱敏電阻的實(shí)際阻值。例如，對(duì)當(dāng)前片阻在執(zhí)行步驟s140的同時(shí)，對(duì)下一片阻開(kāi)始執(zhí)行步驟s120。這樣可以提高處理的效率。在其他實(shí)施例中，還可以是預(yù)先將所有的待修調(diào)的片阻的實(shí)際阻值測(cè)量出來(lái)，并計(jì)算所需要的阻值增加率，并保存起來(lái)。在后續(xù)的調(diào)阻過(guò)程中，讀取相應(yīng)片阻所需要的阻值增加率，并調(diào)取對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)圖形應(yīng)用于修調(diào)。上述實(shí)施例的方法還可以包括：對(duì)修調(diào)后不符合預(yù)期的片阻根據(jù)再次確定的預(yù)設(shè)圖形進(jìn)行修調(diào)。該過(guò)程可以是在所有片阻都修調(diào)完成后，再依次對(duì)每個(gè)片阻進(jìn)行調(diào)阻。上述步驟s110中，獲取電阻增加率范圍的步驟可以包括：步驟s111：對(duì)每種預(yù)設(shè)圖形，將其應(yīng)用于修調(diào)多個(gè)不同的片阻，獲取多個(gè)不同的片阻在應(yīng)用預(yù)設(shè)圖形修調(diào)前后的電阻增加率。步驟s112：根據(jù)所獲得的多個(gè)電阻增加率確定每種預(yù)設(shè)圖形對(duì)應(yīng)的電阻增加率范圍。片阻結(jié)構(gòu)如圖3所示，片阻100包括導(dǎo)電功能區(qū)110和位于導(dǎo)電功能區(qū)110兩側(cè)的電極區(qū)120，兩個(gè)電極區(qū)120上各設(shè)有一個(gè)金屬電極130。其中導(dǎo)電功能區(qū)110采用ntc材料，金屬電極130可以采用金電極。兩個(gè)金屬電極130為片狀，部分覆蓋導(dǎo)電功能區(qū)110、部分覆蓋電極區(qū)120。且兩個(gè)金屬電極130在導(dǎo)電功能區(qū)110上間隔，露出部分導(dǎo)電功能區(qū)110。在調(diào)阻機(jī)對(duì)片阻100的電阻值進(jìn)行修調(diào)時(shí)，是在該露出的部分進(jìn)行光斑蝕刻，去掉一定形狀和尺寸的區(qū)域形成修調(diào)的預(yù)設(shè)圖形112。本實(shí)施例中，以0603片式薄膜ntc熱敏電阻進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。0603片式薄膜ntc熱敏電阻設(shè)計(jì)尺寸為450μm×20μm，結(jié)合激光調(diào)阻的原理，計(jì)劃采用不同個(gè)數(shù)的直徑為10μm的小圓點(diǎn)作為調(diào)阻圖形，不同的打點(diǎn)個(gè)數(shù)即對(duì)應(yīng)不同的調(diào)阻圖形，每個(gè)調(diào)阻圖形與其理論上的電阻變化率δr/r一一對(duì)應(yīng)。然而實(shí)際上待調(diào)電阻阻值分布在一定的范圍內(nèi)，因而在誤差允許范圍內(nèi)將δr/r轉(zhuǎn)化為區(qū)間形式：打點(diǎn)個(gè)數(shù)1234δr/r0～1.5％1.5～3％3～5％5～7％以下結(jié)合該示例說(shuō)明步驟s111～s112的具體處理過(guò)程。首先測(cè)量片阻調(diào)阻前的電阻值，然后依次進(jìn)行不同打點(diǎn)個(gè)數(shù)的調(diào)阻實(shí)驗(yàn)，在保證環(huán)境溫度一致的情況下對(duì)調(diào)阻后的片阻進(jìn)行測(cè)量。為了避免產(chǎn)生過(guò)多熱量，可以采用飛秒紫外光激光器進(jìn)行打點(diǎn)，結(jié)果如下表：打點(diǎn)個(gè)數(shù)1：電阻體編號(hào)調(diào)阻前(kω)調(diào)阻后(kω)δ(kω)δr/r#1356358.12.10.59％#2351354.83.81.08％#338339071.83％#438438730.78％打點(diǎn)個(gè)數(shù)2：電阻體編號(hào)調(diào)阻前(kω)調(diào)阻后(kω)δ(kω)δr/r#133834572.07％#2306313.77.72.52％#3308316.28.22.66％#436537492.47％打點(diǎn)個(gè)數(shù)3：電阻體編號(hào)調(diào)阻前(kω)調(diào)阻后(kω)δ(kω)δr/r#1359375164.46％#2350368185.14％#3318334.916.95.31％#4337353.416.44.87％打點(diǎn)個(gè)數(shù)4：如圖4所示，實(shí)驗(yàn)結(jié)果均勻分散在數(shù)據(jù)模型上下，實(shí)驗(yàn)結(jié)果誤差小于1.5％，在精度要求不太高的范圍內(nèi)，本實(shí)施例的方法具有相當(dāng)高的可行性。