本發(fā)明的實施例涉及一種發(fā)光電路、電子裝置、薄膜晶體管及其制備方法。

背景技術：

amoled(active-matrixorganiclightemittingdiode，有源矩陣有機發(fā)光二極管)是一種自發(fā)光顯示器。與傳統的液晶面板相比，amoled顯示面板具有反應速度更快、對比度更高、視角更廣等優(yōu)點。因此，amoled得到了越來越廣泛的應用。

amoled顯示面板使用的像素電路通常為2t1c像素電路，即利用兩個tft(thin-filmtransistor，薄膜晶體管)和一個存儲電容cs來實現驅動oled的基本功能。圖1示出了該2t1c像素電路的示意圖。如圖1所示，該2t1c像素電路包括開關(sw)tft、驅動(dr)tft以及存儲電容cs。例如，該swtft的柵極連接柵線(掃描線)以接收掃描信號(g1)，例如源極連接到數據線以接收數據信號(data),漏極連接到drtft的柵極；drtft的源極連接到第一電源端(vdd)，漏極連接到oled的正極；存儲電容cs的一端連接到swtft的漏極以及drtft的柵極，另一端連接到drtft的漏極以及oled的正極；oled的負極連接到第二電源端(vss)，例如接地。該2t1c像素電路的驅動方式是將像素的明暗(灰階)經由兩個tft和存儲電容cs來控制。當通過柵線施加掃描信號g1以開啟swtft時，外部電路通過數據線送入的數據電壓(data)將經由swtft對存儲電容cs充電，由此將數據信號存儲在存儲電容cs中，且此存儲的電壓信號控制drtft導通程度，由此控制流過drtft以驅動oled發(fā)光的電流大小，即此電流決定amoled的像素發(fā)光的灰階。

技術實現要素：

本發(fā)明至少一實施例提供一種發(fā)光電路，包括：雙柵薄膜晶體管以及發(fā)光元件，其中，所述雙柵薄膜晶體管包括第一柵極、第二柵極、第一電極和第二電極，所述發(fā)光元件包括第一端和第二端；所述第一柵極和所述第二柵極配置為電連接到不同的信號線，所述第一電極配置為電連接到第一電源端，所述第二電極電連接到所述發(fā)光元件的第一端，所述發(fā)光元件的第二端配置為電連接到第二電源端；僅當所述第一柵極和第二柵極上同時接收導通信號時，所述雙柵薄膜晶體管導通以驅動所述發(fā)光元件。

本發(fā)明至少一實施例提供的一種發(fā)光電路，還包括第一電容和/或第二電容，其中，所述第一電容的第一端電連接到所述第一柵極，所述第一電容的第二端連接到所述發(fā)光元件的第一端；所述第二電容的第一端連接到所述第二柵極，所述第二電容的第二端連接到所述發(fā)光元件的第一端。

本發(fā)明至少一實施例提供的一種發(fā)光電路中，所述雙柵薄膜晶體管為雙頂柵薄膜晶體管。

本發(fā)明至少一實施例還提供一種電子裝置，包括上述任一所述的發(fā)光電路。

本發(fā)明至少一實施例提供的一種電子裝置，還包括柵極驅動電路和數據驅動電路，其中，所述發(fā)光電路的雙柵薄膜晶體管中，所述第一柵極配置為接收所述柵極驅動電路施加的柵極信號，所述第二柵極配置為接收所述數據驅動電路施加的數據信號。

本發(fā)明至少一實施例還提供一種發(fā)光電路的驅動方法，包括：在所述第一柵極上施加固定電壓的驅動信號，在所述第二柵極上施加變動電壓的驅動信號，以使得所述雙柵薄膜晶體管導通以驅動所述發(fā)光元件。

本發(fā)明至少一實施例還提供一種薄膜晶體管，包括：有源層、第一柵極、第二柵極、源極和漏極，其中，所述第一柵極和所述第二柵極彼此絕緣，所述第一柵極和第二柵極配置為分別控制有源層的不同部分，且僅當所述第一柵極和所述第二柵極上同時接收導通信號時，所述薄膜晶體管導通。

本發(fā)明至少一實施例提供的一種薄膜晶體管中，所述第一柵極和所述第二柵極在所述有源層上的正投影位于所述源極和所述漏極在所述有源層上的正投影之間，且在從所述源極到所述漏極的方向上至少不完全重疊。

