本發(fā)明屬于量子點(diǎn)led封裝領(lǐng)域，更具體地，涉及一種低工作溫度的量子點(diǎn)白光led及其制備方法。

背景技術(shù)：

白光發(fā)光二極管(whitelightemittingdiode,wled)是一種基于p-n結(jié)電致發(fā)光原理制成的半導(dǎo)體發(fā)光器件。相比傳統(tǒng)照明光源，具有電光轉(zhuǎn)換效率高、使用壽命長、環(huán)保節(jié)能、體積小等優(yōu)點(diǎn)，被公認(rèn)為21世紀(jì)最具發(fā)展前景的高技術(shù)領(lǐng)域之一。同時(shí)，基于白光led背光的平板顯示技術(shù)近年來發(fā)展迅猛，已成為新的經(jīng)濟(jì)增長點(diǎn)。預(yù)計(jì)到2020年我國白光led相關(guān)產(chǎn)值有望達(dá)到萬億元。

大功率白光led通常是由藍(lán)光led芯片激發(fā)黃色熒光粉組成。這種方式雖然可以取得高發(fā)光效率，然而由于光譜中缺乏紅光成分，熒光粉轉(zhuǎn)化白光led的色彩不飽和，顯色指數(shù)很低。量子點(diǎn)作為一種新的納米級光轉(zhuǎn)化材料，其發(fā)射光譜可以通過改變尺寸和成分來調(diào)控，并且發(fā)出的顏色純度極高。因此，藍(lán)光led激發(fā)黃色熒光粉和紅色量子點(diǎn)組成的量子點(diǎn)白光led可以同時(shí)取得高發(fā)光效率與高顯色指數(shù)。

現(xiàn)有技術(shù)中，在進(jìn)行量子點(diǎn)白光led封裝時(shí)，由于量子點(diǎn)表面帶有的氮、硫、磷等元素會使熒光粉膠體中的鉑催化劑失效，導(dǎo)致硅膠無法固化，因此必須對量子點(diǎn)和熒光粉膠進(jìn)行有效隔離。目前有效的隔離措施是在量子點(diǎn)外表面附著一層致密的氧化硅納米層，制備出量子點(diǎn)硅納米球。雖然利用量子點(diǎn)硅納米球可以較好地與熒光粉膠實(shí)現(xiàn)共混，但仍存在以下缺點(diǎn)和不足：(1)在共混式封裝結(jié)構(gòu)中，由于量子點(diǎn)的耐溫性能弱于熒光粉，因此量子點(diǎn)與熒光粉長期處于同一高溫下時(shí)，會導(dǎo)致量子點(diǎn)發(fā)光衰減嚴(yán)重，最終導(dǎo)致器件性能漂移嚴(yán)重；(2)由于量子點(diǎn)與熒光粉相互間的光能量重吸收，導(dǎo)致光能量損失嚴(yán)重，進(jìn)而導(dǎo)致量子點(diǎn)白光led發(fā)光效率損失，也相應(yīng)地增大了量子點(diǎn)與熒光粉材料的用量，導(dǎo)致器件成本增加。

由于存在上述缺陷和不足，本領(lǐng)域亟需做出進(jìn)一步的完善和改進(jìn)，設(shè)計(jì)一種量子點(diǎn)白光led，使其能夠克服上述缺陷和不足。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)的以上缺陷或改進(jìn)需求，本發(fā)明提供了一種低工作溫度的量子點(diǎn)白光led及其制備方法，將量子點(diǎn)硅納米球涂覆于led芯片上方，將熒光粉膠涂覆于透光殼體，再利用封裝膠將兩者隔離，其能夠?qū)⒘孔狱c(diǎn)硅納米球產(chǎn)生的熱量迅速地通過led芯片、熱沉傳導(dǎo)出去，進(jìn)而降低量子點(diǎn)工作溫度；相比傳統(tǒng)的量子點(diǎn)-熒光粉混合式結(jié)構(gòu)，有效地減少量子點(diǎn)再次吸收熒光粉發(fā)射光，從而減少重吸收損失，提高白光led的發(fā)光效率；在生產(chǎn)中可以更加便捷地控制量子點(diǎn)與熒光粉各自的發(fā)光光譜，從而得到所需的理想型發(fā)光，還可顯著減少量子點(diǎn)的用量，節(jié)約了生產(chǎn)成本，十分適用于生產(chǎn)大功率白光led。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種低工作溫度的量子點(diǎn)白光led，其特征在于，其包括基板、透光殼體、以及設(shè)置在基板上的led芯片和量子點(diǎn)硅納米球，

