本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種重新布線層、具有所述重新布線層的封裝結(jié)構(gòu)及制備方法。

背景技術(shù)：

所有的計算和通信系統(tǒng)都需要供電傳輸系統(tǒng)。供電傳輸系統(tǒng)會將電源的高電壓轉(zhuǎn)換成系統(tǒng)中離散器件所需的許多不同的低電壓。供電傳輸系統(tǒng)的效率決定了向下轉(zhuǎn)換的電力損失，而供電軌道數(shù)決定了可支持的離散電壓供應(yīng)或器件的數(shù)量。

目前的供電技術(shù)面臨著如下挑戰(zhàn)：

一、隨著過程中節(jié)點的收縮，設(shè)備電壓的減小，電力輸送的效率會隨之降低，使功率消耗更大。

二、添加更多的供電軌道需要復(fù)制更多的供電組件，如增加元件數(shù)量、增大電路板尺寸、增加電路板的層數(shù)、加大系統(tǒng)體積、成本和重量。

三、由于重新布線層的線距、線寬的限制，需要增加封裝尺寸。

對于高i/o(輸入/輸出)芯片封裝結(jié)構(gòu)而言，需要多層重新布線層(rdl)貨高密度的中介板。然而，在有限的外形形狀及封裝尺寸下，重新布線層中金屬線的線寬及線間距越小意味著可以得到越多的供電軌道。在現(xiàn)有工藝中，一般都使用ti/cu種子層作為形成重新布線層的種子層，但由于ti的刻蝕速率比cu的刻蝕速率慢很多，在對所述ti/cu種子層進(jìn)行刻蝕的過程中會存在側(cè)切現(xiàn)象，從而很難得到線寬及線間距非常小的重新布線層，進(jìn)而很難得到較多的供電軌道。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的目的在于提供一種重新布線層、具有所述重新布線層的封裝結(jié)構(gòu)及制備方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中由于使用ti/cu種子層作為重新布線層的種子層而存在的很難得到線寬及線間距非常小的重新布線層，進(jìn)而很難得到較多的供電軌道的問題。

為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種重新布線層，所述重新布線層至少包括：

介電層；

金屬疊層結(jié)構(gòu)，位于所述介電層內(nèi)，所述金屬疊層結(jié)構(gòu)包括多層間隔排布的金屬線層及金屬插塞，所述金屬插塞位于相鄰所述金屬線層之間，以將相鄰的所述金屬線層電連接；

金屬種子層，位于所述介電層內(nèi)，且位于所述金屬疊層結(jié)構(gòu)的一表面上，所述金屬種子層的材料與所述金屬線層的材料相同。

可選地，各層所述金屬線層中均包括多條金屬線，所述金屬線的線寬小于2μm，相鄰所述金屬線的間距小于0.4μm。

可選地，所述金屬種子層遠(yuǎn)離所述金屬疊層結(jié)構(gòu)的表面與所述介電層的表面相平齊，所述金屬疊層結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述金屬種子層的表面與所述介電層的表面相平齊。

