本申請涉及芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及電路結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

隨著芯片之間需要傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量越來越大，芯片之間的連接線越來越多。由于芯片的體積較小，且芯片的封裝體積也不能過大，因此，需要較高的工藝實現(xiàn)芯片之間的連接。

目前，通常采用在基板上設(shè)置晶圓以及在該晶圓上堆疊芯片(chiponwaferonsubstrate，cowos)的技術(shù)實現(xiàn)多個芯片之間的互連。具體的，將多個芯片設(shè)置在轉(zhuǎn)接板的上表面，由于該轉(zhuǎn)接板的上表面設(shè)置有金屬布線，因此，該多個芯片之間可以通過該轉(zhuǎn)接板上表面的金屬布線進行互連。需要說明的是，該轉(zhuǎn)接板的下表面與基板的一表面相對，也即基板和該多個芯片分別位于該轉(zhuǎn)接板的兩側(cè)。為了使得每個芯片可以與該基板之間實現(xiàn)信號傳輸，需要通過硅通孔(throughsiliconvia，tsv)技術(shù)在轉(zhuǎn)接板中開孔，以使通孔貫穿轉(zhuǎn)接板的上表面和下表面，并在通孔中進行金屬布線，芯片通過通孔中的金屬布線與基板連接。

然而，在上述過程中，由于tsv技術(shù)的工藝復雜，使得對芯片封裝過程復雜，導致對芯片的封裝效率低下。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本申請?zhí)峁┮环N芯片封裝結(jié)構(gòu)及電路結(jié)構(gòu)，提供了芯片封裝效率。

第一方面，本申請?zhí)峁┮环N芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括至少兩個芯片、連接部件、多個第二焊球和基板。

每一芯片的朝向基板的表面為有源面，至少兩個芯片中每一芯片的有源面均位于同一平面；每一芯片的有源面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，每一芯片的第一區(qū)域均設(shè)有多個第一焊盤，每一芯片的第二區(qū)域均設(shè)有至少一個第二焊盤。

至少兩個芯片包括相鄰的第一芯片和第二芯片，第一芯片的第一區(qū)域和第二芯片的第一區(qū)域均位于第一芯片的第二區(qū)域和第二芯片的第二區(qū)域之間，且第一芯片的第一區(qū)域和第二芯片的第一區(qū)域?qū)粋€連接部件。沿基板的厚度方向，第一芯片的第一區(qū)域和第二芯片的第一區(qū)域在對應的連接部件的第一表面所在平面內(nèi)的投影均位于對應的連接部件的第一表面內(nèi)。第一芯片的第二區(qū)域和第二芯片的第二區(qū)域在對應連接部件的第一表面所在平面內(nèi)的投影均位于對應的連接部件的第一表面外，其中，連接部件的第一表面朝向第一芯片的第一區(qū)域和第二芯片的第一區(qū)域。連接部件內(nèi)布有多條第一金屬線，每一第一金屬線的兩端均暴露在連接部件的第一表面，每一第一金屬線的一端與第一芯片的一個第一焊盤相連接，另一端與第二芯片的一個第一焊盤相連接。通過在連接部件中設(shè)置有多條第一金屬線，每一條第一金屬線的兩端分別與不同芯片的第一焊盤連接，進而實現(xiàn)通過連接部件中的第一金屬線實現(xiàn)多個芯片之間的連接，且連接部件僅與多個芯片的第一區(qū)域正對，進而保證連接部件的體積較小。

第一芯片和第二芯片的每一第二焊盤通過一個第二焊球與基板的上表面相連接，基板的上表面朝向芯片的有源面。這樣，可以方便的實現(xiàn)芯片與基板之間的連接。

在本申請中，通過連接部件中的第一金屬線實現(xiàn)不同芯片之間連接的工藝簡單，且通過第二焊球?qū)崿F(xiàn)芯片與基板之間的連接的工藝簡單，使得芯片封裝過程簡單，進而提高芯片封裝效率。

