本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板、顯示裝置。

背景技術(shù)：

顯示裝置中的陣列基板包括：襯底基板以及設(shè)置在襯底基板一側(cè)的多個(gè)陣列排布的像素單元，每個(gè)像素單元可以包括薄膜晶體管、像素電極、公共電極和液晶。

相關(guān)技術(shù)中，通常通過薄膜晶體管向像素電極輸入不同的電壓，從而改變液晶的偏轉(zhuǎn)程度，調(diào)整像素單元的透光率，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)顯示裝置顯示圖像的功能。示例的，薄膜晶體管可以包括：依次疊加在襯底基板上的柵極圖案、柵絕緣層、有源層圖案和源漏極圖案。源漏極圖案與有源層圖案相連接，像素電極與源漏極圖案中的漏極相連接，柵極圖案和源漏極圖案的材質(zhì)均可以為金屬，有源層圖案的材質(zhì)可以為氧化物半導(dǎo)體。

相關(guān)技術(shù)中，源漏極圖案與柵極圖案的材質(zhì)均為表面反光能力較強(qiáng)的金屬，從襯底基板入射的光線能夠在源漏極圖案和柵極圖案的反光作用下射入有源層圖案。當(dāng)射入有源層圖案的光線的能量達(dá)到有源層圖案的禁帶寬度時(shí)，有源層圖案的伏安特性曲線會發(fā)生偏移，影響薄膜晶體管的正常工作。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決有源層圖案的伏安特性曲線會發(fā)生偏移，影響薄膜晶體管的正常工作的問題，本申請?zhí)峁┝吮∧ぞw管及其制造方法、陣列基板、顯示裝置。所述技術(shù)方案如下：

第一方面，提供了一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：依次疊加的柵極圖案、柵絕緣層、有源層圖案、源極圖案以及漏極圖案，

所述源極圖案中朝向所述柵絕緣層的表面、所述漏極圖案中朝向所述柵絕緣層的表面以及所述柵極圖案中朝向所述柵絕緣層的表面中，存在至少一個(gè)表面為目標(biāo)表面，所述目標(biāo)表面能夠?qū)ι淙胨瞿繕?biāo)表面的光線進(jìn)行漫反射，以阻止部分光線射入所述有源層圖案。

可選的，所述源極圖案包括：設(shè)置在所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極圖案一側(cè)的第一目標(biāo)圖案，以及設(shè)置在所述第一目標(biāo)圖案遠(yuǎn)離所述柵極圖案一側(cè)的第一電極主體圖案；

所述漏極圖案包括：設(shè)置在所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極圖案一側(cè)的第二目標(biāo)圖案，以及設(shè)置在所述第二目標(biāo)圖案遠(yuǎn)離所述柵極圖案一側(cè)的第二電極主體圖案；

所述第一目標(biāo)圖案中朝向所述柵絕緣層的表面，以及所述第二目標(biāo)圖案中朝向所述柵絕緣層的表面均為所述目標(biāo)表面。

可選的，所述有源層圖案的材質(zhì)為氧化物半導(dǎo)體，所述第一目標(biāo)圖案的材質(zhì)和所述第二目標(biāo)圖案的材質(zhì)均為還原態(tài)的氧化物半導(dǎo)體，

所述第一目標(biāo)圖案和所述第二目標(biāo)圖案均圍繞所述有源層圖案設(shè)置，且與所述有源層圖案不連接，所述第一電極主體圖案和所述第二電極主體圖案均與所述有源層圖案相連接。

可選的，所述柵極圖案包括：第三電極主體圖案，以及設(shè)置在所述第三電極主體圖案一側(cè)的第三目標(biāo)圖案，所述柵絕緣層設(shè)置在所述第三目標(biāo)圖案遠(yuǎn)離所述第三電極主體圖案的一側(cè)，所述第三目標(biāo)圖案中遠(yuǎn)離所述第三電極主體圖案的表面為所述目標(biāo)表面。

第二方面，提供了另一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：柵極圖案、柵絕緣層、有源層圖案、源漏極圖案以及光吸收圖案，

其中，所述柵極圖案、所述柵絕緣層、所述有源層圖案以及所述源漏極圖案依次疊加，所述光吸收圖案設(shè)置在所述柵絕緣層的至少一側(cè)，所述光吸收圖案能夠?qū)ι淙胨龉馕請D案的光線進(jìn)行吸收；

所述光吸收圖案在所述柵絕緣層上的正投影區(qū)域?yàn)槟繕?biāo)區(qū)域，所述源漏極圖案在所述柵絕緣層上的正投影區(qū)域與所述有源層圖案在所述柵絕緣層上的正投影區(qū)域組成參考區(qū)域，所述目標(biāo)區(qū)域與所述參考區(qū)域存在重疊。

可選的，所述光吸收圖案設(shè)置在所述柵絕緣層靠近所述柵極圖案的一側(cè)，且所述光吸收圖案覆蓋所述柵極圖案；

或者，所述光吸收圖案設(shè)置在所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極圖案的一側(cè)，且所述目標(biāo)區(qū)域與所述有源層圖案在所述柵絕緣層上的正投影區(qū)域重合；

或者，所述光吸收圖案設(shè)置在所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極圖案的一側(cè)，所述目標(biāo)區(qū)域與所述有源層圖案在所述柵絕緣層上的正投影區(qū)域不重疊，且與所述源漏極圖案在所述柵絕緣層上的正投影區(qū)域存在重疊。