可選地，所述金屬線層的材料及所述金屬種子層的材料均為銅。

本發(fā)明還提供一種重新布線層的制備方法，所述重新布線層的制備方法至少包括如下步驟：

提供一載體；

于所述載體的上表面形成粘合層；

于所述粘合層的上表面形成如上述任一方案中所述的重新布線層；

去除所述粘合層及所述載體。

可選地，于所述粘合層的上表面形成所述的重新布線層包括如下步驟：

于所述粘合層的上表面形成金屬種子層；

與所述金屬種子層的上表面形成第一層金屬線層；

依據(jù)所述第一層金屬線層刻蝕所述金屬種子層，以去除所述第一層金屬線層外圍的所述金屬種子層；

于所述粘合層的上表面形成覆蓋所述金屬種子層及所述第一層金屬線層上表面和側(cè)壁的介電層；

于所述介電層內(nèi)形成與所述第一層金屬線層電性連接的其他金屬線層，相鄰所述金屬線層之間經(jīng)由金屬插塞電連接。

本發(fā)明還提供一種封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)至少包括：

如上述任一方案中所述的重新布線層；所述重新布線層包括相對的第一表面及第二表面，其中，所述重新布線層與所述金屬種子層臨近的表面為第一表面；

有源模塊，位于所述重新布線層的第二表面，且與所述金屬線層電連接；

無源模塊，位于所述重新布線層的第二表面，且與所述金屬線層電連接；

金屬連接柱，位于所述重新布線層的第二表面，且與所述金屬線層電連接；

第一塑封層，位于所述重新布線層的第二表面，且填滿所述有源模塊、所述無源模塊及所述金屬連接柱之間的間隙；

焊料凸塊，位于所述第一塑封層遠(yuǎn)離所述重新布線層的表面，且與所述金屬連接柱電連接；

用電芯片，位于所述重新布線層的第一表面，且經(jīng)由所述金屬種子層與所述金屬線層電連接。

可選地，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括第二塑封層，所述第二塑封層位于所述用電芯片與所述重新布線層之間，且填滿所述用電芯片與所述重新布線層之間的間隙。

可選地，所述有源器件包括控制器及降壓變壓器；所述無源模塊包括電容、電感及電阻。

可選地，所述重新重新布線層的第二表面還設(shè)有凸塊下金屬層，所述有源模塊及所述無源模塊經(jīng)由所述凸塊下金屬層與所述金屬線層電連接。

本發(fā)明還提供一種封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，所述封裝結(jié)構(gòu)的制備方法至少包括如下步驟：

提供一載體；

于所述載體的上表面形成粘合層；

于所述粘合層的上表面形成如上述任一方案中所述的重新布線層；所述重新布線層包括相對的第一表面及第二表面，所述重新布線層的第一表面與所述粘合層相接觸；

于所述重新布線層的第二表面鍵合有源模塊、無源模塊及金屬連接柱；所述有源模塊、所述無源模塊及所述金屬連接柱均與所述金屬線層電連接；

于所述重新布線層的第二表面形成第一塑封層，所述第一塑封層填滿所述有源模塊、所述無源模塊及所述金屬連接柱之間的間隙；

于所述第一塑封層遠(yuǎn)離重新布線層的表面形成焊料凸塊，所述焊料凸塊與所述金屬連接柱電連接；

去除所述粘合層及所述載體；

于所述重新布線層的第一表面鍵合用電芯片，所述用電芯片經(jīng)由所述金屬種子層與所述金屬線層電連接。

可選地，于所述粘合層的上表面形成所述的重新布線層包括如下步驟：

于所述粘合層的上表面形成金屬種子層；

與所述金屬種子層的上表面形成第一層金屬線層；

依據(jù)所述第一層金屬線層刻蝕所述金屬種子層，以去除所述第一層金屬線層外圍的所述金屬種子層；

于所述粘合層的上表面形成覆蓋所述金屬種子層及所述第一層金屬線層上表面和側(cè)壁的介電層；

于所述介電層內(nèi)形成與所述第一層金屬線層電性連接的其他金屬線層，相鄰所述金屬線層之間經(jīng)由金屬插塞電連接。

可選地，采用模塑底部填充工藝于所述重新布線層的第二表面形成所述第一塑封層。

可選地，于所述重新布線層的第二表面鍵合有源模塊、無源模塊及金屬連接柱之前，還包括于所述重新布線層的第二表面形成凸塊下金屬層的步驟；所述有源模塊及所述無源模塊經(jīng)由所述凸塊下金屬層與所述金屬線層電連接。

可選地，于所述重新布線層的第一表面鍵合用電芯片之后，還包括于所述用電芯片與所述重新布線層之間形成第二塑封層的步驟，所述第二塑封層填滿所述用電芯片與所述重新布線層之間的間隙。

如上所述，本發(fā)明的重新布線層、具有所述重新布線層的封裝結(jié)構(gòu)及制備方法，具有以下有益效果：

本發(fā)明的重新布線層采用與其材料相同的單一材料作為種子層，在對種子層進(jìn)行刻蝕時不存在側(cè)切現(xiàn)象，所述重新布線層中金屬線的線寬及線間距均比較小。

