本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

在顯示技術(shù)領(lǐng)域，薄膜晶體管(thinfilmtransistor，簡(jiǎn)稱tft)作為制作顯示裝置的重要器件，對(duì)顯示裝置的顯示品質(zhì)起著重要作用，例如，在顯示裝置的陣列基板中的陣列排布的每一亞像素中，一般至少包括一個(gè)tft，其中，雙u形結(jié)構(gòu)的tft因可實(shí)現(xiàn)較大的工作電流而被廣泛應(yīng)用。

如圖1所示，為現(xiàn)有的顯示裝置的陣列基本中的一種雙u形結(jié)構(gòu)的tft，該tft包括柵極10、有源層20、源極31、漏極32。其中，該tft的源極31為并列雙u形結(jié)構(gòu)，漏極32包括分別位于兩個(gè)u形凹部?jī)?nèi)的兩個(gè)子部301，且該兩個(gè)子部301通過連接塊300連接，一般的，該連接塊300面積較大，并且，如圖2所示，該連接塊300通過位于上方的過孔40與像素電極50連接。

然而，如圖2所示，該連接塊300位于柵極10以外的區(qū)域，并采用不透光材質(zhì)制成，這樣一來，對(duì)于一個(gè)亞像素而言，由于對(duì)應(yīng)連接塊300的區(qū)域面積較大，從而導(dǎo)致像素電極50的相對(duì)面積減小，即該亞像素單元的開口率較小。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置，該薄膜晶體管在應(yīng)用于顯示領(lǐng)域的情況下，能夠在溝道的寬長(zhǎng)比一定的情況下，有利于增加亞像素單元的開口率。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明實(shí)施例一方面提供一種薄膜晶體管，其特征在于，包括柵極、半導(dǎo)體有源層、源極、漏極；所述源極包括連接部以及依次平行設(shè)置的第一子部、第二子部、第三子部，其中，在所述子部的第一端，所述連接部連接所述第一子部、所述第二子部、所述第三子部以形成相鄰的兩個(gè)凹部；在所述子部的第二端，所述第二子部的端部到所述連接部的距離小于所述第一子部和所述第三子部的端部到所述連接部的距離；所述漏極包括連接塊以及分別位于所述兩個(gè)凹部中的第一漏極和第二漏極，所述連接塊至少部分位于所述第一漏極和所述第二漏極之間以連接所述第一漏極和所述第二漏極。

進(jìn)一步的，所述連接塊全部位于所述第一漏極和所述第二漏極之間，且所述連接塊的上邊緣與所述第一漏極和所述第二漏極的上邊緣平齊。

進(jìn)一步的，所述柵極具有鏤空部，且所述鏤空部與所述連接塊中位于所述第一漏極和所述第二漏極之間的部分對(duì)應(yīng)。

進(jìn)一步的，沿與所述第一端到所述第二端的方向垂直的方向上，所述鏤空部的尺寸與所述第一漏極和所述第二漏極在該方向上的距離相等。

進(jìn)一步的，在沿與所述第一端到所述第二端的方向上，所述鏤空部的尺寸與所述連接塊中位于所述第一漏極和所述第二漏極之間的部分在該方向上的尺寸相等。

進(jìn)一步的，在所述連接塊全部位于所述第一漏極和所述第二漏極之間，且所述連接塊的上邊緣與所述第一漏極和所述第二漏極的上邊緣平齊的情況下，在沿與所述第一端到所述第二端的方向上，所述鏤空部的上邊緣超出所述連接塊的上邊緣，所述鏤空部的下邊緣超出所述連接塊的下邊緣。

進(jìn)一步的，所述鏤空部為位于所述柵極靠近所述連接塊的上邊緣一側(cè)的缺口。

進(jìn)一步的，所述源極和所述漏極的投影均落入所述半導(dǎo)體有源層。

本發(fā)明實(shí)施例另一方面還提供一種陣列基板，劃分為陣列排布的亞像素，每一亞像素包括像素電極和前述的薄膜晶體管，所述像素電極與所述薄膜晶體管的連接塊連接。