第三方面，提供了一種薄膜晶體管的制造方法，所述方法包括：

制造包括依次疊加的柵極圖案、柵絕緣層、有源層圖案、源極圖案以及漏極圖案的薄膜晶體管，所述源極圖案中朝向所述柵絕緣層的表面、所述漏極圖案中朝向所述柵絕緣層的表面以及所述柵極圖案中朝向所述柵絕緣層的表面中，存在至少一個(gè)表面為目標(biāo)表面，所述目標(biāo)表面能夠?qū)ι淙胨瞿繕?biāo)表面的光線進(jìn)行漫反射，以阻止部分光線射入所述有源層圖案。

可選的，所述源極圖案包括：設(shè)置在所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極圖案一側(cè)的第一目標(biāo)圖案，以及設(shè)置在所述第一目標(biāo)圖案遠(yuǎn)離所述柵極圖案一側(cè)的第一電極主體圖案，所述漏極圖案包括：設(shè)置在所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極圖案一側(cè)的第二目標(biāo)圖案，以及設(shè)置在所述第二目標(biāo)圖案遠(yuǎn)離所述柵極圖案一側(cè)的第二電極主體圖案；

所述制造包括依次疊加的柵極圖案、柵絕緣層、有源層圖案、源極圖案以及漏極圖案的薄膜晶體管，包括：

形成柵極圖案；

在所述柵極圖案的一側(cè)形成所述柵絕緣層；

在所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極圖案的一側(cè)形成所述有源層圖案、所述第一目標(biāo)圖案和所述第二目標(biāo)圖案，所述第一目標(biāo)圖案中朝向所述柵絕緣層的表面，以及所述第二目標(biāo)圖案中朝向所述柵絕緣層的表面均為所述目標(biāo)表面；

在所述第一目標(biāo)圖案遠(yuǎn)離所述柵極圖案一側(cè)形成所述第一電極主體圖案，以及在所述第二目標(biāo)圖案遠(yuǎn)離所述柵絕緣層的一側(cè)形成所述第二電極主體圖案。

可選的，所述在所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極圖案的一側(cè)形成所述有源層圖案、所述第一目標(biāo)圖案和所述第二目標(biāo)圖案，包括：

在所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極圖案的一側(cè)形成氧化物半導(dǎo)體材質(zhì)層；

在所述氧化物半導(dǎo)體材質(zhì)層遠(yuǎn)離所述柵極圖案的一側(cè)形成光刻膠層；

采用灰度掩膜板對所述光刻膠層進(jìn)行曝光處理和顯影處理，得到光刻膠圖案，所述光刻膠圖案包括第一光刻膠區(qū)、兩個(gè)第二光刻膠區(qū)和光刻膠完全去除區(qū)，且所述第一光刻膠區(qū)的光刻膠厚度大于所述第二光刻膠區(qū)的光刻膠厚度；

透過所述光刻膠圖案對所述氧化物半導(dǎo)體材質(zhì)層進(jìn)行刻蝕處理，去除與所述光刻膠完全去除區(qū)對應(yīng)的氧化物半導(dǎo)體，得到與所述第一光刻膠區(qū)對應(yīng)的第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)，以及與所述兩個(gè)第二光刻膠區(qū)對應(yīng)的兩個(gè)第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)；

對所述光刻膠圖案進(jìn)行灰化處理，去除所述兩個(gè)第二光刻膠區(qū)的光刻膠，并減薄所述第一光刻膠區(qū)的光刻膠；

對所述兩個(gè)第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)的氧化物半導(dǎo)體進(jìn)行還原處理，得到所述第一目標(biāo)圖案和所述第二目標(biāo)圖案，所述第一目標(biāo)圖案的材質(zhì)和所述第二目標(biāo)圖案的材質(zhì)均為還原態(tài)的氧化物半導(dǎo)體；

剝離所述第一光刻膠區(qū)的光刻膠，得到所述有源層圖案，所述有源層圖案包括所述第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的氧化物半導(dǎo)體。

可選的，所述第一目標(biāo)圖案和所述第二目標(biāo)圖案均圍繞所述有源層圖案設(shè)置，且與所述有源層圖案不連接，所述第一電極主體圖案和所述第二電極主體圖案均與所述有源層圖案相連接。

可選的，所述柵極圖案包括：第三電極主體圖案，以及設(shè)置在所述第三電極主體圖案一側(cè)的第三目標(biāo)圖案，

所述制造包括依次疊加的柵極圖案、柵絕緣層、有源層圖案、源極圖案以及漏極圖案的薄膜晶體管，包括：

形成所述第三電極主體圖案；

在所述第三電極主體圖案的一側(cè)形成所述第三目標(biāo)圖案，所述第三目標(biāo)圖案中遠(yuǎn)離所述第三電極主體圖案的表面為所述目標(biāo)表面；

在所述第三目標(biāo)圖案遠(yuǎn)離所述第三電極主體的一側(cè)形成所述柵絕緣層；

在所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述第三電極主體圖案的一側(cè)形成所述有源層圖案；