本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)中的重新布線層線寬及線間距可以非常小，在相同的尺寸內(nèi)可以得到更多的供電軌道。

本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)的制備方法中，采用模塑底部填充工藝于所述重新布線層的第二表面形成所述第一塑封層，塑封材料可以順暢而迅速地填滿所述有源模塊、所述無源模塊及所述金屬連接柱之間的間隙，可以有效避免在出現(xiàn)界面分層；且模塑底部填充不會像現(xiàn)有技術(shù)中的毛細(xì)底部填充工藝那樣受到限制，大大降低了工藝難度，可以用于更小的連接間隙，更適用于堆疊架構(gòu)。

附圖說明

圖1顯示為本發(fā)明實施例一中提供的重新布線層的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2顯示為本發(fā)明實施例二中提供的重新布線層的制備方法的流程圖。

圖3至圖6顯示為本發(fā)明實施例二中提供的重新布線層的制備方法中各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7顯示為本發(fā)明實施例三中提供的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8顯示為本發(fā)明實施例四中提供的封裝結(jié)構(gòu)的制備方法的流程圖。

圖9至圖19顯示為本發(fā)明實施例四中提供的封裝結(jié)構(gòu)的制備方法中各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。

元件標(biāo)號說明

1重新布線層

11介電層

12金屬線層

13金屬插塞

14金屬種子層

2載體

3粘合層

41有源模塊

42無源模塊

5金屬連線柱

6第一塑封層

7焊料凸塊

8用電芯片

81第二塑封層

9凸塊下金屬層

具體實施方式

以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實施方式加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。

請參閱圖1至圖19。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，雖圖示中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的形態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

實施例一

請參閱圖1，本發(fā)明提供一種重新布線層1，所述重新布線層1至少包括：介電層11；金屬疊層結(jié)構(gòu)，所述金屬疊層結(jié)構(gòu)位于所述介電層11內(nèi)，所述金屬疊層結(jié)構(gòu)包括多層間隔排布的金屬線層12及金屬插塞13，所述金屬插塞13位于相鄰所述金屬線層12之間，以將相鄰的所述金屬線層12電連接；金屬種子層14，所述金屬種子層位于所述介電層11內(nèi)，且位于所述金屬疊層結(jié)構(gòu)的一表面上，所述金屬種子層14的材料與所述金屬線層12的材料相同，即所述金屬種子層14為單一材料結(jié)構(gòu)。

作為示例，各層所述金屬線層12中均包括多條金屬線，所述金屬線的線寬小于2μm，相鄰所述金屬線的間距小于0.4μm。

作為示例，所述金屬種子層14遠(yuǎn)離所述金屬疊層結(jié)構(gòu)的表面與所述介電層11的表面相平齊，所述金屬疊層結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述金屬種子層14的表面與所述介電層11的表面相平齊。

作為示例，所述金屬線層12的材料、所述金屬插塞13的材料及所述金屬種子層14的材料均可以為但不僅限于銅。

本發(fā)明的所述重新布線層1采用與其材料相同的單一材料的所述金屬種子層14作為種子層，在對所述金屬種子層14進(jìn)行刻蝕時不存在側(cè)切現(xiàn)象，所述重新布線層14中金屬線的線寬及線間距均可以達(dá)到非常小，譬如，本實施例中，所述重新布線層14中的金屬線的線寬小于2μm，相鄰所述金屬線的間距小于0.4μm。

實施例二

請參閱圖2，本發(fā)明還提供一種重新布線層的制備方法，所述重新布線層的制備方法至少包括如下步驟：

s1：提供一載體；

s2：于所述載體的上表面形成粘合層；

s3：于所述粘合層的上表面形成如上述任一方案中所述的重新布線層；

s4：去除所述粘合層及所述載體。

在步驟s1中，請參閱圖2中的s1步驟及圖3，提供一載體2。

作為示例，所述載體2的材料可以選自玻璃、不銹鋼、硅、氧化硅、金屬或陶瓷中的一種或多種，或其他類似物。所述載體2可以為平板型。例如，所述載體2可以為但不僅限于具有一定厚度的玻璃圓形平板。

