本發(fā)明涉及顯示面板制作領(lǐng)域，特別是涉及陣列基板制備方法、陣列基板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示時(shí)目前平板顯示的主流，而非晶硅薄膜晶體管陣列顯示器(a-sitftlcd)則是液晶顯示領(lǐng)域中的主導(dǎo)顯示方式。a-sitftlcd能夠滿足視頻顯示應(yīng)用，制作工藝與傳統(tǒng)的ic電路相兼容，具有顯示品質(zhì)優(yōu)異、功耗低、重量輕、無(wú)輻射等特點(diǎn)。

a-si陣列基板是a-sitftlcd的重要組成部分，其中a-si陣列基板中的存儲(chǔ)電容在液晶顯示中起到至關(guān)重要的作用。然而由于a-si陣列基板中非晶硅薄膜晶體管在關(guān)態(tài)下存在一定大小的漏電流，因而使存儲(chǔ)電容中的電壓不能夠穩(wěn)定的保持，進(jìn)而影響顯示效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述問(wèn)題，提出了本發(fā)明實(shí)施例以便提供一種克服上述問(wèn)題或者至少部分地解決上述問(wèn)題的一種陣列基板制備方法、陣列基板和顯示裝置。

依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)方面，提供了一種陣列基板制備方法，包括：

在基板上圖案化形成薄膜晶體管源極、漏極和存儲(chǔ)電容的第一極板；

形成所述薄膜晶體管的有源層；

形成第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述有源層、所述源極、所述漏極及所述第一極板；

在所述第一絕緣層上圖案化形成所述薄膜晶體管的柵極及所述存儲(chǔ)電容的第二極板；

形成第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述柵極及所述第二極板；

形成分別暴露所述漏極和所述第一極板的兩個(gè)過(guò)孔；

形成分別暴露所述薄膜晶體管電極和所述第一極板的兩個(gè)過(guò)孔；

在所述第二絕緣層上圖案化形成像素電極層，所述像素電極層通過(guò)所述過(guò)孔分別與所述薄膜晶體管電極及所述第一極板電連接，其中，所述薄膜晶體管電極為所述源極或所述漏極。

可選地，所述第二極板在所述第一極板上的投影部分覆蓋所述第一極板，所述暴露所述第一極板的過(guò)孔形成于所述投影在所述第一極板上的未覆蓋區(qū)域。

可選地，所述在基板上圖案化形成薄膜晶體管源極、漏極和存儲(chǔ)電容的第一極板包括：

在所述基板上形成導(dǎo)電層；

在所述導(dǎo)電層上形成歐姆接觸層；

對(duì)所述導(dǎo)電層及所述歐姆接觸層進(jìn)行圖案化處理，形成表面覆蓋有歐姆接觸層的所述薄膜晶體管的源極、所述漏極，以及表面覆蓋有歐姆接觸層的所述存儲(chǔ)電容的所述第一極板。

可選地，所述兩個(gè)過(guò)孔分別貫穿覆蓋在所述漏極或所述源極上的歐姆接觸層及覆蓋在所述第一極板上的歐姆接觸層。

可選地，所述有源層形成在所述源極與所述漏極之間，并部分覆蓋所述源極及所述漏極。

可選地，在基板上圖案化形成薄膜晶體管源極、漏極和存儲(chǔ)電容的第一極板之前，還包括：

在襯底上圖案化形成遮光層；

形成介電層，獲得所述基板。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，提供了一種陣列基板，包括：

基板；

在所述基板上圖案化形成的薄膜晶體管的源極、漏極和存儲(chǔ)電容的第一極板；

所述薄膜晶體管的有源層，所述有源層形成在所述源極與所述漏極之間，并部分覆蓋所述源極及所述漏極；

第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述有源層、所述源極、所述漏極及所述第一極板；

在所述第一絕緣層上圖案化形成的所述薄膜晶體管的柵極及所述存儲(chǔ)電容的第二極板；

第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述柵極及所述第二極板；及

在所述第二絕緣層上圖案化形成的像素電極層，所述像素電極層通過(guò)過(guò)孔分別與所述薄膜晶體管電極及所述第一極板電連接，其中，所述薄膜晶體管電極為所述源極或所述漏極。

