技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提出了薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板和顯示裝置。該方法包括：在基板的一側(cè)依次形成緩沖層和圖形化后的源漏電極；在緩沖層和源漏電極的遠(yuǎn)離基板的一側(cè)，形成光刻膠層；從基板遠(yuǎn)離光刻膠層的一側(cè)，對光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影處理，以得到光刻膠圖案；在緩沖層和光刻膠圖案的遠(yuǎn)離基板的一側(cè)，依次形成半導(dǎo)體層、第一絕緣層和導(dǎo)電層；去除光刻膠層，以獲得有源層、柵極絕緣層和柵極；其中，基板和緩沖層由透光材料形成。本發(fā)明所提出的制作方法，通過背面曝光光刻膠層的方式，可省去一次光掩模，簡化工序、降低制作成本，且制備的薄膜晶體管直接利用金屬作為源漏導(dǎo)電區(qū)域，無需額外的導(dǎo)電化技術(shù)，解決了源漏電極導(dǎo)電化效果穩(wěn)定性差的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：劉鳳娟;宋泳錫;孫宏達(dá)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.12
技術(shù)公布日：2017.07.07