【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種柔性有機發(fā)光二極管顯示器及其制作方法。

背景技術(shù)：

與液晶顯示器相比，有源矩陣有機發(fā)光二極管(amoled)具有較高的對比度、較廣的視角、反應(yīng)速度快等特點，另外amoled具自發(fā)光的特色，不需使用背光模塊，因此比液晶顯示面板更加輕薄，而且由于不需要背光模塊，還可以節(jié)省生產(chǎn)成本。

然而，水分子容易進(jìn)入柔性oled顯示器，影響oled的性能，此外柔性oled在彎曲過程中容易產(chǎn)生斷裂。為了阻隔空氣中的水分和防止彎曲過程中引起的斷裂，需要在柔性oled涂上一層具有較低水蒸氣透過率(wvtr)的鈍化層，一般要求其在85℃，85rh下的透過率小于10-6g/m2d，為了獲得足夠低的透過率的鈍化層，通常鈍化層采用氧化硅((siox)、氮化硅(sinx)、氧化鋁(al2o3)等無機材料。

但是這種材料制成的無機層容易在彎曲的過程中與有機層發(fā)生剝離。

因此，有必要提供一種柔性有機發(fā)光二極管顯示器及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種柔性有機發(fā)光二極管顯示器及其制作方法，能夠防止在彎曲的過程中無機層與有機層發(fā)生剝離。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法，其包括：

在柔性襯底上形成有機發(fā)光顯示層；

在所述有機發(fā)光顯示層上形成第一無機層；

在所述第一無機層上形成第一配鍵層；所述第一配鍵層用于提供富電子基團(tuán)；

在所述第一配鍵層上形成聚合物有機層；所述聚合物有機層具有缺電子基團(tuán)，所述缺電子基團(tuán)與所述富電子基團(tuán)形成配位鍵；

在所述聚合物有機層上形成第二無機層。

在本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法中，所述富電子基團(tuán)為苯環(huán)的π鍵，所述缺電子基團(tuán)包括r1-co-r2結(jié)構(gòu)，其中，r1、r2為含碳鏈的雜環(huán)或雜鏈基團(tuán)，其中雜元素包括b、o、s、si、p、n、f、cl、b中的至少一種。

在本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法中，所述在所述第一無機層上形成第一配鍵層的步驟包括：利用多聚磷酸在所述第一無機層上形成第一配鍵層。

在本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法中，所述方法還包括：

在所述第二無機層上形成第二配鍵層；

在所述第二配鍵層上形成第一有機層；以及

在所述第一有機層上形成第三無機層。

在本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法中，所述第一無機層的材料為金屬氧化物或非金屬氧化物。

在本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法中，所述第一無機層的厚度范圍為0.5μm-1μm。

在本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法中，所述聚合物有機層的厚度范圍為1μm-12μm。

在本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法中，所述第二無機層的材料包括鋯鋁酸鹽、石墨烯、氧化鋁、二氧化鋯、過氧化鋅、氮化硅、硅碳氮、siox、二氧化鈦以及類金剛石中的至少一種。

本發(fā)明還提供一種柔性有機發(fā)光二極管顯示器，其包括：柔性襯底；

有機發(fā)光顯示層，位于所述柔性襯底上；

第一無機層，位于所述有機發(fā)光顯示層上；

第一配鍵層，位于所述第一無機層上；所述第一配鍵層用于提供富電子基團(tuán)；

聚合物有機層，位于所述第一配鍵層上；所述聚合物有機層具有缺電子基團(tuán)，所述缺電子基團(tuán)與所述富電子基團(tuán)形成配位鍵；

第二無機層，位于所述聚合物有機層上。

在本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器中，所述富電子基團(tuán)為苯環(huán)的π鍵，所述缺電子基團(tuán)包括r1-co-r2結(jié)構(gòu)，其中，r1、r2為含碳鏈的雜環(huán)或雜鏈基團(tuán)，其中雜元素包括b、o、s、si、p、n、f、cl、b中的至少一種。

