本發(fā)明屬于光伏電池制造領域，尤其涉及到一種半電池片的制造方法。

背景技術：

常規(guī)組件使用尺寸統(tǒng)一的電池進行封裝，目前電池尺寸多為156mm*156mm和156.75mm*156.75mm。封裝完成的組件存在功率損失，功率損失的其中一部分來自電學損失，即ploss＝i²*r。當使用半電池片封裝組件時，通過電池的電流降為原來的一半，而組件內部電阻不變，這時功率損失降低為原來的四分之一，也即使用半電池封裝的組件可以提升最大輸出功率，經(jīng)過實際測試，組件功率提升1.5％-3％。該提升是相當可觀的，如何獲得半電池片成為提升組件功率的重要環(huán)節(jié)。

目前晶硅電池常規(guī)工藝步驟為濕法制絨-磷擴散-濕法刻蝕-去psg-pecvd-印刷-燒結。半電池片使用常規(guī)電池進行激光切割而成。使用常規(guī)電池進行切割的半電池片存在很多缺陷，如帶柵線的斷面參差不齊、漏電等，做成組件時還可能因為電池副柵線根數(shù)不同電流失配造成功率損失增加，切割的直角應力大，破片率增加等。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明克服了上述方案的缺點，提出了一種半電池片的制造方法。該方法具有工藝簡單、切割斷面整齊、無漏電風險，有效解決了后續(xù)組件制程中的問題，使組件制程破片率低、封裝損失低、最大輸出功率高的優(yōu)點。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半電池片的制造方法，其包括以下步驟：

步驟一

半電池片圖形設計，所述半電池片圖形沿電池片的中線對稱；

步驟二

將經(jīng)過濕法制絨-磷擴散-濕法刻蝕-去psg-pecvd鍍膜處理的多晶硅片采用所述半電池片圖形進行絲網(wǎng)印刷和燒結制得電池片；

步驟三

將步驟二制得的電池片沿著中線進行激光切割，并對所述激光切割后形成的直角進行倒角，制得半電池片。

優(yōu)選的是，所述的半電池片的制造方法中，

所述半電池片圖形包括背電極、背電場和正電極圖形；

正電極圖形以中線為軸分成左右兩個子電極圖形，兩個子電極圖形為全封閉結構，且與所述中線具有間隔；

背電極為分段式或連續(xù)式，與背電場邊緣接觸并露出可焊接電極圖形，背電極與正電極處于同一條線上。

優(yōu)選的是，所述的半電池片的制造方法中，

正電極圖形包括主柵線和副柵線；

主柵線條數(shù)在2條及以上，寬度在0.8-1.5mm范圍內，長度在154-155mm范圍內，主柵線相互平行，兩條相鄰主柵線之間的距離為邊緣主柵線到電池片邊緣的兩倍，為實心直線結構或者分段的鏤空部分和非鏤空部分組成的直線結構；

副柵線與主柵線垂直，總數(shù)為偶數(shù)，且數(shù)量在60-160根之間，也即兩側副柵線數(shù)量分別在30-80根之間，線寬為20-40μm，均勻分布于電池表面，中線兩側的兩條副柵線的間距為0.2-2mm。

優(yōu)選的是，所述的半電池片的制造方法中，背電極為分段式時均勻分布，總長度為60-150mm，寬度為1.8-3mm。

優(yōu)選的是，所述的半電池片的制造方法中，所述絲網(wǎng)印刷和燒結包括：

非鍍膜面印刷背電極，260-330℃烘干，非鍍膜面印刷背電場，260-330℃烘干，翻轉后鍍膜面印刷正電極，烘干；

燒結金屬化，金屬化溫度為790-800℃，時間為2-3s。

優(yōu)選的是，所述的半電池片的制造方法中，切割深度控制在硅片厚度的2/3-3/4，控制范圍更加精確，形成的斷面更加平滑整齊。

優(yōu)選的是，所述的半電池片的制造方法中，倒角可為直線或圓弧，倒角直角邊長度范圍為0.5-1mm，可以去除應力，防止后續(xù)加工過程中邊緣出現(xiàn)破裂、崩邊及晶格缺陷的產(chǎn)生，提高半電池片的機械強度和可加工性。

本發(fā)明通過在現(xiàn)有工藝基礎上有效設計、創(chuàng)新，利用現(xiàn)有設備，積極探索出適合半電池片生產(chǎn)的工藝流程，資金投入少，工藝流程簡單，易操作，生產(chǎn)出的半電池片更加統(tǒng)一標準，使半電池片機械強度和可加工性增強，缺陷減少，使半電池片組件封裝功率損失降低，最大輸出功率增高，制成成品率提升，適合規(guī)?；墓I(yè)生產(chǎn)。

