本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板、顯示裝置。

背景技術：

薄膜晶體管(thinfilmtransistor，簡稱為tft)作為開關器件在顯示技術領域發(fā)揮著重要的作用。常見的薄膜晶體管至少包括有柵極、源極、漏極以及有源層等，而按照柵極與有源層之間的相對位置關系，可將薄膜晶體管劃分為頂柵結構的薄膜晶體管和底柵結構的薄膜晶體管。

在顯示面板中采用頂柵結構的薄膜晶體管，以控制顯示面板中各對應子像素單元的顯示時，如果薄膜晶體管的有源層被光線照射，比如被顯示面板中發(fā)光層的出射光照射和/或發(fā)光層出射光因其他功能膜層等造成的反射光照射，則會影響有源層的導電性能，使得薄膜晶體管的閾值電壓發(fā)生偏移，降低薄膜晶體管的電學性能，導致薄膜晶體管難以穩(wěn)定控制各對應子像素單元的顯示，造成顯示面板顯示不穩(wěn)定的問題。

技術實現要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，用于改善顯示面板的顯示品質。

為了實現上述目的，本發(fā)明提供如下技術方案：

本發(fā)明的第一方面提供一種薄膜晶體管，包括形成在有源層上的絕緣層；絕緣層包括交替疊置的m個子絕緣層；其中，相鄰的兩個子絕緣層的折射率不同，m為大于等于2的整數。

與現有技術相比，本發(fā)明提供的薄膜晶體管具有如下有益效果：

在本發(fā)明提供的薄膜晶體管中，形成在有源層上的絕緣層，采用m個子絕緣層交替疊置構成，且確保相鄰的兩個子絕緣層的折射率不同，當存在非垂直入射至絕緣層的光線時，利用各子絕緣層對其入射光線進行各不同角度的折射和反射，使得該入射至絕緣層的光線在進行多次交替折射和交替反射的變化過程中，會出現多束具有不同光程的光線彼此碰撞的現象，此時如果其中某束光線的波峰與另一束具有相同振幅的光線的波谷相遇，將導致這兩束光線消失，完成光線的相消干涉，也就是光線的破壞性干涉，這樣也就使得該入射至絕緣層的光線能夠被絕緣層有效吸收，避免出現光線照射至有源層的情況，也就能夠避免有源層因光照而影響其導電性能，而造成薄膜晶體管的閾值電壓偏移的問題。因此，本發(fā)明提供的薄膜晶體管有助于改善薄膜晶體管的電學性能，增強薄膜晶體管對其對應子像素單元顯示的控制穩(wěn)定性，確保顯示面板的穩(wěn)定顯示，從而改善顯示面板的顯示品質。

基于上述薄膜晶體管的技術方案，本發(fā)明的第二方面提供一種薄膜晶體管的制作方法，所述制作方法包括：提供一襯底基板，在襯底基板上形成有源層，在有源層上形成絕緣層；其中，

絕緣層的形成方法包括：交替形成m個子絕緣層，使得m個子絕緣層交替疊置在一起，構成絕緣層；其中，相鄰兩個絕緣層的折射率不同，m為大于等于2的整數。

與現有技術相比，本發(fā)明提供的薄膜晶體管的制作方法所能實現的有益效果，與上述技術方案提供的薄膜晶體管所能達到的有益效果相同，在此不做贅述。

基于上述薄膜晶體管的技術方案，本發(fā)明的第三方面提供一種顯示面板，所述顯示面板包括上述技術方案所提供的薄膜晶體管。

與現有技術相比，本發(fā)明提供的顯示面板所能實現的有益效果，與上述技術方案提供的薄膜晶體管所能達到的有益效果相同，在此不做贅述。

基于上述顯示面板的技術方案，本發(fā)明的第四方面提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述技術方案所提供的顯示面板。

與現有技術相比，本發(fā)明提供的顯示裝置所能實現的有益效果，與上述技術方案提供的顯示面板所能達到的有益效果相同，在此不做贅述。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的絕緣層的結構示意圖一；

圖3為本發(fā)明實施例提供的絕緣層的結構示意圖二；

圖4為本發(fā)明實施例提供的顯示面板的結構示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法流程圖一；

