本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板的制備方法、陣列基板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著顯示面板朝著輕薄、低能耗、便攜帶的趨勢(shì)發(fā)展，以oled(organiclightemittingdiode，有機(jī)發(fā)光二極管)為代表的新一代顯示技術(shù)受到了廣泛的關(guān)注。相比于lcd顯示技術(shù)，oled具有輕薄、低功耗、低驅(qū)動(dòng)電壓、良好的視角和對(duì)比度、以及響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)。

oled顯示器的重要組成部分是tft(thinfilmtransistor，薄膜晶體管)陣列基板，目前tft-oled顯示器件的制備過(guò)程通常為：在tft陣列制備完成后，通過(guò)一次圖案化處理工藝在tft陣列的s/d電極上端的絕緣層上挖一個(gè)孔露出s/d電極，然后在絕緣層上沉積一層ito(indiumtinoxide，氧化銦錫)，隨后再次通過(guò)圖案化處理工藝將ito圖案化形成與tft陣列的s/d電極相連的像素電極，由于此時(shí)的ito在tft陣列的絕緣層上形成了一層凸起，為了防止在像素電極的邊緣制備oled器件的過(guò)程中發(fā)生短路，因此通過(guò)再次成膜、圖案化處理工藝制作出一層像素界定層(像素bank)，覆蓋像素電極ito的邊緣部分，這使得制備工藝復(fù)雜，增大了制備成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法、陣列基板和顯示裝置，以解決現(xiàn)有的陣列基板制備工藝復(fù)雜，增大制備成本的問(wèn)題。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制備方法，包括：

提供一基板，所述基板包括：襯底、柵極、柵極絕緣層、有源層、源極、漏極和鈍化層，所述鈍化層上設(shè)置有暴露所述漏極的漏極過(guò)孔；

在所述鈍化層上形成一碳膜層；

在所述碳膜層上形成一光刻膠層；

對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行圖案化處理，以形成完全不保留的第一區(qū)域和完全保留的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域暴露出所述碳膜層的部分對(duì)應(yīng)區(qū)域；

以所述光刻膠層為掩膜，對(duì)所述第一區(qū)域暴露出的所述碳膜層的部分對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行改性處理，以得到包括改性處理后的區(qū)域的碳膜層；

去除所述光刻膠層。

優(yōu)選地，所述碳膜層為氧化石墨烯層，所述在所述鈍化層上形成一碳膜層的步驟包括：

將氧化石墨烯分散在溶劑中形成懸浮液；

將所述懸浮液涂布在所述鈍化層上，以及填充暴露所述漏極的漏極過(guò)孔；

對(duì)所述鈍化層上的懸浮液加熱，蒸發(fā)所述懸浮液中的溶劑，得到氧化石墨烯層。

優(yōu)選地，所述對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行圖案化處理，以形成完全不保留的第一區(qū)域和完全保留的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域暴露出所述碳膜層的部分對(duì)應(yīng)區(qū)域的步驟包括：

對(duì)像素電極區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠層進(jìn)行曝光處理，形成曝光區(qū)域和非曝光區(qū)域；

對(duì)所光刻膠層進(jìn)行顯影處理，所述曝光區(qū)域形成暴露出所述像素電極區(qū)域?qū)?yīng)的氧化石墨烯層的完全不保留的第一區(qū)域，所述非曝光區(qū)域形成覆蓋像素界定層區(qū)域?qū)?yīng)的氧化石墨烯層的完全保留的第二區(qū)域。

優(yōu)選地，所述以所述光刻膠層為掩膜，對(duì)所述第一區(qū)域暴露出的所述碳膜層的部分對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行改性處理，以得到包括改性處理后的區(qū)域的碳膜層的步驟包括：

以所述光刻膠層為掩膜，對(duì)所述第一區(qū)域暴露出的氧化石墨烯層進(jìn)行還原處理，得到材質(zhì)為石墨烯的像素電極，未被還原處理的第二區(qū)域覆蓋的氧化石墨烯層為像素界定層。