可選地，所述第二極板在所述第一極板上的投影部分覆蓋所述第一極板，所述暴露所述第一極板的過(guò)孔形成于所述投影在所述第一極板上的未覆蓋區(qū)域。

可選地，所述源極、所述漏極和所述第一極板的表面上均覆蓋有歐姆接觸層。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的又一方面，提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，在基板上圖案化形成薄膜晶體管源極、漏極和存儲(chǔ)電容的第一極板；形成薄膜晶體管的有源層、第一絕緣層；在第一絕緣層上圖案化形成薄膜晶體管的柵極及存儲(chǔ)電容的第二極板；形成第二絕緣層、兩個(gè)過(guò)孔；在第二絕緣層上圖案化形成像素電極層，像素電極層通過(guò)過(guò)孔分別與薄膜晶體管電極及第一極板電連接。本發(fā)明實(shí)施例中，由第一極板、第二極板和像素電極層形成兩個(gè)存儲(chǔ)電容，在不減少開(kāi)口率的基礎(chǔ)上增大了電容存儲(chǔ)量；并且先形成薄膜晶體管的源漏極，后形成有源層，有源層的表面不被刻蝕，避免有源層在刻蝕中產(chǎn)生缺陷，提高了陣列基板中薄膜晶體管特性的均一性。

上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉本發(fā)明的具體實(shí)施方式。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀下文優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述，各種其他的優(yōu)點(diǎn)和益處對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優(yōu)選實(shí)施方式的目的，而并不認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。而且在整個(gè)附圖中，用相同的參考符號(hào)表示相同的部件。在附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一的一種陣列基板制備方法的步驟流程圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一的形成有薄膜晶體管源漏極的陣列基板的剖面示意圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一的形成有薄膜晶體管有源層的陣列基板的剖面示意圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一的形成有第一絕緣層的陣列基板的剖面示意圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一的形成有薄膜晶體管柵極的陣列基板的剖面示意圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一的形成有第二絕緣層的陣列基板的剖面示意圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一的形成有過(guò)孔的陣列基板的剖面示意圖；

圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一的形成有像素電極層的陣列基板的剖面示意圖之一；

圖9是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二的一種陣列基板制備方法的步驟流程圖；

圖10是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二的形成有遮光層的基板的剖面示意圖；

圖11是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二的形成有介電層的基板的剖面示意圖；

圖12是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二的形成有導(dǎo)電層的陣列基板的剖面示意圖；

圖13是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二的形成有歐姆接觸層的陣列基板的剖面示意圖；

圖14是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二的圖案化歐姆接觸層的陣列基板的剖面示意圖；

圖15是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二的形成有像素電極層的陣列基板的剖面示意圖之二。

具體實(shí)施方式

下面將參照附圖更詳細(xì)地描述本公開(kāi)的示例性實(shí)施例。雖然附圖中顯示了本公開(kāi)的示例性實(shí)施例，然而應(yīng)當(dāng)理解，可以以各種形式實(shí)現(xiàn)本公開(kāi)而不應(yīng)被這里闡述的實(shí)施例所限制。相反，提供這些實(shí)施例是為了能夠更透徹地理解本公開(kāi)，并且能夠?qū)⒈竟_(kāi)的范圍完整的傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。

實(shí)施例一

詳細(xì)介紹了本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板制備方法。

參照?qǐng)D1，示出了本發(fā)明實(shí)施例的一種陣列基板制備方法的步驟流程圖。所述制備方法包括如下步驟：

步驟101，在基板上圖案化形成薄膜晶體管源極、漏極和存儲(chǔ)電容的第一極板。

本實(shí)施例中，在基板10上沉積導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層可以是金屬層或復(fù)合金屬層或金屬?gòu)?fù)合層等，通過(guò)對(duì)源極介質(zhì)進(jìn)行圖案化處理，形成薄膜晶體管的源極21、漏極22和存儲(chǔ)電容的第一極板23，見(jiàn)圖2所示的形成有薄膜晶體管源漏極的陣列基板的剖面示意圖。