在步驟s2中，請參閱圖2中的s2步驟及圖4，于所述載體2的上表面形成粘合層3。

作為示例，所述粘合層3在后續(xù)工藝中作為重新布線層1與載體2之間的分離層，其最好選用具有光潔表面的粘合材料制成，其必須與重新布線層1具有一定的結(jié)合力，以保證所述重新布線層1在后續(xù)工藝中不會產(chǎn)生移動等情況，另外，其與所述載體2亦具有較強的結(jié)合力，一般來說，其與所述載體2的結(jié)合力需要大于與所述重新布線層1的結(jié)合力。作為示例，所述粘合層3的材料選自雙面均具有粘性的膠帶或通過旋涂工藝制作的粘合膠等。所述膠帶優(yōu)選采用uv膠帶，其在uv光照射后很容易被撕離。在其它實施方式中，所述粘合層3也可選用物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法指的的其他材料層，如環(huán)氧樹脂(epoxy)、硅橡膠(siliconerubber)、聚酰亞胺(pi)、聚苯并惡唑(pbo)、苯并環(huán)丁烯(bcb)等。在后續(xù)分離所述載體2時，可采用濕法腐蝕、化學(xué)機(jī)械研磨等方法去除所述粘合層3。

在步驟s3中，請參閱圖2中的s3步驟及圖5，于所述粘合層3的上表面形成如實施例一中所述的重新布線層1。

作為示例，所述重新布線層1的具體結(jié)構(gòu)特征請參閱實施例一，此處不再累述。

作為示例，于所述粘合層3的上表面形成所述的重新布線層1包括如下步驟：

s31：于所述粘合:3的上表面形成所述金屬種子層14；

s32：與所述金屬種子層14的上表面形成第一層金屬線層12；

s33：依據(jù)所述第一層金屬線層刻蝕所述金屬種子層14，以去除所述第一層金屬線層12外圍的所述金屬種子層14；

s34：于所述粘合層3的上表面形成覆蓋所述金屬種子層14及所述第一層金屬線層12上表面和側(cè)壁的介電層11；

s35：于所述介電層11內(nèi)形成與所述第一層金屬線層12電性連接的其他金屬線層12，相鄰所述金屬線層12之間經(jīng)由金屬插塞13電連接。

作為示例，所述金屬種子層14、各層所述金屬線層12及所述金屬插塞13的材料可以為但不僅限于銅?？梢圆捎梦锢須庀喑练e法、化學(xué)氣相沉積法、濺射法、電鍍貨化學(xué)鍍中的至少一種形成所述金屬種子層14、各層所述金屬線層12及所述金屬插塞13。

作為示例，所述介電層11采用低k介電材料。作為示例，所述介電層11可以采用環(huán)氧樹脂、硅膠、pi、pbo、bcb、氧化硅、磷硅酸玻璃或含氟玻璃?？梢圆捎眯俊vd、等離子增強cvd等工藝形成所述介電層11。

在步驟s4中，請參閱圖2中的s4步驟及圖6，去除所述粘合層3及所述載體2。

作為示例，可以采用機(jī)械研磨、化學(xué)拋光、刻蝕、紫外線剝離、機(jī)械剝離中的一種或多種去除所述粘合層3及所述載體2；去除所述粘合層3及所述載體2之后即得到如實施例一中所述的重新布線層。

實施例三

請參閱圖7，本發(fā)明還提供一種封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)至少包括：如實施例一中所述的重新布線層1；所述重新布線層1包括相對的第一表面及第二表面，其中，所述重新布線層1與所述金屬種子層14臨近的表面為第一表面；有源模塊41，所述有源模塊41位于所述重新布線層1的第二表面，且與所述金屬線層12電連接；無源模塊42，所述無源模塊位于所述重新布線層1的第二表面，且與所述金屬線層12電連接；金屬連接柱5，所述金屬連接柱5位于所述重新布線層1的第二表面，且與所述金屬線層12電連接；第一塑封層6，所述第一塑封層6位于所述重新布線層1的第二表面，且填滿所述有源模塊41、所述無源模塊42及所述金屬連接柱5之間的間隙；焊料凸塊7，所述焊料凸塊7位于所述第一塑封層6遠(yuǎn)離所述重新布線層1的表面，且與所述金屬連接柱5電連接；用電芯片8，所述用電芯片8位于所述重新布線層1的第一表面，且經(jīng)由所述金屬種子層14與所述金屬線層12電連接。

