本公開涉及一種主動元件陣列基板及應用其的顯示裝置。

背景技術：

近年來，隨著顯示技術的蓬勃發(fā)展，顯示裝置(如電腦或電視屏幕)也日益受到重視。傳統(tǒng)上，顯示裝置包含彩色濾光基板(colorfiltersubstrate)、顯示介質(zhì)與主動元件陣列基板(activedevicearraysubstrate)。此外，主動元件陣列基板與彩色濾光基板之間也會設置有間隔物，以防止此兩基板接觸的可能性。然而，在顯示裝置的制造過程中，彩色濾光基板與主動元件陣列基板容易發(fā)生錯位的問題，從而影響顯示裝置的視覺效果。此外，間隔物與主動元件陣列基板也容易受到外力而產(chǎn)生相對位移或形變，而導致無法預期的現(xiàn)象。例如，間隔物可能會造成配向?qū)拥膭兟?，導致顯示裝置的微亮點或漏光現(xiàn)象。

技術實現(xiàn)要素：

本公開的主要目的在于提供一種主動元件陣列基板及應用其的顯示裝置，其可增加顯示裝置的解析度，亦可減少顯示裝置的微亮點的現(xiàn)象。

依據(jù)本公開的部分實施方式，主動元件陣列基板包含基板、開關元件、層間介電層、絕緣凸塊、導電層與畫素電極。至少一開關元件位于基板上。層間介電層位于開關元件上，且層間介電層具有至少一開孔，開孔未覆蓋至少部分的開關元件的汲極。至少一絕緣凸塊至少部分覆蓋開孔。至少一導電層位于絕緣凸塊的上表面與側壁，并通過開孔電性連接開關元件的汲極。至少一畫素電極電性連接導電層。

依據(jù)本公開的部分實施方式，導電層包含第一子導電層與第二子導電層。第一導電子層至少部分位于層間介電層上，并通過開孔電性連接開關元件的汲極，且絕緣凸塊部分覆蓋第一導電子層，但第一導電子層具有搭接部并未被絕緣凸塊所覆蓋。第二導電子層至少部分位于絕緣凸塊的上表面與側壁上，并電性連接第一導電子層的搭接部。

依據(jù)本公開的部分實施方式，絕緣凸塊完全覆蓋開孔。

依據(jù)本公開的部分實施方式，絕緣凸塊至基板的垂直投影，與開關元件的主動層至基板的垂直投影至少部分重疊。

依據(jù)本公開的部分實施方式，主動元件陣列基板還包含數(shù)據(jù)線。至少一數(shù)據(jù)線電性連接開關元件的源極，且絕緣凸塊至基板的垂直投影，與數(shù)據(jù)線至基板的垂直投影至少部分重疊。

依據(jù)本公開的部分實施方式，主動元件陣列基板還包含第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線。第一數(shù)據(jù)線電性連接開關元件的源極。第二數(shù)據(jù)線與開關元件相鄰，且絕緣凸塊至基板的垂直投影，與第二數(shù)據(jù)線至基板的垂直投影至少部分重疊。

依據(jù)本公開的部分實施方式，主動元件陣列基板還包含彩色濾光層。至少一彩色濾光層至少部分位于畫素電極與層間介電層之間。

依據(jù)本公開的部分實施方式，彩色濾光層具有第一部分位于層間介電層上，以及第二部分位于絕緣凸塊上。

依據(jù)本公開的部分實施方式，第一部分的厚度較第二部分的厚度厚。

依據(jù)本公開的部分實施方式，主動元件陣列基板還包含覆蓋層。至少一覆蓋層毗鄰絕緣凸塊，且覆蓋層的上表面低于絕緣凸塊的上表面。

依據(jù)本公開的部分實施方式，顯示裝置包含前述的主動元件陣列基板、對向基板、顯示介質(zhì)層以及間隔物。顯示介質(zhì)層位于主動元件陣列基板與對向基板之間。至少一間隔物介于主動元件陣列基板與對向基板之間，并至少部分位于絕緣凸塊上。

依據(jù)本公開的部分實施方式，間隔物具有懸置部未被絕緣凸塊所支撐，使得懸置部與主動元件陣列基板之間存在間隙。

依據(jù)本公開的部分實施方式，制造主動元件陣列基板的方法，包含下列步驟。于基板上形成至少一開關元件。于開關元件上形成層間介電層。于層間介電層中形成至少一開孔，開孔未覆蓋至少部分的開關元件的汲極。形成至少一絕緣凸塊與至少一導電層，絕緣凸塊至少部分覆蓋開孔，導電層位于絕緣凸塊的上表面與側壁上，且導電層通過開孔電性連接開關元件的汲極。形成至少一畫素電極電性連接導電層。