在一種可能的實施方式中，芯片封裝結(jié)構(gòu)還可以包括多個第一焊球，每一第一金屬線的一端通過一個第一焊球與第一芯片的一個第一焊盤相連接，另一端通過另一個第一焊球與第二芯片的一個第一焊盤相連接。通過在芯片封裝結(jié)構(gòu)中設(shè)置第一焊球，可以方便的實現(xiàn)連接部件與芯片之間的連接。

在另一種可能的實施方式中，芯片封裝結(jié)構(gòu)還可以包括rdl，可選的，可以通過至少如下三種可行的實現(xiàn)方式在芯片封裝結(jié)構(gòu)中設(shè)置rdl：

一種可行的實現(xiàn)方式：

每一芯片的有源面和基板的上表面之間還具有一rdl，每一rdl的第一表面與對應芯片的有源面中的第一區(qū)域和第二區(qū)域相接觸，每一rdl的第二表面朝向基板的上表面，rdl的第二表面和rdl的第一表面相對；其中，每一芯片對應一個rdl。

rdl內(nèi)布有多條第二金屬線和至少一條第三金屬線，第二金屬線的一端暴露在rdl的第一表面，另一端暴露在rdl的第二表面；第三金屬線的一端暴露在rdl的第一表面，另一端暴露在rdl的第二表面。

每條第二金屬線的一端與一個第一焊盤相接觸，另一端與一個第一焊球相接觸；每條第三金屬線的一端與一個第二焊盤相接觸，另一端與一個第二焊球相接觸。

另一種可行的實現(xiàn)方式：

至少兩個芯片的有源面和基板的上表面之間還具有重布線層rdl，rdl的第一表面與至少兩個芯片的有源面中的第一區(qū)域和第二區(qū)域相接觸，rdl的第二表面朝向基板的上表面，rdl的第二表面和rdl的第一表面相對。

rdl內(nèi)布有多條第四金屬線和多條第五金屬線，第四金屬線的一端暴露在rdl的第一表面，另一端暴露在rdl的第二表面，第五金屬線的一端暴露在rdl的第一表面，另一端暴露在rdl的第二表面。

每條第四金屬線的一端與一個第一焊盤相接觸，另一端與一個第一焊球相接觸；每條第五金屬線的一端與一個第二焊盤相接觸，另一端與一個第二焊球相接觸。

再一種可行的實現(xiàn)方式：

每一芯片的第二區(qū)域和基板的上表面之間還具有一個重布線層rdl，每一rdl的第一表面與對應芯片的第二區(qū)域相接觸，每一rdl的第二表面朝向基板的上表面，rdl的第二表面和rdl的第一表面相對，其中，每一芯片的第二區(qū)域?qū)粋€rdl；

rdl內(nèi)布有至少一條第六金屬線，第六金屬線的一端暴露在rdl的第一表面，另一端暴露在rdl的第二表面，rdl的第一表面朝向?qū)酒牡诙^(qū)域，rdl的第二表面和rdl的第一表面相對；

每條第二金屬線的一端與一個第二焊盤相接觸，另一端與一個第二焊球相接觸。

在另一種可能的實施方式中，芯片封裝結(jié)構(gòu)還可以包括塑封體，塑封體包裹在至少兩個芯片中每一芯片的側(cè)壁，用于固定至少兩個芯片。

可選的，塑封體還包裹至少兩個芯片中每一芯片的背面，至少兩個芯片中每一芯片的背面與對應芯片的有源面相對。通過在芯片封裝結(jié)構(gòu)中設(shè)置塑封體，可以由塑封體更加牢固的固定每一個芯片，以使每一個芯片的有源面位于同一平面。

在另一種可能的實施方式中，芯片封裝結(jié)構(gòu)還可以包括散熱部件，至少兩個芯片中每一芯片的背面均與散熱部件相接觸，其中，每一芯片的背面與對應芯片的有源面相對。通過在芯片封裝結(jié)構(gòu)中設(shè)置散熱部件，可以使得芯片封裝結(jié)構(gòu)中每一個芯片產(chǎn)生的熱量及時散出去，進而提高芯片封裝結(jié)構(gòu)的散熱性能。