在所述有源層圖案遠(yuǎn)離所述柵極圖案一側(cè)形成所述源極圖案和所述漏極圖案。

第四方面，提供了另一種薄膜晶體管的制造方法，所述方法包括：

制造包括柵極圖案、柵絕緣層、有源層圖案、源漏極圖案以及光吸收圖案的薄膜晶體管；

其中，所述柵極圖案、所述柵絕緣層、所述有源層圖案以及所述源漏極圖案依次疊加，所述光吸收圖案設(shè)置在所述柵絕緣層的至少一側(cè)，所述光吸收圖案能夠?qū)ι淙胨龉馕請D案的光線進(jìn)行吸收；

所述光吸收圖案在所述柵絕緣層上的正投影區(qū)域?yàn)槟繕?biāo)區(qū)域，所述源漏極圖案在所述柵絕緣層上的正投影區(qū)域與所述有源層圖案在所述柵絕緣層上的正投影區(qū)域組成參考區(qū)域，所述目標(biāo)區(qū)域與所述參考區(qū)域存在重疊。

可選的，所述光吸收圖案設(shè)置在所述柵絕緣層靠近所述柵極圖案的一側(cè)，且所述光吸收圖案覆蓋所述柵極圖案；

或者，所述光吸收圖案設(shè)置在所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極圖案的一側(cè)，且所述目標(biāo)區(qū)域與所述有源層圖案在所述柵絕緣層上的正投影區(qū)域重合；

或者，所述光吸收圖案設(shè)置在所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極圖案的一側(cè)，所述目標(biāo)區(qū)域與所述有源層圖案在所述柵絕緣層上的正投影區(qū)域不重疊，且與所述源漏極圖案在所述柵絕緣層上的正投影區(qū)域存在重疊。

第五方面，提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括第一方面或第二方面所述的薄膜晶體管。

第六方面，提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括第五方面所述的陣列基板。

本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案帶來的有益效果是：

由于薄膜晶體管中，源漏極圖案中朝向所述柵極圖案的表面以及柵極圖案中朝向源漏極圖案的表面包括目標(biāo)表面，且目標(biāo)表面能夠?qū)ι淙肽繕?biāo)表面的光線進(jìn)行漫反射，以阻止部分光線射入有源層圖案，從而減少了射入有源層圖案的目標(biāo)光線的光線量，減小了有源層圖案的伏安特性曲線偏移的程度，從而減弱了目標(biāo)光線對薄膜晶體管正常工作的影響程度。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種第一目標(biāo)圖案、第二目標(biāo)圖案與有源層圖案的設(shè)置位置示意圖；

圖3-1為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-2為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-3為本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-4為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-5為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的另一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3-6為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的又一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的再一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明又一實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明又一實(shí)施例提供的另一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的制造方法的方法流程圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種薄膜晶體管的制造方法的方法流程圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一種薄膜晶體管的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二種薄膜晶體管的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的第三種薄膜晶體管的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的第四種薄膜晶體管的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的第五種薄膜晶體管的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14為本發(fā)明實(shí)施例提供的第六種薄膜晶體管的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15為本發(fā)明實(shí)施例提供的第七種薄膜晶體管的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖16為本發(fā)明實(shí)施例提供的第八種薄膜晶體管的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖17為本發(fā)明實(shí)施例提供的第九種薄膜晶體管的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖18為本發(fā)明實(shí)施例提供的第十種薄膜晶體管的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖19為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種薄膜晶體管的制造方法的方法流程圖；

圖20為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本申請的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本申請實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，薄膜晶體管可以包括：依次疊加的柵極圖案01、柵絕緣層02、有源層圖案03源極圖案04以及漏極圖案05。

源極圖案04中朝向柵絕緣層02的表面、漏極圖案05中朝向柵絕緣層02的表面以及柵極圖案01中朝向柵絕緣層02的表面中，存在至少一個(gè)目標(biāo)表面x，目標(biāo)表面x能夠?qū)ι淙肽繕?biāo)表面的光線進(jìn)行漫反射，以阻止部分光線射入有源層圖案03。

綜上所述，由于本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，源極圖案中朝向柵絕緣層的表面、漏極圖案中朝向柵絕緣層的表面以及柵極圖案中朝向柵絕緣層的表面包括目標(biāo)表面，且目標(biāo)表面能夠?qū)ι淙肽繕?biāo)表面的光線進(jìn)行漫反射，以阻止部分光線射入有源層圖案，從而減少了射入有源層圖案的目標(biāo)光線的光線量，減小了有源層圖案的伏安特性曲線偏移的程度，從而減弱了目標(biāo)光線對薄膜晶體管正常工作的影響程度。

一方面，請繼續(xù)參考圖1，源極圖案04可以包括：設(shè)置在柵絕緣層02遠(yuǎn)離柵絕緣層02一側(cè)的第一目標(biāo)圖案041，以及設(shè)置在第一目標(biāo)圖案041遠(yuǎn)離柵絕緣層02一側(cè)的第一電極主體圖案042；漏極圖案05可以包括：設(shè)置在柵絕緣層02遠(yuǎn)離柵絕緣層02一側(cè)的第二目標(biāo)圖案051，以及設(shè)置在第二目標(biāo)圖案051遠(yuǎn)離柵絕緣層02一側(cè)的第二電極主體圖案052；第一目標(biāo)圖案041中朝向柵絕緣層02的表面以及第二目標(biāo)圖案052中朝向柵絕緣層02的表面均為目標(biāo)表面x。像素電極可以通過與第二電極主體圖案052連接，實(shí)現(xiàn)與薄膜晶體管的連接。也即是，當(dāng)光線射入第一目標(biāo)圖案041和第二目標(biāo)圖案051時(shí)，光線能夠在第一目標(biāo)圖案041和第二目標(biāo)圖案051上的目標(biāo)表面x上進(jìn)行漫反射，從而使得部分光線無法射入柵極圖案01，更無法被柵極圖案01反射至有源層圖案03，進(jìn)而阻止部分光線射入有源層圖案03。