依據(jù)本公開的部分實施方式，形成絕緣凸塊與導電層的方法，包含下列步驟。于層間介電層上形成第一導電子層，第一導電子層通過開孔電性連接開關元件的汲極。形成絕緣凸塊，絕緣凸塊部分覆蓋第一導電子層，但未被絕緣凸塊覆蓋的第一導電子層的一部分為搭接部。于絕緣凸塊的上表面與側壁上形成第二導電子層，且第二導電子層電性連接搭接部，使得第一導電子層與第二導電子層共同形成導電層。

于本公開的多個實施方式中，一種制造顯示裝置的方法包含前述的制造主動元件陣列基板的方法，以及形成對向基板且形成至少一間隔物于主動元件陣列基板與對向基板之間，間隔物至少部分位于絕緣凸塊上。

本發(fā)明提供的主動元件陣列基板及應用其的顯示裝置的優(yōu)點和有益效果在于：本公開的主動元件陣列基板及應用其的顯示裝置，由于絕緣凸塊至少部分地覆蓋開關元件的汲極，并通過導電層電性連接開關元件與畫素電極。如此一來，可減少開關元件與絕緣凸塊于主動元件陣列基板的子畫素區(qū)域中所占的比例，故以利于縮小主動元件陣列基板的子畫素區(qū)域的尺寸，從而增加應用其的顯示裝置的解析度。亦可通過調(diào)整絕緣凸塊的位置以微調(diào)絕緣凸塊于主動元件陣列基板中所占的面積比，從而調(diào)整畫素區(qū)域的尺寸。此外，本公開的應用此些主動元件陣列基板的顯示裝置，由于間隔物可部分地設置于絕緣凸塊上，使得間隔物與主動元件陣列基板之間存在間隙，因此，在外力撞擊之下，間隔物較不容易與其下的主動元件陣列基板產(chǎn)生相對摩擦，故可避免間隔物因摩擦而產(chǎn)生不必要的碎屑，從而減少顯示裝置的微亮點或漏光。

以上所述僅是用以闡述本公開所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產(chǎn)生的功效等等，本公開的具體細節(jié)將在下文的實施方式及相關附圖中詳細介紹。

附圖說明

閱讀以下詳細敘述并搭配對應的附圖，可了解本公開的多個樣態(tài)。需留意的是，附圖中的多個特征并未依照該業(yè)界領域的標準作法繪制實際比例。事實上，所述的特征的尺寸可以任意的增加或減少以利于討論的清晰性。

