技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種固態(tài)等離子PIN二極管。該器件包括SOI襯底(101)；第一P區(qū)臺(tái)階(102)、第一N區(qū)臺(tái)階(103)、第二P區(qū)臺(tái)階(104)、第二N區(qū)臺(tái)階(105)、第三P區(qū)臺(tái)階(106)及第三N區(qū)臺(tái)階(107)，分別設(shè)置于SOI襯底(101)內(nèi)并位于SOI襯底(101)的兩側(cè)；其中，第二P區(qū)臺(tái)階(104)及第二N區(qū)臺(tái)階(105)分別位于第一P區(qū)臺(tái)階(102)及第一N區(qū)臺(tái)階(103)的下側(cè)；第三P區(qū)臺(tái)階(106)及第三N區(qū)臺(tái)階(107)分別位于第二P區(qū)臺(tái)階(104)及第二N區(qū)臺(tái)階(105)的下側(cè)。本發(fā)明通過在SOI襯底上制備多個(gè)臺(tái)階形成多層溝道，利用兩個(gè)溝道內(nèi)高濃度載流子的疊加作用使得整個(gè)本征區(qū)內(nèi)載流子濃度達(dá)到均勻，從而提高了橫向PIN二極管的功率密度，增強(qiáng)了PIN二極管的固態(tài)等離子體特性。

技術(shù)研發(fā)人員：王斌;胡輝勇;陶春陽(yáng);蘇漢;史小衛(wèi);舒斌;郝敏如
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.05
技術(shù)公布日：2017.09.01