本發(fā)明至少一實施例提供的一種薄膜晶體管中，所述第一柵極和第二柵極位于所述有源層的同一側，且彼此間具有間隔，所述有源層中對應于所述間隔在所述有源層上的正投影的區(qū)域為導電區(qū)域。

本發(fā)明至少一實施例提供的一種薄膜晶體管中，所述第一柵極包括彼此電連接的第一分支電極和第二分支電極，所述第一分支電極、所述第二柵極和所述第二分支電極依次并排設置。

本發(fā)明至少一實施例提供的一種薄膜晶體管，還包括襯底基板，其中，所述有源層、所述第一柵極、所述第二柵極、所述源極和所述漏極設置在所述襯底基板上，所述第一柵極和所述第二柵極設置在所述有源層遠離所述襯底基板的同一側。

本發(fā)明至少一實施例還提供一種薄膜晶體管的制備方法，包括：形成所述薄膜晶體管的有源層、第一柵極、第二柵極、源極和漏極，其中，所述第一柵極和所述第二柵極彼此絕緣，所述第一柵極和第二柵極配置為分別控制有源層的不同部分，且僅當所述第一柵極和所述第二柵極上同時接收導通信號時，所述薄膜晶體管導通。

本發(fā)明至少一實施例提供的一種薄膜晶體管的制備方法中，所述第一柵極和所述第二柵極在所述有源層上的正投影位于所述源極和所述漏極在所述有源層上的正投影之間，且在從所述源極到所述漏極的方向上至少不完全重疊。

本發(fā)明至少一實施例提供的一種薄膜晶體管的制備方法，還包括：提供襯底基板，其中，在所述襯底基板上形成所述有源層，在所述有源層上形成所述第一柵極和所述第二柵極，所述第一柵極和所述第二柵極彼此間具有間隔；使用所述第一柵極和所述第二柵極作為掩模，對所述有源層中對應于所述間隔在所述有源層上的正投影的區(qū)域進行導體化處理。

本發(fā)明至少一實施例提供的一種薄膜晶體管的制備方法中，所述導體化處理包括離子摻雜或等離子體處理。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實施例，而非對本發(fā)明的限制。

圖1為一種2t1c像素電路；

圖2為本發(fā)明一實施例提供的一種發(fā)光電路；

圖3為本發(fā)明一實施例提供的一種電子裝置；

圖4a為本發(fā)明一實施例提供的一種薄膜晶體管的平面圖；

圖4b為圖4a中薄膜晶體管的截面圖；

圖5a為本發(fā)明另一實施例提供的一種薄膜晶體管的平面圖；

圖5b為圖5a中薄膜晶體管的截面圖；

圖6為本發(fā)明另一實施例提供的一種發(fā)光電路；

圖7a-7g為本發(fā)明一實施例提供的一種薄膜晶體管的制備工藝流程圖。

附圖標記：

1-第一柵極；2-第二柵極；3-發(fā)光元件；4-第一電容；5-第二電容；6-數據驅動電路；61-數據線；7-柵極驅動電路；71-柵線；8-像素；101-第一柵極；102-第二柵極；103-源極；104-漏極；107-有源層；1071-第一子溝道；1072-第二子溝道；1073-導電區(qū)域；108a-第一柵絕緣層；108b-第二柵絕緣層；201-第一柵極；202-第二柵極；2021-第一分支電極；2022-第二分支電極；203-源極；204-漏極；205-基板；206-緩沖層；207-有源層；2071-第一子溝道；2072-第二子溝道；2073-導電區(qū)域；208-柵絕緣層；208a-第一柵絕緣層；208b-第二柵絕緣層；209-絕緣層；210-間隔。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例的附圖，對本發(fā)明實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實施例，本領域普通技術人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

除非另外定義，本公開使用的技術術語或者科學術語應當為本發(fā)明所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現該詞前面的元件或者物件涵蓋出現在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關系，當被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關系也可能相應地改變。

如前面所述，目前amoled顯示面板使用的像素電路為2t1c像素電路，即利用兩個tft和一個電容cs來實現驅動oled的基本功能。有的amoled顯示面板也使用基于2t1c像素電路得到其他像素電路。因此該像素電路至少需要兩個tft和一個電容cs，其結構仍然比較復雜。

本發(fā)明至少一實施例提供一種發(fā)光電路，包括：雙柵薄膜晶體管以及發(fā)光元件，其中，所述雙柵薄膜晶體管包括第一柵極、第二柵極、第一電極和第二電極，所述發(fā)光元件包括第一端和第二端；所述第一柵極和所述第二柵極配置為電連接到不同的信號線，所述第一電極配置為電連接到第一電源端，所述第二電極電連接到所述發(fā)光元件的第一端，所述發(fā)光元件的第二端配置為電連接到第二電源端；僅當所述第一柵極和第二柵極上同時接收導通信號時，所述雙柵薄膜晶體管導通以驅動所述發(fā)光元件。