其中，所述led芯片固定設(shè)置在基板表面，所述量子點(diǎn)硅納米球附著在所述led芯片表面，所述透光殼體內(nèi)表面附著有一層熒光粉膠，該透光殼體直接安裝在基板上或通過一模塑料固定在基板上方，并將所述led芯片和量子點(diǎn)硅納米球密封在內(nèi)，所述透光殼體底部設(shè)置有注膠孔，所述透光殼體內(nèi)還填充有封裝膠將量子點(diǎn)硅納米球和熒光粉膠隔離。

具體地，將量子點(diǎn)硅納米球涂覆于led芯片上方，將熒光粉膠涂覆于透光殼體，再利用封裝膠將兩者隔離，將量子點(diǎn)硅納米球涂覆于led芯片上方，可以將量子點(diǎn)硅納米球產(chǎn)生的熱量迅速地通過led芯片、熱沉傳導(dǎo)出去，進(jìn)而降低量子點(diǎn)工作溫度；相比傳統(tǒng)的量子點(diǎn)-熒光粉混合式結(jié)構(gòu)，可以有效地減少量子點(diǎn)再次吸收熒光粉發(fā)射光，從而減少重吸收損失，提高白光led的發(fā)光效率；產(chǎn)生同樣強(qiáng)度的量子點(diǎn)發(fā)射光譜時(shí)，可顯著減少量子點(diǎn)的用量，節(jié)約了生產(chǎn)成本；由于分別對量子點(diǎn)和熒光粉進(jìn)行封裝，因此相比傳統(tǒng)的量子點(diǎn)-熒光粉混合式結(jié)構(gòu)，在生產(chǎn)中可以更加便捷地控制量子點(diǎn)與熒光粉各自的發(fā)光光譜，從而得到所需的理想型發(fā)光。

進(jìn)一步優(yōu)選地，通過在所述模塑料上設(shè)置引線框架，所述led芯片通過金線和引線框架實(shí)現(xiàn)電連接；或者通過將所述基板中間設(shè)置銅柱，所述led芯片固定在該銅柱上實(shí)現(xiàn)電連接。通過引線框架和銅柱的設(shè)置，能夠在各種使用環(huán)境中實(shí)現(xiàn)電連接，滿足不同的使用需求。

優(yōu)選地，所述透光殼體的材料為聚甲基丙烯酸甲酯，聚碳酸酯或玻璃，其透光率大于90％；所述透光殼體的形狀為半球形、等多邊形、圓柱形或球冠形，其內(nèi)表面的邊長或直徑為1mm～20mm，內(nèi)表面的高度為1mm～20mm。較多的比較試驗(yàn)表明，采用聚甲基丙烯酸甲酯，聚碳酸酯或玻璃作為透光殼體，能夠具有較好的透光率，而使透明殼體的透光率大于90％，則能夠使最終制得的led具有較好的光強(qiáng)度。將透光殼體的形狀和大小規(guī)格控制在上述范圍內(nèi)，能夠激發(fā)透明殼體內(nèi)部的熒光粉膠和量子點(diǎn)納米球，從而得到合適的光譜以滿足使用需要。

優(yōu)選地，所述量子點(diǎn)硅納米球的粒徑為20nm～50nm，所述量子點(diǎn)硅納米球的發(fā)光波長為600nm～700nm，所述量子點(diǎn)硅納米球?yàn)楹藲そY(jié)構(gòu)顆粒，所述核殼結(jié)構(gòu)顆粒的核層為硒化鎘、硫硒化鎘、磷化銦、銅銦硫或鈣鈦礦中的一種或多種，所述核殼結(jié)構(gòu)顆粒的殼層為無定型氧化硅。較多的比較試驗(yàn)表明，量子點(diǎn)硅納米球的大小和純度能夠影響其發(fā)射光譜，將量子點(diǎn)硅納米球的粒徑和發(fā)光波長控制在上述范圍內(nèi)，具有高發(fā)光效率與高顯色指數(shù)以滿足使用要求。