在另一種可能的實施方式中，所述連接部件與所述芯片之間填充有填充物，所述填充物用于粘連所述連接部件與所述芯片。通過在連接部件與所述芯片之間填充有填充物，可以使得連接部件和芯片之間更加牢固的固定?？蛇x的，所述連接部件的材質(zhì)為硅或者玻璃。

在另一種可能的實施方式中，所述塑封體為粉末狀的熱塑性材質(zhì)或液態(tài)的熱塑性材質(zhì)澆筑在所述芯片上形成的。

在另一種可能的實施方式中，所述芯片與所述基板之間填充有填充物，所述填充物用于粘連所述芯片與所述基板。通過在芯片與基板之間填充有填充物，可以使得芯片和基板之間更加牢固的固定。

在另一種可能的實施方式中，所述填充物為樹脂。

第二方面，本申請?zhí)峁┮环N電路結(jié)構(gòu)，包括第一方面任一項所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)和外圍電路，芯片封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的基板的下表面還具有至少一個第三焊盤，每一第三焊盤通過一個第三焊球與外圍電路之間實現(xiàn)信號傳輸。

第三方面，本申請?zhí)峁┮环N芯片封裝方法，該方法可以包括：在至少兩個芯片上形成塑封體，將所述至少兩個芯片固定，且每個芯片的有源面位于同一平面；將連接部件上布有的第一金屬線的兩端分別通過第一焊球與不同芯片的有源面上的第一焊盤連接；在每個芯片的第二焊盤上形成第二焊球，所述第二焊球用于與基板連接。

在一種可能的實施方式中，在至少兩個芯片上形成塑封體，包括：

在所述芯片的側(cè)壁形成所述塑封體；

或者，

在所述芯片的側(cè)壁和所述芯片的背面形成所述塑封體。

在另一種可能的實施方式中，在所述芯片的側(cè)壁形成所述塑封體，包括：

將每個芯片、以有源面朝下的方式放置在支撐平面上；

在每個芯片側(cè)壁澆筑粉末或液態(tài)的熱塑性材質(zhì)形成所述塑封體。

在另一種可能的實施方式中，在所述芯片的側(cè)壁和所述芯片的背面形成所述塑封體，包括：

將每個芯片、以有源面朝下的方式放置在支撐平面上；

在每個芯片側(cè)壁和背面澆筑粉末或液態(tài)的熱塑性材質(zhì)形成所述塑封體。

在另一種可能的實施方式中，所述方法還包括：

在所述連接部件和所述芯片之間填充填充物。

在另一種可能的實施方式中，在在每個芯片的第二焊盤上形成第二焊球之前，還包括：

制備重布線層rdl；

相應的，在所述芯片的第二焊盤上設(shè)置第二焊球，包括：

通過所述rdl，在所述芯片的第二焊盤上形成第二焊球。

在另一種可能的實施方式中，制備重布線層rdl包括：

在至少兩個芯片上形成塑封體之前，在每個芯片的有源面制備所述rdl；

或者，

在至少兩個芯片上形成塑封體之后，在每個芯片的有源面、及所述塑封體的底面制備所述rdl，所述塑封體的底面與所述芯片的有源面位于同一平面。

在另一種可能的實施方式中，若在至少兩個芯片上形成塑封體之前，在每個芯片的有源面制備所述rdl，相應的，在至少兩個芯片上形成塑封體，包括：

在所述至少兩個芯片和rdl上形成所述塑封體。

在另一種可能的實施方式中，所述rdl內(nèi)部布有多條第二金屬線，各所述第二金屬線的兩端分別位于所述rdl的兩個表面；相應的，通過所述rdl，在所述芯片的第二焊盤上形成第二焊球，包括：

將位于所述rdl的第一表面的第二金屬線與所述芯片中的第二焊盤連接；

將位于所述rdl的第二表面的第二金屬線與所述第二焊球連接。

在另一種可能的實施方式中，將連接部件上的第一金屬線的兩端通過第一焊球與不同芯片的第一焊盤連接，包括：

將所述第一焊球的一端通過所述rdl與不同芯片的第一焊盤連接；

將所述第一焊球的另一端與所述連接部件連接。

在另一種可能的實施方式中，所述rdl上設(shè)置多條第三金屬線，各所述第三金屬線的兩端分別位于所述rdl的兩個表面；相應的，將連接部件上布有的第一金屬線的兩端分別通過第一焊球與不同芯片的有源面上的第一焊盤連接，包括：