本發(fā)明至少一實施例提供一種薄膜晶體管，包括：有源層、第一柵極、第二柵極、源極和漏極，其中，所述第一柵極和所述第二柵極彼此絕緣，所述第一柵極和第二柵極配置為分別控制有源層的不同部分，且僅當所述第一柵極和所述第二柵極上同時接收導通信號時，所述薄膜晶體管導通。

另外，本發(fā)明至少一實施例提供一種薄膜晶體管的制備方法，包括：形成所述薄膜晶體管的有源層、第一柵極、第二柵極、源極和漏極，其中，所述第一柵極和所述第二柵極彼此絕緣，所述第一柵極和第二柵極配置為分別控制有源層的不同部分，且僅當所述第一柵極和所述第二柵極上同時接收導通信號時，所述薄膜晶體管導通。

下面通過幾個實施例對根據本發(fā)明實施例的發(fā)光電路、電子裝置、薄膜晶體管及其制備方法進行說明。

實施例一

本實施例提供一種發(fā)光電路，該發(fā)光電路例如可應用于顯示裝置、發(fā)光裝置、照明裝置等。如圖2所示，該發(fā)光電路包括：雙柵薄膜晶體管tft以及與之電連接的發(fā)光元件3，發(fā)光元件3可以為發(fā)光二極管，例如，發(fā)光元件3為有機發(fā)光二極管(oled)或無機發(fā)光二極管等。該發(fā)光元件3包括兩端，即第一端和第二端，例如分別為正極端和負極端。發(fā)光元件3通過這兩端與電路中的其他元件相連。該雙柵薄膜晶體管tft包括第一柵極1、第二柵極2、第一電極和第二電極；第一柵極1和第二柵極2配置為電連接到不同的信號線，從而接受不同的信號。例如，第一柵極1連接到柵線從而連接到柵極驅動電路，并配置為接收柵極驅動電路施加的柵極信號gate，第二柵極2連接到數據線從而連接到數據驅動電路，并配置為接收數據驅動電路施加的數據信號data。該實施例中，僅當第一柵極和第二柵極上同時接收導通信號時，雙柵薄膜晶體管導通以驅動發(fā)光元件。

本實施例中，例如，該雙柵薄膜晶體管tft可以n型晶體管也可以為p型晶體管。例如，當該雙柵薄膜晶體管tft為n型晶體管時，該雙柵薄膜晶體管tft的第一電極設置為漏極，并配置為電連接到第一電源端vdd，該電源端可以設置為提供工作電壓；雙柵薄膜晶體管tft的第二電極設置為源極，并配置為電連接到有機發(fā)光二極管3的第一端，而有機發(fā)光二極管3的第二端配置為電連接到第二電源端vss，本實施例中，有機發(fā)光二極管3的第二端可以接地。

例如，當該雙柵薄膜晶體管tft為p型晶體管時，該雙柵薄膜晶體管tft的第一電極設置為源極，并配置為電連接到第一電源端vdd，雙柵薄膜晶體管tft的第二電極設置為漏極。

下面以該雙柵薄膜晶體管tft為n型晶體管以及發(fā)光元件3為有機發(fā)光二極管為例進行說明，但是本發(fā)明的實施例并不限于此。

另外，本發(fā)明至少一實施例還提供一種電子裝置，該電子裝置包括上述發(fā)光電路，該電子裝置可以為任何合適的裝置，例如可以是顯示裝置，也可以是發(fā)光裝置或照明裝置，例如廣告牌、照明燈等。

如圖3所示，當該電子裝置為顯示裝置時，其還可以包括數據驅動電路6和柵極驅動電路7，以用于分別提供數據信號和柵極信號。該顯示裝置包括排列為陣列的多個像素8，數據驅動電路6通過數據線61與像素8電連接，柵極驅動電路7通過柵線71與像素8電連接。不同的像素8可以發(fā)出不同顏色的光(例如紅、綠或藍光，或者白光)，上述發(fā)光電路用于像素8的像素電路，以在工作中發(fā)光。該顯示裝置還可以包括電源端vdd。當發(fā)光元件3為oled時，該顯示裝置可以為amoled。

