本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種薄膜晶體管及其制備方法和陣列基板的制備方法。

背景技術(shù)：

隨著信息技術(shù)的發(fā)展，人們對顯示產(chǎn)品提出了更高的要求，比如分辨率高、亮度高、響應(yīng)時間快和能耗低。透明金屬氧化物有源層的薄膜晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)顯示產(chǎn)品的上述優(yōu)勢，因此，透明金屬氧化物材料在下一代液晶顯示(lcd)和有機發(fā)光二極管(oled)顯示中的應(yīng)用越來越受到人們的關(guān)注。

現(xiàn)有技術(shù)在制作氧化物薄膜晶體管時，由于氧化物薄膜晶體管的氧化物有源層的材料是金屬氧化物，其穩(wěn)定性容易受到濕法刻蝕環(huán)境中氧氣、氫氣及水的影響。目前使用最多的是信號線和源漏極材料使用銅及其阻擋金屬的復(fù)合層，該信號線和源漏極材料使用雙氧水作為刻蝕液主要成分。這樣可以減少對金屬氧化物有源層的刻蝕損傷。

但是，即使是使用目前工藝相對比較成熟的銅工藝，目前廣泛使用的背溝道刻蝕型bce(backchanneletchedtype，bce)技術(shù)也存在以下問題：由于仍然存在濕法刻蝕的工藝過程，刻蝕中的水難免會對有源層，特別是有源層溝道造成很大的損傷，繼而造成薄膜晶體管電學(xué)特性的劣化。另外，背溝道刻蝕型bce(backchanneletchedtype，bce)技術(shù)并沒有真正體現(xiàn)出金屬氧化物半導(dǎo)體材料的有源層可以減小顯示裝置功耗的特有優(yōu)勢。

因此，如何在透明金屬氧化物有源層的薄膜晶體管的制備過程中減少濕法刻蝕對有源層造成的損傷已成為目前亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問題，提供一種薄膜晶體管及其制備方法和陣列基板的制備方法。該薄膜晶體管制備方法，通過采用透明導(dǎo)電光刻膠形成薄膜晶體管的源極和漏極，能夠省去源極和漏極在制備過程中的濕法刻蝕和剝離工藝，從而避免濕法刻蝕和剝離工藝中水對金屬氧化物材料形成的有源層的損傷，進而能夠保護金屬氧化物材料的有源層的薄膜晶體管的電學(xué)特性，同時由于源極和漏極能夠透光，所以還增加了采用該薄膜晶體管的陣列基板的像素單元的開口率，從而降低了采用該薄膜晶體管的顯示器的背光能耗。

本發(fā)明提供一種薄膜晶體管的制備方法，包括：在基底上形成有源層膜；還包括：采用透明導(dǎo)電光刻膠形成所述薄膜晶體管的源極和漏極。

優(yōu)選地，在形成所述有源層膜之后，且在形成所述源極和所述漏極之前還包括：通過曝光工藝在所述基底上形成有源層的圖形。

優(yōu)選地，所述采用透明導(dǎo)電光刻膠形成所述薄膜晶體管的源極和漏極包括：

在形成所述有源層的圖形的所述基底上涂布透明導(dǎo)電光刻膠膜；

預(yù)固化所述透明導(dǎo)電光刻膠膜；

對所述透明導(dǎo)電光刻膠膜進行曝光和顯影，以形成包括所述源極和所述漏極的圖形；

對所述源極和所述漏極進行后固化。

優(yōu)選地，所述采用透明導(dǎo)電光刻膠形成所述薄膜晶體管的源極和漏極包括：

在形成所述有源層膜的所述基底上涂布透明導(dǎo)電光刻膠膜；

預(yù)固化所述透明導(dǎo)電光刻膠膜；

對所述透明導(dǎo)電光刻膠膜進行灰度掩膜工藝，去除對應(yīng)所述有源層圖形以外區(qū)域的所述透明導(dǎo)電光刻膠膜，部分保留對應(yīng)所述有源層的溝槽的所述透明導(dǎo)電光刻膠膜，保留對應(yīng)所述源極和所述漏極圖形的所述透明導(dǎo)電光刻膠膜；