可選的，有源層圖案03的材質(zhì)可以為氧化物半導(dǎo)體，第一目標(biāo)圖案041的材質(zhì)和第二目標(biāo)圖案051的材質(zhì)均可以為還原態(tài)的氧化物半導(dǎo)體。還原態(tài)的氧化物半導(dǎo)體的表面比較粗糙，可以實(shí)現(xiàn)對光線的漫反射。示例的，氧化物半導(dǎo)體可以為銦鎵鋅氧化物(英文：indiumgalliumzincoxide；簡稱：igzo)。氧化物半導(dǎo)體作為有源層材料，相比傳統(tǒng)的非晶硅材料具有載流子遷移率高、制備溫度低、大面積均勻性優(yōu)良、光學(xué)透過率高等優(yōu)勢，這些優(yōu)勢也決定了氧化物薄膜晶體管適用于制備高分辨率的顯示器件。

非晶銦鎵鋅氧化物是一種典型的透明金屬氧化物半導(dǎo)體，在可見光波段具有較好的透光性，在420納米以上的波長的光照射非晶銦鎵鋅氧化物材料的有源層圖案時(shí)，薄膜晶體管的伏安特性曲線較穩(wěn)定，但是對于波長低于450納米的紫外光照射時(shí)，由于紫外光的能量已經(jīng)高于非晶銦鎵鋅氧化物材料的有源層圖案的禁帶寬度(3.2電子伏特～3.6電子伏特)，因此薄膜晶體管的伏安特性曲線會大幅度漂移，很不穩(wěn)定。而本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，目標(biāo)表面能夠?qū)ι淙肽繕?biāo)表面的光線進(jìn)行漫反射，以阻止部分光線射入有源層圖案，從而減少了射入有源層圖案的目標(biāo)光線的光線量，減小了有源層圖案的伏安特性曲線偏移的程度。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種第一目標(biāo)圖案、第二目標(biāo)圖案與有源層圖案的設(shè)置位置示意圖，如圖2所示，第一目標(biāo)圖案041和第二目標(biāo)圖案051均可以圍繞有源層圖案03設(shè)置，且第一目標(biāo)圖案041和第二目標(biāo)圖案051均與有源層圖案03不連接，第一電極主體圖案042和第二電極主體圖案052均可以與有源層圖案03相連接。也即是，為了盡可能的阻止更多的光線進(jìn)入有源層圖案03，可以將第一目標(biāo)圖案041和第二目標(biāo)圖案051均圍繞有源層圖案03設(shè)置，且為了保證有源層圖案03的特性不受到第一目標(biāo)圖案041和第二目標(biāo)圖案051的影響，可以設(shè)置第一目標(biāo)圖案041和第二目標(biāo)圖案051均與有源層圖案03不相連接。

另一方面，圖3-1為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3-1所示，柵極圖案01可以包括：第三電極主體圖案011，以及設(shè)置在第三電極主體圖案011一側(cè)的第三目標(biāo)圖案012，柵絕緣層02設(shè)置在第三目標(biāo)圖案012遠(yuǎn)離第三電極主體圖案011的一側(cè)，第三目標(biāo)圖案012中遠(yuǎn)離第三電極主體圖案011的表面為目標(biāo)表面x。也即是，當(dāng)光線射入第三目標(biāo)圖案012時(shí)，光線能夠在第三目標(biāo)圖案012上的目標(biāo)表面x上進(jìn)行漫反射，從而使得部分光線無法射入源層圖案03，從而阻止部分光線射入有源層圖案03。可選的，第三目標(biāo)圖案012的材質(zhì)可以為導(dǎo)電材質(zhì)或絕緣材質(zhì)，且第三目標(biāo)圖案012遠(yuǎn)離柵極圖案01的表面是凹凸不平的，也即第三目標(biāo)圖案012遠(yuǎn)離柵極圖案01的表面為目標(biāo)表面x?？蛇x的，第三目標(biāo)圖案012的材質(zhì)可以與柵絕緣層02的材質(zhì)相同。

可選的，圖3-2為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3-2所示，源極圖案04包括：第一目標(biāo)圖案041和第一電極主體圖案042，漏極圖案05包括：第二目標(biāo)圖案051和第二電極主體圖案052，柵極圖案01包括：第三電極主體圖案011以及第三目標(biāo)圖案012，且第一目標(biāo)圖案041中朝向柵絕緣層02的表面、第二目標(biāo)圖案051中朝向柵絕緣層02的表面以及第三目標(biāo)圖案012中遠(yuǎn)離第三電極主體圖案011的表面均為目標(biāo)表面x。

可選的，圖3-3為本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3-2所示，源極圖案04包括：第一目標(biāo)圖案041和第一電極主體圖案042，柵極圖案01包括：第三電極主體圖案011以及第三目標(biāo)圖案012，且第一目標(biāo)圖案041中朝向柵絕緣層02的表面以及第三目標(biāo)圖案012中遠(yuǎn)離第三電極主體圖案011的表面均為目標(biāo)表面x。