另外，本實施例還提供一種上述發(fā)光電路以及采用該發(fā)光電路的電子裝置的驅動方法，該發(fā)光電路的驅動方法包括：在第一柵極1上施加固定電壓的驅動信號，在第二柵極2上施加變動電壓的驅動信號，從而使得雙柵薄膜晶體管導通以驅動所述發(fā)光元件3。

下面以顯示裝置為例來對本實施例的發(fā)光電路以及電子裝置的示例性驅動方法進行說明。

在像素8的發(fā)光電路的雙柵薄膜晶體管中，第一柵極1配置為接收柵極驅動電路7施加的柵極信號，第二柵極2配置為接收數據驅動電路6施加的數據信號。通過這樣的配置，使得僅當第一柵極1和第二柵極2上同時接收導通信號時，即第一柵極1和第二柵極2分別同時接收到柵極驅動電路施加的柵極信號gate和數據驅動電路施加的數據信號data時，雙柵薄膜晶體管被導通(開啟)，從而電源電壓vdd和vss被加載到發(fā)光元件3的兩端，以驅動該發(fā)光元件3工作，例如發(fā)出預定亮度的光。然而，當第一柵極1和第二柵極2中任意一個處于被施加非導通信號的關閉狀態(tài)時，雙柵薄膜晶體tft不導通。

例如在一個具體應用中，雙柵薄膜晶體管tft的第一電極設置為漏極，并配置為電連接到第一電源端vdd，該電源端提供12v的恒定電壓；雙柵薄膜晶體管tft的第二電極設置為源極，并通過有機發(fā)光二極管電連接到第二電源端vss，該電源端為接地，電壓為0v。該雙柵薄膜晶體管tft的閾值電壓例如為3v。雙柵薄膜晶體管tft的第一柵極1連接到的柵極驅動電路施加的柵極信號gate為恒定值20v，從而該信號為導通信號，可使得薄膜晶體管的部分溝道開啟；而雙柵薄膜晶體管tft的第二柵極2連接到的數據驅動電路施加的數據信號data為在0-12v之間變化的灰階信號，當數據信號大于3v時為導通信號，可使得薄膜晶體管的另外部分溝道開啟。當第一柵極和第二柵極上同時接收導通信號時，雙柵薄膜晶體管的整個溝道都變得導通，從而該雙柵薄膜晶體管被導通(開啟)。而且，當第二柵極2的電位在0-12v之間變化時，可以調節(jié)雙柵薄膜晶體管tft的導通程度，也即調節(jié)了雙柵薄膜晶體管tft的源極和漏極之間的電阻。因此，此時通過調控第二柵極2上施加的電壓的大小，可以達到控制源極和漏極之間電阻的效果，進而實現對發(fā)光元件3施加不同的電流，從而控制發(fā)光元件3的發(fā)光亮度，由此例如實現在顯示裝置中調節(jié)灰階的功能。上述信號電壓值可以根據需要變換，本發(fā)明的實施例不限于這些具體的數值。

因此，本實施例的amoled利用本發(fā)明實施例公開的發(fā)光電路可用來替代常用的2t1c電路，使電路結構更加簡化，同時，該電路通過一個tft實現原有2t1c電路中的兩個tft的功能，降低了amoled的復雜度、生產成本。

本實施例還提供一種用于上述發(fā)光電路中的雙柵薄膜晶體管，該雙柵薄膜晶體管包括有源層、第一柵極、第二柵極、源極和漏極。第一柵極和第二柵極彼此絕緣，并且該第一柵極和第二柵極配置為分別控制該薄膜晶體管的有源層的不同部分，僅當第一柵極和第二柵極上同時接收導通信號時，雙柵薄膜晶體管導通，從而可以驅動發(fā)光元件。

圖4a為本實施例提供的一種示范性薄膜晶體管的平面圖，圖4b為圖4a中薄膜晶體管的截面圖。

如圖4a和圖4b所示，本實施例中的薄膜晶體管為雙頂柵薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：有源層107、第一柵極101、第二柵極102、源極103和漏極104。源極103可以連接到發(fā)光元件，而漏極104可以連接到電源端vdd。