步驟102，形成所述薄膜晶體管的有源層。

本實(shí)施例中，在薄膜晶體管的源極21、漏極22之間形成薄膜晶體管的有源層30，有源層30可以是a-si，見(jiàn)圖3所示的形成有薄膜晶體管有源層的陣列基板的剖面示意圖。先形成薄膜晶體管的源極和漏極，后形成薄膜晶體管的有源層，有源層表面不被刻蝕，避免有源層在刻蝕中產(chǎn)生缺陷，提高了陣列基板中薄膜晶體管特性的均一性。

步驟103，形成第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述有源層、所述源極、所述漏極及所述第一極板。

本實(shí)施例中，在薄膜晶體管的源極21、漏極22、有源層30和存儲(chǔ)電容的第一極板21上形成第一絕緣層40，第一絕緣層40覆蓋有源層30、源極21、漏極22及第一極板23，見(jiàn)圖4所示的形成有第一絕緣層的陣列基板的剖面示意圖。

步驟104，在所述第一絕緣層上圖案化形成所述薄膜晶體管的柵極及所述存儲(chǔ)電容的第二極板。

本實(shí)施例中，在第一絕緣層40上沉積薄膜晶體管的柵極介質(zhì)，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成薄膜晶體管的柵極51及存儲(chǔ)電容的第二極板52，見(jiàn)圖5所示的形成有薄膜晶體管柵極的陣列基板的剖面示意圖。第一極板23與第二極板52形成第一個(gè)存儲(chǔ)電容。優(yōu)選地，所述第二極板52在所述第一極板23上的投影部分覆蓋所述第一極板23，即第二極板52的投影不完全覆蓋第一極板23，在第一極板23上留有投影未被覆蓋的區(qū)域。

步驟105，形成第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述柵極及所述第二極板。

本實(shí)施例中，在薄膜晶體管的柵極51和第二極板52上形成第二絕緣層60，第二絕緣層60覆蓋柵極51及第二極板52，見(jiàn)圖6所示的形成有第二絕緣層的陣列基板的剖面示意圖。

步驟106，形成分別暴露所述薄膜晶體管電極和所述第一極板的兩個(gè)過(guò)孔。

本實(shí)施例中，在第一絕緣層40和第二絕緣層60中形成兩個(gè)過(guò)孔71和72，兩個(gè)過(guò)孔分別暴露薄膜晶體管電極和第一極板23，該薄膜晶體管電極具體可以是漏極，也可以源極，以漏極為例，見(jiàn)圖7所示的形成有過(guò)孔的陣列基板的剖面示意圖。優(yōu)選地，暴露所述第一極板23的過(guò)孔72形成于所述投影在所述第一極板23上的未覆蓋區(qū)域，即形成過(guò)孔72后，過(guò)孔72暴露第一極板23的區(qū)域在第一極板23上未被第二極板52的投影所覆蓋的區(qū)域。

步驟107，在所述第二絕緣層上圖案化形成像素電極層，所述像素電極層通過(guò)所述過(guò)孔分別與所述薄膜晶體管電極及所述第一極板電連接，其中，所述薄膜晶體管電極為所述源極或所述漏極。

本實(shí)施例中，在第二絕緣層60上沉積像素電極層介質(zhì)，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成像素電極層80，并且，像素電極層80通過(guò)過(guò)孔71連接薄膜晶體管電極，其中薄膜晶體管的電極可以是源極也可以是漏極，如圖8所示，像素電極層80通過(guò)過(guò)孔71連接薄膜晶體管的漏極22，通過(guò)過(guò)孔72連接第一極板23，見(jiàn)圖8所示的形成有像素電極層的陣列基板的剖面示意圖之一。第二極板52與像素電極層80形成第二個(gè)存儲(chǔ)電容。第一個(gè)存儲(chǔ)電容和第二個(gè)存儲(chǔ)電容共用第二極板52，并且第二個(gè)存儲(chǔ)電容位于第一個(gè)存儲(chǔ)電容的正上方，不減少陣列基板的開(kāi)口率，并且增加了電容存儲(chǔ)量。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例中，在基板上圖案化形成薄膜晶體管源極、漏極和存儲(chǔ)電容的第一極板；形成薄膜晶體管的有源層、第一絕緣層；在第一絕緣層上圖案化形成薄膜晶體管的柵極及存儲(chǔ)電容的第二極板；形成第二絕緣層、兩個(gè)過(guò)孔；在第二絕緣層上圖案化形成像素電極層，像素電極層通過(guò)過(guò)孔分別與薄膜晶體管電極及第一極板電連接。本發(fā)明實(shí)施例中，由第一極板、第二極板和像素電極層形成兩個(gè)存儲(chǔ)電容，在不減少開(kāi)口率的基礎(chǔ)上增大了電容存儲(chǔ)量；并且先形成薄膜晶體管的源漏極，后形成有源層，有源層的表面不被刻蝕，避免有源層在刻蝕中產(chǎn)生缺陷，提高了陣列基板中薄膜晶體管特性的均一性。