圖1a為依據(jù)本公開的部分實施方式的主動元件陣列基板的俯視示意圖。

圖1b為沿圖1a的線段1b-1b’的剖面示意圖。

圖2a為依據(jù)本公開的部分實施方式的主動元件陣列基板的俯視示意圖。

圖2b為沿圖2a的線段2b-2b’的剖面示意圖。

圖3a為依據(jù)本公開的部分實施方式的主動元件陣列基板的俯視示意圖。

圖3b為沿圖3a的線段3b-3b’的剖面示意圖。

圖4a為依據(jù)本公開的部分實施方式的主動元件陣列基板的俯視示意圖。

圖4b為沿圖4a的線段4b-4b’的剖面示意圖。

圖5為沿圖1a的線段1b-1b’的另一實施方式的剖面示意圖。

圖6為依據(jù)本公開的部分實施方式的顯示裝置1的剖面示意圖。

圖7a、圖7b、圖7c與圖7d分別繪示本公開的部分實施方式的主動元件陣列基板于制作流程的不同階段的剖面圖，其剖面位置為對應圖1a的線段1b-1b’。

圖8a與圖8b分別繪示本公開的部分實施方式的主動元件陣列基板于制作流程的不同階段的剖面圖，其剖面位置為對應圖2a的線段2b-2b’。

附圖標記說明：

10主動元件陣列基板

10a、10b、10c、10d主動元件陣列基板

20對向基板

30顯示介質(zhì)層

40間隔物

42懸置部

50配向?qū)?/p>

52第一配向?qū)?/p>

54第二配向?qū)?/p>

60遮光圖案

100基板

110上表面

200開關元件

200c開關元件

210、210c’汲極

220、220c、220c’源極

230、230c閘極

232閘極介電層

240、240c主動層

300層間介電層

310開孔

400絕緣凸塊

400a、400b、400c絕緣凸塊

410、410a、410b、410c上表面

420、420a側壁

430、430a、430b、430c下表面

500、500a、500b、500c導電層

510第一導電子層

512第一子部

5122搭接部

514第二子部

520第二導電子層

522第一端

524第二端

600畫素電極

700彩色濾光層

710第一部分

720第二部分

722接觸孔

730保護層

740覆蓋層

742上表面

800鈍化層

d1水平方向

dl數(shù)據(jù)線

dl1第一數(shù)據(jù)線

dl2第二數(shù)據(jù)線

h1、h2、h3水平高度

sl掃描線

pr畫素區(qū)域

pr1第一畫素區(qū)域

pr2第二畫素區(qū)域

t1厚度

t2厚度

g間隙

具體實施方式

以下將以附圖及詳細說明清楚說明本公開的精神，任何本領域技術人員在了解本公開的實施例后，當可由本公開所教示的技術，加以改變及修飾，其并不脫離本公開的精神與范圍。

一般而言，在彩色濾光層直接整合于主動元件陣列基板的技術上，彩色濾光層可設置于開關元件的一側。然而，開關元件的汲極必須與畫素電極電性連接，因此彩色濾光層必須具有一開口使得畫素電極可填入開口而與汲極接觸。然而，考量到工藝極限與對位偏差，彩色濾光層的開口的尺寸至少必須在20微米至25微米之間，甚至更大，因此會造成開口率的犧牲，使得顯示裝置的開口率與解析度無法進一步提高。有鑒于此，本公開提供一種主動元件陣列基板及應用其的顯示裝置，其可增加顯示裝置的開口率與解析度，亦可減少顯示裝置的微亮點或漏光的現(xiàn)象。

同時參照圖1a及圖1b。圖1a為依據(jù)本公開的部分實施方式的主動元件陣列基板10的俯視示意圖。圖1b為沿圖1a的線段1b-1b’的剖面示意圖。值得注意的是，此處線段1b-1b’是具有兩個轉(zhuǎn)折角的折線。主動元件陣列基板10包含基板100、開關元件200、層間介電層300、絕緣凸塊400、導電層500與畫素電極600。至少一開關元件200位于基板100上。層間介電層300位于開關元件200上，且層間介電層300具有至少一開孔310，開孔310未覆蓋至少部分的開關元件200的汲極210。至少一絕緣凸塊400至少部分覆蓋開孔310。至少一導電層500位于絕緣凸塊400的上表面410與側壁420，并通過開孔310電性連接開關元件200的汲極210。至少一畫素電極600電性連接導電層500。如此一來，通過絕緣凸塊400作為導電層500的搭接結構，導電層500可從開關元件200的汲極210向上延伸至畫素電極600，使得開關元件200的汲極210與畫素電極600彼此電性連接。

更詳細地說，由于絕緣凸塊400可覆蓋開關元件200的至少一部分，因此開關元件200與絕緣凸塊400于水平方向d1的整體尺寸可被縮小。亦即，如圖1a所示的俯視圖，開關元件200與絕緣凸塊400于主動元件陣列基板10的畫素區(qū)域pr中所占的面積比例亦可被減少，故可增加畫素區(qū)域pr的開口率，亦以利于縮小主動元件陣列基板10的畫素區(qū)域pr的尺寸，從而增加應用其的顯示裝置的解析度。換句話說，畫素電極600于基板100的垂直投影亦可覆蓋開關元件200的至少一部分，因此可增加畫素電極600于主動元件陣列基板10的畫素區(qū)域pr中所占的比例，從而增加畫素區(qū)域pr的開口率。

具體而言，于部分實施方式中，如圖1b所示，絕緣凸塊400包含相對的上表面410與下表面430，側壁420連接上表面410與下表面430。下表面430至少部分地位于層間介電層300的開孔310內(nèi)，且直接接觸開關元件200的汲極210的一部分。下表面430的另一部分可位于層間介電層300上，且可直接接觸層間介電層300。上表面410于基板100的投影面積可小于或等于下表面430于基板100的投影面積，且側壁420與下表面430可相夾一銳角或近乎一直角。亦即，由于側壁420可為傾斜的，而導電層500可順著側壁420形成，且向上延升至絕緣凸塊400的上表面410與向下延伸至層間介電層300的開孔310，因此導電層500不會產(chǎn)生缺口或斷線。換句話說，絕緣凸塊400的剖面形狀可為上窄下寬的梯形或近乎方形，以利于導電層500連接汲極210與畫素電極600，但本公開不以此為限。

于部分實施方式中，絕緣凸塊400的材料可為有機材料，像是含丙烯樹脂、丙烯酸酯單體、3-甲氧基丁基乙酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、其他類似材料或以上組合，但本公開不以此為限。于部分實施方式中，絕緣凸塊400的上表面410為平坦的表面，以利于后續(xù)畫素電極600的形成。由于絕緣凸塊400可包含平坦的上表面410，故可避免畫素電極600于形成的過程中產(chǎn)生缺口或斷線。

于部分實施方式中，開關元件200可為薄膜電晶體(thin-filmtransistor；tft)。開關元件200具有汲極210、源極220、閘極230與主動層240。汲極210與源極220對應設置于基板100的左右兩側，而閘極230與主動層240上下對應設置于基板100上。舉例而言，于部分實施方式中，如圖1b所示，主動層240設置于基板100上，而閘極230設置于主動層240上，此種設置為頂閘極(topgate)型電晶體結構。于其他實施方式中，開關元件200可為底閘極(bottomgate)型電晶體結構，亦即閘極230位于主動層240的下方。選擇性地，開關元件200亦可為其它類型的薄膜電晶體元件，例如島狀蝕刻終止(islandstop；is)薄膜電晶體元件或是共平面(coplanar)薄膜電晶體元件，但不應以此限制本公開。應了解到，開關元件200可為該領域各種常見的方法設置，不應以圖中所繪而限制本公開的范圍。