優(yōu)選地，所述熒光粉膠中的熒光粉為yag或tag，所述熒光粉膠使用的膠材為硅膠、環(huán)氧樹脂或液態(tài)玻璃，所述封裝膠為硅膠、環(huán)氧樹脂或液態(tài)玻璃。

優(yōu)選地，所述led芯片為垂直電極芯片或水平電極芯片，其襯底為藍(lán)寶石或硅。

按照本發(fā)明的另一方面，提供了一種低工作溫度的量子點(diǎn)白光led的制備方法，其特征在于，具體包括以下步驟：

s1.將透光殼體頂部朝下、開口朝上放置，采用點(diǎn)膠設(shè)備將熒光粉膠均勻涂覆于所述透光殼體的內(nèi)表面；

s2.將涂覆熒光粉膠的透光殼體翻轉(zhuǎn)，放置于加熱設(shè)備上加熱，使得所述熒光粉膠固化，從而在所述透光殼體的內(nèi)表面形成熒光粉膠薄膜；

s3.將led芯片固定在基板上并完成電路連接，然后將量子點(diǎn)硅納米球水溶液點(diǎn)涂在led芯片上方，加熱使水溶液中的溶劑完全揮發(fā)，在led芯片表面形成量子點(diǎn)硅納米球；

s4.將含熒光粉膠固化后的透光殼體固定安裝在基板上或固定安裝在基板上方的模塑料內(nèi)，將led芯片密封在內(nèi)；

s5.通過透光殼體底部的注膠孔在所述透光殼體內(nèi)部的空隙處填充封裝膠，待封裝膠固化后即制備得到所述量子點(diǎn)白光led。

進(jìn)一步優(yōu)選地，其特征在于，在步驟s1中，所述熒光粉膠的體積為所述透光殼體容積的10％～77.5％，熒光粉膠包括質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1％～50％的熒光粉以及質(zhì)量分?jǐn)?shù)為50％～99％的膠體。較多比較試驗(yàn)表明，將熒光粉膠的體積控制在上述范圍，且將各個(gè)組分的比值限定在上述范圍，均能夠保證熒光粉能夠有效地利用，并能夠與量子點(diǎn)硅納米球有效地配合，得到合適亮度和色彩的光譜。

優(yōu)選地，其特征在于，在步驟s2中，所述透光殼體的加熱溫度為100℃～150℃。

優(yōu)選地，其特征在于，在步驟s3中，所述量子點(diǎn)硅納米球水溶液的涂覆厚度為20nm～150mm，加熱溫度為80～120度。

較多的比較試驗(yàn)表明，將熒光粉膠的固化溫度和量子點(diǎn)硅納米球的加熱溫度控制在上述溫度內(nèi)，能夠有效固化或干燥，同時(shí)又不會影響led中各個(gè)元件的最終性能，保證其質(zhì)量滿足最終使用要求。

總體而言，通過本發(fā)明所構(gòu)思的以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)和有益效果：

1、本發(fā)明的量子點(diǎn)led由于將量子點(diǎn)硅納米球涂覆于led芯片上方，將熒光粉膠涂覆于透光殼體，再利用封裝膠將兩者隔離，將量子點(diǎn)硅納米球涂覆于led芯片上方，可以將量子點(diǎn)產(chǎn)生的熱量迅速地通過led芯片、熱沉傳導(dǎo)出去，進(jìn)而降低量子點(diǎn)工作溫度；將量子點(diǎn)硅納米球緊貼led芯片，相比傳統(tǒng)的量子點(diǎn)-熒光粉混合式結(jié)構(gòu)，產(chǎn)生同樣強(qiáng)度的量子點(diǎn)發(fā)射光譜時(shí)，可顯著減少量子點(diǎn)的用量，節(jié)約了生產(chǎn)成本；

2、將熒光粉膠點(diǎn)涂在透光殼體上的分離式結(jié)構(gòu)，相比傳統(tǒng)的量子點(diǎn)-熒光粉混合式結(jié)構(gòu)，可以有效地減少量子點(diǎn)再次吸收熒光粉發(fā)射光，從而減少重吸收損失，提高白光led的發(fā)光效率；由于分別對量子點(diǎn)硅納米球和熒光粉進(jìn)行封裝，因此相比傳統(tǒng)的量子點(diǎn)-熒光粉混合式結(jié)構(gòu)，在生產(chǎn)中可以更加便捷地控制量子點(diǎn)與熒光粉各自的發(fā)光光譜，從而得到所需的理想型發(fā)光。

