本發(fā)明涉及一種手機(jī)天線，特別是涉及一種雙層耦合寬頻手機(jī)天線，屬于無線通信用的天線技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

無線通信用的天線技天線是移動(dòng)通信系統(tǒng)中重要的組成部分，其承擔(dān)著電磁波的發(fā)射與接收任務(wù)。手機(jī)內(nèi)置天線由于其體積小，剖面低，易于加工處理等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛應(yīng)用于各種手機(jī)機(jī)型。但是手機(jī)內(nèi)置天線是一種諧振式天線，帶寬窄是其最大的缺陷，且以前手機(jī)天線制作工藝主要以FPC及鋼片模具為主，這使得手機(jī)天線往往是單層天線，大大限制了手機(jī)天線設(shè)計(jì)思路。

隨著目前通信系統(tǒng)的日益發(fā)展，3G及4G網(wǎng)絡(luò)的不斷推新，對(duì)目前手機(jī)天線的帶寬要求越來越高。因此，針對(duì)擴(kuò)寬手機(jī)天線的頻帶問題，有了很多設(shè)計(jì)方法。并且隨著手機(jī)天線加工工藝LDS的不斷應(yīng)用，手機(jī)天線的設(shè)計(jì)也不僅僅局限在單面天線。

LDS是Laser Direct Structuring的簡(jiǎn)稱，中文意為激光直接成型，該工藝是一種三維激光與化鍍金屬合成的一種3D-MID技術(shù)，現(xiàn)廣泛應(yīng)用于無線電通訊配件，醫(yī)療器械，汽車產(chǎn)品等領(lǐng)域。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種雙層耦合寬頻手機(jī)天線，解決現(xiàn)有的平面倒F天線帶寬較窄的問題。

本發(fā)明技術(shù)方案如下：一種雙層耦合寬頻手機(jī)天線，包括第一諧振單元、第二諧振單元、第三諧振單元、通過垂直連接部與第一諧振單元、第二諧振單元和第三諧振單元連接的信號(hào)饋點(diǎn)和地饋點(diǎn)、以及由地饋點(diǎn)延伸的第四諧振單元，第一諧振單元諧振頻率<第二諧振單元諧振頻率<第四諧振單元諧振頻率<第三諧振單元諧振頻率，所述第二諧振單元與第四諧振單元呈上下平行布置且兩者電磁耦合。

為了避免不同諧振單元之間存在結(jié)構(gòu)干涉問題，進(jìn)一步的，包括手機(jī)殼體，所述第一諧振單元、第二諧振單元、第三諧振單元通過LDS工藝加工于手機(jī)殼體的外表面，所述信號(hào)饋點(diǎn)、地饋點(diǎn)、第四諧振單元通過LDS工藝加工于手機(jī)殼體的內(nèi)表面，所述垂直連接部為連接手機(jī)殼體內(nèi)表面和外表面的LDS工藝過孔。

進(jìn)一步的，所述第一諧振單元包括具有一開口槽的C型結(jié)構(gòu)，所述第二諧振單元包括伸入所述開口槽，并與所述開口槽兩側(cè)留有間隙的延伸部。

進(jìn)一步的，所述第一諧振單元和第二諧振單元位于所述垂直連接部的同側(cè)，所述第二諧振單元和第三諧振單元位于所述垂直連接部的兩側(cè)。

進(jìn)一步的，所述第一諧振單元的諧振頻率824MHz～960MHz。

進(jìn)一步的，所述第二諧振單元的諧振頻率1710MHz～1880MHz。

進(jìn)一步的，所述第三諧振單元的諧振頻率2500MHz～2690MHz。

進(jìn)一步的，所述第四諧振單元的諧振頻率1920MHz～2170MHz。

本發(fā)明所提供的技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)在于：利用兩層結(jié)構(gòu)的第二諧振單元和第四諧振單元之間的相互電磁耦合作用，產(chǎn)生相近的諧振頻率點(diǎn)，通過調(diào)整第四諧振單元的長度，使其在2GHz產(chǎn)生一諧振，從而帶到展寬天線帶寬的目的，同時(shí)與普通倒F天線進(jìn)行了性能對(duì)比，測(cè)試出天線效率可以接受。另外，采用LDS工藝將天線直接噴涂在手機(jī)殼體上，使得殼體內(nèi)外兩側(cè)天線走線成為可能，形成第二諧振單元和第四諧振單元，避免了FPC工藝存在的結(jié)構(gòu)干涉問題。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的雙層耦合寬頻手機(jī)天線的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為現(xiàn)有技術(shù)倒F天線的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明的雙層耦合寬頻手機(jī)天線的性能試驗(yàn)圖。