作為示例，所述重新布線層1的具體結(jié)構(gòu)如實施例一中所述的重新布線層1的具體結(jié)構(gòu)相似，具體請參閱實施例一，此處不再累述。

作為示例，所述有源模塊41可以包括控制器和降壓變換器，所述無源模塊42可以包括電容、電感和電阻，所述有源模塊41與所述無源模塊42可以橫向地排列在同一平面層中，便于與后續(xù)形成的重新布線層的電連接和布圖設(shè)計，當(dāng)然，所述有源模塊41與所述無源模塊42的具體排布的位置可以根據(jù)實際需要進(jìn)行設(shè)計，本發(fā)明對此不作限制。

需要說明的是，該步驟中，所述有源模塊41的背面及所述無源模塊42的背面為與所述重新布線層1相結(jié)合的結(jié)合面，所述重新布線層1與所述有源模塊41及所述無源模塊42正面的焊墊電連接，以便于與后續(xù)形成的重新布線層的電連接。

需要進(jìn)一步說明的是，當(dāng)所述有源模塊41的背面及所述無源模塊42的背面均設(shè)有金屬焊墊時，可以借助助焊劑，并利用高溫回流工藝形成合金層，以實現(xiàn)所述有源模塊41的背面及所述無源模塊42的背面的所述金屬焊墊與所述重新布線層1的焊接固定，從而將所述有源模塊41及所述無源模塊42固定于所述重新布線層1上；當(dāng)所述有源模塊41的背面及所述無源模塊42的背面均沒有金屬焊墊時，可以借助膠水或雙面膠等粘合物將所述有源模塊41及所述無源模塊42固定于所述重新布線層1上。

作為示例，所述重新重新布線層1的第二表面還設(shè)有凸塊下金屬層9，所述有源模塊41及所述無源模塊42經(jīng)由所述凸塊下金屬層9與所述金屬線層12電連接。

作為示例，所述金屬連接柱5的材料可以包括cu、al、ag、au、sn、ni、ti、ta中的一種或多種，或其他適合的導(dǎo)電金屬材料。優(yōu)選地，本實施例中，所述金屬連接柱5的材料可以為cu。

作為示例，所述第一塑封層6的材料可以為環(huán)氧類樹脂、液體型熱固性環(huán)氧樹脂、塑料成型化合物或類似物。

作為示例，所述焊料凸塊7可以為焊錫球，優(yōu)選地，本實施例中，所述焊料凸塊7采用球柵陣列結(jié)構(gòu)(ballgridarray，bga)。所述封裝結(jié)構(gòu)通過所述焊料凸塊7與外部電源電連接。

作為示例，可以采用超聲鍵合、熱壓鍵合或普通的回流焊等工藝將所述用電芯片8經(jīng)由多個微凸塊焊接于所述重新布線層1上。

作為示例，所述用電芯片8可以為但不僅限于專用集成電路裸芯(asicdie)。

作為示例，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括第二塑封層81，所述第二塑封層81位于所述用電芯片8與所述重新布線層1之間，且填滿所述用電芯片8與所述重新布線層1之間的間隙。