3、通過引線框架和銅柱的設(shè)置，能夠在各種使用環(huán)境中實(shí)現(xiàn)電連接，滿足不同的使用需求。而將熒光粉膠、量子點(diǎn)硅納米球、透明殼體選擇合適的規(guī)格和材料，能夠有效地提高led的發(fā)光效率，得到理想的發(fā)光光譜，并能夠滿足不同環(huán)境的使用需求。

4、本發(fā)明的量子點(diǎn)led的制備方法僅采用五個(gè)步驟，即可以制備出發(fā)光效率高且顯色度好的量子點(diǎn)led，且操作簡單、成本低廉，適合大規(guī)模生產(chǎn)量子點(diǎn)白光led。

附圖說明

圖1為本發(fā)明制備方法流程圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例1結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例2結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例3結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例4結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6(a)和6(b)為本發(fā)明實(shí)施例5結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7(a)和7(b)為本發(fā)明實(shí)施例6結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8(a)-8(c)為采用所述的方法制備的量子點(diǎn)白光led與傳統(tǒng)混合式白光led的性能對比結(jié)果。

在所有附圖中，相同的附圖標(biāo)記用來表示相同的元件或結(jié)構(gòu)，其中：101-加熱設(shè)備、102-點(diǎn)膠設(shè)備、103-透光殼體、104-注膠孔、105-熒光粉膠、106-量子點(diǎn)硅納米球水溶液、107-基板、108-模塑料、109-引線框架、110-金線、111-led芯片、112-量子點(diǎn)硅納米球、113-封裝膠、114-銅柱。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。此外，下面所描述的本發(fā)明各個(gè)實(shí)施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。

如圖2所示，是本發(fā)明的一種低工作溫度的量子點(diǎn)白光led，其包括基板107、透光殼體103、以及設(shè)置在基板107上的led芯片111和量子點(diǎn)硅納米球112，

其中，所述led芯片111固定設(shè)置在基板107表面，所述量子點(diǎn)硅納米球112附著在所述led芯片111表面，所述透光殼體103內(nèi)表面附著有一層熒光粉膠105，該透光殼體103直接安裝在基板107上或通過一模塑料108固定在基板107上方，并將所述led芯片111和量子點(diǎn)硅納米球112密封在內(nèi)，所述透光殼體103底部設(shè)置有注膠孔104，所述透光殼體103內(nèi)還填充有封裝膠113將熒光粉膠105和量子點(diǎn)硅納米球112隔離。

在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，通過在所述模塑料108上設(shè)置引線框架109，所述led芯片111通過金線110和引線框架109實(shí)現(xiàn)電連接；或者通過將所述基板107中間設(shè)置銅柱114，所述led芯片111固定在該銅柱114上實(shí)現(xiàn)電連接。

在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，所述透光殼體103的材料為聚甲基丙烯酸甲酯，聚碳酸酯或玻璃，其透光率大于90％；所述透光殼體103的形狀為半球形、等多邊形、圓柱形或球冠形，其內(nèi)表面的邊長或直徑為1mm～20mm，內(nèi)表面的高度為1mm～20mm。

在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，所述量子點(diǎn)硅納米球112的粒徑為20nm～50nm，所述量子點(diǎn)硅納米球112的發(fā)光波長為600nm～700nm，所述量子點(diǎn)硅納米球112為核殼結(jié)構(gòu)顆粒，所述核殼結(jié)構(gòu)顆粒的核層為硒化鎘、硫硒化鎘、磷化銦、銅銦硫或鈣鈦礦中的一種或多種，所述核殼結(jié)構(gòu)顆粒的殼層為無定型氧化硅。

在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，所述熒光粉膠105中的熒光粉為yag或tag，所述熒光粉膠105使用的膠材為硅膠、環(huán)氧樹脂或液態(tài)玻璃，所述封裝膠113為硅膠、環(huán)氧樹脂或液態(tài)玻璃。

在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，所述led芯片111為垂直電極芯片或水平電極芯片，其襯底為藍(lán)寶石或硅。