本發(fā)明實(shí)施例再一方面還提供一種顯示裝置，包括前述的陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置，該薄膜晶體管，包括柵極、半導(dǎo)體有源層、源極、漏極；其中。源極包括連接部以及依次平行設(shè)置的第一子部、第二子部、第三子部，在子部的第一端，連接部連接第一子部、第二子部、第三子部以形成相鄰的兩個(gè)凹部；在子部的第二端，第二子部的端部到連接部的距離小于第一子部和第三子部的端部到連接部的距離；漏極包括連接塊以及分別位于兩個(gè)凹部中的第一漏極和第二漏極，且第一漏極和第二漏極分別位于源極的兩個(gè)凹部中，連接塊至少部分位于第一漏極和第二漏極之間以連接第一漏極和第二漏極。

由于在子部的第二端，第二子部的端部到連接部的距離小于第一子部和第三子部的端部到連接部的距離，且連接塊至少部分位于第一漏極和第二漏極之間以連接第一漏極和第二漏極，即連接塊與柵極在上述第一漏極和第二漏極之間具有重疊部分，基于此，本發(fā)明相比于現(xiàn)有技術(shù)中的第一子部、第二子部、第三子部長(zhǎng)度一致、且連接塊完全位于柵極以外的雙u形tft而言，示意的可以看作是，第一子部和第三子部相比于現(xiàn)有技術(shù)加長(zhǎng)的距離與第二子部相比于現(xiàn)有技術(shù)縮短的距離相等，且將連接塊向靠近源極方向移動(dòng)與上述加長(zhǎng)或者縮短相同的距離，以使得連接塊至少部分位于第一漏極和第二漏極之間以連接第一漏極和第二漏極，并在保證其他條件相同的情況下，本發(fā)明不僅可以保證與現(xiàn)有技術(shù)中的tft具有相同的溝道寬長(zhǎng)比，并且能夠在應(yīng)用于顯示領(lǐng)域的情況下，因第一子部和第三子部的加長(zhǎng)所帶來的開口率減小的部分，小于因連接部向靠近源極方向移動(dòng)所帶來的開口率增大的部分，從而有利于增加亞像素單元的開口率；即本發(fā)明能夠在溝道的寬長(zhǎng)比一定的情況下，有利增加亞像素單元的開口率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中提供的包括圖1中的薄膜晶體管的亞像素的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種包括圖1和圖3的薄膜晶體管的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種包括圖1和圖4的薄膜晶體管的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：

10-柵極；20-有源層；30-連接部；300-連接塊；31-源極；311-第一子部；312-第二子部；313-第三子部；32-漏極；301-兩個(gè)子部；302-橫向連接子部；321-第一漏極；322-第二漏極；40-過孔；50-像素電極；60-數(shù)據(jù)線；70-鏤空部。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，如圖3所示，該薄膜晶體管包括柵極10、半導(dǎo)體有源層20、源極31、漏極32。本發(fā)明中，該薄膜晶體管可以是頂柵型，也可以是底柵型，圖3僅是以底柵型tft為例進(jìn)行示意說明的，但本發(fā)明并不限制于此。以下實(shí)施例均是以底柵型tft為例，做進(jìn)一步說明的。

其中，源極31包括連接部30以及依次設(shè)置的第一子部311、第二子部312、第三子部313，在子部的第一端a，連接部30連接第一子部311、第二子部312、第三子部313以形成相鄰的兩個(gè)凹部；在子部的第二端b，第二子部312的端部到連接部30的距離小于第一子部311和第三子部313的端部到連接部30的距離。

此處需要說明的是，上述在子部的第二端b，第二子部312的端部到連接部30的距離小于第一子部311和第三子部313的端部到連接部30的距離是指，在子部的第二端b，第一子部311和第三子部313的端部與第二子部312的端部之間具有一定的落差，且第二子部312的端部相對(duì)于第一子部311和第三子部313的端部更靠近連接部30，即第一子部311和第三子部313的端部比第二子部312的端部凸出。

漏極32包括連接塊300以及分別位于兩個(gè)凹部中的第一漏極321和第二漏極322，連接塊300至少部分位于第一漏極321和第二漏極322之間以連接第一漏極321和第二漏極322。

需要說明的是，第一，上述漏極32中的第一漏極321和第二漏極322是指，如圖3所示，該漏極32中至少與源極31中的子部相對(duì)的部分，即在工作狀態(tài)下，能夠與源極31中的子部之間有效載流子傳輸?shù)牟糠帧?/p>