可選的，圖3-4為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3-2所示，漏極圖案05包括：第二目標(biāo)圖案051和第二電極主體圖案052，柵極圖案01包括：第三電極主體圖案011以及第三目標(biāo)圖案012，且第二目標(biāo)圖案051中朝向柵絕緣層02的表面以及第三目標(biāo)圖案012中遠(yuǎn)離第三電極主體圖案011的表面均為目標(biāo)表面x。

可選的，圖3-5為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的另一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3-2所示，源極圖案04包括：第一目標(biāo)圖案041和第一電極主體圖案042，且第一目標(biāo)圖案041中朝向柵絕緣層02的表面為目標(biāo)表面x。

可選的，圖3-6為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的又一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3-2所示，漏極圖案05包括：第二目標(biāo)圖案051和第二電極主體圖案052，且第二目標(biāo)圖案051中朝向柵絕緣層02的表面為目標(biāo)表面x。

可選的，本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管(如圖1、圖3-1、圖3-2、圖3-3、圖3-4、圖3-5和圖3-6所示的薄膜晶體管)均還可以包括鈍化層y，且像素電極z可以通過鈍化層y上的過孔與源漏極圖案04相連接。本發(fā)明實(shí)施例中以薄膜晶體管設(shè)置在襯底基板w上為例，本發(fā)明實(shí)施例對此不做限定。

綜上所述，由于本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，源極圖案中朝向柵絕緣層的表面、漏極圖案中朝向柵絕緣層的表面以及柵極圖案中朝向柵絕緣層的表面包括目標(biāo)表面，且目標(biāo)表面能夠?qū)ι淙肽繕?biāo)表面的光線進(jìn)行漫反射，以阻止部分光線射入有源層圖案，從而減少了射入有源層圖案的目標(biāo)光線的光線量，減小了有源層圖案的伏安特性曲線偏移的程度，從而減弱了目標(biāo)光線對薄膜晶體管正常工作的影響程度。

圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的再一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4所示，薄膜晶體管可以包括：柵極圖案01、柵絕緣層02、有源層圖案03、源漏極圖案(包括源極圖案04和漏極圖案05)以及光吸收圖案06。

其中，柵極圖案01、柵絕緣層02、有源層圖案03以及源漏極圖案依次疊加，光吸收圖案06設(shè)置在柵絕緣層02的至少一側(cè)，光吸收圖案06能夠?qū)ι淙牍馕請D案06的光線進(jìn)行吸收，以阻止光線(全部光線或部分光線)射入有源層圖案。

光吸收圖案06在柵絕緣層02上的正投影區(qū)域?yàn)槟繕?biāo)區(qū)域a，源漏極圖案在柵絕緣層02上的正投影區(qū)域與有源層圖案03在柵絕緣層02上的正投影區(qū)域組成參考區(qū)域b，目標(biāo)區(qū)域a與參考區(qū)域b存在重疊。

綜上所述，由于本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管包括光吸收圖案，且光吸收圖案在柵絕緣層上的正投影區(qū)域?yàn)槟繕?biāo)區(qū)域，源漏極圖案在柵絕緣層上的正投影區(qū)域和有源層圖案在柵絕緣層上的正投影區(qū)域組成參考區(qū)域，目標(biāo)區(qū)域與參考區(qū)域存在重疊，從而使得射入有源層與柵極圖案之間的光線能夠被光吸收圖案吸收，減少了射入有源層圖案的目標(biāo)光線的光線量，減小了有源層圖案的伏安特性曲線偏移的程度，從而減弱了目標(biāo)光線對薄膜晶體管正常工作的影響程度。

可選的，圖4中以光吸收圖案06設(shè)置在柵絕緣層02靠近柵極圖案01的一側(cè)，且光吸收圖案06覆蓋柵極圖案01為例。

實(shí)際應(yīng)用中，圖5為本發(fā)明又一實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖5所示，光吸收圖案06還可以設(shè)置在柵絕緣層02遠(yuǎn)離柵極圖案01的一側(cè)，且目標(biāo)區(qū)域a與有源層圖案03在柵絕緣層02上的正投影區(qū)域重合。

或者，圖6為本發(fā)明又一實(shí)施例提供的另一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6所示，光吸收圖案06可以設(shè)置在柵絕緣層02遠(yuǎn)離柵極圖案01的一側(cè)，目標(biāo)區(qū)域a與有源層圖案03在柵絕緣層02上的正投影區(qū)域不重疊，且與源漏極圖案在柵絕緣層02上的正投影區(qū)域存在重疊。

示例的，圖4和圖6中光吸收圖案06的材質(zhì)均可以為黑色導(dǎo)電材質(zhì)或黑色絕緣材質(zhì)，如：圖4和圖6中光吸收圖案06的材質(zhì)可以為炭。圖5中光吸收圖案06的材質(zhì)可以為黑色絕緣材質(zhì)，如：圖5中光吸收圖案06的材質(zhì)可以與黑矩陣(英文：blackmatrix；簡稱：bm)的材質(zhì)相同。