如圖1所示，為本發(fā)明提供的一種低工作溫度的量子點(diǎn)白光led的制備方法，具體包括以下步驟：

s1.將透光殼體103頂部朝下、開口朝上放置，采用點(diǎn)膠設(shè)備102將熒光粉膠105均勻涂覆于所述透光殼體103的內(nèi)表面；

s2.將涂覆熒光粉膠105的透光殼體103翻轉(zhuǎn)，放置于加熱設(shè)備101上加熱，使得所述熒光粉膠105固化，從而在所述透光殼體103的內(nèi)表面形成熒光粉膠薄膜；

s3.將led芯片111固定在基板107上并完成電路連接，然后將量子點(diǎn)硅納米球112水溶液點(diǎn)涂在led芯片111上方，加熱使水溶液中的溶劑完全揮發(fā)，在led芯片表面形成量子點(diǎn)硅納米球112；

s4.將熒光粉膠105固化后的透光殼體103固定安裝在基板107上或固定安裝在基板107上方的模塑料108內(nèi)，將led芯片111密封在內(nèi)；

s5.通過透光殼體103底部的注膠孔104在所述透光殼體103內(nèi)部的空隙處填充封裝膠113，待封裝膠113固化后即制備得到所述量子點(diǎn)白光led。

在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，在步驟s1中，所述熒光粉膠105的體積為所述透光殼體103容積的10％～77.5％，熒光粉膠105包括質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1％～50％的熒光粉以及質(zhì)量分?jǐn)?shù)為50％～99％的膠體。

在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，在步驟s2中，所述透光殼體103的加熱溫度為100℃～150℃。

在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，在步驟s3中，所述量子點(diǎn)硅納米球水溶液的涂覆厚度為20nm～150mm，加熱溫度為80～120度。

為更好地解釋本發(fā)明，以下給出幾個(gè)具體實(shí)施例：

實(shí)施例1

參見圖1和圖2，本實(shí)施例采用氮化鎵水平電極led芯片，襯底為藍(lán)寶石；熒光粉膠中的熒光粉為yag型，膠體為硅膠，熒光粉質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10％；量子點(diǎn)硅納米球的粒徑為30nm，發(fā)光波長為630nm，量子點(diǎn)核層材料為硒化鎘，量子點(diǎn)硅納米球水溶液中量子點(diǎn)硅納米球的質(zhì)量濃度為5mg/ml。透光殼體材料為聚甲基丙烯酸甲酯，其透光率為90％，形狀為半球形，其內(nèi)表面的直徑為6mm，內(nèi)表面的高度為3mm。封裝膠為硅膠。

s1.將透光殼體103頂部朝下、開口朝上放置，采用點(diǎn)膠設(shè)備102將體積為所述透光殼體容積的15％的熒光粉膠105均勻涂覆于所述透光殼體103的內(nèi)表面；

s2.將涂覆熒光粉膠105的透光殼體103翻轉(zhuǎn)，放置于加熱設(shè)備101上150°加熱，使得所述熒光粉膠105固化，從而在所述透光殼體103的內(nèi)表面形成熒光粉膠薄膜；

s3.將led芯片111固定在基板107上并完成電路連接，然后將量子點(diǎn)硅納米球112水溶液點(diǎn)涂在led芯片111上方，點(diǎn)涂高度為30nm，100度加熱，使水溶液中的溶劑完全揮發(fā)，在led芯片表面形成量子點(diǎn)硅納米球112；

s4.將熒光粉膠105固化后的透光殼體103固定安裝在基板107上或固定安裝在基板107上方的模塑料108內(nèi)，將led芯片111密封在內(nèi)；

s5.通過透光殼體103底部的注膠孔104在所述透光殼體103的空隙處填充封裝膠113，待封裝膠113固化后即制備得到所述量子點(diǎn)白光led。

實(shí)施例2

參見圖3，實(shí)施例采用氮化鎵水平電極led芯片，襯底為藍(lán)寶石；熒光粉膠中的熒光粉為yag型，膠體為硅膠，熒光粉質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20％；量子點(diǎn)微球的粒徑為40nm，發(fā)光波長為660nm，量子點(diǎn)核層材料為硒化鎘，量子點(diǎn)硅納米球水溶液中量子點(diǎn)硅納米球的質(zhì)量濃度為5mg/ml。透光殼體材料為聚甲基丙烯酸甲酯，其透光率為90％，形狀為半球形，其內(nèi)表面的直徑為6mm，內(nèi)表面的高度為3mm。封裝膠為硅膠。