實(shí)施例二

參照?qǐng)D9，示出了本發(fā)明實(shí)施例中的一種陣列基板制備方法的步驟流程圖。

步驟201，在襯底上圖案化形成遮光層。

本實(shí)施例中，在襯底11上沉積遮光層介質(zhì)，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成遮光層12，見(jiàn)圖10所示的形成有遮光層的基板的剖面示意圖。

步驟202，形成介電層，獲得所述基板。

本實(shí)施例中，在遮光層12和襯底11上覆蓋介電層介質(zhì)，形成介電層13，見(jiàn)圖11所示的形成有介電層的基板的剖面示意圖。圖2中的基板10也可以采用圖11所示的基板。

步驟203，在所述基板上形成導(dǎo)電層。

本實(shí)施例中，在基板上形成導(dǎo)電層24，見(jiàn)圖12所示的形成有導(dǎo)電層的陣列基板的剖面示意圖。

步驟204，在所述導(dǎo)電層上形成歐姆接觸層。

本實(shí)施例中，在導(dǎo)電層24上形成歐姆接觸層25，歐姆接觸層可以是n+a-si，見(jiàn)圖13所示的形成有歐姆接觸層的陣列基板的剖面示意圖。

步驟205，對(duì)所述導(dǎo)電層及所述歐姆接觸層進(jìn)行圖案化處理，形成表面覆蓋有歐姆接觸層的所述薄膜晶體管的源極、所述漏極，以及表面覆蓋有歐姆接觸層的所述存儲(chǔ)電容的所述第一極板。

本實(shí)施例中，通過(guò)構(gòu)圖工藝對(duì)導(dǎo)電層24和歐姆接觸層25進(jìn)行圖案化處理，形成薄膜晶體管的源極、漏極和存儲(chǔ)電容的第一極板，見(jiàn)圖14所示，薄膜晶體管的源極、漏極和存儲(chǔ)電容的第一極板均覆蓋有歐姆接觸層。

步驟206，形成所述薄膜晶體管的有源層31；

步驟207，形成第一絕緣層41，所述第一絕緣層41覆蓋所述有源層、所述源極、所述漏極及所述第一極板；

步驟208，在所述第一絕緣層41上圖案化形成所述薄膜晶體管的柵極53及所述存儲(chǔ)電容的第二極板54；

步驟209，形成第二絕緣層61，所述第二絕緣層61覆蓋所述柵極53及所述第二極板54；

步驟210，形成分別暴露所述薄膜晶體管電極和所述第一極板的兩個(gè)過(guò)孔；所述兩個(gè)過(guò)孔分別貫穿覆蓋在所述漏極上的歐姆接觸層及覆蓋在所述第一極板上的歐姆接觸層。

步驟211，在所述第二絕緣層61上圖案化形成像素電極層81，所述像素電極層61通過(guò)所述過(guò)孔分別與所述薄膜晶體管電極及所述第一極板電連接，其中，所述薄膜晶體管電極為所述源極或所述漏極。