采用濕刻工藝制備形成所述有源層的圖形；

通過干刻工藝去除對應(yīng)所述有源層的所述溝槽的所述透明導(dǎo)電光刻膠膜，同時減薄對應(yīng)所述源極和所述漏極圖形的所述透明導(dǎo)電光刻膠膜，以形成所述源極和所述漏極的圖形。

優(yōu)選地，所述涂布透明導(dǎo)電光刻膠膜包括：通過狹縫涂布方式或者旋涂方式在所述基底上涂布形成所述透明導(dǎo)電光刻膠膜；

所述透明導(dǎo)電光刻膠膜的厚度范圍為0.2～2.0μm。

優(yōu)選地，預(yù)固化所述透明導(dǎo)電光刻膠膜的溫度范圍為100～110℃，預(yù)固化時間為50～80秒。

優(yōu)選地，對所述源極和所述漏極進行后固化的溫度范圍為110～120℃，后固化時間為50～80秒。

優(yōu)選地，所述透明導(dǎo)電光刻膠包括導(dǎo)電介質(zhì)、成膜樹脂、光敏劑、溶劑和添加劑。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電介質(zhì)采用電阻率小于10×10^-8ω·m的導(dǎo)電金屬粒子、導(dǎo)電合金粒子或者石墨烯；

所述成膜樹脂采用熱塑性樹脂；

所述光敏劑采用芳香族酮類衍生物或安息香醚類衍生物。

優(yōu)選地，所述有源層采用多晶金屬氧化物半導(dǎo)體材料或者非晶金屬氧化物半導(dǎo)體材料。

優(yōu)選地，在形成所述有源層、所述源極和所述漏極之前或之后，還包括在基底上先后形成所述薄膜晶體管的柵極和柵絕緣層。

本發(fā)明還提供一種陣列基板的制備方法，包括在基底上形成薄膜晶體管，所述薄膜晶體管采用上述的制備方法制備而成。

優(yōu)選地，還包括：采用透明導(dǎo)電光刻膠形成數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述薄膜晶體管的源極和漏極通過一次構(gòu)圖工藝同時形成；所述制備方法還包括：采用構(gòu)圖工藝在形成所述薄膜晶體管的基底上先后形成像素電極、鈍化層和公共電極的步驟。

本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管，包括有源層、源極和漏極，所述源極和所述漏極位于所述有源層的上方，所述源極和所述漏極采用透明導(dǎo)電光刻膠材料形成。

優(yōu)選地，還包括柵極和柵絕緣層，所述柵極設(shè)置于基底和所述有源層之間，所述柵絕緣層設(shè)置于所述柵極和所述有源層之間；

或者，所述柵絕緣層和所述柵極依次覆疊于所述源極和所述漏極的上方。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明所提供的薄膜晶體管的制備方法，通過采用透明導(dǎo)電光刻膠形成薄膜晶體管的源極和漏極，相對于傳統(tǒng)的源極和漏極采用金屬材料制備的情況，能夠省去源極和漏極在制備過程中的濕法刻蝕和剝離工藝，從而避免濕法刻蝕和剝離工藝中水對金屬氧化物材料形成的有源層的損傷，進而能夠保護金屬氧化物材料的有源層的薄膜晶體管的電學(xué)特性，同時由于源極和漏極能夠透光，所以還增加了采用該薄膜晶體管的陣列基板的像素單元的開口率，從而降低了采用該薄膜晶體管的顯示器的背光能耗。

本發(fā)明所提供的陣列基板的制備方法，通過采用透明導(dǎo)電光刻膠形成數(shù)據(jù)線及薄膜晶體管的源極和漏極，相對于傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)線、源極和漏極采用金屬材料制備的情況，能夠省去數(shù)據(jù)線、源極和漏極在制備過程中的濕法刻蝕和剝離工藝，從而避免濕法刻蝕和剝離工藝中水對金屬氧化物材料形成的有源層的損傷，進而能夠保護金屬氧化物材料的有源層的薄膜晶體管的電學(xué)特性，提高采用該薄膜晶體管的陣列基板的電學(xué)品質(zhì)；同時由于數(shù)據(jù)線、源極和漏極能夠透光，所以還增加了采用該陣列基板的像素單元的開口率，從而降低了采用該陣列基板的顯示器的背光能耗。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例1中形成柵極和柵絕緣層的示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例1中形成有源層的示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例1中形成透明導(dǎo)電光刻膠膜的示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例1中對透明導(dǎo)電光刻膠膜進行曝光和顯影的示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例1中固化形成源極和漏極圖形的示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例2中在有源層膜上形成透明導(dǎo)電光刻膠膜的示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例2中對透明導(dǎo)電光刻膠膜進行灰度掩膜工藝后的示意圖；