s1.將透光殼體103頂部朝下、開口朝上放置，采用點(diǎn)膠設(shè)備102將體積為所述透光殼體容積的10％的熒光粉膠105均勻涂覆于所述透光殼體103的內(nèi)表面；

s2.將涂覆熒光粉膠105的透光殼體103翻轉(zhuǎn)，放置于加熱設(shè)備101上150°加熱，使得所述熒光粉膠105固化，從而在所述透光殼體103的內(nèi)表面形成熒光粉膠薄膜；

s3.將led芯片111固定在基板107上并完成電路連接，然后將量子點(diǎn)硅納米球112水溶液點(diǎn)涂在led芯片111上方，點(diǎn)涂高度為80nm，100度加熱，使水溶液中的溶劑完全揮發(fā)，在led芯片表面形成量子點(diǎn)硅納米球112；

s4.將熒光粉膠105固化后的透光殼體103固定安裝在基板107上或固定安裝在基板107上方的模塑料108內(nèi)，將led芯片111密封在內(nèi)；

s5.通過透光殼體103底部的注膠孔104在所述透光殼體103的空隙處填充封裝膠113，待封裝膠113固化后即制備得到所述量子點(diǎn)白光led。

實(shí)施例3

參見圖4，實(shí)施例采用氮化鎵水平電極led芯片，襯底為藍(lán)寶石；熒光粉膠中的熒光粉為tag型，膠體為硅膠，熒光粉質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1％；量子點(diǎn)微球的粒徑為20nm，發(fā)光波長為700nm，量子點(diǎn)核層材料為硫硒化鎘，量子點(diǎn)硅納米球水溶液中量子點(diǎn)硅納米球的質(zhì)量濃度為6mg/ml。透光殼體材料為聚碳酸酯，其透光率為95％，透光殼體的形狀為等六邊形，其內(nèi)表面邊長為20mm，內(nèi)表面的高度為20mm。封裝膠為環(huán)氧樹脂。

s1.將透光殼體103頂部朝下、開口朝上放置，采用點(diǎn)膠設(shè)備102將體積為所述透光殼體容積的77.5％的熒光粉膠105均勻涂覆于所述透光殼體103的內(nèi)表面；

s2.將涂覆熒光粉膠105的透光殼體103翻轉(zhuǎn)，放置于加熱設(shè)備101上135°加熱，使得所述熒光粉膠105固化，從而在所述透光殼體103的內(nèi)表面形成熒光粉膠薄膜；

s3.將led芯片111固定在基板107上并完成電路連接，然后將量子點(diǎn)硅納米球112水溶液點(diǎn)涂在led芯片111上方，點(diǎn)涂厚度為150nm，80度加熱，使水溶液中的溶劑完全揮發(fā)，在led芯片表面形成量子點(diǎn)硅納米球112；

s4.將熒光粉膠105固化后的透光殼體103固定安裝在基板107上或固定安裝在基板107上方的模塑料108內(nèi)，將led芯片111密封在內(nèi)；

s5.通過透光殼體103底部的注膠孔104在所述透光殼體103的空隙處填充封裝膠113，待封裝膠113固化后即制備得到所述量子點(diǎn)白光led。

實(shí)施例4

參見圖5，實(shí)施例采用氮化鎵水平電極led芯片，襯底為硅，基板是硅基板。熒光粉膠中的熒光粉為yag型，膠體為硅膠，熒光粉質(zhì)量分?jǐn)?shù)為99％；量子點(diǎn)微球的粒徑為50nm，發(fā)光波長為600nm，量子點(diǎn)核層材料為銅銦硫，量子點(diǎn)硅納米球水溶液中量子點(diǎn)硅納米球的質(zhì)量濃度為6mg/ml。透光殼體材料為玻璃，其透光率為92％，透光殼體的形狀為半球形，其部直徑為10mm，內(nèi)表面的高度為10mm。封裝膠為液態(tài)玻璃。

s1.將透光殼體103頂部朝下、開口朝上放置，采用點(diǎn)膠設(shè)備102將體積為所述透光殼體容積的50％的熒光粉膠105均勻涂覆于所述透光殼體103的內(nèi)表面；

s2.將涂覆熒光粉膠105的透光殼體103翻轉(zhuǎn)，放置于加熱設(shè)備101上130°加熱，使得所述熒光粉膠105固化，從而在所述透光殼體103的內(nèi)表面形成熒光粉膠薄膜；