本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器及其制作方法，通過在無機層和有機層之間增加一層配鍵層，該配鍵層的富電子基團(tuán)與有機層的缺電子基團(tuán)形成加強的配位健，從而增強無機層和有機層之間的粘附力，提高了柔性有機發(fā)光二極管顯示器的可靠性。

【附圖說明】

圖1為本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第一步的示意圖。

圖2為本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第二步的示意圖。

圖3為本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第三步的示意圖。

圖4為本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器中配鍵層與sio2和聚合物有機層的作用示意圖。

圖5為本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第四步的示意圖。

圖6為本發(fā)明的種柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第五步的示意圖。

圖7為本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第六步的示意圖。

圖8為本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第七步的示意圖。

圖9為本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第八步的示意圖。

【具體實施方式】

以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號表示。

請參照圖1，圖1為本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法的第一步的示意圖。

本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法，包括：

s101、在柔性襯底上形成有機發(fā)光顯示層。

如圖1所示，在柔性襯底基板11上形成有機發(fā)光顯示層12、該有機發(fā)光顯示層12具有多個有機發(fā)光單元。有機發(fā)光顯示層12包括陽極、空穴傳輸層、空穴注入層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極。

s102、在所述有機發(fā)光顯示層上形成第一無機層。

如圖2所示，采用原子層沉積(ald，atomiclayerdeposition)、脈沖激光沉積(pld，pulsedlaserdeposition)、濺射沉積(sputter)以及等離子體增強化學(xué)氣相沉積法(pecvd，plasmaenhancedchemicalvapordeposition)等方式中的一種在所述有機發(fā)光顯示層12上沉積無機材料，以形成第一無機層13。所述第一無機層13的材料為金屬氧化物或非金屬氧化物。該第一無機層13用于阻隔外界的水氧。

所述第一無機層13的厚度范圍為0.5μm-1μm。由于厚度在此范圍內(nèi)，能更好地阻隔外界的水氧，且不會增加顯示器的厚度。

s103、在所述第一無機層上形成第一配鍵層；所述第一配鍵層用于提供富電子基團(tuán)。

如圖3所示，利用ppa(多聚磷酸)在第一無機層13上形成第一配鍵層14。所述第一配鍵層14用于提供富電子基團(tuán)；所述富電子基團(tuán)為苯環(huán)的π鍵。

以sio2為例，如圖4上半部分所示，在sio2上表面以多聚磷酸的苯環(huán)修飾，形成sio2-ph。由于sio2表面含有oh基團(tuán)，oh分子會與ppa發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，這時ppa會以化學(xué)鍵的形式連接到sio2上，形成sio2-ph層。sio2-ph上的苯環(huán)會與它接觸的聚合物有機物層形成配位鍵。

s104、在所述第一配鍵層上形成聚合物有機層；所述聚合物有機層具有缺電子基團(tuán)，所述缺電子基團(tuán)與所述富電子基團(tuán)形成配位鍵。

如圖5所示，利用噴墨印刷ijp、pecvd、旋轉(zhuǎn)涂布(spin-coating)、狹縫式涂布(slotcoating)、絲網(wǎng)印刷(screenprinting)以及注射(dispenser)等方式中的一種在第一配鍵層14上涂布一層聚合物材料，以形成聚合物有機層15。該聚合物含有r1-co-r2結(jié)構(gòu)，其中，r1、r2為含碳鏈的雜環(huán)或雜鏈基團(tuán)，其中雜元素包括b、o、s、si、p、n、f、cl以及b中的至少一種。也即所述缺電子基團(tuán)包括r1-co-r2結(jié)構(gòu)。如圖4下半部分所示，sio2-ph上的苯環(huán)會與它接觸的聚合物有機物層形成配位鍵，也即在r1-co-r2上的缺電子基團(tuán)與苯環(huán)上的π鍵之間形成較強的配位健，從而增強了無機層和有機層之間的粘附力。