圖4為現(xiàn)有技術(shù)倒F天線的性能試驗(yàn)圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。

請(qǐng)結(jié)合圖1和圖2，本實(shí)施例的雙層耦合寬頻手機(jī)天線的具體構(gòu)造是這樣的，包括構(gòu)成平面倒F天線結(jié)構(gòu)相同的第一諧振單元1、第二諧振單元2、第三諧振單元3以及通過垂直連接部5與第一諧振單元1、第二諧振單元2和第三諧振單元3連接的信號(hào)饋點(diǎn)6和地饋點(diǎn)7。

其中第一諧振單元1是由垂直連接部5在與其垂直的平面內(nèi)向其左側(cè)延伸形成的具有一開口槽11的C型結(jié)構(gòu)。C型結(jié)構(gòu)的上側(cè)邊12與垂直連接部5連接，C型結(jié)構(gòu)的下側(cè)邊13與垂直連接部5之間形成缺口8，該缺口8與開口槽11連通。第二諧振單元2由垂直連接部5在與其垂直的平面內(nèi)向其左側(cè)延伸形成的延伸部，該延伸部伸入第一諧振單元1的開口槽11內(nèi)，與開口槽11兩側(cè)留有間隙。第三諧振單元3由垂直連接部5在與其垂直的平面內(nèi)向其右側(cè)延伸形成。

第一諧振單元1、第二諧振單元2、第三諧振單元3位于垂直連接部5的頂部的平面內(nèi)，而垂直連接部5的底部在與其垂直的平面內(nèi)分別平行延伸構(gòu)成左右兩個(gè)饋點(diǎn)，左側(cè)饋點(diǎn)為地饋點(diǎn)7，右側(cè)饋點(diǎn)為信號(hào)饋點(diǎn)6。

作為本發(fā)明的一個(gè)重要改進(jìn)，地饋點(diǎn)7在其所處平面內(nèi)向左延伸形成第四諧振單元4，第四諧振單元4位于第二諧振單元2的下方與其平行設(shè)置，并且兩者形成電磁耦合。通過對(duì)第一諧振單元1、第二諧振單元2、第三諧振單元3以及第四諧振單元4尺寸的調(diào)整，使第一諧振單元1的諧振頻率維持在824MHz～960MHz的低頻，第二諧振單元2與第四諧振單元4電磁耦合使第二諧振單元2的諧振頻率維持在1710MHz～1880MHz，而第四諧振單元4在2GHz處諧振，具體的，第四諧振單元4的諧振頻率維持在1920MHz～2170MHz，第三諧振單元3的諧振頻率調(diào)整為2500MHz～2690MHz。

在普通倒F天線結(jié)構(gòu)中，第一諧振單元101的諧振頻率維持在824MHz～960MHz，第二諧振單元102的諧振頻率維持在1710MHz～1880MHz，第三諧振單元103的諧振頻率維持在1920MHz～2170MHz。

為了滿足本實(shí)施例中上述天線構(gòu)造的形成，本實(shí)施例沒有采用FPC工藝進(jìn)行實(shí)施，采用FPC工藝將產(chǎn)生結(jié)構(gòu)干涉而無法形成雙層走線。故基于LDS工藝進(jìn)行加工，在手機(jī)殼體(圖上未示出)的外表面通過LDS工藝加工出第一諧振單元1、第二諧振單元2和第三諧振單元3。在手機(jī)殼體的內(nèi)表面加工出第四諧振單元4、地饋點(diǎn)7和信號(hào)饋點(diǎn)6。在手機(jī)殼體上加工LDS工藝過孔，即該工藝過孔在手機(jī)殼體的剖面上形成了垂直連接部5，垂直連接部5分別將第一諧振單元1、第二諧振單元2和第三諧振單元3與地饋點(diǎn)7和信號(hào)饋點(diǎn)6構(gòu)成連接。

如圖3和圖4所示，與普通倒F天線相比，本實(shí)施例的雙層耦合寬頻手機(jī)天線在高頻部分多出一個(gè)諧振，此諧振就是手機(jī)殼體內(nèi)側(cè)走線諧振，即第四諧振單元通過與手機(jī)殼體外側(cè)天線，第二諧振單元的電磁耦合所產(chǎn)生的，從圖中對(duì)比可以看出雙層耦合寬頻手機(jī)天線高頻部分帶寬明顯寬與普通倒F天線，其天線帶寬包含了1710MHz～2690MHz，而普通倒F天線其帶寬是1710MHz～2170MHz。