實施例四

請參閱圖8，本發(fā)明還提供過一種封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，所述封裝結(jié)構(gòu)的制備方法適于制備實施例三中所述的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)的制備方法至少包括如下步驟：

s1：提供一載體；

s2：于所述載體的上表面形成粘合層；

s3：于所述粘合層的上表面形成如上實施例一中所述的重新布線層；所述重新布線層包括相對的第一表面及第二表面，所述重新布線層的第一表面與所述粘合層相接觸；

s4：于所述重新布線層的第二表面鍵合有源模塊、無源模塊及金屬連接柱；所述有源模塊、所述無源模塊及所述金屬連接柱均與所述金屬線層電連接；

s5：于所述重新布線層的第二表面形成第一塑封層，所述第一塑封層填滿所述有源模塊、所述無源模塊及所述金屬連接柱之間的間隙；

s6：于所述第一塑封層遠(yuǎn)離重新布線層的表面形成焊料凸塊，所述焊料凸塊與所述金屬連接柱電連接；

s7：去除所述粘合層及所述載體；

s8：于所述重新布線層的第一表面鍵合用電芯片，所述用電芯片經(jīng)由所述金屬種子層與所述金屬線層電連接。

在步驟s1中，請參閱圖8中的s1步驟及圖9，提供一載體2。

作為示例，所述載體2的材料可以選自玻璃、不銹鋼、硅、氧化硅、金屬或陶瓷中的一種或多種，或其他類似物。所述載體2可以為平板型。例如，所述載體2可以為但不僅限于具有一定厚度的玻璃圓形平板。

在步驟s2中，請參閱圖8中的s2步驟及圖10，于所述載體2的上表面形成粘合層3。

作為示例，所述粘合層3在后續(xù)工藝中作為重新布線層1與載體2之間的分離層，其最好選用具有光潔表面的粘合材料制成，其必須與重新布線層1具有一定的結(jié)合力，以保證所述重新布線層1在后續(xù)工藝中不會產(chǎn)生移動等情況，另外，其與所述載體2亦具有較強的結(jié)合力，一般來說，其與所述載體2的結(jié)合力需要大于與所述重新布線層1的結(jié)合力。作為示例，所述粘合層3的材料選自雙面均具有粘性的膠帶或通過旋涂工藝制作的粘合膠等。所述膠帶優(yōu)選采用uv膠帶，其在uv光照射后很容易被撕離。在其它實施方式中，所述粘合層3也可選用物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法指的的其他材料層，如環(huán)氧樹脂(epoxy)、硅橡膠(siliconerubber)、聚酰亞胺(pi)、聚苯并惡唑(pbo)、苯并環(huán)丁烯(bcb)等。在后續(xù)分離所述載體2時，可采用濕法腐蝕、化學(xué)機(jī)械研磨等方法去除所述粘合層3。

在步驟s3中，請參閱圖8中的s3步驟及圖11，于所述粘合層3的上表面形成如實施例一中所述的重新布線層1。

作為示例，所述重新布線層1的具體結(jié)構(gòu)特征請參閱實施例一，此處不再累述。

作為示例，于所述粘合層3的上表面形成所述的重新布線層1包括如下步驟：

s31：于所述粘合層3的上表面形成所述金屬種子層14；

s32：與所述金屬種子層14的上表面形成第一層金屬線層12；

s33：依據(jù)所述第一層金屬線層刻蝕所述金屬種子層14，以去除所述第一層金屬線層12外圍的所述金屬種子層14；

s34：于所述粘合層3的上表面形成覆蓋所述金屬種子層14及所述第一層金屬線層12上表面和側(cè)壁的介電層11；

s35：于所述介電層11內(nèi)形成與所述第一層金屬線層12電性連接的其他金屬線層12，相鄰所述金屬線層12之間經(jīng)由金屬插塞13電連接。

作為示例，所述金屬種子層14、各層所述金屬線層12及所述金屬插塞13的材料可以為但不僅限于銅?？梢圆捎梦锢須庀喑练e法、化學(xué)氣相沉積法、濺射法、電鍍貨化學(xué)鍍中的至少一種形成所述金屬種子層14、各層所述金屬線層12及所述金屬插塞13。

作為示例，所述介電層11采用低k介電材料。作為示例，所述介電層11可以采用環(huán)氧樹脂、硅膠、pi、pbo、bcb、氧化硅、磷硅酸玻璃或含氟玻璃?？梢圆捎眯?、cvd、等離子增強cvd等工藝形成所述介電層11。

請參閱圖12，步驟s3之后還包括于所述重新布線層1的第二表面形成凸塊下金屬層9的步驟；后續(xù)鍵合的所述有源模塊41及所述無源模塊42經(jīng)由所述凸塊下金屬層9與所述金屬線層12電連接。