該聚合物有機層15主要用于緩沖應(yīng)力以及阻擋外界的顆粒污染物。

該聚合物有機層15的厚度范圍為1μm-12μm。由于厚度在此范圍內(nèi)，能更好對有機發(fā)光顯示層進(jìn)行保護(hù)，且不會增加顯示器的厚度。

由于聚合物有機層15包含r1-co-r2結(jié)構(gòu)，由于c＝o鍵具有較強的吸電子特性，這樣會引起與c＝o相鄰的r1或r2基團(tuán)表現(xiàn)出缺電子特性，而苯環(huán)上6個π電子具有斥電子特性，這樣便會在r1或r2基團(tuán)和苯環(huán)之間形成較強的配位健，從而增強有機層與無機層之間的作用力，防止在彎曲折疊中發(fā)生剝離現(xiàn)象。

s105、在所述聚合物有機層上形成第二無機層。

如圖6所示，采用原子層沉積(ald，atomiclayerdeposition)、脈沖激光沉積(pld，pulsedlaserdeposition)、濺射沉積(sputter)以及等離子體增強化學(xué)氣相沉積法(pecvd，plasmaenhancedchemicalvapordeposition)等方式中的一種在所述聚合物有機層15上沉積無機材料，以形成第二無機層16。所述第二無機層16的材料zralxoy(鋯鋁酸鹽)、石墨烯、氧化鋁al2o3、二氧化鋯zro2、過氧化鋅zno2、氮化硅sinx、硅碳氮sicn、siox、二氧化鈦tio2以及dlc(類金剛石)中的至少一種。由于這些材料不溶于水、且不與氧氣發(fā)生反應(yīng)、耐蝕性強，使得第二無機層16具有很好的阻隔的水氧的特性，因此可以更好地防止有機發(fā)光單元被腐蝕。

所述第二無機層16的厚度可以與第一無機層13的厚度相同。

進(jìn)一步地，所述方法還包括：

s106、在所述第二無機層上形成第二配鍵層。

如圖7所示，在第二無機層16上制備一層第二配鍵層17，第二配鍵層17的制備工藝與第一配鍵層14的制備工藝相同。第二配鍵層17的厚度與第一配鍵層14的厚度相同。

s107、在所述第二配鍵層上形成第一有機層。

如圖8所示，利用pecvd、ijp、slotcoating、spin-coating、dispenser等方式中的一種在所述第二配鍵層17上涂布一層有機材料，得到第一有機層18，第一有機層18的制備工藝與厚度等與聚合物有機層15的制備工藝與厚度相同。

s108、在所述第一有機層上形成第三無機層。

如圖9所示，利用pecvd、ald、pld、sputter等方式中的一種在所述第一有機層18上沉積一層無機材料，以得到第三無機層19。第三無機層19的制備工藝與厚度等與第二無機層16和第一無機層13的制備工藝與厚度等相同。

如圖9所示，本發(fā)明實施例提供一種柔性有機發(fā)光二極管顯示器，其包括柔性襯底11、有機發(fā)光顯示層12、第一無機層13、第一配鍵層14、聚合物有機層15、第二無機層16。有機發(fā)光顯示層12位于所述柔性襯底11上；第一無機層13位于所述有機發(fā)光顯示層12上；第一配鍵層14位于所述第一無機層13上；所述第一配鍵層14用于提供富電子基團(tuán)；聚合物有機層15位于所述第一配鍵層14上；所述聚合物有機層具有缺電子基團(tuán)，所述缺電子基團(tuán)與所述富電子基團(tuán)形成配位鍵。第二無機層16位于所述聚合物有機層15上。

柔性有機發(fā)光二極管顯示器還可以包括第二配鍵層17、第一有機層18、第三無機層19。第二配鍵層17位于所述第二無機層16上。第一有機層18位于所述第二配鍵層17層上，第三無機層19位于第一有機層18上。

本發(fā)明的柔性有機發(fā)光二極管顯示器及其制作方法，通過在無機層和有機層之間增加一層配鍵層，該配鍵層的富電子基團(tuán)與有機層的缺電子基團(tuán)形成加強的配位健，從而增強無機層和有機層之間的粘附力，提高了柔性有機發(fā)光二極管顯示器的可靠性。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。