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一種雙面玻璃BIPV光伏組件的制作方法

文檔序號:11679688閱讀:234來源:國知局

本發(fā)明涉及光伏組件領(lǐng)域,具體是一種雙面玻璃bipv光伏組件。



背景技術(shù):

太陽能電池是利用太陽光進(jìn)行發(fā)電的半導(dǎo)體器件,太陽能電池芯片可以為非晶硅、非晶硅鍺、微晶硅或納米晶硅的單節(jié)或多節(jié)疊層硅基薄膜太陽能電池、cigs太陽能電池、銅銦錫太陽能電池、銅銦硫太陽能電池、單晶或準(zhǔn)單晶硅太陽能電池、多晶硅太陽能電池、碲化鎘太陽能電池、砷化鎵太陽能電池、有機太陽能電池、染料敏化太陽能電池等?,F(xiàn)有技術(shù)中采用的tpt材料,存在的缺點在于:tpt材料的使用壽命短,不透光,導(dǎo)致光伏組件的使用壽命短,滿足不了客戶對透光的需求。另外,eva膠膜是目前主要用于封裝太陽能電池的材料,但其存在一些不足,如易黃變老化,耐候性差、使用壽命短。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本發(fā)明提供了一種具有清潔、高效、無污染、無噪音等特點,不排放任何有害物質(zhì)的雙面玻璃中空bipv光伏組件。

本發(fā)明所述的一種雙面玻璃bipv光伏組件,包括硅晶片電池片,在硅晶片電池片的上、下表面封裝pet/poe復(fù)合膜,在上表面pet/poe復(fù)合膜上方設(shè)有p-/n-型多晶硅吸收層,下表面pet/poe復(fù)合膜的下方設(shè)有n+/p+型a-si:h發(fā)射層,在p-/n-型多晶硅吸收層的上方和n+/p+型a-si:h發(fā)射層的下方均設(shè)有光伏玻璃,所述的光伏玻璃外表面設(shè)有防輻射金屬薄膜。

進(jìn)一步改進(jìn),所述的pet/poe復(fù)合膜由pet基材膜和改性poe膠膜貼壓復(fù)合而成。

本發(fā)明的有益效果在于:

本發(fā)明的雙面玻璃bipv光伏組件的結(jié)構(gòu)與普通太陽電池組件相比,最大的不同之處在于用玻璃代替了壽命短不透光的tpt,極大地延長了光伏組件的壽命,并且能滿足客戶透光的要求;另外,bipv光伏組件具有清潔、高效、無污染、無噪音等特點,不排放任何有害物質(zhì),屬綠色環(huán)保產(chǎn)品;采用pet/poe復(fù)合膜代替eva膠膜封裝,pet/poe復(fù)合膜的生產(chǎn)工藝簡單,耐候性高、抗黃變性能增強、性能優(yōu)良,成本低,可直接作為粘結(jié)背板和電池片的連接層,作為光伏組件封裝材料有潛在的應(yīng)用;玻璃外還設(shè)有防輻射金屬膜,使得光伏組件對外輻射性小。

附圖說明

圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步說明。

本發(fā)明一種雙面玻璃bipv光伏組件,包括硅晶片電池片1,在硅晶片電池片的上、下表面封裝pet/poe復(fù)合膜2,在上表面pet/poe復(fù)合膜上方設(shè)有p-/n-型多晶硅吸收層3,下表面pet/poe復(fù)合膜的下方設(shè)有n+/p+型a-si:h發(fā)射層4,在p-/n-型多晶硅吸收層的上方和n+/p+型a-si:h發(fā)射層的下方均設(shè)有光伏玻璃5,所述的光伏玻璃外表面設(shè)有防輻射金屬薄膜6。

所述的pet/poe復(fù)合膜由pet基材膜和改性poe膠膜貼壓復(fù)合而成,所述的pet基材膜1厚度為15μm-30μm;所述的改性poe膠膜2厚度為5μm-10μm。

本發(fā)明具體應(yīng)用途徑很多,以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明原理的前提下,還可以作出若干改進(jìn),這些改進(jìn)也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。



技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種雙面玻璃BIPV光伏組件,包括硅晶片電池片,在硅晶片電池片的上、下表面封裝PET/POE復(fù)合膜,在上表面PET/POE復(fù)合膜上方設(shè)有p?/n?型多晶硅吸收層,下表面PET/POE復(fù)合膜的下方設(shè)有n+/p+型a?Si:H發(fā)射層,在p?/n?型多晶硅吸收層的上方和n+/p+型a?Si:H發(fā)射層的下方均設(shè)有光伏玻璃,所述的光伏玻璃外表面設(shè)有防輻射金屬薄膜。本發(fā)明工藝簡單,耐候性高、抗黃變性能增強、性能優(yōu)良,成本低。

技術(shù)研發(fā)人員:蔣建寶
受保護(hù)的技術(shù)使用者:無錫賽晶太陽能有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2017.05.09
技術(shù)公布日:2017.07.25
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