本發(fā)明屬于太陽(yáng)能能源利用技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種多晶硅太陽(yáng)能電池。
背景技術(shù)：
能源短缺和環(huán)境污染是世紀(jì)人類(lèi)所面臨的兩個(gè)重大問(wèn)題，成為國(guó)際社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸。太陽(yáng)能作為清潔無(wú)污染的可再生能源提供了解決這兩個(gè)問(wèn)題的最好方案。目前，如何研制出光電轉(zhuǎn)換效率高、壽命長(zhǎng)、性能穩(wěn)定以及成本低廉的太陽(yáng)電池已經(jīng)引起了全世界的廣泛關(guān)注。因此，基于時(shí)代發(fā)展的需要，太陽(yáng)電池具有廣闊的發(fā)展空間。
太陽(yáng)能光伏發(fā)電市場(chǎng)正蓬勃發(fā)展，在過(guò)去10年間，太陽(yáng)電池市場(chǎng)每年以40%的比例迅速增長(zhǎng)，其中晶體硅太陽(yáng)電池占據(jù)了太陽(yáng)電池近90%的市場(chǎng)份額。晶體硅太陽(yáng)電池組件中硅晶片的成本約占太陽(yáng)電池總成本的50%，即使生產(chǎn)技術(shù)不斷精進(jìn)與發(fā)展!進(jìn)一步大幅降低晶體硅太陽(yáng)電池的制備成本也已經(jīng)達(dá)到極限；因此，薄膜化或薄層化成為降低太陽(yáng)電池成本的主要手段和發(fā)展趨勢(shì)。薄膜太陽(yáng)電池（tfsc）較晶體硅太陽(yáng)電池，具有弱光性能優(yōu)良、原材料消耗大幅降低和成本低等優(yōu)勢(shì)。并且，tfsc還可在柔性襯底上制備，具有韌性好、可折疊、可卷曲以及可大面積生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，未來(lái)可應(yīng)用于衣服、汽車(chē)玻璃、飛機(jī)以及建筑物等表面。
另外，現(xiàn)有的多晶硅太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，而且，在多晶硅襯底的生長(zhǎng)過(guò)程中，由于熱應(yīng)力的作用，會(huì)在晶粒中產(chǎn)生大量的缺陷。其中，懸掛鍵是多晶硅中的主要缺陷之一，存在于多晶硅的疇界處，成為載流子的俘獲中心，導(dǎo)致載流子遷移率下降。且懸掛鍵的存在增加電子-空穴的復(fù)合損失，導(dǎo)致所制得的太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率低。為了增加載流子的遷移率，提高光電轉(zhuǎn)換效率。通常在所述多晶硅襯底的上表面沉積一磷或神層，使其與所述多晶硅襯底作用以形成摻雜硅層接著，在所述摻雜硅層的上表面通過(guò)絲網(wǎng)印刷形成金屬電極。然而，形成摻雜硅層需在高溫條件下進(jìn)行，工藝復(fù)雜，另外，絲網(wǎng)印刷所形成的金屬電極寬度較大，造成這光面積較大，導(dǎo)致所制得的太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率低。
正面氮化硅鈍化層與硅片之間沒(méi)有隔離層，很容易出現(xiàn)pid（電位誘導(dǎo)衰減）現(xiàn)象。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是提供一種制造工藝簡(jiǎn)單、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、光電轉(zhuǎn)換效率高、能夠有效解決太陽(yáng)能電池電位誘導(dǎo)衰減問(wèn)題的多晶硅太陽(yáng)能電池。
本發(fā)明所述的一種多晶硅太陽(yáng)能電池，包括多晶硅，在多晶硅上表面設(shè)有二氧化硅層，下表面設(shè)有下表面設(shè)有氧化鋁鈍化層；在二氧化硅層上表面依次設(shè)有的正面氮化硅鈍化層、減反膜、多晶硅吸收層、發(fā)射層、tco玻璃以及多個(gè)電極。
進(jìn)一步改進(jìn)，所述的tco玻璃由平板玻璃表面通過(guò)均勻鍍上一層透明的導(dǎo)電氧化物薄膜而成。
本發(fā)明的有益效果在于：
本發(fā)明在發(fā)射區(qū)使用了重?fù)诫s工藝，發(fā)射區(qū)重?fù)诫s能夠形成頂層淺結(jié)重?fù)诫s，大大提高了太陽(yáng)能電池的能量轉(zhuǎn)換效率，節(jié)約了成本；該電池還具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制造工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。制備工藝簡(jiǎn)單，能進(jìn)一步發(fā)展成更大的主動(dòng)矩陣顯示屏；含tco的多晶硅薄膜電池結(jié)構(gòu)可極大提高光生載流子的收集率。本發(fā)明在正面氮化硅鈍化層與硅片之間制備了二氧化硅層，能夠有效的解決太陽(yáng)能電池電位誘導(dǎo)衰減問(wèn)題。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，本發(fā)明所述的一種多晶硅太陽(yáng)能電池，包括多晶硅1，在多晶硅上表面設(shè)有二氧化硅層2，下表面設(shè)有下表面設(shè)有氧化鋁鈍化層3；在二氧化硅層上表面依次設(shè)有的正面氮化硅鈍化層4、減反膜5、多晶硅吸收層6、發(fā)射層7、tco玻璃8以及多個(gè)電極9。
所述的tco玻璃8由平板玻璃表面通過(guò)均勻鍍上一層透明的導(dǎo)電氧化物薄膜而成。
本發(fā)明在發(fā)射區(qū)使用了重?fù)诫s工藝，發(fā)射區(qū)重?fù)诫s能夠形成頂層淺結(jié)重?fù)诫s，大大提高了太陽(yáng)能電池的能量轉(zhuǎn)換效率，節(jié)約了成本；該電池還具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制造工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。制備工藝簡(jiǎn)單，能進(jìn)一步發(fā)展成更大的主動(dòng)矩陣顯示屏；含tco的多晶硅薄膜電池結(jié)構(gòu)可極大提高光生載流子的收集率。本發(fā)明在正面氮化硅鈍化層與硅片之間制備了二氧化硅層，能夠有效的解決太陽(yáng)能電池電位誘導(dǎo)衰減問(wèn)題。
本發(fā)明提供了一種多晶硅太陽(yáng)能電池板，以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方法，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)，這些改進(jìn)也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。