本發(fā)明屬于光伏技術領域，具體是一種電池片生成熱氧化鈍化層的方法。
背景技術：
晶體硅太陽電池的高效轉換效率是在高質量的襯底硅材料基礎上得到的是晶體太陽能電池成的主要原因。為減低成本，降低電池片厚度成為體硅太陽電池發(fā)展的一個重要趨勢。隨著這一趨勢產生的問題就是電池表面復合嚴重化。這就為晶體硅表面鈍化技術提高挑戰(zhàn)。為了保證晶體硅太陽能表面鈍化技術的研究是必不可少的，今后晶體硅太陽能表面鈍化技術仍將是國內和國際研究的熱門問題之一。
可以說，當今高效晶體硅太陽電池都是利用良好的表面鈍化技術來降低半導體的表面活性，使表面的復合速率降低。其主要方式就是飽和半導體表面處的懸掛鍵。降低表面活性，增加表面的清潔程序，避免由于表面層引入雜質而形成復合中心，以此來降低少數(shù)載流子的表面復合速度。
技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是針對背景技術中存在的問題，提出一種電池片生成熱氧化鈍化層的方法。技術方案是將已經形成p-n結的硅片放入高溫爐中，硅片表面在高溫及催化劑作用下與氧化劑進行氧化反應生成一層sio2膜。
優(yōu)選的，所述氧化反應是采用閉管熱氧化方法，所述催化劑為hcl。
具體的，電池片制作的完整流程為：
s1：選取p型晶體硅片，將晶體硅片經過常規(guī)制絨、擴散、刻蝕工序；
s2：將p型晶體硅片放入氧化爐管中，采用閉管熱氧化方式，實現(xiàn)晶體硅片的正面氧化；
s3：再經過常規(guī)絲網印刷和快速燒結工序，制備獲得太陽能電池片。
優(yōu)選的，步驟s2中：將刻蝕后的p型晶體硅片放入氧化工序的石英管內，反應條件：o2：1-5l/m，n2：10-15l/m，hcl:120-150cc/m，時間t：10-20min，溫度t：700-780℃，本實施例生成的氧化層厚度：20-30nm。
優(yōu)選的，步驟s2中：將刻蝕后的p型晶體硅片放入氧化工序的石英管內，反應條件：o2：5-8l/m，n2：10-15l/m，hcl:90-120cc/m，時間t：20-30min，溫度t：600-750℃，本實施例生成的氧化層厚度：25-35nm。
本發(fā)明的有益效果
本發(fā)明在傳統(tǒng)電池工藝增加一道氧化工序，以形成一層致密性較好sio2氧化層，能夠起到一定鈍化的效果，降低表面活性，增加表面的清潔程序，避免由于表面層引入雜質而形成復合中心，以此來降低少數(shù)載流子的表面復合速度。進而提高電池片開壓，提高電池片效率。且本發(fā)明利用催化劑和氧化劑組合使用，可有效降低氧化層中na離子，以確保較好鈍化效果。
本方案中，采用氯氣作為氧化物，氯氧化有效降低氧化層中na離子，降低硅片表面復合。
具體實施方式
下面結合實施例對本發(fā)明作進一步說明，但本發(fā)明的保護范圍不限于此：
實施例1：
s1：選取p型晶體硅片(規(guī)格為156.75)，將晶體硅片經過常規(guī)制絨、擴散、刻蝕工序；
s2：將刻蝕后的p型晶體硅片放入氧化工序的石英管內，反應條件：o2：1-5l/m，n2：10-15l/m，hcl:120-150cc/m，時間t：10-20min，溫度t：700-780℃；
s3：再經過常規(guī)絲網印刷和快速燒結工序，制備獲得太陽能電池片。
實施例1所制備的太陽能高效電池，其氧化層(sio2膜)厚度為20-30nm。
實施例2：
s1：選取p型晶體硅片(規(guī)格為156.75)，將晶體硅片經過常規(guī)制絨、擴散、刻蝕工序；
s2：將刻蝕后的p型晶體硅片放入氧化工序的石英管內，反應條件：o2：5-8l/m，n2：10-15l/m，hcl:120-150cc/m時間t：20-30min，溫度t：600-750℃；
s3：再經過常規(guī)絲網印刷和快速燒結工序，制備獲得太陽能電池片。
實施例2所制備的太陽能高效電池，其氧化層(sio2膜)厚度為25-35nm。
相較于現(xiàn)有技術中采用熱氧化法或等離子體增強化學相沉淀積(pecvd)來實現(xiàn)晶體硅太陽電池表面鈍化而言，摻氯氧化有效降低氧化層中na離子，降低硅片表面復合。
且利用催化劑，可在可有效降低氧化層中na離子，以確保較好鈍化效果。
本文中所描述的具體實施例僅僅是對本發(fā)明精神做舉例說明。本發(fā)明所屬技術領域的技術人員可以對所描述的具體實施例做各種各樣的修改或補充或采用類似的方式替代，但并不會偏離本發(fā)明的精神或者超越所附權利要求書所定義的范圍。