本發(fā)明涉及石英晶片加工技術(shù)領(lǐng)域，具體的說，涉及了一種石英晶片去污裝置和石英晶片去污方法。

背景技術(shù)：

石英晶片是電子元器件中最為重要的元件，石英晶片在生產(chǎn)流程中需要經(jīng)過多道處理工序，而制取的石英晶片在加工過程中有一項參數(shù)指標非常重要，即激勵功率依賴性，具體是指諧振器在不同激勵功率下，晶片石英晶片的頻率和電阻所表現(xiàn)的不同變化量，而諧振器產(chǎn)生激勵功率依賴性的主要原因是晶片受到污染所致，而現(xiàn)有的石英晶片去污方法普遍存在清潔不充分現(xiàn)象。

為了解決以上存在的問題，人們一直在尋求一種理想的技術(shù)解決方案。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，從而提供一種實用性強、操作簡單、去污效果好的石英晶片去污裝置和石英晶片去污方法。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：一種石英晶片去污方法，其步驟包括：

石英晶片分裝：提供一種清洗筐，將具有相同頻率的石英晶片置于所述清洗筐中；

酸洗：首先采用水浴槽將酸洗液加熱至40℃～100℃，然后將所述清洗筐連同置于其中的所述石英晶片一起浸入所述酸洗液中進行恒溫酸洗浸泡處理，得到酸洗石英晶片；

熱水淋洗：采用40℃～90℃的熱水對所述清洗筐連同置于其中的所述酸洗石英晶片進行淋洗處理，得到淋洗石英晶片；

清洗干燥：將所述淋洗石英晶片從所述清洗筐中取出，然后依次對所述淋洗石英晶片進行超聲清洗、脫水干燥處理，得到潔凈的石英晶片。

本發(fā)明還提供一種石英晶片去污裝置，它包括水浴槽、清洗容器和清洗筐，所述水浴槽上固定設置有容器固定孔，所述清洗容器可拆卸設置于所述容器固定孔內(nèi)，所述清洗筐可拆卸設置于所述清洗容器中，所述清洗筐上開設有多個透液孔。

基于上述，所述清洗筐的高度小于所述清洗容器的高度。

基于上述，所述清洗容器的頂部上還設置有密封蓋。

基于上述，所述清洗筐為桶狀結(jié)構(gòu)，所述清洗筐包括筐底和環(huán)繞所述筐底四周設置的筐壁，所述筐底和筐壁上分別設置有多個所述透液孔。

基于上述，位于所述清洗筐的筐底上的多個所述透液孔呈多個同心圓形式排布。

基于上述，位于所述清洗筐的筐壁上的多個所述透液孔以多個間隔設置的矩陣形式排布。

基于上述，所述清洗筐為聚四氟乙烯清洗筐。

基于上述，所述清洗容器為燒杯。

本發(fā)明相對現(xiàn)有技術(shù)具有突出的實質(zhì)性特點和顯著的進步，具體的說，本發(fā)明所提供的石英晶片去污方法中，首先采用內(nèi)部設置清洗筐結(jié)構(gòu)的石英晶片去污裝置對經(jīng)過腐蝕加工后的石英晶片進行酸洗，然后對酸洗后的石英晶片依次進行熱水淋洗處理、超聲清洗和脫水干燥處理，有效避免了石英晶片的二次污染，從而保證了石英晶片的潔凈度，該方法能有效消除石英晶片經(jīng)腐蝕加工后產(chǎn)生的污染現(xiàn)象，避免了因石英晶片污染導致的激勵功率依賴性偏高的現(xiàn)象。本發(fā)明所提供的石英晶片去污裝置，該裝置方便了從酸洗液中取出石英晶片和后續(xù)對石英晶片進行熱水淋洗和超聲波清洗，實現(xiàn)了一個裝置可對石英晶片進行多個工藝處理，減少了拿取石英晶片過程對石英晶片的污染，且該裝置還具有結(jié)構(gòu)簡單，使用方便快捷等優(yōu)點。

附圖說明

圖1是本發(fā)明提供的石英晶片去污裝置處于聚四氟乙烯清洗筐未完全放入燒杯內(nèi)部的裝配狀態(tài)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明提供的石英晶片去污裝置的水浴槽的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明提供的石英晶片去污裝置中聚四氟乙烯清洗筐的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本發(fā)明提供的石英晶片去污裝置中的燒杯結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是本發(fā)明提供的石英晶片去污方法流程圖。