優(yōu)選地，所述對(duì)所述第一區(qū)域暴露出的氧化石墨烯層進(jìn)行還原處理具體為：

使用氫、氬等離子處理所述第一區(qū)域暴露出的氧化石墨烯層，使氧化石墨烯還原為石墨烯層。

優(yōu)選地，所述碳膜層為石墨烯層，所述在所述鈍化層上形成一碳膜層的步驟包括：

通過(guò)濺射、熱蒸發(fā)、旋涂、噴涂或者狹縫涂布方式在所述鈍化層上形成石墨烯層，以及填充至暴露所述漏極的漏極過(guò)孔。

優(yōu)選地，所述對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行圖案化處理，以形成完全不保留的第一區(qū)域和完全保留的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域暴露出所述碳膜層的部分對(duì)應(yīng)區(qū)域的步驟包括：

對(duì)像素界定層區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠層區(qū)域進(jìn)行曝光處理，形成曝光區(qū)域和非曝光區(qū)域；

對(duì)所光刻膠層進(jìn)行顯影處理，所述曝光區(qū)域形成暴露出所述像素界定層區(qū)域?qū)?yīng)的石墨烯層的完全不保留的第一區(qū)域，所述非曝光區(qū)域形成覆蓋像素電極對(duì)應(yīng)的石墨烯層的完全保留的第二區(qū)域。

優(yōu)選地，所述以所述光刻膠層為掩膜，對(duì)所述第一區(qū)域暴露出的所述碳膜層的部分對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行改性處理，以得到包括改性處理后的區(qū)域的碳膜層的步驟包括：

以所述光刻膠層為掩膜，對(duì)所述第一區(qū)域暴露出的石墨烯層進(jìn)行氧化處理得到材質(zhì)為氧化石墨烯的像素界定層，未被氧化處理的第二區(qū)域覆蓋的石墨烯層為像素電極。

優(yōu)選地，所述氧化處理具體為：

通過(guò)離子注入工藝將氟離子注入到所述第一區(qū)域暴露出的石墨烯層中，使得石墨烯層轉(zhuǎn)換為氧化石墨烯具有絕緣性。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括：

襯底；

形成在所述襯底上的柵極；

覆蓋所述柵極的柵極絕緣層；

形成在所述柵極絕緣層上的有源層；

形成在所述有源層上的源極和漏極；

覆蓋所述柵極絕緣層、源極和漏極的鈍化層；

形成于所述鈍化層上的像素界定層和像素電極，所述像素電極通過(guò)所述鈍化層的漏極過(guò)孔與所述漏極電連接，其中，

所述像素界定層的材質(zhì)為氧化石墨烯，所述像素電極的材質(zhì)為石墨烯，所述像素界定層和所述像素電極通過(guò)一次成膜和圖案化處理后，進(jìn)行改性處理形成于所述鈍化層。

優(yōu)選地，所述像素界定層與所述像素電極的遠(yuǎn)離所述襯底的表面與所述襯底平行且位于同一個(gè)連續(xù)的平面內(nèi)。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例的一種陣列基板的制備方法，先在基板的鈍化層上形成一碳膜層，然后在碳膜層上形成光刻膠層并對(duì)光刻膠層進(jìn)行圖案化處理，以形成完全不保留的第一區(qū)域和完全保留的第二區(qū)域，第一區(qū)域暴露出碳膜層的部分對(duì)應(yīng)區(qū)域，以光刻膠層為掩膜，對(duì)第一區(qū)域暴露出的碳膜層的部分對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行改性處理，以得到包括改性處理后的區(qū)域的碳膜層，去除光刻膠層，可見(jiàn)，在基板上形成碳膜層后只需要通過(guò)一次成膜和圖案化處理工藝后，以光刻膠層為掩膜，對(duì)第一區(qū)域暴露出的碳膜層的部分對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行改性處理，同時(shí)得到包括改性處理后的區(qū)域的碳膜層，可用于同時(shí)制備像素界定層與像素電極，不需要再通過(guò)成膜和圖案化處理工藝來(lái)制作額外的像素界定層覆蓋像素電極邊緣，簡(jiǎn)化了陣列基板的制備工藝，節(jié)約了成本。