第二，上述源極31和漏極32分別作為信號(hào)輸入電極和信號(hào)輸出電極，可以是源極31作為信號(hào)輸入電極，漏極32作為信號(hào)輸出電極，例如，在顯示面板中，將與數(shù)據(jù)線連接的源極31作為信號(hào)輸入電極，與像素電極連接的漏極32作為信號(hào)輸出電極；當(dāng)然，也可以是漏極32作為信號(hào)輸入電極，源極31作為信號(hào)輸出電極，本發(fā)明對(duì)此不作限定。本實(shí)施例中，均是以源極31作為信號(hào)輸入電極，漏極32作為信號(hào)輸出電極作為示例的說明。

第三，本發(fā)明中，對(duì)于連接塊300位于第一漏極321和第二漏極322之間以外的部分，沿與第一端a到第二端b垂直的方向上的尺寸，可以是與第一漏極321和第二漏極322內(nèi)側(cè)之間的距離相等，也可以是如圖3所示，與第一漏極321和第二漏極322外側(cè)之間的距離相等，只要能夠保證該連接塊300的大小滿足后續(xù)的連接即可，本發(fā)明對(duì)此不作限定。

第四，如圖3所示，由于第一漏極321和第二漏極322是指漏極32中與源極31中的子部相對(duì)的部分(參考“第一”)，在此基礎(chǔ)上，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解到，對(duì)于上述連接塊300至少部分位于第一漏極321和第二漏極322之間的部分是指，如圖3所示，該連接塊300中位于第一漏極321和第二漏極322之間正對(duì)的區(qū)域中的部分，也即該部分的投影會(huì)落入柵極10中；而對(duì)于連接塊300中位于第一漏極321和第二漏極322之間以外的部分(參考“第三”)是指，位于第一漏極321和第二漏極322之間正對(duì)的區(qū)域以外的部分。

綜上所述，由于在子部的第二端，第二子部的端部到連接部的距離小于第一子部和第三子部的端部到連接部的距離，且連接塊至少部分位于第一漏極和第二漏極之間以連接第一漏極和第二漏極，即連接塊與柵極在上述第一漏極和第二漏極之間具有重疊部分，基于此，本發(fā)明相比于現(xiàn)有技術(shù)中的第一子部、第二子部、第三子部長(zhǎng)度一致、且連接塊完全位于柵極以外的雙u形tft而言，示意的可以看作是，第一子部和第三子部相比于現(xiàn)有技術(shù)加長(zhǎng)的距離與第二子部相比于現(xiàn)有技術(shù)縮短的距離相等，且將連接塊向靠近源極方向移動(dòng)與上述加長(zhǎng)或者縮短相同的距離，以使得連接塊至少部分位于第一漏極和第二漏極之間以連接第一漏極和第二漏極，并在保證其他條件相同的情況下，本發(fā)明不僅可以保證與現(xiàn)有技術(shù)中的tft具有相同的溝道寬長(zhǎng)比，并且能夠在應(yīng)用于顯示領(lǐng)域的情況下，因第一子部和第三子部的加長(zhǎng)所帶來的開口率減小的部分，小于因連接部向靠近源極方向移動(dòng)所帶來的開口率增大的部分，從而有利于增加亞像素單元的開口率；即本發(fā)明能夠在溝道的寬長(zhǎng)比一定的情況下，有利增加亞像素單元的開口率。

此處還需要說明的是，本發(fā)明中，第一子部311和第三子部313的上邊緣，可以平齊，也可以不平齊；當(dāng)然為了在開口率一定的情況下，盡可能的增加該tft的溝道寬長(zhǎng)比，本發(fā)明優(yōu)選的，第一子部311和第三子部313的上邊緣平齊。

另外，為了更進(jìn)一步的，增加亞像素單元的開口率，本發(fā)明優(yōu)選的，如圖4所示，連接塊300全部位于第一漏極321和第二漏極322之間，且連接塊300的上邊緣與第一漏極321和第二漏極322的上邊緣平齊，也即連接塊300的投影全部落入柵極10中。

需要說明的是，第一，連接塊300的上邊緣以及第一漏極321和第二漏極322的上邊緣是指，連接塊300、第一漏極321、第二漏極322背離源極31中第二子部312一側(cè)的邊緣。

第二、上述連接塊300的上邊緣與第一漏極321和第二漏極322的上邊緣平齊是指為了避免在第一漏極321和第二漏極322的上邊緣超出連接塊300的上邊緣時(shí)，出現(xiàn)源極31中第一子部311、第三子部313在超出部分不能有效的形成溝道，并且該超出部分所在的整個(gè)區(qū)域不能透光，從而不利于整個(gè)亞像素的開口率增加。