圖8為本發(fā)明實施例2中采用濕刻工藝制備形成有源層圖形的示意圖；

圖9為本發(fā)明實施例2中灰化去除有源層溝槽的透明導(dǎo)電光刻膠膜，同時減薄對應(yīng)源極和漏極圖形的透明導(dǎo)電光刻膠膜，以形成源極和漏極的圖形的示意圖；

圖10為本發(fā)明實施例3中形成像素電極的示意圖；

圖11為本發(fā)明實施例3中形成鈍化層的示意圖；

圖12為本發(fā)明實施例3中形成公共電極的示意圖；

圖13為本發(fā)明實施例3中陣列基板局部的結(jié)構(gòu)俯視示意圖。

其中的附圖標記說明：

1.有源層；101.溝槽；2.源極；3.漏極；4.基底；5.透明導(dǎo)電光刻膠膜；6.柵極；7.柵絕緣層；8.有源層膜；9.像素電極；10.鈍化層；11.公共電極；12.薄膜晶體管；13.數(shù)據(jù)線。

具體實施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明所提供的一種薄膜晶體管及其制備方法和陣列基板的制備方法作進一步詳細描述。

實施例1：

本實施例提供一種薄膜晶體管的制備方法，如圖1-圖5所示，包括：在基底4上形成有源層膜；還包括：采用透明導(dǎo)電光刻膠形成薄膜晶體管的源極2和漏極3。

通過采用透明導(dǎo)電光刻膠形成薄膜晶體管的源極2和漏極3，相對于傳統(tǒng)的源極2和漏極3采用金屬材料制備的情況，能夠省去源極2和漏極3在制備過程中的濕法刻蝕和剝離工藝，從而避免濕法刻蝕和剝離工藝中水對金屬氧化物材料形成的有源層1的損傷，進而能夠保護金屬氧化物材料的有源層1的薄膜晶體管的電學(xué)特性，同時由于源極2和漏極3能夠透光，所以還增加了采用該薄膜晶體管的陣列基板的像素單元的開口率，從而降低了采用該薄膜晶體管的顯示器的背光能耗。

本實施例中，在形成有源層膜之后，且在形成源極2和漏極3之前還包括：通過曝光工藝在基底4上形成有源層1的圖形。

其中，有源層1通過濺射或者熱蒸發(fā)的方法生長一層金屬氧化物有源層膜；有源層膜的厚度范圍大致為：30～80nm，然后通過曝光工藝形成特定的有源層1的圖形(如圖2所示)。曝光工藝包括光刻膠的涂敷、曝光、顯影和刻蝕的步驟，具體不再贅述。

本實施例中，采用透明導(dǎo)電光刻膠形成所述薄膜晶體管的源極和漏極包括，如圖2-圖5所示：

步驟s10：在形成有源層1的圖形的基底4上涂布透明導(dǎo)電光刻膠膜5(如圖2和圖3所示)。

該步驟中，涂布透明導(dǎo)電光刻膠膜5包括：通過狹縫涂布方式或者旋涂方式在基底4上涂布形成透明導(dǎo)電光刻膠膜5。透明導(dǎo)電光刻膠膜5的厚度范圍為0.2～2.0μm。

其中，透明導(dǎo)電光刻膠包括導(dǎo)電介質(zhì)、成膜樹脂、光敏劑、溶劑和添加劑。導(dǎo)電介質(zhì)采用電阻率小于10×10^-8ω·m的導(dǎo)電金屬粒子、導(dǎo)電合金粒子或者石墨烯。石墨烯具有很多優(yōu)異的性能，如超高的理論比表面積(2630m2/g)，突出的導(dǎo)熱性(5000w/m·k)，高強(130gpa)高模(1060gpa)、室溫下比硅高100倍的電子遷移率(15000cm2/(v·s)，電導(dǎo)率可達7200s/cm。石墨烯具有突出的導(dǎo)電性能和異乎尋常的電子傳導(dǎo)能力，在聚合物中引入較少量的石墨烯就可望得到較高的導(dǎo)電性、成本低和具有永久導(dǎo)電性的導(dǎo)電高分子材料。成膜樹脂采用熱塑性樹脂。光敏劑采用芳香族酮類衍生物或安息香醚類衍生物。溶劑采用易揮發(fā)性的溶劑，如環(huán)酯溶劑，酮類溶劑和醚類溶劑中一種溶劑或者兩種溶劑組合。添加劑包括增塑劑，粘合促進劑以及表面活性劑，目的是為了改善透明導(dǎo)電光刻膠在基板上的涂覆特性和圖案的穩(wěn)定性。