以上步驟206～211的形成過(guò)程與實(shí)施例一中的步驟101-步驟107類(lèi)似，此處不再贅述。

經(jīng)過(guò)步驟211后，即可獲得如圖15所示的形成有像素電極層的陣列基板。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例中，在襯底上形成遮光層、介電層獲得基板，在基板上形成導(dǎo)電層、歐姆接觸層并進(jìn)行圖案化處理形成薄膜晶體管的源極、漏極，以及存儲(chǔ)電容的第一極板，隨后形成薄膜晶體管的有源層、第一絕緣層、薄膜晶體管的柵極層、存儲(chǔ)電容的第一極板、第二絕緣層、過(guò)孔、像素電極層。本發(fā)明實(shí)施例中，由第一極板、第二極板和像素電極層形成兩個(gè)存儲(chǔ)電容，在不減少開(kāi)口率的基礎(chǔ)上增大了電容存儲(chǔ)量；并且先形成薄膜晶體管的源漏極，后形成有源層，有源層的表面不被刻蝕，避免有源層在刻蝕中產(chǎn)生缺陷，提高了陣列基板中薄膜晶體管特性的均一性。

對(duì)于前述的各方法實(shí)施例，為了簡(jiǎn)單描述，故將其都表述為一系列的動(dòng)作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動(dòng)作順序的限制，因?yàn)橐罁?jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其他順序或者同時(shí)進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說(shuō)明書(shū)中所描述的實(shí)施例均屬于優(yōu)選實(shí)施例，所涉及的動(dòng)作和模塊并不一定是本發(fā)明所必須的。

實(shí)施例三

參照?qǐng)D8，示出了本發(fā)明實(shí)施例中的一種陣列基板，包括：

基板10；

在所述基板10上圖案化形成的薄膜晶體管的源極21、漏極22和存儲(chǔ)電容的第一極板23；

所述薄膜晶體管的有源層30，所述有源層30形成在所述源極21與所述漏極22之間，并部分覆蓋所述源極21及所述漏極22；

第一絕緣層40，所述第一絕緣層40覆蓋所述有源層30、所述源極21、所述漏極22及所述第一極板23；

在所述第一絕緣層40上圖案化形成的所述薄膜晶體管的柵極51及所述存儲(chǔ)電容的第二極板52；

第二絕緣層60，所述第二絕緣層60覆蓋所述柵極51及所述第二極板52；及

在所述第二絕緣層60上圖案化形成的像素電極層80，所述像素電極層80通過(guò)過(guò)孔71和72分別與所述薄膜晶體管電極及所述第一極板23電連接，其中，所述薄膜晶體管電極可以為所述源極或所述漏極，本實(shí)施例中以漏極22為例。

本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述第二極板52在所述第一極板23上的投影部分覆蓋所述第一極板23，所述暴露所述第一極板23的過(guò)孔72形成于所述投影在所述第一極板23上的未覆蓋區(qū)域。

本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，參照?qǐng)D15所示的形成有歐姆接觸層的陣列基板的剖面圖之二，所述源極、所述漏極和所述第一極板的表面上均覆蓋有歐姆接觸層25。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例中，陣列基板上由第一極板、第二極板和像素電極層形成兩個(gè)存儲(chǔ)電容，在不減少開(kāi)口率的基礎(chǔ)上增大了電容存儲(chǔ)量；并且先形成薄膜晶體管的源漏極，后形成有源層，有源層的表面不被刻蝕，避免有源層在刻蝕中產(chǎn)生缺陷，提高了陣列基板中薄膜晶體管特性的均一性。

實(shí)施例四

本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括如實(shí)施例三所述的陣列基板。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例中，顯示裝置包括的陣列基板中，由第一極板、第二極板和像素電極層形成兩個(gè)存儲(chǔ)電容，在不減少開(kāi)口率的基礎(chǔ)上增大了電容存儲(chǔ)量；并且先形成薄膜晶體管的源漏極，后形成有源層，有源層的表面不被刻蝕，避免有源層在刻蝕中產(chǎn)生缺陷，提高了陣列基板中薄膜晶體管特性的均一性。

本說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見(jiàn)即可。

最后，還需要說(shuō)明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類(lèi)的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開(kāi)來(lái)，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、商品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、商品或者設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、商品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上對(duì)本發(fā)明所提供的一種陣列基板制備方法、陣列基板和顯示裝置，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。