于部分實施方式中，主動層240可為各種半導體材料，例如:多晶硅、單晶硅、微晶硅、非晶硅、有機半導體材料、金屬氧化物半導體材料或其它合適的材料或前述至少二種的組合，不應以此限制本公開。于部分實施方式中，基板100上還設有多個絕緣層，例如位于主動層240與閘極230之間的閘極介電層232，以協(xié)助開關元件200的設置。層間介電層300可覆蓋開關元件200的汲極210、源極220、閘極230上，以保護開關元件200。

于部分實施方式中，如圖1a所示，主動元件陣列基板10還包含數(shù)據(jù)線dl與掃描線sl。數(shù)據(jù)線dl電性連接至開關元件200的源極220，掃描線sl電性連接至開關元件200的閘極230。數(shù)據(jù)線dl與掃描線sl交錯，以定義主動元件陣列基板10的至少一畫素區(qū)域pr。于此，主動元件陣列基板10上可設置多個以陣列排列的畫素區(qū)域pr。開關元件200、數(shù)據(jù)線dl、掃描線sl與畫素電極600彼此電性連接，且開關元件200可在掃描線sl的信號的控制下導通數(shù)據(jù)線dl以及畫素電極600。

于部分實施方式中，絕緣凸塊400至基板100的垂直投影與開關元件200的主動層240至基板100的垂直投影至少部分重疊。亦即，絕緣凸塊400至少部分地位于開關元件200的主動層240正上方。如圖1a所示，絕緣凸塊400于俯視圖中的形狀可為方形，且絕緣凸塊400可沿著數(shù)據(jù)線dl的方向橫跨至開關元件200的主動層240上。于其他實施方式中，絕緣凸塊400于俯視圖中的形狀可為圓形、橢圓形或多邊形等，但本公開不以此為限。換句話說，如圖1b的右半部所示，絕緣凸塊400于層間介電層300的下表面的垂直投影重疊開關元件200的閘極230，而主動層240是對應閘極230設置，故絕緣凸塊400于層間介電層300的下表面的垂直投影亦會重疊主動層240于層間介電層300的下表面的垂直投影。

于部分實施方式中，如圖1b所示，主動元件陣列基板10還包含至少一彩色濾光層700。彩色濾光層700至少部分位于畫素電極600與層間介電層300之間。彩色濾光層700可為紅色濾光層、綠色濾光層、藍色濾光層或其他顏色的濾光層，但本公開不以此為限制。于此，采用彩色濾光層于陣列基板上(colorfilteronarray；coa)技術，即將彩色濾光層700設置于主動元件陣列基板10中，借以改善傳統(tǒng)彩色濾光基板與主動元件陣列基板對準不易的問題，但本公開不以此為限。

于部分實施方式中，如圖1b所示，彩色濾光層700具有相對的第一部分710與第二部分720。第一部分710位于層間介電層300上，且第二部分720位于絕緣凸塊400上。換句話說，彩色濾光層700可環(huán)繞絕緣凸塊400，第一部分710可鄰設于絕緣凸塊400的側壁420，第二部分720可設置于絕緣凸塊的上表面410上，使得第一部分710的水平高度小于第二部分720的水平高度。于部分實施方式中，第一部分710與第二部分720可分別接觸位于絕緣凸塊400的側壁420的導電層500與接觸位于絕緣凸塊400的上表面410的導電層500，以利于增加彩色濾光層700于主動元件陣列基板10中所占據(jù)的面積，從而增加畫素區(qū)域pr的開口率。

更詳細的說，第一部分710主要提供顯示裝置的顯示色彩，第二部分720則須提供接觸孔722。接觸孔722可未覆蓋至少部分的導電層500，使得畫素電極600可通過接觸孔722連接導電層500，并電性連接至開關元件200的汲極210。第一部分710具有第一厚度t1，第二部分720具有第二厚度t2，且第一部分710的第一厚度t1較第二部分720的第二厚度t2厚，故第一部分710可有效地提供畫素區(qū)域pr的顯示色彩。此外，由于第二部分720的第二厚度t2較第一部分710的第一厚度t1薄，故形成于第二部分720的接觸孔722的尺寸亦可較小，且可減少制造接觸孔722的工藝時間。

于部分實施方式中，畫素電極600可設置于彩色濾光層700的第一部分710與第二部分720上。亦即，彩色濾光層700可作為畫素電極600的搭接結構，使得畫素電極600可與導電層500電性連接。于部分實施方式中，主動元件陣列基板10還包含保護層730，保護層730可設置于彩色濾光層700與畫素電極600之間，以保護彩色濾光層700與畫素電極600，但本公開不以此為限。