本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板，像素界定層材質(zhì)為氧化石墨烯，像素電極為石墨烯，并且像素界定層與像素電極的遠(yuǎn)離襯底的表面與襯底平行且位于同一個(gè)連續(xù)的平面內(nèi)，可以通過(guò)一次成膜和圖案化處理工藝后，對(duì)氧化石墨烯或者石墨烯進(jìn)行改性處理同時(shí)制備得到像素界定層和像素電極，簡(jiǎn)化了制備工藝，降低了制備成本。

本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置，陣列基板的像素界定層材質(zhì)為氧化石墨烯，像素電極為石墨烯，氧化石墨烯具有良好的絕緣性，可以有效防止短路，并且石墨烯與ito相比，價(jià)格便宜，電子遷移率較高，進(jìn)一步降低了成本，同時(shí)有利于超薄柔性顯示裝置的發(fā)展。

附圖說(shuō)明

圖1本發(fā)明的一種陣列基板的制備方法的實(shí)施例一的步驟流程圖；

圖2是本發(fā)明的一種陣列基板的制備方法制備像素界定層和像素電極前的基板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明的一種陣列基板的制備方法的實(shí)施例二的步驟流程圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例二的陣列基板的制備方法中形成碳膜層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例二的陣列基板的制備方法中圖案化處理后的光刻膠層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例二的陣列基板的制備方法中對(duì)碳膜層進(jìn)行改性處理后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例二的陣列基板的制備方法中去除光刻膠層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是本發(fā)明的一種陣列基板的制備方法的實(shí)施例三的步驟流程圖；

圖9是本發(fā)明實(shí)施例三的陣列基板的制備方法中形成碳膜層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10是本發(fā)明實(shí)施例三的陣列基板的制備方法中圖案化處理后的光刻膠層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11是本發(fā)明實(shí)施例三的陣列基板的制備方法中對(duì)碳膜層進(jìn)行改性處理后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12是本發(fā)明實(shí)施例三的陣列基板的制備方法制備中去除光刻膠層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13是本發(fā)明實(shí)施例四的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

實(shí)施例一

圖1是本發(fā)明的一種陣列基板的制備方法的實(shí)施例一的流程圖。

如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例的一種陣列基板的制備方法，包括：

步驟101，提供一基板，所述基板包括：襯底、柵極、柵極絕緣層、有源層、源極、漏極和鈍化層，所述鈍化層上設(shè)置有暴露所述漏極的漏極過(guò)孔。

如圖2所示，為本發(fā)明實(shí)施例制備像素界定層和像素電極前的基板，該基板已經(jīng)在襯底1上形成柵極2、柵極絕緣層3、有源層4、源極51、漏極52、鈍化層6，并且鈍化層6上通過(guò)圖案化處理工藝制作出了漏極過(guò)孔，以便制作像素電極時(shí)，像素電極通過(guò)漏極過(guò)孔與漏極52電連接。

步驟102，在所述鈍化層上形成一碳膜層。

本發(fā)明實(shí)施例在基板上制備像素界定層和像素電極，碳膜層的材質(zhì)可以為石墨烯或者氧化石墨烯，可以根據(jù)碳膜層的材質(zhì)確定在鈍化層上形成碳膜層的工藝。

步驟103，在所述碳膜層上形成一光刻膠層。

光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來(lái)將光刻掩膜版上的圖形復(fù)制到碳膜層上。

光刻膠可以是正膠或者負(fù)膠，正膠經(jīng)過(guò)曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過(guò)顯影后被溶解，只留下未受光照的部分形成圖形；而負(fù)膠經(jīng)過(guò)曝光后，受到光照的部分會(huì)變得不易溶解，經(jīng)過(guò)顯影后，留下光照部分形成圖形。

在碳膜層形成光刻膠層可以包括清洗碳膜層、烘干去除水分、涂布增強(qiáng)光刻膠層附著的化合物、涂布光刻膠層及烘干光刻膠層等。

步驟104，對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行圖案化處理，以形成完全不保留的第一區(qū)域和完全保留的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域暴露出所述碳膜層的部分對(duì)應(yīng)區(qū)域。