在襯底基板105上，第一柵極101和第二柵極102彼此絕緣，如圖4a和圖4b所示，第一柵極101和第二柵極102分別通過第一柵絕緣層108a和第二柵絕緣層108b設置在有源層107上，并且并列設置在源極103和漏極104之間。第一柵極101和第二柵極102之間具有間隔110，有源層107中對應于上述間隔110在所述有源層上的正投影的區(qū)域1073為導電區(qū)域。在薄膜晶體管中，有源層中對應于柵極的部分為溝道區(qū)域，當柵極上被施加導通電壓時，溝道區(qū)域變?yōu)閷顟B(tài)，否則溝道區(qū)域保持為截止狀態(tài)。在正投影方向(垂直于襯底基板105的方向)上，上述有源層107包括對應于第一柵極101和第二柵極102的第一子溝道1071和第二子溝道1072，分別受第一柵極101和第二柵極102控制，也即當第一柵極101被施加導通信號時，第一子溝道1071變得導電，第二柵極102被施加導通信號時，第二子溝道1072變得導電。第一子溝道1071和第二子溝道1072構成有源層的溝道。因此，在該示例的薄膜晶體管中，該第一柵極和第二柵極配置為分別控制該薄膜晶體管的有源層的不同部分。上述第一子溝道1071和第二子溝道1072并列設置也可以部分重疊(例如第一柵極和第二柵極位于有源層的不同側時，即一個為頂柵而另一個底柵時)，但不完全重疊，由此僅在第一子溝道1071和第二子溝道1072都導通時，才會使得整個溝道區(qū)導通。

通過這樣的配置，僅當第一柵極101和第二柵極102上同時接收導通信號時，雙柵薄膜晶體管才被導通(開啟)，使得源極103和漏極104被電連接；當第一柵極101和第二柵極102中任意一個處于關閉狀態(tài)時，雙柵薄膜晶體tft均不導通(截止)，使得源極103和漏極104被絕緣。

圖5a為本實施例提供的另一種示范性薄膜晶體管的平面圖，圖5b為圖5a中薄膜晶體管的截面圖。

本示例的薄膜晶體管同樣為雙頂柵薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括有源層207、第一柵極201、第二柵極202、源極203和漏極204。源極203可以連接到發(fā)光元件，而漏極204可以連接到電源端vdd。

第一柵極201和第二柵極202彼此絕緣，如圖5a和圖5b所示，第一柵極201和第二柵極202分別通過第一柵絕緣層208a和第二柵絕緣層208b設置在有源層207上，并且并列設置在源極203和漏極204之間。與上述示例不同的是，本示例的薄膜晶體管的第二柵極202為“u”形，包括彼此電連接的第一分支電極2021和第二分支電極2011，且第一分支電極2021、第一柵極201和第二分支電極2022依次并排設置在有源層207上。第一柵極201和第二柵極202之間具有間隔210，有源層207中的對應于上述間隔210在所述有源層上的正投影的區(qū)域2073為導電區(qū)域。同樣，上述有源層207包括對應于第一柵極201和第二柵極202的第一子溝道2071和第二子溝道2072，分別受第一柵極201和第二柵極202控制，也即當第一柵極201被施加導通信號時，第一子溝道2071變得導電，第二柵極202被施加導通信號時，第二子溝道2072可變得導電。因此，該示例的薄膜晶體管中，該第一柵極和第二柵極配置為分別控制該薄膜晶體管的有源層的不同部分。需要說明的是，本示例的薄膜晶體管的第一柵極201和第二柵極202的形狀也可以是任意形狀的，本公開在此不做限定。

上述配置可以實現當且僅當第一柵極201和第二柵極202上同時接收導通信號時，雙柵薄膜晶體管導通(開啟)，使得源極203和漏極204被電連接；當第一柵極201和第二柵極202中任意一個處于關閉狀態(tài)時，雙柵薄膜晶體tft均不導通(截止)，使得源極203和漏極204被絕緣。

需要說明的是，上述僅僅著重說明了實施例中的薄膜晶體管主要部分，這些薄膜晶體管當然還可以包括其他結構，例如，本實施例的薄膜晶體管還可以包括襯底基板，有源層、第一柵極、第二柵極、源極和漏極設置在襯底基板上。該襯底基板可以為玻璃基板、塑料基板等。該有源層可以由非晶硅、多晶硅、氧化物半導體材料制備，并且有源層中除溝道區(qū)之前的其他部分(包括與第一柵極和第二柵極之間的間隔對應的區(qū)域)被處理為導電區(qū)域；柵極、源極和漏極例如可以通過金屬等導電材料制備，該金屬可以為鋁、鋁合金、銅、銅合金等；柵絕緣層可以為氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等材料。該實施例中的薄膜晶體管還可以包括設置在襯底基板上的緩沖層、絕緣層等，在此不再贅述。