圖6為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法流程圖二；

圖7為本發(fā)明實施例提供的絕緣層的制作方法流程圖一；

圖8為本發(fā)明實施例提供的絕緣層的制作方法流程圖二。

附圖標記：

1-襯底基板，2-遮蔽層，

3-緩沖層，4-有源層，

5-絕緣層，51-層間絕緣層，

52-柵絕緣層，6-柵極，

7-漏極，8-源極，

9-鈍化層，10-平坦化層，

11-像素界定層，12-發(fā)光結構，

121-陽極層，122-發(fā)光功能層，

123-陰極層，13-色阻層，

14-封裝膜層。

具體實施方式

為了進一步說明本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，下面結合說明書附圖進行詳細描述。

參閱圖1，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管包括形成在有源層4上的絕緣層5；絕緣層5包括交替疊置的m個子絕緣層；其中，相鄰的兩個子絕緣層的折射率不同，m為大于等于2的整數。

上述相鄰的兩個子絕緣層的折射率不同，參閱圖2和圖3，具體可以為m個子絕緣層的折射率均不同，也可以為構成m個子絕緣層的k組子絕緣層組中，每組子絕緣層組的各子絕緣層的折射率不同。需要補充的是，本領域技術人員可根據實際需要自行設定絕緣層5中子絕緣層的數量，以及設定各子絕緣層的折射率，以得到有利于光線入射至絕緣層5后發(fā)生相消干涉的絕緣層5。

通常，薄膜晶體管在襯底基板1的正投影，位于顯示面板中發(fā)光結構在襯底基板的正投影之外，即發(fā)光結構的出射光并不會垂直照射至薄膜晶體管上。本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管在具體使用時，如果顯示面板中發(fā)光層的出射光和/或發(fā)光層出射光因其他功能膜層等造成的反射光，非垂直入射至絕緣層5中時，利用各子絕緣層對該入射至絕緣層5的光線進行各不同角度的折射和反射，使得該入射至絕緣層5的光線在進行多次交替折射以及交替反射的變化過程中，會出現多束具有不同光程的光線彼此碰撞的現象，此時如果某束光線的波峰與另一束具有相同振幅光線的波谷相遇，將導致這兩束光線消失，完成光線的相消干涉，也就是光線的破壞性干涉，使得絕緣層5有效吸收該入射至絕緣層5的光線。

通過上述具體實施過程可知，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管能夠利用形成在有源層4上具有多層結構的絕緣層5，有效吸收非垂直入射至絕緣層5的光線，避免出現光線照射至有源層4的情況，這樣也就不會存在有源層4因光照而影響其導電性能，造成薄膜晶體管閾值電壓偏移的問題。由此可知，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管有助于改善薄膜晶體管的電學性能，能夠增強薄膜晶體管對其對應子像素單元顯示的控制穩(wěn)定性，確保顯示面板的穩(wěn)定顯示，從而改善顯示面板的顯示品質。

需要注意的是，上述實施例中，如果m個子絕緣層由k組子絕緣層組構成時，在每組子絕緣層組中，各子絕緣層的折射率依次增大或依次減小，當光線入射一組子絕緣層組后，利用折射率漸變的各子絕緣層，使得入射光線在一組子絕緣層組中可以發(fā)生規(guī)律性的變化，有利于實現入射光線在多組子絕緣層組中的光路控制。而且，在相鄰的兩組子絕緣層組中，一組子絕緣層組中折射率最低的子絕緣層，與另一組子絕緣層組中折射率最高的子絕緣層相鄰設置，這樣當光線從一組子絕緣層組進入另一組子絕緣層組中時，能夠使得該光線發(fā)生最大角度的折射變化，有利于加速該光線完成破壞性干涉的進程，使得絕緣層5盡快完成其對該入射光線的有效吸收。另外，如果m個子絕緣層不采用分組的方式，即m個子絕緣層的折射率均不同時，其相鄰的兩個子絕緣層的折射率應保持較大差值，則同樣也能提高絕緣層5對入射至絕緣層5光線的吸收效率。