本發(fā)明實(shí)施例的碳膜層可以是石墨烯或者氧化石墨烯，根據(jù)碳膜層的材質(zhì)不同，對(duì)光刻膠層進(jìn)行圖案化處理使用的光刻掩膜版也不同，即完全不保留的第一區(qū)域和完全保留的第二區(qū)域也不相同。對(duì)光刻膠層進(jìn)行圖案化處理是通過(guò)光照使得光刻膠層曝光，將光刻掩膜版的圖案復(fù)制到光刻膠層上，以形成完全不保留的第一區(qū)域和完全保留的第二區(qū)域，第一區(qū)域暴露出光刻膠層下的碳膜層。

步驟105，以所述光刻膠層為掩膜，對(duì)所述第一區(qū)域暴露出的所述碳膜層的部分對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行改性處理，以得到包括改性處理后的區(qū)域的碳膜層。

在得到圖案化處理的光刻膠層后，根據(jù)碳膜層的材質(zhì)不同，以光刻膠層為掩膜，對(duì)光刻膠層的第一區(qū)域暴露出的碳膜層進(jìn)行相應(yīng)的改性處理，使得碳膜層包括改性處理后的區(qū)域的碳膜層。

步驟106，去除所述光刻膠層。

對(duì)碳膜層進(jìn)行改性處理后，不再需要光刻膠層，可以將光刻膠層去除，以便陣列基板進(jìn)入下一制程。去除光刻膠層可以采用濕法去膠和干法去膠，其中濕法去膠又分有機(jī)溶劑去膠和無(wú)機(jī)溶劑去膠。有機(jī)溶劑去膠，主要是使光刻膠層溶于有機(jī)溶劑而除去；無(wú)機(jī)溶劑去膠則是利用光刻膠層本身也是有機(jī)物的特點(diǎn)，通過(guò)一些無(wú)機(jī)溶劑，將光刻膠層中的碳元素氧化為二氧化碳而將其去除；干法去膠，則是用等離子體將光刻膠層剝除。

本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制備方法，在基板上形成碳膜層后只需要通過(guò)一次成膜和圖案化處理工藝，然后以光刻膠層為掩膜，對(duì)第一區(qū)域暴露出的碳膜層的部分對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行改性處理，同時(shí)得到包括改性處理后的區(qū)域的碳膜層，可用于同時(shí)制備像素界定層與像素電極，不需要再通過(guò)成膜和圖案化處理工藝來(lái)制作額外的像素界定層覆蓋像素電極邊緣，簡(jiǎn)化了陣列基板的制備工藝，節(jié)約了成本。

實(shí)施例二

圖3是本發(fā)明的一種陣列基板的制備方法的實(shí)施例二的流程圖。

如圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例的一種陣列基板的制備方法，包括：

步驟201，提供一基板，所述基板包括：襯底、柵極、柵極絕緣層、有源層、源極、漏極和鈍化層，所述鈍化層上設(shè)置有暴露所述漏極的漏極過(guò)孔。

步驟202，將氧化石墨烯分散在溶劑中形成懸浮液。

步驟203，將所述懸浮液涂布在所述鈍化層上，以及填充至暴露所述漏極的漏極過(guò)孔。

步驟204，對(duì)所述鈍化層上的懸浮液加熱，蒸發(fā)所述懸浮液中的溶劑，得到氧化石墨烯層。

具體而言，氧化石墨烯可以為粉劑，在制作氧化石墨烯層時(shí)，先將氧化石墨烯粉劑與溶劑進(jìn)行混合，溶劑可以選擇揮發(fā)性較強(qiáng)的乙醇等，同時(shí)還可以加入固化劑，例如聚甲基丙烯酸甲酯，加入固化劑的比例以能夠方便涂布、成膜為優(yōu)選，最終混合后得到氧化石墨烯懸浮液。

如圖4所示，可以通過(guò)印刷、噴墨打印或涂布的方式，在鈍化層6上形成均勻的一層氧化石墨烯懸浮液，以及將氧化石墨烯懸浮液填滿漏極過(guò)孔，隨后進(jìn)行加熱，蒸發(fā)氧化石墨烯懸浮液中的溶劑，在固化劑的作用下，在鈍化層6上形成氧化石墨烯層71。