圖中：1、水浴槽；12、燒杯固定孔；2、燒杯；21、密封蓋；3、聚四氟乙烯清洗筐；31、透液孔；32、筐壁；33、筐底。

具體實施方式

下面通過具體實施方式，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進一步的詳細描述。

實施例1

本實施例首先提供一種石英晶片去污裝置，如圖1和圖2所示，它包括水浴槽1、十五個燒杯2和十五個聚四氟乙烯清洗筐3。所述水浴槽1上部設置十五個燒杯固定孔12，各所述燒杯2可拆卸設置在所述燒杯固定孔12內(nèi)，各所述聚四氟乙烯清洗筐3可拆洗設置在所述燒杯2中，所述聚四氟乙烯清洗筐3上開設有透液孔31。其中，所述燒杯2中加入酸洗液。

具體地，如圖3所示，所述聚四氟乙烯清洗筐3形狀為桶狀結(jié)構(gòu)，包括筐底33和環(huán)繞所述筐底33四周設置的筐壁32，所述筐底33和筐壁32上分別設置有多個所述透液孔31。其中，位于所述清洗筐的筐底33上的多個所述透液孔31呈多個同心圓形式排布。位于所述清洗筐的筐壁32上的多個所述透液孔31以多個間隔設置的矩陣形式排布。

為了能將所述聚四氟乙烯清洗筐3完全置于所述燒杯2中，所述聚四氟乙烯清洗筐3的高度小于所述燒杯2的高度，所述聚四氟乙烯清洗筐3的內(nèi)徑小于所述燒杯2的內(nèi)徑。如圖4所示，為了能對石英晶片進行密封酸洗，所述燒杯2頂部還設置有密封蓋21。

本實施例還提供一種利用上述石英晶片去污裝置進行石英晶片去污的方法，如圖5所示，其步驟包括：

石英晶片分裝：首先采用石英晶片頻率自動分選機對石英晶片進行篩分處理，然后將篩分后的相同頻率的石英晶片置于所述聚四氟乙烯清洗筐3中；

酸洗：將所述燒杯2置于所述燒杯固定孔12中，并向所述燒杯2中加入酸洗液并用所述燒杯密封蓋21進行密封；并向所述水浴槽1中加入水，開啟所述水浴槽1對酸洗液進行加熱至80℃；然后把待清洗的石英晶片放入所述聚四氟乙烯清洗筐3中，然后將所述聚四氟乙烯清洗筐3連同置于其中的所述待清洗的石英晶片一起浸入所述酸洗液中進行恒溫酸洗浸泡處理，得到酸洗石英晶片；

熱水淋洗：將所述酸洗石英晶片連同所述聚四氟乙烯清洗筐3一起從所述酸洗液中取出，采用70℃的熱水對所述聚四氟乙烯清洗筐3連同置于其中的所述酸洗石英晶片進行淋洗處理，得到淋洗石英晶片；

清洗干燥：將熱水淋洗處理后的酸洗石英晶片從所述聚四氟乙烯清洗筐3中取出，然后依次對所述熱水淋洗處理后的酸洗石英晶片進行超聲清洗、脫水干燥處理，并經(jīng)潔凈度檢測后進行封裝處理，從而得到潔凈石英晶片。

最后應當說明的是：以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對其限制；盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應當理解：依然可以對本發(fā)明的具體實施方式進行修改或者對部分技術(shù)特征進行等同替換；而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神，其均應涵蓋在本發(fā)明請求保護的技術(shù)方案范圍當中。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種石英晶片去污方法，其步驟包括：將相同頻率的石英晶片置于清洗筐中進行酸洗浸泡處理，得到酸洗石英晶片；采用熱水對所述清洗筐連同置于其中的所述酸洗石英晶片進行淋洗處理，得到淋洗石英晶片；最后依次對所述淋洗石英晶片進行超聲清洗、脫水干燥處理，得到潔凈的石英晶片。該方法能有效消除石英晶片經(jīng)腐蝕加工后產(chǎn)生的污染現(xiàn)象，避免了因石英晶片污染導致的激勵功率依賴性偏高的現(xiàn)象。本發(fā)明還提供一種石英晶片去污裝置，該裝置方便了從酸洗液中取出石英晶片和后續(xù)對石英晶片進行熱水淋洗和超聲波清洗，減少了去污清洗過程中石英晶片的二次污染，且該裝置還具有結(jié)構(gòu)簡單，使用方便快捷等優(yōu)點。

技術(shù)研發(fā)人員：申紅衛(wèi);李健;翟艷飛
受保護的技術(shù)使用者：濟源石晶光電頻率技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.11
技術(shù)公布日：2017.07.21