以下通過具體實(shí)施例，對(duì)上述對(duì)本發(fā)明中的tft相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的tft(如圖1)，有利于增加亞像素單元的開口率作進(jìn)一步的舉例說明。為了便于進(jìn)行說明，如圖1所示，假設(shè)現(xiàn)有技術(shù)中，連接塊300中對(duì)應(yīng)過孔的連接部分為正方形，且該正方向的邊長(zhǎng)l為4h，該連接部分與兩個(gè)子部301之間的橫向連接子部302的高度為正方向邊長(zhǎng)l的一半，即2h。

實(shí)施例一

以圖3中連接塊300部分位于第一漏極321和第二漏極322之間為例，為了更清楚的對(duì)包括圖3的tft和圖1的tft的亞像素單元的開口率進(jìn)行比較，如圖5所示，為包括圖3的tft和圖1的柵極以及連接塊(加黑虛線部分)的結(jié)構(gòu)示意圖，以便能夠更清楚的對(duì)兩者之間的開口率進(jìn)行比較。

結(jié)合圖1和圖3，如圖5所示，假設(shè)圖3中第一子部311和第三子部313相比于圖1中加長(zhǎng)的距離為h，第二子部312相比于圖1中縮短的距離為h，則相比于圖1中tft，圖3中溝道寬度w減小和增加部分的尺寸相等，即圖1和圖3相比，兩者的溝道寬度w相同；那么在兩者溝道長(zhǎng)度l相等的情況下，則圖3中的tft與現(xiàn)有技術(shù)中的tft相比，具有相等的溝道寬長(zhǎng)比(w/l)。

在此基礎(chǔ)上，在應(yīng)用于顯示領(lǐng)域的情況下，如圖5所示，無論對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)還是本發(fā)明，在連接塊300位于柵極10以外的部分與數(shù)據(jù)線60之間的部分會(huì)被黑矩陣遮擋，均不能用于顯示，在計(jì)算開口率時(shí)，該部分也需被計(jì)算在不透光的部分中。

對(duì)比圖1和圖3(參考圖5)，因第一子部311和第三子部313的加長(zhǎng)以及連接部300向靠近源極31方向移動(dòng)所帶來的面積增加的部分，小于因連接部300向靠近源極31方向移動(dòng)所帶來的面積減小的部分，即圖5中陰影s1和陰影s2之和小于陰影s3和陰影s4之和(s1+s2＜s3+s4)，其中，陰影s1為第一子部311和第三子部313的加長(zhǎng)所帶來開口率減小部分的面積；陰影s2為連接部300向靠近源極31方向移動(dòng)所帶來開口率減小部分的面積；陰影s3、陰影s4為連接部300向靠近源極31方向移動(dòng)所帶來開口率增加部分的面積，其中，陰影s3對(duì)應(yīng)圖1中連接部300的位置，陰影s4對(duì)應(yīng)陰影s3與數(shù)據(jù)線60之間的部分。另外，本發(fā)明中為了便于描述，s1、s2、s3、s4可以作為各部分的標(biāo)號(hào)，也可以直接看作各部分的面積。

具體的，上述陰影s1、陰影s2、陰影s3、陰影s4的高度均相同，均為h，在實(shí)際的制作中，陰影s1和陰影s4的長(zhǎng)度接近(且約為連接部300的邊長(zhǎng)l的1/3～1/2倍)，其中s4的長(zhǎng)度是指連接部300到數(shù)據(jù)線60之間的距離，則陰影s1和陰影s4的面積接近相等(s1≈s4)；另外，陰影s3的長(zhǎng)度為連接部300的邊長(zhǎng)l，而陰影s2的長(zhǎng)度小于連接部300的邊長(zhǎng)l，則陰影s2小于陰影s3的面積(s2＜s3)，因此，陰影s1與陰影s2的面積和，小于陰影s3與陰影s4的面積和，即s1+s2＜s3+s4；也即第一子部311和第三子部313的加長(zhǎng)所帶來的面積增加的部分，小于因連接部300向靠近源極31方向移動(dòng)所帶來的面積減小的部分，從而使得本發(fā)明能夠在溝道的寬長(zhǎng)比一定的情況下，有利增加亞像素單元的開口率。

實(shí)施例二

以圖4中連接塊300全部位于第一漏極321和第二漏極321之間，且連接塊300的上邊緣與第一漏極321和第二漏極322的上邊緣平齊，為了更清楚的對(duì)包括圖4的tft和圖1的tft的亞像素單元的開口率進(jìn)行比較，如圖6所示，為包括圖4的tft和圖1的柵極以及連接塊(加黑虛線部分)的示意圖，以便能夠更清楚的對(duì)兩者之間的開口率進(jìn)行比較。