步驟205，在所述碳膜層上形成一光刻膠層。

步驟206，對(duì)像素電極區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠層進(jìn)行曝光處理，形成曝光區(qū)域和非曝光區(qū)域。

步驟207，對(duì)所光刻膠層進(jìn)行顯影處理，所述曝光區(qū)域形成暴露出所述像素電極區(qū)域?qū)?yīng)的氧化石墨烯層的完全不保留的第一區(qū)域，所述非曝光區(qū)域形成覆蓋像素界定層區(qū)域?qū)?yīng)的氧化石墨烯層的完全保留的第二區(qū)域。

本發(fā)明實(shí)施例中，像素界定層區(qū)域和像素電極區(qū)域可以在光刻掩膜版上形成圖案，圖案化處理工藝的作用是將光刻掩膜版上的圖案復(fù)制到光刻膠層上，形成暴露出像素電極區(qū)域?qū)?yīng)的氧化石墨烯層的完全不保留的第一區(qū)域和覆蓋像素界定層區(qū)域?qū)?yīng)的氧化石墨烯層的完全保留的第二區(qū)域，以便后續(xù)可以以光刻膠層為掩膜，對(duì)第一區(qū)域暴露出的氧化石墨烯層進(jìn)行處理。

如圖5所示，可以先在氧化石墨烯層71上形成一層光刻膠層，光刻膠層初始時(shí)全面覆蓋氧化石墨烯層71，之后通過(guò)包含圖案的光刻掩膜版對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光，光刻膠層由于自身性質(zhì)，曝光后被光照部分由非可溶性物質(zhì)變?yōu)榭扇苄晕镔|(zhì)，如圖5所示，光刻膠層的完全不保留的第一區(qū)域(圖中缺口部分)由非可溶性物質(zhì)變?yōu)榭扇苄晕镔|(zhì)，在進(jìn)行顯影處理時(shí)，由于第一區(qū)域?yàn)榭扇苄晕镔|(zhì)，被清洗完全去除，形成了圖5中暴露出像素電極區(qū)域?qū)?yīng)的氧化石墨烯層的光刻膠層8，光刻膠層8的完全保留的第二區(qū)域覆蓋的氧化石墨烯層為像素界定層區(qū)域。

當(dāng)然，光刻膠層也可以是負(fù)膠，即被光照部分變成不可溶物質(zhì)，未被光照部分變?yōu)榭扇苄晕镔|(zhì)，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)光刻膠層是正膠還是負(fù)膠不做限制。

步驟208，以所述光刻膠層為掩膜，對(duì)所述第一區(qū)域暴露出的氧化石墨烯層進(jìn)行還原處理，得到材質(zhì)為石墨烯的像素電極，未被還原處理的第二區(qū)域覆蓋的氧化石墨烯層為像素界定層。

如圖6所示，對(duì)于光刻膠層8的第一區(qū)域暴露的氧化石墨烯層，可以使用氫、氬等等離子體處理，使氧化石墨烯還原為石墨烯，從而具有良好的導(dǎo)電性，可以作為像素電極9，而光刻膠層8的第二區(qū)域覆蓋的氧化石墨烯，未被還原處理仍然為氧化石墨烯，可以作為像素界定層7。

步驟209，去除所述光刻膠層。

如圖7所示，去除光刻膠層8后，氧化石墨烯還原為石墨烯的部分即為像素電極9，而氧化石墨烯層未被還原部分則為像素界定層7。

在得到像素電極9和像素界定層7之后，在像素電極9上制備oled發(fā)光器件后，進(jìn)行封裝，即可得到陣列基板。

可見(jiàn)，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制備方法，在形成碳膜層后只通過(guò)一次成膜和圖案化處理工藝同時(shí)制備得到像素界定層和像素電極，不需要再通過(guò)成膜和圖案化處理工藝來(lái)制作額外的像素界定層覆蓋像素電極邊緣，以防止制備oled發(fā)光器件時(shí)發(fā)生短路，簡(jiǎn)化了陣列基板的制作工藝，節(jié)約了成本，提高了品質(zhì)。