上述得到預(yù)設(shè)圖形的電阻增加率范圍的方式為實(shí)驗(yàn)方法，此外，也可以采用仿真方法。上述各圖形產(chǎn)生的電阻增加率范圍互不重疊并相互接續(xù)。這樣，當(dāng)確定了需要調(diào)整的電阻增加率以后，就可以直接得到唯一的調(diào)阻用的預(yù)設(shè)圖形?？梢岳斫?，由于可以采用不同的多種預(yù)設(shè)圖形，例如打點(diǎn)、單刀、雙刀、l型切口等，各種預(yù)設(shè)圖形之間可能會(huì)有范圍的重疊，若電阻增加率同時(shí)處于多個(gè)范圍內(nèi)，可以選取其中任一個(gè)進(jìn)行修調(diào)。進(jìn)一步地，可以根據(jù)實(shí)施的難易度優(yōu)先選擇較易實(shí)施的預(yù)設(shè)圖形進(jìn)行修調(diào)。還可以選擇使調(diào)阻后電阻精度誤差最小的一個(gè)圖形進(jìn)行修調(diào)，使修調(diào)精度更高。進(jìn)一步地，可以在得到預(yù)設(shè)圖形和電阻增加率范圍的對(duì)應(yīng)關(guān)系后，將預(yù)設(shè)圖形和對(duì)應(yīng)的電阻增加率范圍對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)于數(shù)據(jù)庫(kù)中。該數(shù)據(jù)庫(kù)可以導(dǎo)入激光調(diào)阻機(jī)中，在進(jìn)行調(diào)阻時(shí)，激光調(diào)阻機(jī)直接從數(shù)據(jù)庫(kù)中讀取數(shù)據(jù)，獲得預(yù)設(shè)圖形。以下著手驗(yàn)證調(diào)阻圖形的可靠性。對(duì)于一個(gè)待調(diào)整的熱敏電阻，各片阻的調(diào)阻目標(biāo)阻值為360kω，實(shí)驗(yàn)隨機(jī)選取基片上5×5范圍內(nèi)25個(gè)電阻，在相同的條件下測(cè)得它們的阻值分布如下表(單位：kω)：349.3347.9339.5337.5334347.5346.5345.5339.3344.9347.5348.1347.1335.8337.2342.7341.4337.7343.8336.5342.2342.2339.3333.2335.6按照步驟s120分別計(jì)算帶修調(diào)電阻與目標(biāo)阻值的電阻變化率δr/r，并確定各個(gè)片阻的調(diào)阻方案，結(jié)果如下表(括號(hào)內(nèi)代表不同打點(diǎn)個(gè)數(shù)的調(diào)阻方案)：按照選定的調(diào)阻方案對(duì)電阻體進(jìn)行修調(diào)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果分布如下表：369366367366364366369366370355367366365362365362363367363364360360366369364可見(jiàn)修調(diào)之后的電阻值基本分布在目標(biāo)阻值360kω附近，因而本發(fā)明提出的構(gòu)想在現(xiàn)有技術(shù)范圍內(nèi)具有相當(dāng)高的可行性。上述實(shí)施例的方法，調(diào)阻過(guò)程在保護(hù)膜形成之前進(jìn)行。該方法在傳統(tǒng)激光調(diào)阻機(jī)的基礎(chǔ)上進(jìn)行改良得到，在沒(méi)有增加系統(tǒng)的復(fù)雜性且保持了原有的調(diào)阻效率的基礎(chǔ)上，使其可以用于熱敏電阻的調(diào)阻。解決了傳統(tǒng)的追蹤式測(cè)量和調(diào)阻不能適用于熱敏電阻的問(wèn)題。以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡(jiǎn)潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說(shuō)明書(shū)記載的范圍。以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。當(dāng)前第1頁(yè)12