需要說明的是，上述附圖所示出的示例中的雙柵薄膜晶體管均為雙頂柵薄膜晶體管，但是在其他實施例中，薄膜晶體管還可以為雙底柵薄膜晶體管，也可以為一頂柵一底柵形式的薄膜晶體管，此時，第一柵極和第二柵極也應彼此絕緣，第一柵極和第二柵極在有源層的上方或下方。在這些結構中，該第一柵極和第二柵極配置為分別控制該薄膜晶體管的有源層的不同部分，且僅當第一柵極和第二柵極上同時接收導通信號時，雙柵薄膜晶體管導通；當第一柵極和第二柵極中任意一個處于被施加非導通信號的關閉狀態(tài)時，雙柵薄膜晶體均不導通。為了使得第一柵極和第二柵極分別控制該薄膜晶體管的有源層的不同部分且僅當第一柵極和第二柵極上同時接收導通信號時，雙柵薄膜晶體管導通，例如，第一柵極和第二柵極在有源層上的正投影位于源極和漏極在有源層上的正投影之間，同時第一柵極和第二柵極在從源極到漏極的方向上至少不完全重疊，即不重疊或不完全重疊，由此有源層上具有分別對應于第一柵極和第二柵極且分別受第一柵極和第二柵極控制的不同子溝道區(qū)，這些不同的子溝道區(qū)構成有源層的溝道區(qū)。

實施例二

在本發(fā)明的實施例二中，發(fā)光電路除了上述與上述實施例一種相同的結構之外，進一步還包括至少一個電容。例如，如圖6所示，根據該實施例的發(fā)光電路還包括第一電容4和第二電容5，其中，第一電容4的第一端電連接到第一柵極1，第一電容4的第二端電連接到發(fā)光元件3的第一端；第二電容5的第一端電連接到第二柵極2，第二電容5的第二端電連接到發(fā)光元件3的第一端。

本實施例提供的發(fā)光電路的雙柵薄膜晶體管可以采用上一實施例中所述的任一雙柵薄膜晶體管。

本實施例提供的發(fā)光電路中的第一電容4和第二電容5可以起到保持電信號的作用，當柵極驅動電路施加的柵極信號gate和驅動電路施加的數據信號data不是持續(xù)信號而有間斷時，通過第一電容4和第二電容5可以分別保持施加在與其相連的第一柵極1和第二柵極2上的電信號。

需要說明的是，當柵極驅動電路施加的柵極信號gate和驅動電路施加的數據信號data持續(xù)時，第一電容4和第二電容5也可以不設置，或者根據實際情況，例如柵極驅動電路施加的柵極信號gate和數據驅動電路施加的數據信號data是否為持續(xù)信號等，有選擇地設置第一電容4和第二電容5中的一個或兩個。

另外，本實施例還提供一種上述發(fā)光電路的驅動方法，該方法包括：在第一柵極1上施加固定電壓的驅動信號，在第二柵極2上施加變動電壓的驅動信號，從而使得雙柵薄膜晶體管導通以驅動所述發(fā)光元件3。

在本實施例的方法中，由于第一柵極1上施加的驅動信號為固定電壓信號，因此，第一柵極1可以不連接第一電容4；由于第二柵極2上施加的驅動信號為變動的電壓信號。因此，可以根據該信號特征，判斷第二柵極2是否連接電容；例如，當該變動的電壓信號可能存在間斷時，則可以設置第二電容5；當該變動的電壓信號持續(xù)時，則可以不設置第二電容5。

另外，本實施例提供的發(fā)光電路也可以應用在如圖3所示的電子裝置中，再利用本實施例所述的驅動方法驅動該電路。在該電子裝置中，由于第二柵極2上施加的驅動信號為變動的電壓信號，因此可以達到調節(jié)雙柵薄膜晶體管tft的導通程度的目的，也即通過第二柵極2電壓的調控，可以達到控制源極和漏極之間電阻的效果。當該發(fā)光電路或電子裝置應用在amoled時，可以實現在amoled中調灰階的功能，使像素8持續(xù)而穩(wěn)定地發(fā)出所需要的光。

根據本實施例的雙柵晶體管例如也可以采用圖4a、4b或圖5a、5b所示的示范性結構。例如，該雙柵薄膜晶體管為雙頂柵薄膜晶體管、雙底柵薄膜晶體管，也可以為一頂柵一底柵形式的薄膜晶體管，此時，第一柵極和第二柵極也彼此絕緣，第一柵極和第二柵極在有源層的上方或下方，該第一柵極和第二柵極分別控制該薄膜晶體管的有源層的不同部分，且僅當第一柵極和第二柵極上同時接收導通信號時，雙柵薄膜晶體管導通；當第一柵極和第二柵極中任意一個處于被施加非導通信號的關閉狀態(tài)時，雙柵薄膜晶體tft不導通。