可選的，圖6所示的薄膜晶體管包括兩個(gè)光吸收圖案06，且該兩個(gè)光吸收圖案06分別設(shè)置在源極圖案和漏極圖案的下方。實(shí)際應(yīng)用中，圖6所示的薄膜晶體管還可以僅僅包括一個(gè)光吸收圖案06，該一個(gè)光吸收圖案06可以設(shè)置在源極圖案的下方或漏極圖案的下方。

進(jìn)一步的，薄膜晶體管中的光吸收圖案還可以同時(shí)分布在如圖4、圖5和圖6中所示的位置，也即，薄膜晶體管中源極圖案和漏極圖案的下方均設(shè)置有光吸收圖案，柵極的上方設(shè)置有光吸收圖案，有源層的下方也設(shè)置有光吸收圖案。

可選的，圖4、圖5和圖6所示的薄膜晶體管均還可以包括鈍化層y，且像素電極z可以通過鈍化層y上的過孔與源漏極圖案相連接。圖4、圖5和圖6中以薄膜晶體管設(shè)置在襯底基板w上為例，本發(fā)明實(shí)施例對此不做限定。

綜上所述，由于本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管包括光吸收圖案，且光吸收圖案在柵絕緣層上的正投影區(qū)域?yàn)槟繕?biāo)區(qū)域，源漏極圖案在柵絕緣層上的正投影區(qū)域和有源層圖案在柵絕緣層上的正投影區(qū)域組成參考區(qū)域，目標(biāo)區(qū)域與參考區(qū)域存在重疊，從而使得射入有源層與柵極圖案之間的光線能夠被光吸收圖案吸收，減少了射入有源層圖案的目標(biāo)光線的光線量，減小了有源層圖案的伏安特性曲線偏移的程度，從而減弱了目標(biāo)光線對薄膜晶體管正常工作的影響程度。

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的制造方法的方法流程圖，該薄膜晶體管可以為圖1、圖3-1、圖3-2、圖3-3、圖3-4、圖3-5或圖3-6所示的薄膜晶體管，如圖7所示，該薄膜晶體管的制造方法可以包括：

步驟701、制造包括依次疊加的柵極圖案、柵絕緣層、有源層圖案以及源漏極圖案的薄膜晶體管，源漏極圖案中朝向柵絕緣層的表面以及柵極圖案中朝向柵絕緣層的表面包括：至少一個(gè)目標(biāo)表面，目標(biāo)表面能夠?qū)ι淙肽繕?biāo)表面的光線進(jìn)行漫反射，以阻止部分光線射入有源層圖案。

綜上所述，由于本發(fā)明實(shí)施例提供的方法所制造的薄膜晶體管中，源極圖案中朝向柵絕緣層的表面、漏極圖案中朝向柵絕緣層的表面以及柵極圖案中朝向柵絕緣層的表面包括目標(biāo)表面，且目標(biāo)表面能夠?qū)ι淙肽繕?biāo)表面的光線進(jìn)行漫反射，以阻止部分光線射入有源層圖案，從而減少了射入有源層圖案的目標(biāo)光線的光線量，減小了有源層圖案的伏安特性曲線偏移的程度，從而減弱了目標(biāo)光線對薄膜晶體管正常工作的影響程度。

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種薄膜晶體管的制造方法的方法流程圖，該薄膜晶體管可以為圖1所示的薄膜晶體管，如圖8所示，該薄膜晶體管的制造方法可以包括：

步驟801、形成柵極圖案。

如圖9所示，在步驟801中可以首先采用涂覆、磁控濺射、熱蒸發(fā)或者等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(英文：plasmaenhancedchemicalvapordeposition；簡稱：pecvd)等方法在襯底基板w上沉積一層金屬材料，得到金屬材質(zhì)層，然后采用一次構(gòu)圖工藝對該金屬材質(zhì)層進(jìn)行處理就可以得到柵極圖案01。其中，一次構(gòu)圖工藝包括：光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離，因此，采用一次構(gòu)圖工藝對金屬材質(zhì)層進(jìn)行處理包括：在金屬材質(zhì)層上涂覆一層光刻膠，然后采用掩膜版對光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成完全曝光區(qū)和非曝光區(qū)，之后采用顯影工藝進(jìn)行處理，使完全曝光區(qū)的光刻膠被去除，非曝光區(qū)的光刻膠保留，之后對完全曝光區(qū)在金屬材質(zhì)層上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕，刻蝕完畢后剝離非曝光區(qū)的光刻膠即可得到柵極圖案01。

步驟802、在柵極圖案的一側(cè)形成柵絕緣層。

如圖10所示，可以在柵極圖案01上涂覆一層?xùn)沤^緣層02。

步驟803、在柵絕緣層遠(yuǎn)離柵極圖案的一側(cè)形成有源層圖案、第一目標(biāo)圖案和第二目標(biāo)圖案，第一目標(biāo)圖案中朝向柵絕緣層的表面以及第二目標(biāo)圖案中朝向柵絕緣層的表面均為目標(biāo)表面。

如圖11所示，可以首先在柵絕緣層02遠(yuǎn)離柵極圖案01的一側(cè)形成氧化物半導(dǎo)體材質(zhì)層07，然后，如圖12所示，在氧化物半導(dǎo)體材質(zhì)層06遠(yuǎn)離柵絕緣層02的一側(cè)形成光刻膠層08。