另外，有源層1采用多晶金屬氧化物半導(dǎo)體材料或者非晶金屬氧化物半導(dǎo)體材料。如有源層1的材料可以為igzo、itzo、izo、in2o3、tio2或者其他金屬氧化物等。

步驟s11：預(yù)固化透明導(dǎo)電光刻膠膜5。

該步驟中，預(yù)固化透明導(dǎo)電光刻膠膜5的溫度范圍為100～110℃，預(yù)固化時間為50～80秒。

步驟s12：對透明導(dǎo)電光刻膠膜5進行曝光和顯影，以形成包括源極2和漏極3的圖形(如圖4所示)。

該步驟中，對透明導(dǎo)電光刻膠膜5進行曝光工藝：曝光使用的掩模板，保護對應(yīng)源極2和漏極3位置的透明導(dǎo)電光刻膠不被曝光，對其余位置的透明導(dǎo)電光刻膠進行曝光。曝光完成后，進行顯影，形成包括源極2和漏極3的圖形。

步驟s13：對源極2和漏極3進行后固化(如圖5所示)。

該步驟中，對經(jīng)過顯影后的源極2和漏極3的圖形進行后固化和圖案檢查，后固化的溫度范圍為110～120℃，后固化時間為50～80秒。優(yōu)選固化溫度120℃，固化時間60秒，最終完成源極2和漏極3的圖形的制備。

本實施例中，在形成有源層1、源極2和漏極3之前，還包括步驟s09：在基底4上先后形成薄膜晶體管的柵極6和柵絕緣層7的步驟(如圖1所示)。

其中，本實施例中的薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管。柵極6和柵絕緣層7采用傳統(tǒng)的構(gòu)圖工藝(包括成膜、曝光、顯影、刻蝕)制備形成，具體不再贅述。

需要說明的是，也可以在形成有源層、源極和漏極之后，再在基底上先后形成薄膜晶體管的柵極和柵絕緣層。即薄膜晶體管也可以是頂柵型薄膜晶體管。

基于本實施例中提供的上述薄膜晶體管的制備方法，本實施例還提供一種采用該制備方法制備形成的薄膜晶體管，如圖5所示，包括有源層1、源極2和漏極3，源極2和漏極3同層設(shè)置且對應(yīng)位于有源層1的上方，源極2和漏極3分別位于有源層1的兩端，有源層1采用金屬氧化物材料形成，源極2和漏極3采用透明導(dǎo)電光刻膠材料形成。

其中，薄膜晶體管還包括柵極6和柵絕緣層7，柵極6設(shè)置于基底4和有源層1之間，柵絕緣層7設(shè)置于柵極6和有源層1之間。即本實施例中的薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管。

需要說明的是，本實施例中的薄膜晶體管也可以是頂柵型薄膜晶體管，頂柵型的薄膜晶體管中，柵絕緣層和柵極依次覆疊于源極和漏極的上方。

實施例2：

本實施例提供一種薄膜晶體管的制備方法，與實施例1不同的是，如圖6-圖9所示，采用透明導(dǎo)電光刻膠形成薄膜晶體管的源極2和漏極3包括：

步驟s20：在形成有源層膜8的基底4上涂布透明導(dǎo)電光刻膠膜5(如圖6所示)。

其中，有源層膜8通過濺射或者熱蒸發(fā)的方法形成，有源層膜8的厚度范圍大致為：30～80nm，有源層膜8的材料可以為igzo、itzo、izo、in2o3、tio2或者其他金屬氧化物等。透明導(dǎo)電光刻膠膜5通過狹縫或者懸涂的方式涂布形成，透明導(dǎo)電光刻膠膜5的厚度范圍大致為：0.2～2.0um。