而且對于圖4a、4b或圖5a、5b示例，為了實現第一電容4和/或第二電容5，可以制備與第一柵極101/201連接的電容電極，以及制備與第二柵極102/202電連接的電容電極。

在本發(fā)明的其他實施例中的發(fā)光電路，除了上述雙柵tft之外，還可以包括其他電路元件，例如包括用于補償該雙柵tft的閾值電壓漂移的補償電路等，本發(fā)明的實施例不限于僅使用上述雙柵tft來驅動發(fā)光元件。

實施例三

本發(fā)明至少一實施例提供一種如上所述的雙柵薄膜晶體管的制備方法。下面以圖5a和圖5b所示的雙柵薄膜晶體管為例進行說明，但是本發(fā)明的實施例不限于該具體情形。

圖7a-7g為本實施例提供的一種薄膜晶體管的制備工藝流程圖，如圖所示，該方法包括：分別形成薄膜晶體管的有源層207、第一柵極201、第二柵極203、源極203和漏極204，其中，第一柵極201和第二柵202極彼此絕緣，且該第一柵極201和第二柵極202配置為在工作中分別控制該薄膜晶體管的有源層的不同部分，僅當第一柵極201和第二柵極202上同時接收導通信號時，該雙柵薄膜晶體管導通。

例如，在一個示例中，第一柵極201和第二柵極202在有源層207上的正投影位于源極203和漏極204在有源層207上的正投影之間，且在從源極203到漏極204的方向上至少不完全重疊，即不重疊或不完全重疊。

更具體地，如圖7a所示，首先在襯底基板205上沉積一層緩沖層206。本實施例中，通過化學氣相沉積(cvd)，例如可以是等離子體增強化學氣相沉積(pecvd)在襯底基板205上沉積一層緩沖層206，該緩沖層206例如可以為siox、sinx或者其復合膜。襯底基板205例如可以為玻璃基板、塑料基板等。

如圖7b所示，在沉積完緩沖層206后，使用濺射(sputtering)的方法在緩沖層206上再形成一層有源層207。有源層207可以為非晶硅層、多晶硅層或氧化物半導體層等，但需要說明的是，有源層并不限于上述材料。本實施例中，有源層207可以采用氧化銦鎵鋅材料，氧化銦鎵鋅為一種載流子遷移率很高的材料，可以大大提高薄膜晶體管對像素電極的充放電速率，實現更快的刷新率。有源層薄膜形成后，采用例如光刻工藝的構圖工藝等對其進行圖形化處理以形成最終的有源層207。根據需要，也可以不形成緩沖層，而將有源層直接形成在襯底基板205之上。

光刻工藝的主要過程為：首先在被處理的薄膜表面涂上一層光刻膠，再利用紫外光通過掩膜板照射到光刻膠層上，引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學反應，再通過顯影技術溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠(前者稱正性光刻膠，后者稱負性光刻膠)，使掩膜板上的圖案被復制到光刻膠薄膜上，最后利用刻蝕技術將圖案轉移到基板上。

如圖7c所示，有源層207形成后，通過化學氣相沉積(cvd)，例如等離子體增強化學氣相沉積(pecvd)，在有源層207上形成一層柵絕緣層208(gi層)，柵絕緣層208例如可以采用sio2、sinx或兩者的復合材料。

如圖7d所示，在柵絕緣層208形成后，使用濺射的方法在柵絕緣層208上沉積一層柵極薄膜，柵極薄膜的材料可以是銅、銅合金、鋁、鋁合金等金屬。之后，利用光刻工藝對柵極層進行圖形化處理，并且在本實施例中，例如利用濕刻蝕工藝，即利用特定的化學溶液對柵極薄膜不需要的部分進行腐蝕，最終得到圖形化且彼此間具有間隔的第一柵極201和第二柵極202，并且第二柵極包括彼此電連接的第一分支電極和第二分支電極。本實施例中，第一柵極201和第二柵極202可以同時形成。

如圖7e所示，第一柵極201和第二柵極202形成后，以第一柵極201和第二柵極202作為掩模，對柵絕緣層208進行干刻蝕以形成第一柵絕緣層208a和第二柵絕緣層208b。