結(jié)合圖1和圖4，如圖6所示，在連接塊300的上邊緣與第一漏極321和第二漏極322的上邊緣平齊的情況下，在不考慮現(xiàn)有技術(shù)中連接塊300中連接兩個(gè)子部301的橫向連接子部302與柵極10之間的縫隙h時(shí)(參考圖1)，可以近似看作將圖4中第一子部311和第三子部313相比于圖1中加長(zhǎng)的距離為2h(連接部300的邊長(zhǎng)l的一半)，第二子部312相比于圖1中縮短的距離為2h，則相比于圖1中tft，圖4中溝道寬度w減小和增加部分的尺寸相等，即圖1和圖4相比，兩者的溝道寬度w相同；那么在兩者溝道長(zhǎng)度l相等的情況下，則圖4中的tft與現(xiàn)有技術(shù)中的圖1中的tft相比，具有相等的溝道寬長(zhǎng)比(w/l)。

在此基礎(chǔ)上，在應(yīng)用于顯示領(lǐng)域的情況下，相比于連接塊300具有位于柵極10以外的部分，使得該部分與數(shù)據(jù)線60之間的部分不能用于顯示(可參考圖1或者圖3)，圖6所示的tft，連接塊300完全位于柵極10所在的區(qū)域。

在此情況下，對(duì)比圖1和圖4(參考圖6)，因第一子部311和第三子部313的加長(zhǎng)所帶來的面積增加的部分，即圖6中陰影s1，小于因連接部300向靠近源極31方向移動(dòng)所帶來的面積減小的部分，即圖6中陰影s2和陰影s3之和，即s1＜s2+s3，其中，陰影s2對(duì)應(yīng)圖1中連接部300的位置，陰影s3對(duì)應(yīng)陰影s2與數(shù)據(jù)線60之間的部分。

具體的，上述陰影s1、陰影s2、陰影s3的高度均相同，均為2h，在實(shí)際的制作中，陰影s1和陰影s3的長(zhǎng)度接近(且約為連接部300的邊長(zhǎng)l的1/3～1/2倍)，也即陰影s1和陰影s3的面積接近相等(s1≈s3)；另外，陰影s2的長(zhǎng)度為連接部300的邊長(zhǎng)l，寬度為2h(即連接部300的邊長(zhǎng)l的一半)，此時(shí)，橫向連接子部302完全位于柵極10所在的區(qū)域，這一來，陰影s2的面積則相當(dāng)于開口率增加的部分；也即第一子部311和第三子部313的加長(zhǎng)所帶來的面積增加的部分，小于因連接部300向靠近源極31方向移動(dòng)所帶來的面積減小的部分，從而使得本發(fā)明能夠在溝道的寬長(zhǎng)比一定的情況下，有利增加亞像素單元的開口率。

綜上所述，本實(shí)施例二中設(shè)計(jì)方案的開口率與現(xiàn)有技術(shù)中的開口率之間的差值最大(例如，可以對(duì)比實(shí)施例一和實(shí)施例二)，也即本實(shí)施例的設(shè)計(jì)方案能夠最大程度的在溝道的寬長(zhǎng)比(w/l)一定的情況下，增加亞像素單元的開口率，因此，該設(shè)計(jì)方案作為本發(fā)明的優(yōu)選方案。

另外，由于本發(fā)明中連接塊300中位于第一漏極321和第二漏極322之間的部分會(huì)與柵極10所在的區(qū)域具有交疊(從連接塊300向柵極10觀看，兩者的投影具有交疊，并非實(shí)際意義上的交疊)，可參考圖4，這樣一來，會(huì)使得連接塊300與柵極10之間存在較大的寄生電容cgd，因此，本發(fā)明中，為了減小連接塊300與柵極10之間的寄生電容cgd，優(yōu)選的，如圖7所示，在連接塊300中位于第一漏極321和第二漏極322之間的部分對(duì)應(yīng)的柵極10區(qū)域設(shè)置鏤空部70。

需要說明的是，本發(fā)明中對(duì)上述鏤空部70的形狀、大小不作限定，只要在不影響tft的性能的基礎(chǔ)上，可以是正方形也，可以是長(zhǎng)方形；該鏤空部70的面積可以與連接塊300中位于第一漏極321和第二漏極322之間的部分的面積一樣的大，也可以比該部分面積大，或者比該部分面積小，本發(fā)明對(duì)此均不作限定。