在步驟s4中，請參閱圖8中的s4步驟及圖13及圖14，于所述重新布線層1的第二表面鍵合有源模塊41、無源模塊42及金屬連接柱5；所述有源模塊41、所述無源模塊42及所述金屬連接柱5均與所述金屬線層12電連接。

作為示例，所述有源模塊41可以包括控制器和降壓變換器，所述無源模塊42可以包括電容、電感和電阻，所述有源模塊41與所述無源模塊42可以橫向地排列在同一平面層中，便于與所述重新布線層1的電連接和布圖設(shè)計，當(dāng)然，所述有源模塊41與所述無源模塊42的具體排布的位置可以根據(jù)實際需要進(jìn)行設(shè)計，本發(fā)明對此不作限制。

需要說明的是，該步驟中，所述有源模塊41的背面及所述無源模塊42的背面為與所述重新布線層1相結(jié)合的結(jié)合面，所述重新布線層1與所述有源模塊41及所述無源模塊42正面的焊墊電連接，以便于與后續(xù)形成的重新布線層的電連接。

需要進(jìn)一步說明的是，當(dāng)所述有源模塊41的背面及所述無源模塊42的背面均設(shè)有金屬焊墊時，可以借助助焊劑，并利用高溫回流工藝形成合金層，以實現(xiàn)所述有源模塊41的背面及所述無源模塊42的背面的所述金屬焊墊與所述凸塊下金屬層9的焊接固定，從而將所述有源模塊41及所述無源模塊42固定于所述重新布線層1上；當(dāng)所述有源模塊41的背面及所述無源模塊42的背面均沒有金屬焊墊時，可以借助膠水或雙面膠等粘合物將所述有源模塊41及所述無源模塊42經(jīng)由所述凸塊下金屬層9固定于所述重新布線層1上。

作為示例，可以采用但不僅限于電鍍工藝在所述重新布線層1的第二表面形成所述金屬連接柱5。

作為示例，采用電鍍工藝在所述重新布線層1的第二表面形成所述金屬連接柱5包括如下步驟：

在所述重新布線層1的第二表面需要形成所述金屬連接柱5的位置形成虛擬焊墊(未示出)；

在所述重新布線層1的第二表面及所述虛擬焊墊表面形成光刻膠層(未示出)；

通過曝光、顯影在所述光刻膠層內(nèi)對應(yīng)于需要形成所述金屬連接柱5的所述虛擬焊墊的位置形成通孔，所述通孔暴露出所述虛擬焊墊；

采用電鍍工藝在所述通孔內(nèi)形成所述金屬連接柱5，此時，所述虛擬焊墊可以為電鍍的種子層；

去除所述光刻膠層。

作為示例，在所述載體21表面需要形成所述金屬連接柱5的位置或形成所述虛擬焊墊包括如下步驟：

采用金屬濺射或化學(xué)鍍在所述重新布線層1的第二表面形成金屬層；

在所述金屬層表面形成光刻膠層，通過曝光、顯影在所述光刻膠層內(nèi)形成通孔，所述通孔定義出所述虛擬焊墊之外的區(qū)域；

采用刻蝕工藝去除暴露的所述金屬層，去除所述光刻膠層即得到所述虛擬焊墊。

作為示例，所述金屬連接柱5的材料可以包括cu、al、ag、au、sn、ni、ti、ta中的一種或多種，或其他適合的導(dǎo)電金屬材料。所述虛擬焊墊的材料同樣可以包括cu、al、ag、au、sn、ni、ti、ta中的一種或多種，或其他適合的導(dǎo)電金屬材料。例如，所述金屬連接柱5的材料可以為cu，所述虛擬焊墊的材料可以為ti/cu。

在步驟s5中，請參閱圖8中的s5步驟及圖15，于所述重新布線層1的第二表面形成第一塑封層6，所述第一塑封層6填滿所述有源模塊41、所述無源模塊42及所述金屬連接柱5之間的間隙。