步驟s21：預(yù)固化透明導(dǎo)電光刻膠膜5。

該步驟中，透明導(dǎo)電光刻膠膜5的預(yù)固化工藝及其參數(shù)與實施例1中相同。

步驟s22：對透明導(dǎo)電光刻膠膜5進行灰度掩膜工藝，去除對應(yīng)有源層1圖形以外區(qū)域的透明導(dǎo)電光刻膠膜5，部分保留對應(yīng)有源層1的溝槽101的透明導(dǎo)電光刻膠膜5，保留對應(yīng)源極2和漏極3圖形的透明導(dǎo)電光刻膠膜5(如圖7所示)。

其中，有源層1的溝槽101為薄膜晶體管在通電開啟時在有源層1中形成的溝道區(qū)。溝槽101對應(yīng)位于源極2和漏極3之間的有源層1區(qū)域。

步驟s23：采用濕刻工藝制備形成有源層1的圖形(如圖8所示)。

步驟s24：通過干刻工藝去除對應(yīng)有源層1的溝槽101的透明導(dǎo)電光刻膠膜5，同時減薄對應(yīng)源極2和漏極3圖形的透明導(dǎo)電光刻膠膜5，以形成源極2和漏極3的圖形(如圖9所示)。

該步驟中，經(jīng)過干刻工藝對經(jīng)過曝光的有源層1的溝槽101對應(yīng)的透明導(dǎo)電光刻膠膜5部分進行灰化處理，處理完成后，整體的透明導(dǎo)電光刻膠膜5厚度將減薄，對應(yīng)有源層1的溝槽101的透明導(dǎo)電光刻膠膜5完全灰化消失，最終形成完整的源極2和漏極3的圖形。

本實施例中的薄膜晶體管的制備方法，通過使摻有導(dǎo)電介質(zhì)的光刻膠一方面作為曝光形成有源層1圖形的光刻膠使用，另一方面作為源極2和漏極3的材料使用。不僅可以減少源極2和漏極3的刻蝕工藝，從而避免刻蝕工藝中水對金屬氧化物材料有源層1的損傷。而且，相比于實施例1中薄膜晶體管的制備方法，可以減少一道有源層1圖形形成過程中的掩模板工藝，保護有源層1，徹底避免有源層1、特別是有源層1的溝槽101經(jīng)過濕法刻蝕工藝，從而減少了濕法刻蝕工藝對金屬氧化物薄膜晶體管有源層1的損傷，有利于保護金屬氧化物有源層1薄膜晶體管的電學(xué)特性。同時，源極2和漏極3采用透明導(dǎo)電光刻膠材料，可以大大增加采用該薄膜晶體管的陣列基板的像素單元的開口率，從而降低了采用該薄膜晶體管的顯示器的背光能耗。

另外，本實施例中薄膜晶體管的制備方法不僅適用于底柵型薄膜晶體管，而且適用于頂柵型薄膜晶體管。本實施例中薄膜晶體管的制備方法，在制備過程中無需再在有源層1的上方增加現(xiàn)有技術(shù)中的刻蝕阻擋層，從而使得該薄膜晶體管的制備方法還能相應(yīng)減少刻蝕阻擋層的制備工藝步驟，進而提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。

本實施例中薄膜晶體管的制備方法的其他步驟、各步驟中的相應(yīng)工藝參數(shù)以及采用該制備方法制備而成的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)均與實施例1中相同，此處不再贅述。

實施例1-2的有益效果：實施例1-2所提供的薄膜晶體管的制備方法，通過采用透明導(dǎo)電光刻膠形成薄膜晶體管的源極和漏極，相對于傳統(tǒng)的源極和漏極采用金屬材料制備的情況，能夠省去源極和漏極在制備過程中的濕法刻蝕和剝離工藝，從而避免濕法刻蝕和剝離工藝中水對金屬氧化物材料形成的有源層的損傷，進而能夠保護金屬氧化物材料的有源層的薄膜晶體管的電學(xué)特性，同時由于源極和漏極能夠透光，所以還增加了采用該薄膜晶體管的陣列基板的像素單元的開口率，從而降低了采用該薄膜晶體管的顯示器的背光能耗。

