技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種基于6英寸GaN器件背孔掩膜的制作方法，解決傳統(tǒng)的GaN?HEMT器件制造工藝中存在的問(wèn)題，提出一種新型基于6英寸GaN/SiC器件制造中背孔掩膜的制作方法，該方法采用做光刻、濺射、剝離、電鍍的工藝制作金屬鎳以便用于刻蝕SiC的掩膜，金屬Ni厚度10μm，均勻性≤5％，側(cè)壁角度為〉60°，背孔的直徑為但不限于60μm。

技術(shù)研發(fā)人員：王珺楠
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都海威華芯科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.12
技術(shù)公布日：2017.09.01