參照圖2a與圖2b，圖2a為依據(jù)本公開的部分實施方式的主動元件陣列基板10a的俯視示意圖。圖2b為沿圖2a的線段2b-2b’的剖面示意圖。本實施方式與前述實施方式的主要差異在于：導電層500a包含第一導電子層510與第二導電子層520。第一導電子層510至少部分位于層間介電層300上，并通過開孔310電性連接開關元件200的汲極210。絕緣凸塊400a部分覆蓋第一導電子層510，但第一導電子層510具有搭接部5122并未被絕緣凸塊400a所覆蓋。第二導電子層520至少部分位于絕緣凸塊400a的上表面410a與側壁420a上，并電性連接第一導電子層510的搭接部5122。如此一來，第一導電子層510可電性連接開關元件200的汲極210，且第二導電子層520可電性連接第一導電子層510的搭接部5122，又畫素電極600可電性連接第二導電子層520，故畫素電極600與開關元件200的汲極210可互相電性連接。

更詳細地說，部分實施方式中，如圖2b所示，第一導電子層510可包含相對第一子部512與第二子部514。第一子部512設置于層間介電層300上，第二子部514設置于層間介電層300的開孔310中，以電性連接開關元件200的汲極210。第一子部512與第二子部514一體成形且彼此電性連接，且第一子部512包含未被絕緣凸塊400a所覆蓋的搭接部5122。舉例而言，于部分實施方式中，第一導電子層510的第二子部514可完全覆蓋開孔310或部分覆蓋開孔310，但本公開不以此為限。于部分實施方式中，第一導電子層510的第一子部512可位于開孔310的相對兩側的層間介電層300上，但本公開不以此為限。

于部分實施方式中，第二導電子層520可包含相對的第一端522與第二端524。第一端522設置于層間介電層300上，且第一端522電性連接至第一導電子層510的第一子部512的搭接部5122，使得第一導電子層510與第二導電子層520彼此電性連接，故第二導電子層520可電性連接至開關元件200。第二導電子層520的第二端524設置于絕緣凸塊400a上，且畫素電極600覆蓋于第二導電子層520的第二端524上，而畫素電極600與第二導電子層520彼此電性連接，進而畫素電極600與開關元件200可彼此電性連接。因此，開關元件200可在掃描線sl的信號的控制下導通畫素電極600與數(shù)據(jù)線dl，以控制每一畫素區(qū)域pr。

于部分實施方式中，如圖2b所示，絕緣凸塊400a完全覆蓋開孔310。絕緣凸塊400a包含相對的上表面410a、下表面430a與側壁420a。下表面430a的一部分完全地設置于層間介電層300的開孔310內(nèi)，且完全覆蓋第一導電子層510的第二子部514。下表面430a的另一部分設置于層間介電層300上，部分覆蓋第一導電子層510的第一子部512，且第一子部512具有未被絕緣凸塊400a所覆蓋的搭接部5122。如此一來，通過第一導電子層510與第二導電子層520的設置，在不會影響畫素電極600與開關元件200的連接的前提下，絕緣凸塊400a可完全覆蓋層間介電層300的開孔310，使得絕緣凸塊400a的設置位置與尺寸可更為彈性而不受限制，以利于將絕緣凸塊400a應用于不同尺寸的畫素區(qū)域pr。本實施方式的其他細節(jié)大致上如前所述，在此不再贅述。

參照圖3a與圖3b，圖3a為依據(jù)本公開的部分實施方式的主動元件陣列基板10b的俯視示意圖。圖3b為沿圖3a的線段3b-3b’的剖面示意圖。本實施方式與前述實施方式的主要差異在于：絕緣凸塊400b至基板100的垂直投影與數(shù)據(jù)線dl至基板100的垂直投影至少部分重疊。如圖3a所示，絕緣凸塊400b可沿著掃描線sl的方向橫跨至數(shù)據(jù)線dl的正上方。更詳細地說，如圖3b所示，絕緣凸塊400b的下表面430b至少部分地覆蓋數(shù)據(jù)線dl。舉例而言，于部分實施方式中，絕緣凸塊400b的下表面430b可完全覆蓋數(shù)據(jù)線dl或部分覆蓋數(shù)據(jù)線dl，但本公開不以此為限。此外，同時參照圖2a與圖3a，絕緣凸塊400b的上表面410b的面積不同于絕緣凸塊400a的上表面410a的面積，亦即絕緣凸塊400b于主動元件陣列基板10b中所占的面積比亦為不同。舉例而言，于部分實施方式中，絕緣凸塊400b的上表面410b的面積可大于絕緣凸塊400a的上表面410a的面積，但本公開不以此為限。由此可知，絕緣凸塊400b可重疊設置于數(shù)據(jù)線dl上，使得絕緣凸塊400b的設置位置與尺寸以及畫素尺寸更為彈性而不受限制，以利于將絕緣凸塊400b應用于更高解析度的畫素區(qū)域pr。本實施方式的其他細節(jié)大致上如前所述，在此不再贅述。