s3.將led芯片111固定在基板107上并完成電路連接，然后將量子點(diǎn)硅納米球112水溶液點(diǎn)涂在led芯片111上方，點(diǎn)涂厚度為150nm，120度加熱，使水溶液中的溶劑完全揮發(fā)，在led芯片表面形成量子點(diǎn)硅納米球112；

s4.將熒光粉膠105固化后的透光殼體103固定安裝在基板107上或固定安裝在基板107上方的模塑料108內(nèi)，將led芯片111密封在內(nèi)；

s5.通過透光殼體103底部的注膠孔104在所述透光殼體103的空隙處填充封裝膠113，待封裝膠113固化后即制備得到所述量子點(diǎn)白光led。

實(shí)施例5

參見圖6(a)和6(b)，本實(shí)施例中涉及的是多l(xiāng)ed芯片的陣列式硅基封裝。實(shí)施例采用氮化鎵水平電極led芯片，襯底為藍(lán)寶石；熒光粉膠中的熒光粉為yag型，膠體為環(huán)氧樹脂，熒光粉質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30％；量子點(diǎn)微球的粒徑為20nm，發(fā)光波長為660nm，量子點(diǎn)核層材料為硒化鎘，量子點(diǎn)硅納米球水溶液中量子點(diǎn)硅納米球的質(zhì)量濃度為6.5mg/ml。透光殼體材料為聚甲基丙烯酸甲酯，其透光率為92％，透光殼體的形狀為半球形，其內(nèi)部直徑為1mm，內(nèi)表面的高度為1mm。封裝膠為環(huán)氧樹脂。

s1.將透光殼體103頂部朝下、開口朝上放置，采用點(diǎn)膠設(shè)備102將體積為所述透光殼體容積的30％的熒光粉膠105均勻涂覆于所述透光殼體103的內(nèi)表面；

s2.將涂覆熒光粉膠105的透光殼體103翻轉(zhuǎn)，放置于加熱設(shè)備101上100°加熱，使得所述熒光粉膠105固化，從而在所述透光殼體103的內(nèi)表面形成熒光粉膠薄膜；

s3.將led芯片111固定在基板107上并完成電路連接，然后將量子點(diǎn)硅納米球112水溶液點(diǎn)涂在led芯片111上方，點(diǎn)涂厚度為20nm，100度加熱，使水溶液中的溶劑完全揮發(fā)，在led芯片表面形成量子點(diǎn)硅納米球112；

s4.將熒光粉膠105固化后的透光殼體103固定安裝在基板107上或固定安裝在基板107上方的模塑料108內(nèi)，將led芯片111密封在內(nèi)；

s5.通過透光殼體103底部的注膠孔104在所述透光殼體103的空隙處填充封裝膠113，待封裝膠113固化后即制備得到所述量子點(diǎn)白光led。

實(shí)施例6

參見圖7(a)和7(b)，本實(shí)施例中涉及的是led印刷電路板(pcb)封裝。印刷電路板上具有通孔結(jié)構(gòu)，通孔中填充有高導(dǎo)熱系數(shù)的銅柱或其他金屬結(jié)構(gòu)。單顆或陣列l(wèi)ed芯片固定在印刷電路板中填充的銅柱上，銅柱的尺寸與led芯片的尺寸一致。完成電互連后，將量子點(diǎn)硅納米球水溶液點(diǎn)涂在led芯片上方，待溶液完全揮發(fā)后再將含熒光粉膠體的透光殼體嵌套在固定于基板表面的led芯片的上方；在所述熒光粉膠與所述透光殼體的空隙處填充封裝膠，固化后即制備得到所述量子點(diǎn)白光led。所述量子點(diǎn)白光led的參數(shù)與實(shí)施例5中的相同。

圖8(a)是通過所述的方法制備的一款量子點(diǎn)白光led，以及一款傳統(tǒng)的量子點(diǎn)-熒光粉共混式量子點(diǎn)白光led，兩者的發(fā)光光譜及光學(xué)性能對比；圖8(b)和8(c)為溫度場仿真和實(shí)驗(yàn)測試結(jié)果。對比兩者可以看出，所述的方法制備的量子點(diǎn)白光led在同等色溫與光譜分布下，可以取得更高的發(fā)光效率，并且量子點(diǎn)的工作溫度顯著降低。

本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。