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薄膜晶體管及其制備方法、顯示基板與流程

文檔序號:11388175閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及薄膜晶體管及其制備方法、顯示基板。該薄膜晶體管的制備方法,包括:在形成柵極、源極和漏極之前,形成依次層疊設(shè)置的第一非晶硅層、絕緣層和第二非晶硅層;通過晶化工藝使得第一非晶硅層形成第一多晶硅層、以及使得第二非晶硅層形成第二多晶硅層,晶化工藝的能量以及第一多晶硅層晶化后釋放的能量使得第二多晶硅層的晶化時間大于第一多晶硅層的晶化時間,第二多晶硅層的晶粒尺寸大于第一多晶硅層的晶粒尺寸。該薄膜晶體管及其制備方法,通過對形成多晶硅層的絕緣層和兩層非晶硅層疊層設(shè)計,并采用綠色激光晶化工藝進(jìn)行晶化,冷卻速率降低,達(dá)到改善多晶硅基板表面粗糙度的效果,進(jìn)而改善了薄膜晶體管的性能。

技術(shù)研發(fā)人員:張慧娟
受保護(hù)的技術(shù)使用者:京東方科技集團(tuán)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2017.05.12
技術(shù)公布日:2017.09.05
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