參照圖4a與圖4b，圖4a為依據(jù)本公開的部分實施方式的主動元件陣列基板10c的俯視示意圖。圖4b為沿圖4a的線段4b-4b’的剖面示意圖。本實施方式與前述實施方式的主要差異在于：絕緣凸塊400c可設置于兩相鄰的開關元件200(200c與200c’)上。如圖4a所示，第一數(shù)據(jù)線dl1、第二數(shù)據(jù)線dl2與掃描線sl可共同定義第一畫素區(qū)域pr1。相似地，第二數(shù)據(jù)線dl2、第三數(shù)據(jù)線dl3與掃描線sl可共同定義第二畫素區(qū)域pr2。第一畫素區(qū)域pr1具有開關元件200c，第二畫素區(qū)域pr2具有開關元件200c’，且第一畫素區(qū)域pr1與第二畫素區(qū)域pr2相鄰。第一數(shù)據(jù)線dl1電性連接開關元件200c的源極220c，第二數(shù)據(jù)線dl2與開關元件200c相鄰，且第二數(shù)據(jù)線dl2電性連接開關元件200c’的源極220c’。絕緣凸塊400c至基板100的垂直投影與第二數(shù)據(jù)線dl2至基板100的垂直投影至少部分重疊。換句話說，絕緣凸塊400c可沿著掃描線sl的方向設置于開關元件200c’的源極220c’與開關元件200c的汲極210c的上方，亦即，絕緣凸塊400c可橫跨第一畫素區(qū)域pr1與第二畫素區(qū)域pr2，且絕緣凸塊400c可覆蓋于兩相鄰的開關元件200(200c與200c’)上。

如圖4b所示，絕緣凸塊400c的下表面430c至少部分地覆蓋第二數(shù)據(jù)線dl2。舉例而言，于部分實施方式中，絕緣凸塊400c的下表面430c可完全覆蓋第二數(shù)據(jù)線dl2或部分覆蓋第二數(shù)據(jù)線dl2，但本公開不以此為限。本實施方式的其他細節(jié)大致上如前所述，在此不再贅述。

參照圖5，圖5為沿圖1a的線段1b-1b’的另一實施方式的剖面示意圖。本實施方式與圖1b的實施方式的主要差異在于：主動元件陣列基板10d還包含至少一覆蓋層740。覆蓋層740毗鄰絕緣凸塊400，且覆蓋層740的上表面742低于絕緣凸塊400的上表面410。具體而言，覆蓋層740鄰設于絕緣凸塊400的側壁420，且覆蓋層740位于彩色濾光層700d上。舉例而言，于部分實施方式中，覆蓋層740可部分地設置于層間介電層300的開孔310中、覆蓋層740可位于層間介電層300上、或覆蓋層740可位于兩相鄰的絕緣凸塊400的間，但本公開不以此為限。于部分實施方式中，覆蓋層740可稱為平坦層，其材料可包含無機絕緣材料、有機絕緣材料、或有機感光材料、或其他適合的材料，但本公開不以此為限。覆蓋層740可用以補償畫素區(qū)域pr的彩色濾光層700d之間的高低差，從而減少應用其主動元件陣列基板10d的顯示裝置的亮度不均勻。

參照圖6，圖6為依據(jù)本公開的部分實施方式的顯示裝置1的剖面示意圖，其視角與圖1b相同。本公開的部分實施方式的顯示裝置1的制造方法包含以下步驟。形成對向基板20。形成至少一間隔物40于主動元件陣列基板10與對向基板20之間，且間隔物40至少部分位于絕緣凸塊400上。具體而言，于部分實施方式中，設置間隔物40于絕緣凸塊400的至少一部分，并提供顯示介質(zhì)層30。接著，再接合主動元件陣列基板10與對向基板20，即可完成如圖6所示的顯示裝置10的結構。舉例而言，于部分實施方式中，對向基板20可為透明基板、硬質(zhì)基板或可撓式基板，例如玻璃、強化玻璃、聚碳酸脂(polycarbonate,pc)、聚對苯二甲酸乙二脂(polyethyleneterephthalate,pet)、或其他環(huán)烯共聚物(cyclicolefincopolymer)等，但本公開不以此為限。于部分實施方式中，間隔物40的數(shù)量與配置密度可視需要加以調(diào)整。

于部分實施方式中，主動元件陣列基板10(10a、10b、10c與10d)可應用于顯示裝置1中。具體而言，顯示裝置1包含主動元件陣列基板10、對向基板20、顯示介質(zhì)層30與至少一間隔物40。顯示介質(zhì)層30位于主動元件陣列基板10與對向基板20之間。間隔物40介于主動元件陣列基板10與對向基板20之間，并至少部分位于絕緣凸塊400上。間隔物40可用以支撐對向基板20，使得對向基板20與主動元件陣列基板10之間具有一定厚度，故顯示介質(zhì)層30可容納于對向基板20與主動元件陣列基板10之間。此外，由于間隔物40部分地設置于絕緣凸塊400上，且絕緣凸塊400的上表面410的水平高度h1大于彩色濾光層700的第一部分710的水平高度h2，亦即，位于絕緣凸塊400上的間隔物40與其下的彩色濾光層700的第一部分710存在高度差。因此，在外力撞擊之下，間隔物40較不容易與其下的主動元件陣列基板10產(chǎn)生相對摩擦，故可避免間隔物40因摩擦而產(chǎn)生不必要的碎屑(例如：配向?qū)拥乃樾?，將于稍后做進一步地描述)，從而減少顯示裝置1的微亮點或漏光。