第一柵絕緣層208a和第二柵絕緣層208b形成后，有源層207部分暴露，再以柵極201和202作為掩模，對有源層207中包括對應于柵極201和202的間隔110的暴露位置進行導體化處理以提高這些區(qū)域的導電性，形成導電區(qū)域2073。例如，該導體化處理可以為離子摻雜，也可以為等離子體處理。例如本實施例中，可以使用nh4、he、ar等氣體的等離子體對有源層207進行等離子體處理以形成導電區(qū)域2073。

在其他實施例中，例如當有源層為是多晶硅時，則可以通過離子摻雜，例如重摻雜等，以形成導電區(qū)域2073；例如當有源層為是非晶硅時，則可以氫化處理，以形成導電區(qū)域2073。

如圖7f所示，有源層207進行導體化處理后，再在柵極201和202以及有源層207的暴露區(qū)等位置上，通過化學氣相沉積(cvd)形成一層絕緣層(鈍化層)209，該絕緣層209例如可以采用sio2、sinx或兩者的復合材料，以對薄膜晶體管進行保護。

如圖7g所示，采用光刻工藝和干刻蝕工藝，在絕緣層209的對應于柵極201和202兩側的位置形成連通于有源層207的通孔，之后在此通孔中沉積源漏極材料并形成源漏極層，最后通過光刻工藝對上述沉積的源漏極層進行圖形化處理以形成源極203和漏極204。源極203可以連接到發(fā)光元件，漏極204可以連接到電源端。例如，可以在薄膜晶體管的上層制備發(fā)光元件，例如有機發(fā)光二極管，且該有機發(fā)光二極管可以為各種類型，例如頂發(fā)射型、底發(fā)射型、雙側發(fā)射型等。

在本公開的另一個實施例中，如果柵絕緣層208的厚度不影響后續(xù)的導體化處理(例如離子注入)，則也可以在形成了第一柵極和第二柵極之后，不對柵絕緣層208進行刻蝕，又或者對柵絕緣層208僅進行部分刻蝕。相應地，該實施例中后續(xù)形成暴露有源層的通孔時，還需要繼續(xù)對保留的柵絕緣層208進行刻蝕。

本實施例提供的薄膜晶體管中，該第一柵極201和第二柵極202配置為分別控制該薄膜晶體管的有源層的不同部分，僅當柵極201和202分別同時接收到導通信號時，薄膜晶體管導通，當柵極201和202中任意一個處于關閉狀態(tài)時，雙柵薄膜晶體tft均不導通的技術效果。

其他類型的雙柵薄膜晶體管可以采用類似的方式制備，例如，使得第一柵極和第二柵極在有源層上的正投影位于源極和漏極在有源層上的正投影之間，同時第一柵極和第二柵極在從源極到漏極的方向上至少不完全重疊，即不重疊或不完全重疊，由此有源層上具有分別對應于第一柵極和第二柵極且分別受第一柵極和第二柵極控制的不同子溝道區(qū)，這些不同的子溝道區(qū)構成有源層的溝道區(qū)。

本發(fā)明的至少一實施例提供的發(fā)光電路、電子裝置、雙柵薄膜晶體管及其制備方法具有以下至少一項有益效果：

(1)本發(fā)明至少一實施例提供一種雙柵薄膜晶體管，可以實現當且僅當雙柵薄膜晶體管的兩個柵極同時接收導通信號時，雙柵薄膜晶體管導通；當兩個柵極中任意一個未接收導通信號時，雙柵薄膜晶體不導通。

(2)本發(fā)明至少一實施例提供一種發(fā)光電路，該發(fā)光電路包括一個雙柵薄膜晶體管，以簡化2t1c像素電路，即以一個tft實現了2t1c電路中兩個tft的功能，簡化了電路結構，并降低了成本。

(3)本發(fā)明至少一實施例提供一種發(fā)光電路，該電路還可以包括電容，該電容可以起到保持電信號的作用。

另外，本公開還有以下幾點需要說明：

(1)本發(fā)明實施例附圖只涉及到與本發(fā)明實施例涉及到的結構，其他結構可參考通常設計。

(2)為了清晰起見，在用于描述本發(fā)明的實施例的附圖中，層或區(qū)域的厚度被放大或縮小，即這些附圖并非按照實際的比例繪制。

(3)在不沖突的情況下，本發(fā)明的實施例及實施例中的特征可以相互組合以得到新的實施例。

以上所述，僅為本公開的具體實施方式，但本公開的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本公開的保護范圍之內。因此，本公開的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。