本發(fā)明的其它優(yōu)點、目標和特征將部分通過下面的說明體現(xiàn)，部分還將通過對本發(fā)明的研究和實踐而為本領域的技術人員所理解。

附圖說明

圖1為本發(fā)明提供的半電池片的制造方法的一個實施例中的背電極圖形示意圖；

圖2為本發(fā)明提供的半電池片的制造方法的一個實施例中的背電場圖形示意圖；

圖3為本發(fā)明提供的半電池片的制造方法的一個實施例中的正電極圖形示意圖；

圖4為采用本發(fā)明提供的半電池片的制造方法制得的半電池片的結構示意圖。

具體實施方式

下面對本發(fā)明做進一步的詳細說明，以令本領域技術人員參照說明書文字能夠據(jù)以實施。

應當理解，本文所使用的諸如“具有”、“包含”以及“包括”術語并不配出一個或多個其它元件或其組合的存在或添加。

本發(fā)明提供一種半電池片的制造方法，其包括以下步驟：

步驟一

半電池片圖形設計，所述半電池片圖形沿電池片的中線對稱；

步驟二

將經(jīng)過濕法制絨-磷擴散-濕法刻蝕-去psg-pecvd鍍膜處理的多晶硅片采用所述半電池片圖形進行絲網(wǎng)印刷和燒結制得電池片；

步驟三

將步驟二制得的電池片沿著中線進行激光切割，并對所述激光切割后形成的直角進行倒角，制得半電池片。

所述的半電池片的制造方法中，如圖1、圖2、圖3所示，

所述半電池片圖形包括背電極、背電場和正電極圖形；

正電極圖形以中線為軸分成左右兩個子電極圖形，兩個子電極圖形為全封閉結構，且與所述中線具有間隔；

背電極為分段式或連續(xù)式，與背電場邊緣接觸并露出可焊接電極圖形，背電極與正電極處于同一條線上。

所述的半電池片的制造方法中，

正電極圖形包括主柵線和副柵線；

主柵線條數(shù)在2條及以上，寬度在0.8-1.5mm范圍內，長度在154-155mm范圍內，主柵線相互平行，兩條相鄰主柵線之間的距離為邊緣主柵線到電池片邊緣的兩倍，為實心直線結構或者分段的鏤空部分和非鏤空部分組成的直線結構；

副柵線與主柵線垂直，總數(shù)為偶數(shù)，且數(shù)量在60-160根之間，也即兩側副柵線數(shù)量分別在30-80根之間，線寬為20-40μm，均勻分布于電池表面，中線兩側的兩條副柵線的間距為0.2-2mm。

所述的半電池片的制造方法中，背電極為分段式時均勻分布，總長度為60-150mm，寬度為1.8-3mm。

所述的半電池片的制造方法中，所述絲網(wǎng)印刷和燒結包括：

非鍍膜面印刷背電極，260-330℃烘干，非鍍膜面印刷背電場，260-330℃烘干，翻轉后鍍膜面印刷正電極，烘干；

燒結金屬化，金屬化溫度為790-800℃，時間為2-3s。

所述的半電池片的制造方法中，切割深度控制在硅片厚度的2/3-3/4，控制范圍更加精確，形成的斷面更加平滑整齊。

所述的半電池片的制造方法中，倒角可為直線或圓弧，倒角直角邊長度范圍為0.5-1mm，可以去除應力，防止后續(xù)加工過程中邊緣出現(xiàn)破裂、崩邊及晶格缺陷的產(chǎn)生，提高半電池片的機械強度和可加工性。

實施例

第一步，選擇完整的156mm*156mm的p型多晶硅片，經(jīng)過濕法制絨-磷擴散-濕法刻蝕-去psg-pecvd鍍膜。

第二步，使用半片電池圖形進行絲網(wǎng)印刷，印刷背電極，280℃烘干5s，印刷背電場，280℃烘干5s，印刷正電極，半電池片尺寸為156mm*78mm，4條主柵線，主柵線距離為39mm，主柵線寬度為1.1mm，八段式，總長155mm，副柵線寬度35μm，100根，兩條相鄰細柵線間距1.54mm，790℃燒結2s。

第三步，將電池片沿中線進行激光切割，調整激光功率，使切割厚度達到電池厚度的2/3，然后將切割直角使用激光劃掉，直角邊長為0.5mm*0.5mm，將電池片分開，去掉倒角。這樣就得到了需求的156mm*78mm的半太陽電池，如圖4所示。

盡管本發(fā)明的實施方案已公開如上，但其并不僅僅限于說明書和實施方式中所列運用，它完全可以被適用于各種適合本發(fā)明的領域，對于熟悉本領域的人員而言，可容易地實現(xiàn)另外的修改，因此在不背離權利要求及等同范圍所限定的一般概念下，本發(fā)明并不限于特定的細節(jié)和這里示出與描述的圖例。