于部分實施方式中，顯示裝置1還包含配向?qū)?0，配向?qū)?0分別設置于顯示介質(zhì)層30與主動元件陣列基板10之間、顯示介質(zhì)層30與對向基板20之間以及絕緣凸塊400與顯示介質(zhì)層30之間。更詳細地說，配向?qū)?0可分類為相對的第一配向?qū)?2與第二配向?qū)?4，第一配向?qū)?2可直接接觸對向基板20與間隔物40，且第二配向?qū)?4可接觸主動元件陣列基板10。由于間隔物40部分地設置于絕緣凸塊400上，且絕緣凸塊400的上表面410的水平高度h1大于第二配向?qū)?4于彩色濾光層700的第一部分710的水平高度h3，因此，在外力撞擊之下，間隔物40不容易撞擊到第二配向?qū)?4，故可避免第二配向?qū)?4的剝落，從而減少顯示裝置1的微亮點或漏光。

更詳細地說，如圖6所示，間隔物40具有懸置部42未被絕緣凸塊400所支撐，使得懸置部42與主動元件陣列基板10之間存在間隙g。于部分實施方式中，間隙g可填充顯示介質(zhì)層30，但本公開不以此為限。由此可知，主動元件陣列基板10與間隔物40至少部分分離而不接觸，亦即主動元件陣列基板10與部分的間隔物40至少分隔一間隙g。如此一來，當顯示裝置1受到外力撞擊時，間隔物40可能會產(chǎn)生相對的位移，但由于間隔物40的懸置部42與主動元件陣列基板10相隔間隙g，懸置部42不容易摩擦到其下方的第二配向?qū)?4，故可避免第二配向?qū)?4產(chǎn)生不必要的剝落，進而減少顯示裝置1的微亮點或漏光。

于部分實施方式中，配向?qū)?0可針對顯示介質(zhì)層30提供垂直配向力，又可搭配電極提供多個定義域不同的預傾角。舉例而言，于部分實施方式中，配向?qū)?0的材料可為聚合物穩(wěn)定材料，但本公開不以此為限。

于部分實施方式中，間隔物40可為立體的梯形，如圖6所示，間隔物40的剖面形狀為梯形，且底面的面積大于頂面的面積。此外，間隔物40除了可提供支撐效果外，其也可由不透光的材料構成，以同時提供支撐與遮光的效果。舉例而言，于部分實施方式中，間隔物40可為光阻間隔物(photospacer)，但本公開不以此為限。

于部分實施方式中，可進一步地設置遮光圖案60(例如黑色矩陣)于對向基板20上。對向基板20與主動元件陣列基板10相對設置，且對向基板20與主動元件陣列基板10可選用相同或不同的材料。于部分實施方式中，若主動元件陣列基板10上具有彩色濾光層，則對向基板20可不需設置彩色濾光層。于其他實施方式中，若主動元件陣列基板10上不具有彩色濾光層，則對向基板20上需設置彩色濾光層，但本公開不以此為限。

參照圖7a、圖7b、圖7c與圖7d。圖7a、圖7b、圖7c與圖7d繪示本公開的部分實施方式的主動元件陣列基板于制作流程的不同階段的剖面圖，其剖面位置為對應圖1a的線段1b-1b’。本公開的部分實施方式的主動元件陣列基板10的制造方法包含以下步驟。

參照圖7a。形成至少一開關元件200于基板100上，且形成層間介電層300于開關元件200上。于部分實施方式中，基板100可為玻璃、石英、聚合物材料(例如：聚亞酰胺(polyimide,pi)、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene；bcb)、聚碳酸酯(polycarbonate,pc)、或其它合適的材料、或以上組合，但本公開不以此為限。于部分實施方式中，開關元件200可為薄膜電晶體。舉例而言，汲極210、源極220與主動層240形成于基板100的上表面110。接著，閘極介電層232覆蓋汲極210、源極220與主動層240，隨后閘極230再對應形成于主動層240上，最終共同完成開關元件200的設置。于部分實施方式中，層間介電層300可用以保護開關元件200。舉例而言，層間介電層300的材料可為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅(sinxoy)或是其它合適的介電材料或以上組合，但本公開不以此為限。

參照圖7b。形成至少一開孔310于層間介電層300中，且開孔未覆蓋至少部分開關元件200的汲極210。亦即，對層間介電層300進行適當?shù)墓馕⒂肮に囈约拔g刻工藝，以于汲極210上方的層間介電層300形成圖案化的孔洞，亦即開孔310。