需要補充的是，通常薄膜晶體管的絕緣層5包括柵絕緣層52和層間絕緣層51，在上述本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管中，絕緣層5可以是柵絕緣層52或層間絕緣層51二者中的一種，也可以同時包括柵絕緣層52和層間絕緣層51。當絕緣層5同時包括柵絕緣層52和層間絕緣層51時，具體的，柵絕緣層52包括多個交替疊置的子柵絕緣層，且相鄰的兩個子柵絕緣層的折射率不同；層間絕緣層51包括多個交替疊置的子層間絕緣層，且相鄰的兩個子層間絕緣層的折射率不同。

值得一提的是，繼續(xù)參閱圖1，上述實施例提供的薄膜晶體管具體是指頂柵結構的薄膜晶體管，該薄膜晶體管還包括：柵極6、源極8、漏極7、有源層4和鈍化層9；其中，有源層4形成在襯底基板1上，柵絕緣層52形成在有源層4上，柵極6形成在柵絕緣層52上；層間絕緣層51形成在襯底基板1、有源層4以及柵極6上；漏極7和源極8分別形成在層間絕緣層51上，且漏極7和源極8分別與有源層4電連接；鈍化層9覆蓋漏極7、源極8以及層間絕緣層51。此外，在該薄膜晶體管中，襯底基板1與有源層4之間通常還設有緩沖層3，以及用于遮擋外界光線照射至有源層4的遮蔽層2，此時，對應的層間絕緣層51形成在緩沖層3、有源層4以及柵極6上。

本發(fā)明實施例還提供了一種薄膜晶體管的制作方法，用于制作上述實施例所述的薄膜晶體管，參閱圖5，所述制作方法包括：

提供一襯底基板，在襯底基板上形成有源層，在有源層上形成絕緣層；其中，絕緣層的形成方法包括：

交替形成m個子絕緣層，使得m個子絕緣層交替疊置在一起，構成絕緣層；其中，相鄰兩個絕緣層的折射率不同，m為大于等于2的整數。

與現有技術相比，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法所能實現的有益效果，與上述技術方案提供的薄膜晶體管所能達到的有益效果相同，在此不做贅述。

需要說明的是，交替形成m個子絕緣層時，為確保相鄰的兩個子絕緣層的折射率不同，參閱圖7，可以采用m種折射率不同的透光絕緣材料，在有源層上交替形成m個子絕緣層。

當然，為了方便絕緣層的制作，且降低絕緣層的制作成本，可減少使用絕緣層制作材料的種類，以分組的方式，按組形成k組子絕緣層組，使得k組子絕緣層組構成m個交替形成的子絕緣層，此時，只需每組子絕緣層組中各絕緣層的制作材料具有不同的折射率即可。具體的，參閱圖8，采用至少兩種折射率不同的透光絕緣材料，在有源層上按照折射率增大或減小的順序層疊形成第1組子絕緣層組，然后在第1組子絕緣層組上依序形成k-1組子絕緣層組，使得k組子絕緣層組共同構成m個子絕緣層。需要補充的是，各組子絕緣層組中，子絕緣層的個數可以相同，也可不同，本發(fā)明實施例對此并不作具體限定。

為了提高絕緣層對入射至絕緣層光線的吸收效率，在本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，當絕緣層采用分組的方式形成時，在相鄰形成的兩組子絕緣層組中，一組子絕緣層組中折射率最低的子絕緣層，與另一組子絕緣層組中折射率最高的子絕緣層相鄰形成。這樣當光線從一組子絕緣層組進入另一組子絕緣層組中時，能夠使得該光線發(fā)生最大角度的折射變化，有利于加速該光線完成破壞性干涉的進程，使得絕緣層盡快完成其對該入射光線的有效吸收。此外，當采用m種折射率不同的透光絕緣材料形成絕緣層時，將折射率差值較大的兩種透光絕緣材料相鄰形成，同樣也能提高絕緣層對入射至絕緣層光線的吸收效率。

需要說明的是，通常薄膜晶體管的絕緣層包括柵絕緣層和層間絕緣層，在上述本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，絕緣層可以是柵絕緣層或層間絕緣層二者中的一種，也可以同時包括柵絕緣層和層間絕緣層。當絕緣層同時包括柵絕緣層和層間絕緣層時，具體的，柵絕緣層通過多個子柵絕緣層交替疊置形成，且相鄰的兩個子柵絕緣層的折射率不同；層間絕緣層通過多個子層間絕緣層交替疊置形成，且相鄰的兩個子層間絕緣層的折射率不同。