作為示例，可以采用模塑底部填充工藝于所述重新布線層1的第二表面形成所述第一塑封層6。采用模塑底部填充工藝于所述重新布線層1的第二表面形成所述第一塑封層6，塑封材料可以順暢而迅速地填滿所述有源模塊41、所述無源模塊42及所述金屬連接柱5之間的間隙，可以有效避免在出現(xiàn)界面分層；且模塑底部填充不會像現(xiàn)有技術(shù)中的毛細(xì)底部填充工藝那樣受到限制，大大降低了工藝難度，可以用于更小的連接間隙，更適用于堆疊架構(gòu)。

作為示例，所述第一塑封層6的材料可以為環(huán)氧類樹脂、液體型熱固性環(huán)氧樹脂、塑料成型化合物或類似物。

在步驟s6中，請參閱圖8中的s6步驟及圖16，于所述第一塑封層6遠(yuǎn)離重新布線層1的表面形成焊料凸塊7，所述焊料凸塊7與所述金屬連接柱5電連接。

作為示例，所述焊料凸塊7可以為焊錫球，優(yōu)選地，本實施例中，所述焊料凸塊7采用球柵陣列結(jié)構(gòu)(ballgridarray，bga)。所述封裝結(jié)構(gòu)通過所述焊料凸塊7與外部電源電連接。

在步驟s7中，請參閱圖8中的s7步驟及圖17，去除所述粘合層3及所述載體2。

作為示例，可以采用機(jī)械研磨、化學(xué)拋光、刻蝕、紫外線剝離、機(jī)械剝離中的一種或多種剝離所述粘合層3及所述載體2；優(yōu)選地，本實施例中，可以通過撕掉所述粘合層3以剝離所述載體2。

在步驟s8中，請參閱圖8中的s8步驟及圖18，于所述重新布線,1的第一表面鍵合用電芯片8，所述用電芯片8經(jīng)由所述金屬種子層14與所述金屬線層12電連接。

作為示例，可以采用超聲鍵合、熱壓鍵合或普通的回流焊等工藝將所述用電芯片8經(jīng)由多個微凸塊焊接于所述所述金屬種子層14上。

作為示例，所述用電芯片8可以為但不僅限于專用集成電路裸芯(asicdie)。

作為示例，請參閱圖19，于所述重新布線層1的第一表面鍵合所述用電芯,8之后，還包括于所述用電芯片8與所述重新布線層1之間形成第二塑封層81的步驟，所述第二塑封層81填滿所述用電芯片8與所述重新布線層1之間的間隙。

作為示例，可以通過在所述用電芯片8底部與所述重新布線層1之間的區(qū)域填充底部填充材料以將所述用電芯片8進(jìn)一步固定于所述重新布線層1上，所述填充材料可以為但不僅限于底部填充膠。

作為示例，可以采用毛細(xì)管底部填充工藝(cuf，capillaryunderfill)或模塑底部填充工藝(muf，moldingunderfill)于所述重新布線層1的第一表面鍵合所述用電芯,8之后，還包括于所述用電芯片8與所述重新布線層1之間形成所述第二塑封層81。

綜上所述，本發(fā)明提供一種重新布線層、具有所述重新布線層的封裝結(jié)構(gòu)及制備方法，所述重新布線層至少包括：介電層；金屬疊層結(jié)構(gòu)，位于所述介電層內(nèi)，所述金屬疊層結(jié)構(gòu)包括多層間隔排布的金屬線層及金屬插塞，所述金屬插塞位于相鄰所述金屬線層之間，以將相鄰的所述金屬線層電連接；金屬種子層，位于所述介電層內(nèi)，且位于所述金屬疊層結(jié)構(gòu)的一表面上，所述金屬種子層的材料與所述金屬線層的材料相同。本發(fā)明的重新布線層采用與其材料相同的單一材料作為種子層，在對種子層進(jìn)行刻蝕時不存在側(cè)切現(xiàn)象，所述重新布線層中金屬線的線寬及線間距均比較??；將所述重新布線層應(yīng)用于封裝結(jié)構(gòu)中時，在相同的尺寸內(nèi)可以得到更多的供電軌道。

上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。