參照圖7c。形成絕緣凸塊400于基板100上。絕緣凸塊400至少部分覆蓋開孔310與層間介電層300。于部分實施方式中，絕緣凸塊400的材料可為感光材料，例如：有機感光材料或是光阻材料，以利于通過曝光顯影工藝形成絕緣凸塊400，但本公開不以此為限。隨后，形成導電層500于基板100上，并對導電層500進行適當?shù)墓馕⒂爸瞥梢约拔g刻工藝，以圖案化導電層500。導電層500位于絕緣凸塊400的一上表面410與側壁420上，且導電層500可部分地設置于開孔310中，并通過開孔310電性連接開關元件200的汲極210。于部分實施方式中，導電層500的材料可為氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、其它適合的透明導電材料或不透明導電材料，但本公開不以此為限。

參照圖7d。形成畫素電極600電性連接導電層500。畫素電極600與位于絕緣凸塊400的上表面410的導電層500彼此電性連接。此外，在形成畫素電極600的步驟前，可先形成鈍化層800于層間介電層300上，鈍化層800的至少一部分未覆蓋位于絕緣凸塊400的上表面410的導電層500，以利于畫素電極600電性連接至導電層500，但本公開不以此為限。于部分實施方式中，鈍化層800可用以保護開關元件200或可用以提供顯示色彩。舉例而言，于部分實施方式中，鈍化層800的材料可為有機介電層(像是光阻層)。于其他實施方式中，鈍化層800可為彩色濾光層、覆蓋層或是以上組合，但本公開不以此為限。如此一來，通過以上步驟，即可完成如圖7d所示的主動元件陣列基板10。值得注意的是，位于開孔310的導電層500可作為汲極210的電極，亦即，汲極210的電極與導電層500可在同一道光罩下進行，而無需額外進行另一道光罩工藝，故其可在不增加工藝復雜度的情況下，形成汲極210的電極與連接畫素電極600的導電層500。

參照圖8a與圖8b，圖8a與圖8b繪示本公開的部分實施方式的主動元件陣列基板10a于制作流程的不同階段的剖面圖，其剖面位置為對應圖2a的線段2b-2b’。本實施方式的形成層間介電層300、開孔310與畫素電極600的步驟與前述實施方式相同，將不再贅述。

參照圖8a。于層間介電層300上形成第一導電子層510，第一導電子層510通過開孔310電性連接開關元件200的汲極210。第一導電子層510位于開孔310與層間介電層300上。舉例而言，于部分實施方式中，第一導電子層510可完全覆蓋開孔310或部分覆蓋開孔310，但本公開不以此為限。

參照圖8b，形成絕緣凸塊400a，絕緣凸塊400a部分覆蓋第一導電子層510，但未被絕緣凸塊400a覆蓋的第一導電子層510的一部分為搭接部5122。絕緣凸塊400a完全覆蓋開孔310且設置于層間介電層300。對絕緣凸塊400a進行適當?shù)墓馕⒂爸瞥梢约拔g刻工藝，以圖案化絕緣凸塊400a，使得絕緣凸塊400a的至少一部分未覆蓋第一導電子層510，亦即未覆蓋搭接部5122。隨后，于絕緣凸塊400a的上表面410a與側壁420a上形成第二導電子層520，且第二導電子層520電性連接搭接部5122，使得第一導電子層510與第二導電子層520共同形成導電層500a。本實施方式的其他細節(jié)大致上如前所述，在此不再贅述。

于上述的多個實施方式中，本公開的主動元件陣列基板及應用其的顯示裝置，由于絕緣凸塊至少部分地覆蓋開關元件的汲極，并通過導電層電性連接開關元件與畫素電極。如此一來，可減少開關元件與絕緣凸塊于主動元件陣列基板的子畫素區(qū)域中所占的比例，故以利于縮小主動元件陣列基板的子畫素區(qū)域的尺寸，從而增加應用其的顯示裝置的解析度。亦可通過調(diào)整絕緣凸塊的位置以微調(diào)絕緣凸塊于主動元件陣列基板中所占的面積比，從而調(diào)整畫素區(qū)域的尺寸。此外，本公開的應用此些主動元件陣列基板的顯示裝置，由于間隔物可部分地設置于絕緣凸塊上，使得間隔物與主動元件陣列基板之間存在間隙，因此，在外力撞擊之下，間隔物較不容易與其下的主動元件陣列基板產(chǎn)生相對摩擦，故可避免間隔物因摩擦而產(chǎn)生不必要的碎屑，從而減少顯示裝置的微亮點或漏光。

雖然本公開已以實施方式描述如上，然其并非用以限定本發(fā)明，本領域技術人員在不脫離本公開的精神和范圍內(nèi)，當可作各種的更動與潤飾，因此本公開的保護范圍應當視后附的權利要求書所界定的范圍為準。