實施例3：

本實施例提供一種陣列基板的制備方法，包括在基底上形成薄膜晶體管，薄膜晶體管采用實施例1或2中的制備方法制備而成。

本實施例中，陣列基板的制備方法還包括：采用透明導(dǎo)電光刻膠形成數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線與薄膜晶體管的源極和漏極通過一次構(gòu)圖工藝同時形成。

該陣列基板的制備方法，通過采用透明導(dǎo)電光刻膠形成數(shù)據(jù)線及薄膜晶體管的源極和漏極，相對于傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)線、源極和漏極采用金屬材料制備的情況，能夠省去數(shù)據(jù)線、源極和漏極在制備過程中的濕法刻蝕和剝離工藝，從而避免濕法刻蝕和剝離工藝中水對金屬氧化物材料形成的有源層的損傷，進而能夠保護金屬氧化物材料的有源層的薄膜晶體管的電學(xué)特性，提高采用該薄膜晶體管的陣列基板的電學(xué)品質(zhì)；同時由于數(shù)據(jù)線、源極和漏極能夠透光，所以還增加了采用該陣列基板的像素單元的開口率，從而降低了采用該陣列基板的顯示器的背光能耗。

本實施例中，如圖10-圖12所示，該陣列基板的制備方法還包括：采用構(gòu)圖工藝在形成薄膜晶體管的基底4上先后形成像素電極9、鈍化層10和公共電極11的步驟。具體為：(以底柵型薄膜晶體管的陣列基板為例)

步驟s30：在制備形成源極2和漏極3的圖形的基底4上通過磁控濺射的方法沉積生長一層透明的導(dǎo)電層，通過一次構(gòu)圖工藝形成透明的像素電極9(如圖10所示)。

其中，透明的像素電極9的厚度范圍為：40～80nm，像素電極9的材料可以為ito或者izo等透明金屬氧化物。

步驟s31：在完成步驟s30的基底4上通過pecvd的方法沉積生長一層鈍化層膜，然后通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層10的圖形(如圖11所示)。

其中，鈍化層10的厚度范圍為：200～600nm，鈍化層10可以選用單層氮化硅或者氧化硅與氮化硅的復(fù)合結(jié)構(gòu)，或者氮化硅/氮氧化硅/氧化硅三層結(jié)構(gòu)。

步驟s32：在完成步驟s31的基底4上通過磁控濺射的方法沉積生長一層透明的導(dǎo)電層，通過一次構(gòu)圖工藝形成透明的公共電極11(如圖12所示)。

其中，透明的公共電極11的厚度范圍為：40～80nm，公共電極11的材料可以為ito或者izo等透明金屬氧化物。

基于本實施例中提供的陣列基板的制備方法，本實施例還提供一種陣列基板，如圖13所示，該陣列基板采用上述制備方法制備而成，且該陣列基板包括實施例1或2中的薄膜晶體管12。

本實施例中，陣列基板還包括數(shù)據(jù)線13，數(shù)據(jù)線13與薄膜晶體管12的源極2和漏極3同層設(shè)置，且數(shù)據(jù)線13與源極2和漏極3采用相同的材料形成。

本實施例中，陣列基板還包括像素電極9、鈍化層和公共電極(圖13中未示出)，像素電極9設(shè)置于漏極3上方且與漏極3連接，鈍化層和公共電極依次設(shè)置于像素電極9上方。

實施例3的有益效果：實施例3中所提供的陣列基板及其制備方法，通過采用透明導(dǎo)電光刻膠形成數(shù)據(jù)線及薄膜晶體管的源極和漏極，相對于傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)線、源極和漏極采用金屬材料制備的情況，能夠省去數(shù)據(jù)線、源極和漏極在制備過程中的濕法刻蝕和剝離工藝，從而避免濕法刻蝕和剝離工藝中水對金屬氧化物材料形成的有源層的損傷，進而能夠保護金屬氧化物材料的有源層的薄膜晶體管的電學(xué)特性，提高采用該薄膜晶體管的陣列基板的電學(xué)品質(zhì)；同時由于數(shù)據(jù)線、源極和漏極能夠透光，所以還增加了采用該陣列基板的像素單元的開口率，從而降低了采用該陣列基板的顯示器的背光能耗。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。