值得一提的是，上述實施例提供的薄膜晶體管具體是指頂柵結構的薄膜晶體管，當該薄膜晶體管的絕緣層包括柵絕緣層和層間絕緣層時，參閱圖6，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法具體包括：

s1，提供一襯底基板，在襯底基板上形成有源層；

s2，在有源層上形成柵絕緣層，在柵絕緣層上形成柵極層；

s3，在柵極層、有源層以及襯底基板上形成層間絕緣層；

s4，在層間絕緣層上分別形成漏極層和源極層，使得漏極層和源極層分別與有源層電連接；

s5，在漏極層、源極層以及層間絕緣層上形成鈍化層。

本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括上述實施例提供的薄膜晶體管。所述顯示面板中的薄膜晶體管與上述實施例中的薄膜晶體管具有的優(yōu)勢相同，此處不再贅述。

示例性的，當顯示面板為oled顯示面板時，參閱圖4，oled顯示面板包括與薄膜晶體管一一對應設置的發(fā)光結構12；發(fā)光結構12在襯底基板1的正投影位于絕緣層在襯底基板1的正投影之內；其中，絕緣層為層間絕緣層51，換言之，在發(fā)光結構12與襯底基板1之間設置的層間絕緣層51，能夠覆蓋發(fā)光結構12出射光的照射區(qū)域，以及覆蓋發(fā)光結構12出射光因襯底基板1和其他功能膜層比如緩沖層3、鈍化層9等造成的反射區(qū)域，這樣，利用層間絕緣層51由多個折射率不同的子層間絕緣層交替疊置形成的結構，能夠吸收非垂直入射層間絕緣層51的光線，從而避免出現發(fā)光結構12所在子像素單元中發(fā)光結構12出射光對鄰近子像素單元的漏光現象，防止影響顯示面板的顯示，有助于改善顯示面板的顯示品質。

在顯示面板中，通常利用像素界定層11劃分出多個陣列的子像素單元，并在每個子像素單元中對應設置有薄膜晶體管，以及與薄膜晶體管一一對應的發(fā)光結構12。需要說明的是，在oled顯示面板中，發(fā)光結構12是指oled發(fā)光器件，oled發(fā)光器件具體包括陽極層121、陰極層123以及設在陽極層121和陰極層123之間的發(fā)光功能層122，其中，發(fā)光功能層122具體可以為單層結構，即發(fā)光功能層122僅包括設置在陽極層121與陰極層123之間的發(fā)光層，發(fā)光功能層122也可以為多層結構，例如發(fā)光功能層122包括層疊設置在陽極層121與陰極層123之間的空穴傳輸層、發(fā)光層以及電子傳輸層等。需要補充的是，在本實施例提供的顯示面板中，繼續(xù)參閱圖4，薄膜晶體管與發(fā)光結構12之間設有平坦化層10和像素界定層11，平坦化層10和薄膜晶體管的鈍化層9在其對應源極8的部分設有過孔，使得發(fā)光結構12的陽極層121通過過孔與源極8電連接；而且，在發(fā)光結構12的出光一側，與發(fā)光結構12的發(fā)光區(qū)域正對，在平坦化層10與鈍化層3之間設置色阻層13，以實現顯示面板的彩色顯示。

此外，因構成oled發(fā)光器件的材料對水、氧極為敏感，在oled發(fā)光器件上設置高質量的封裝膜層14，可以利用封裝膜層14對oled顯示面板中的oled發(fā)光器件進行防水保護和防氧保護，確保oled發(fā)光器件的穩(wěn)定使用，使得oled發(fā)光器件具有一定的使用壽命。

盡管如上所述以oled面板進行了示意性的說明，本領域技術人員容易理解背發(fā)光面板，如tft-lcd等，或其它類型的自發(fā)光el面板，如qled、microled等也均可為本技術方案所適用；同時，本申請也不限定所稱的發(fā)光面板為頂發(fā)射或底發(fā)射類型。

本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述實施例提供的顯示面板。所述顯示裝置中的顯示面板與上述實施例中的顯示面板具有的優(yōu)勢相同，此處不再贅述。

上述實施例提供的顯示裝置可以為手機、平板電腦、筆記本電腦、顯示器、電視機、數碼相框或導航儀等具有顯示功能的產品或部件。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。