本發(fā)明實(shí)施例的像素電極與像素界定層遠(yuǎn)離襯底的表面與襯底平行且位于同一個(gè)連續(xù)的平面內(nèi)，解決了在制備陰極時(shí)，像素電極和像素界定層段差明顯、陰極過(guò)薄，造成陰極斷裂的問(wèn)題，提高了產(chǎn)品的良率。

實(shí)施例三

圖8是發(fā)明的一種陣列基板的制備方法的實(shí)施例三的流程圖。

如圖8所示，本發(fā)明實(shí)施例的一種陣列基板的制備方法，包括：

步驟301，提供一基板，所述基板包括：襯底、柵極、柵極絕緣層、有源層、源極、漏極和鈍化層，所述鈍化層上設(shè)置有暴露所述漏極的漏極過(guò)孔。

步驟302，通過(guò)濺射、熱蒸發(fā)、旋涂、噴涂或者狹縫涂布方式在所述鈍化層上形成石墨烯層，以及填充至暴露所述漏極的漏極過(guò)孔。

本發(fā)明實(shí)施例中，碳膜層為石墨烯層。

如圖9所示，可以通過(guò)濺射、熱蒸發(fā)、旋涂、噴涂或者狹縫涂布方式在鈍化層6上形成石墨烯層70，以及填充至漏極過(guò)孔。

步驟303，在所述碳膜層上形成一光刻膠層。

步驟304，對(duì)像素界定層區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠層區(qū)域進(jìn)行曝光處理，形成曝光區(qū)域和非曝光區(qū)域。

步驟305，對(duì)所光刻膠層進(jìn)行顯影處理，所述曝光區(qū)域形成暴露出所述像素界定層區(qū)域?qū)?yīng)的石墨烯層的完全不保留的第一區(qū)域，所述非曝光區(qū)域形成覆蓋像素電極對(duì)應(yīng)的石墨烯層的完全保留的第二區(qū)域。

本發(fā)明實(shí)施例中，像素界定層區(qū)域和像素電極區(qū)域可以在光刻掩膜版上形成圖案，圖案化處理工藝的作用是將光刻掩膜版上的圖案復(fù)制到光刻膠層上，以便后續(xù)可以以光刻膠層為掩膜，對(duì)光刻膠層暴露出的石墨烯層進(jìn)行處理。

如圖10所示，可以先在石墨烯層70上形成一層光刻膠層，光刻膠層初始時(shí)全面覆蓋石墨烯層70，之后通過(guò)包含圖案的光刻掩膜版對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光，光刻膠層由于自身性質(zhì)，曝光后被光照部分由非可溶性物質(zhì)變?yōu)榭扇苄晕镔|(zhì)，如圖10所示，光刻膠層上的第一區(qū)域(暴露石墨烯70的區(qū)域)由非可溶性物質(zhì)變?yōu)榭扇苄晕镔|(zhì)，在進(jìn)行顯影處理時(shí)，可溶性物質(zhì)部分被清洗完全去除，形成了圖10中暴露像素界定層區(qū)域的第一區(qū)域和覆蓋像素電極的第二區(qū)域的光刻膠層80。

當(dāng)然，光刻膠層也可以是負(fù)膠，即被光照部分變成不可溶物質(zhì)，未被光照部分變?yōu)榭扇苄晕镔|(zhì)，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)光刻膠層是正膠還是負(fù)膠不做限制。

步驟306，以所述光刻膠層為掩膜，對(duì)所述第一區(qū)域暴露出的石墨烯層進(jìn)行氧化處理得到材質(zhì)為氧化石墨烯的像素界定層，未被氧化處理的第二區(qū)域覆蓋的石墨烯層為像素電極。

如圖11所示，對(duì)于光刻膠層80的第一區(qū)域暴露的石墨烯層70，可以通過(guò)離子注入工藝，將氟離子注入到石墨烯層70中，使得第一區(qū)域暴露的石墨烯層70轉(zhuǎn)換為氧化石墨烯7，完成氧化處理，被光刻膠層80的第二區(qū)域覆蓋的石墨烯層，由于沒(méi)有氟離子注入，仍然為石墨烯，作為像素電極9。