之后，如圖13所示，就可以采用灰度掩膜板對光刻膠層08進(jìn)行曝光處理和顯影處理，得到光刻膠圖案09，該光刻膠圖案08可以包括第一光刻膠區(qū)091、兩個(gè)第二光刻膠區(qū)092和光刻膠完全去除區(qū)093，且第一光刻膠區(qū)091的光刻膠厚度大于第二光刻膠區(qū)092的光刻膠厚度。

在得到光刻膠圖案09后，如圖14所示，可以透過光刻膠圖案09對氧化物半導(dǎo)體材質(zhì)層07進(jìn)行刻蝕處理，去除與光刻膠完全去除區(qū)093對應(yīng)的氧化物半導(dǎo)體，得到與第一光刻膠區(qū)091對應(yīng)的第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)x1，以及與兩個(gè)第二光刻膠區(qū)092對應(yīng)的兩個(gè)第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)x2。

然后，如圖15所示，可以對光刻膠圖案09進(jìn)行灰化處理，去除第二光刻膠區(qū)092的光刻膠，并減薄第一光刻膠區(qū)091的光刻膠；

如圖16所示，在減薄第一光刻膠區(qū)091的光刻膠后，可以對兩個(gè)第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)x2的氧化物半導(dǎo)體進(jìn)行還原處理(如向第二半導(dǎo)體區(qū)的氧化物半導(dǎo)體輸入還原氣體：氫氣或氨氣)，得到第一目標(biāo)圖案041和第二目標(biāo)圖案051，第一目標(biāo)圖案041的材質(zhì)和第二目標(biāo)圖案051的材質(zhì)均可以為還原態(tài)的氧化物半導(dǎo)體；

如圖17所示，在得到第一目標(biāo)圖案和第二目標(biāo)圖案后，可以剝離第一光刻膠區(qū)091的光刻膠，得到有源層圖案03，有源層圖案03可以包括第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)091的氧化物半導(dǎo)體。

步驟804、在第一目標(biāo)圖案遠(yuǎn)離柵絕緣層一側(cè)形成第一電極主體圖案，以及在第二目標(biāo)圖案遠(yuǎn)離柵絕緣層的一側(cè)形成第二電極主體圖案。

如圖18所示，在得到第一目標(biāo)圖案、第二目標(biāo)圖案和有源層圖案后，可以在第一目標(biāo)圖案041遠(yuǎn)離柵絕緣層02的一側(cè)形成第一電極主體圖案042，在第二目標(biāo)圖案051遠(yuǎn)離柵絕緣層02的一側(cè)形成第二電極主體圖案052。

可選的，第一目標(biāo)圖案041中朝向柵絕緣層02的表面以及第二目標(biāo)圖案051中朝向柵絕緣層02的表面均為目標(biāo)表面x。也即是，當(dāng)光線射入第一目標(biāo)圖案041和第二目標(biāo)圖案051時(shí)，光線能夠在第一目標(biāo)圖案041上的目標(biāo)表面和第二目標(biāo)圖案051上的目標(biāo)表面上進(jìn)行漫反射，從而使得部分光線無法射入柵極圖案01，更無法被柵極圖案反射至有源層圖案03，從而阻止部分光線射入有源層圖案03。

如圖2所示，第一目標(biāo)圖案041和第二目標(biāo)圖案051均可以圍繞有源層圖案03設(shè)置，且第一目標(biāo)圖案041和第二目標(biāo)圖案051均與有源層圖案03不連接，第一電極主體圖案042和第二電極主體圖案052均可以與有源層圖案03相連接。也即是，為了盡可能的阻止更多的光線進(jìn)入有源層圖案03，可以將第一目標(biāo)圖案041和第二目標(biāo)圖案051均圍繞有源層圖案03設(shè)置，且為了保證有源層圖案03的特性不受到第一目標(biāo)圖案041和第二目標(biāo)圖案051的影響，可以設(shè)置第一目標(biāo)圖案041和第二目標(biāo)圖案051均與有源層圖案03不相連接。

進(jìn)一步的，在步驟804之后，還可以在第一電極主體圖案042和第二電極主體圖案052遠(yuǎn)離柵絕緣層02的一側(cè)形成如圖1所示的鈍化層y。

由于本發(fā)明實(shí)施例中，第一目標(biāo)圖案的材質(zhì)為還原態(tài)的氧化物半導(dǎo)體，有源層圖案的材質(zhì)為氧化物半導(dǎo)體。因此，可以首先形成氧化物半導(dǎo)體層，然后采用一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)和第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)。其中的第一氧化物半導(dǎo)體區(qū)的氧化物半導(dǎo)體也即是有源層圖案。之后，可以僅僅對第二氧化物半導(dǎo)體區(qū)的氧化物半導(dǎo)體進(jìn)行還原處理，得到第一目標(biāo)圖案。也即是，在形成第一目標(biāo)圖案和有源層圖案的過程中，僅僅采用了一次構(gòu)圖工藝，因此制造整個(gè)薄膜晶體管的速度較快。

綜上所述，由于本發(fā)明實(shí)施例提供的方法所制造的薄膜晶體管中，源極圖案中朝向柵絕緣層的表面、漏極圖案中朝向柵絕緣層的表面以及柵極圖案中朝向柵絕緣層的表面包括目標(biāo)表面，且目標(biāo)表面能夠?qū)ι淙肽繕?biāo)表面的光線進(jìn)行漫反射，以阻止部分光線射入有源層圖案，從而減少了射入有源層圖案的目標(biāo)光線的光線量，減小了有源層圖案的伏安特性曲線偏移的程度，從而減弱了目標(biāo)光線對薄膜晶體管正常工作的影響程度。