當(dāng)然，為了最大程度的減小上述寄生電容cgd，如圖8所示，本發(fā)明優(yōu)選的，沿與第一端a到第二端b的方向垂直的方向上，該鏤空部70的尺寸與第一漏極321和第二漏極322在該方向上的距離相等或者近似相等；和/或，在沿與第一端a到第二端b的方向上，該鏤空部70的尺寸與連接塊300中位于第一漏極321和第二漏極322之間的部分在該方向上的尺寸相等或者近似相等。例如，圖8中鏤空部70與連接塊300的形成、大小完全一致，且位置完全重疊。

更近一步的，為了避免漏極32因工藝波動(dòng)在沿與第一端a到第二端b的方向上產(chǎn)生偏移量，導(dǎo)致漏極與柵極10交疊面積發(fā)生變化，從而導(dǎo)致上述寄生電容cgd發(fā)生變化，出現(xiàn)不穩(wěn)定現(xiàn)象，產(chǎn)生不良影響；如圖9所示，在連接塊300全部位于第一漏極321和第二漏極322之間，且連接塊300的上邊緣與第一漏極321和第二漏極322的上邊緣平齊的情況下，在沿與第一端a到第二端b的方向上，鏤空部70的上邊緣超出連接塊300的上邊緣，鏤空部70的下邊緣超出連接塊300的下邊緣，這樣一來，即使因工藝波動(dòng)，漏極32在沿與第一端a到第二端b的方向上產(chǎn)生少量的偏移，漏極32與柵極10交疊面積仍然能夠保持不變，從而使得漏極32與柵極10之間具有相對(duì)穩(wěn)定的寄生電容cgd。

在此基礎(chǔ)上，為了便于制作加工，本發(fā)明優(yōu)選的，如圖9所示，該鏤空部70為位于柵極10靠近連接塊300的上邊緣一側(cè)的缺口。

此處需要說明的是，對(duì)于上述鏤空部70的下邊緣超出連接塊300的下邊緣的情況下，如圖9所示，同樣為了避免源極31因工藝波動(dòng)，導(dǎo)致第二子部312的上邊緣伸入至該鏤空部70中，因此，在實(shí)際的制作工藝中，一般需要在柵極10對(duì)應(yīng)第二子部312的上邊緣與該鏤空部70之間預(yù)留一定的尺寸。

更進(jìn)一步的，本發(fā)明中為了簡(jiǎn)化工藝，降低制作成本，優(yōu)選的，如圖3至圖8所示，源極31和漏極32的投影均落入半導(dǎo)體有源層20，這樣一來，可以采用半曝光掩膜(halftone)工藝，通過一次構(gòu)圖(即一張掩膜版)、兩次刻蝕即可同時(shí)形成源極31、漏極32以及半導(dǎo)體有源層20；當(dāng)然也可以兩次構(gòu)圖工藝(即兩張掩膜板)分別進(jìn)行構(gòu)圖制作，本發(fā)明對(duì)此不作限定。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板，該陣列基板由橫縱交錯(cuò)的數(shù)據(jù)線和柵線界定出的多個(gè)以陣列形式排布的亞像素，其中每一亞像素包括像素電極和前述薄膜晶體管，且像素電極與薄膜晶體管的連接塊300通過過孔40連接，具有與前述實(shí)施例提供的薄膜晶體管相同的結(jié)構(gòu)和有益效果。由于前述實(shí)施例已經(jīng)對(duì)薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)和有益效果進(jìn)行了詳細(xì)的描述，此處不再贅述。

需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，上述陣列基板可以是ads(advanced-superdimensionalswitching，高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān))型、ips(inplaneswitch，橫向電場(chǎng)效應(yīng))型或tn(twistnematic，扭曲向列)型，本發(fā)明對(duì)此不作限定。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括前述的陣列基板，同樣具有與前述實(shí)施例提供的薄膜晶體管相同的結(jié)構(gòu)和有益效果。由于前述實(shí)施例已經(jīng)對(duì)薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)和有益效果進(jìn)行了詳細(xì)的描述，此處不再贅述。

此處需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，顯示裝置具體至少可以包括液晶顯示面板，例如該顯示面板可以應(yīng)用至液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機(jī)或平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件中。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。