步驟307，去除所述光刻膠層。

如圖12所示，在得到像素電極9和像素界定層7之后，去除像素界定層上的光刻膠層80后，在像素電極9上制備oled發(fā)光器件后，進(jìn)行封裝，即可得到陣列基板。

可見(jiàn)，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制備方法，形成碳膜層后只通過(guò)一次成膜和圖案化處理工藝同時(shí)制備得到像素界定層和像素電極，不需要再通過(guò)成膜和圖案化處理工藝來(lái)制作額外的像素界定層覆蓋像素電極邊緣，以防止制備oled發(fā)光器件時(shí)發(fā)生短路，簡(jiǎn)化了陣列基板的制作工藝，節(jié)約了成本，提高了品質(zhì)。

本發(fā)明實(shí)施例的像素電極與像素界定層遠(yuǎn)離襯底的表面與襯底平行且位于同一個(gè)連續(xù)的平面內(nèi)，解決了在制備陰極時(shí)，像素電極和像素界定層段差明顯、陰極過(guò)薄，造成陰極斷裂的問(wèn)題，提高了產(chǎn)品的良率。

實(shí)施例四

圖13是本發(fā)明實(shí)施例四的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖13所示，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板包括：襯底1，形成在襯底1上的柵極2，覆蓋柵極2的柵極絕緣層3，形成在柵極絕緣層3上的有源層4，形成在有源層4上的源極51和漏極52，覆蓋柵極絕緣層3、源極51和漏極52的鈍化層6，形成于鈍化層6上的像素界定層7和像素電極9，像素電極9通過(guò)鈍化層6的漏極過(guò)孔與漏極52電連接，其中，像素界定層7的材質(zhì)為氧化石墨烯，像素電極9的材質(zhì)為石墨烯。

優(yōu)選地，像素界定層7與像素電極9的遠(yuǎn)離襯底1的表面與襯底1平行且位于同一個(gè)連續(xù)的平面內(nèi)。

優(yōu)選地，像素界定層7和像素電極9通過(guò)一次成膜和圖案化處理工藝后，進(jìn)行改性處理形成于鈍化層6上。

石墨烯常溫下電子遷移率超過(guò)15000cm²/v·s，電阻率則在10⁶ω/m量級(jí)，是作為像素電極的良好材料，而氧化石墨烯則可由石墨烯氧化得到，也可以還原為石墨烯，氧化石墨烯具有很高的電阻率，是作為絕緣層的良好材料，可以作為像素界定層，具有良好的隔絕效果。

石墨烯的制備方法簡(jiǎn)單，可用來(lái)制作oled陽(yáng)極，成本較ito低，此外，與ito相比，石墨烯的電子遷移率較高，可以將電極做得更薄、更透明，導(dǎo)電性也更好，有利于超薄柔性oled顯示器發(fā)展趨勢(shì)。

可見(jiàn)，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板形成碳膜層后，可以通過(guò)一次成膜、圖案化處理工藝形成光刻膠層，以光刻膠層為掩膜進(jìn)行改性處理同時(shí)得到像素界定層和像素電極，簡(jiǎn)化了制備工藝，降低了制備成本。

本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的像素電極與像素界定層遠(yuǎn)離襯底的表面與襯底平行且位于同一個(gè)連續(xù)的平面內(nèi)，解決了在制備陰極時(shí)，像素電極和像素界定層段差明顯、陰極過(guò)薄，造成陰極斷裂的問(wèn)題，提高了產(chǎn)品的良率。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的陣列基板。

對(duì)于前述的各方法實(shí)施例，為了簡(jiǎn)單描述，故將其都表述為一系列的動(dòng)作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動(dòng)作順序的限制，因?yàn)橐罁?jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其他順序或者同時(shí)進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說(shuō)明書(shū)中所描述的實(shí)施例均屬于優(yōu)選實(shí)施例，所涉及的動(dòng)作和模塊并不一定是本發(fā)明所必須的。

本說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見(jiàn)即可。

最后，還需要說(shuō)明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開(kāi)來(lái)，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、商品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、商品或者設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)......”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、商品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上對(duì)本發(fā)明所提供的一種陣列基板的制備方法、陣列基板和顯示裝置，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。