圖19為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種薄膜晶體管的制造方法的方法流程圖，該薄膜晶體管可以為圖4、圖5或圖6所示的薄膜晶體管，如圖19所示，該薄膜晶體管的制造方法可以包括：

步驟1901、制造包括柵極圖案、柵絕緣層、有源層圖案、源漏極圖案以及光吸收圖案的薄膜晶體管；其中，柵極圖案、柵絕緣層、有源層圖案以及源漏極圖案依次疊加，光吸收圖案設(shè)置在柵絕緣層的至少一側(cè)，光吸收圖案能夠?qū)ι淙牍馕請D案的光線進(jìn)行吸收，以阻止光線射入有源層圖案；光吸收圖案在柵絕緣層上的正投影區(qū)域?yàn)槟繕?biāo)區(qū)域，源漏極圖案在柵絕緣層上的正投影區(qū)域與有源層圖案在柵絕緣層上的正投影區(qū)域組成參考區(qū)域，目標(biāo)區(qū)域與參考區(qū)域存在重疊。

可選的，當(dāng)本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制造方法所制造的薄膜晶體管如圖4所示時(shí)，光吸收圖案06設(shè)置在柵絕緣層02靠近柵極圖案01的一側(cè)，且光吸收圖案06覆蓋柵極圖案01。該薄膜晶體管的制造方法可以包括：在襯底基板上形成柵極圖案；在形成有柵極圖案的襯底基板上形成光吸收層；在形成有光吸收層的襯底基板上形成柵絕緣層；在形成有柵絕緣層的襯底基板上形成有源層圖案；在形成有有源層圖案的襯底基板上形成源漏極圖案。

可選的，當(dāng)本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制造方法所制造的薄膜晶體管如圖5所示時(shí)，光吸收圖案06還可以設(shè)置在柵絕緣層02遠(yuǎn)離柵極圖案01的一側(cè)，且目標(biāo)區(qū)域a與有源層圖案03在柵絕緣層02上的正投影區(qū)域重合，該薄膜晶體管的制造方法可以包括：在襯底基板上形成柵極圖案；在形成有柵極圖案的襯底基板上形成柵絕緣層；在形成有柵絕緣層的襯底基板上形成光吸收圖案，在形成有光吸收圖案的襯底基板上形成有源層圖案；在形成有有源層圖案的襯底基板上形成源漏極圖案(包括源極圖案和漏極圖案)。

可選的，當(dāng)本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制造方法所制造的薄膜晶體管如圖6所示時(shí)，光吸收圖案06可以設(shè)置在柵絕緣層02遠(yuǎn)離柵極圖案01的一側(cè)，目標(biāo)區(qū)域a與有源層圖案03在柵絕緣層02上的正投影區(qū)域不重疊，且與源漏極圖案在柵絕緣層02上的正投影區(qū)域存在重疊，該薄膜晶體管的制造方法可以包括：在襯底基板上形成柵極圖案；在形成有柵極圖案的襯底基板上形成柵絕緣層；在形成有柵絕緣層的襯底基板上形成光吸收圖案，在形成有光吸收圖案的襯底基板上形成有源層圖案；在形成有有源層圖案的襯底基板上形成源漏極圖案。

需要說明的是，無論制造的薄膜晶體管如圖4、圖5還是圖6所示，均需要保證目標(biāo)區(qū)域與參考區(qū)域存在重疊，從而能夠保證光吸收圖案能夠吸收即將要射入有源層圖案的光線。

綜上所述，由于本發(fā)明實(shí)施例提供的方法所制造的薄膜晶體管包括光吸收圖案，且光吸收圖案在柵絕緣層上的正投影區(qū)域?yàn)槟繕?biāo)區(qū)域，源漏極圖案在柵絕緣層上的正投影區(qū)域和有源層圖案在柵絕緣層上的正投影區(qū)域組成參考區(qū)域，目標(biāo)區(qū)域與參考區(qū)域存在重疊，從而使得射入有源層與柵極圖案之間的光線能夠被光吸收圖案吸收，減少了射入有源層圖案的目標(biāo)光線的光線量，減小了有源層圖案的伏安特性曲線偏移的程度，從而減弱了目標(biāo)光線對薄膜晶體管正常工作的影響程度。

如圖20所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，該陣列基板可以包括襯底基板w，以及形成在襯底基板w上陣列排布的多個(gè)薄膜晶體管0，該多個(gè)薄膜晶體管中的每個(gè)薄膜晶體管均可以為圖1至圖6任一所示的薄膜晶體管。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置可以包括圖20所示的陣列基板。示例的，該顯示裝置可以為：電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管實(shí)施例、薄膜晶體管的制造方法實(shí)施例、陣列基板實(shí)施例以及顯示裝置實(shí)施例均可以互相參考，本發(fā)明實(shí)施例對此不做限定。

上述本發(fā)明實(shí)施例序號僅僅為了描述，不代表實(shí)施例的優(yōu)劣。

以上所述僅為本申請的可選實(shí)施例，并不用以限制本申請，凡在本申請的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請的保護(hù)范圍之內(nèi)。