將所述rdl的第一表面的第三金屬線與所述芯片的有源面上的第一焊盤連接；

將所述rdl的第二表面的第三金屬線與所述第一焊球連接。

在另一種可能的實施方式中，在所述連接部件和所述芯片之間填充填充物，包括：

在所述連接部件和所述rdl之間填充填充物。

在另一種可能的實施方式中，在所述芯片的第二焊盤上形成第二焊球之后，還包括：

將基板的第一側(cè)中的焊盤與所述第二焊球連接；

在所述基板的第二側(cè)中的焊盤上形成第三焊球，所述第三焊球用于與外圍電路連接。

在另一種可能的實施方式中，所述方法還包括：

在所述基板和所述芯片之間填充填充物。

在另一種可能的實施方式中，所述方法還包括：

在所述至少兩個芯片的背面設(shè)置散熱材質(zhì)；

或者，

在所述至少兩個芯片的背面和側(cè)壁設(shè)置有散熱材質(zhì)。。

在另一種可能的實施方式中，若所述塑封體覆蓋所述芯片的背面，相應的，在所述至少兩個芯片的背面設(shè)置散熱材質(zhì)、或在所述至少兩個芯片的背面和側(cè)壁設(shè)置有散熱材質(zhì)之前，還包括：

去除所述至少兩個芯片背面的塑封體。

本申請?zhí)峁┑男酒庋b結(jié)構(gòu)及電路結(jié)構(gòu)，在連接部件中設(shè)置有多條第一金屬線，每一條第一金屬線的兩端分別與不同芯片的第一焊盤連接，進而實現(xiàn)通過連接部件中的第一金屬線實現(xiàn)多個芯片之間的連接，且連接部件僅與多個芯片的第一區(qū)域正對，這樣，可以保證連接部件的體積較小。通過第二焊球?qū)崿F(xiàn)芯片與基板之間的連接，無需通過tsv技術(shù)開孔。其中，通過連接部件中的第一金屬線實現(xiàn)不同芯片之間連接的工藝簡單，且通過第二焊球?qū)崿F(xiàn)芯片與基板之間的連接的工藝簡單，使得芯片封裝過程簡單，進而提高芯片封裝效率。

附圖說明

圖1為本申請?zhí)峁┑男酒庋b結(jié)構(gòu)的示意圖一；

圖1a為本申請?zhí)峁┑牡谝粎^(qū)域和第二區(qū)域的位置關(guān)系示意圖；

圖2為本申請?zhí)峁┑男酒庋b結(jié)構(gòu)的示意圖二；

圖3為本申請?zhí)峁┑男酒庋b結(jié)構(gòu)的示意圖三；

圖3a為本申請?zhí)峁┑乃芊怏w與芯片的俯視圖一；

圖3b為本申請?zhí)峁┑乃芊怏w與芯片的俯視圖二；

圖4為本申請?zhí)峁┑男酒庋b結(jié)構(gòu)的示意圖四；

圖5為本申請?zhí)峁┑男酒庋b結(jié)構(gòu)的示意圖五；

圖6為本申請?zhí)峁┑男酒庋b結(jié)構(gòu)的示意圖六；

圖7為本申請?zhí)峁┑男酒庋b結(jié)構(gòu)的示意圖七；

圖8為本申請?zhí)峁┑男酒庋b結(jié)構(gòu)的示意圖八；

圖9為本申請?zhí)峁┑碾娐方Y(jié)構(gòu)的示意圖；

圖10為本申請?zhí)峁┑男酒庋b方法的流程示意圖一；

圖11為本申請?zhí)峁┑男酒庋b過程示意圖一；

圖12為本申請?zhí)峁┑男酒庋b方法的流程示意圖二；

圖13為本申請?zhí)峁┑男酒庋b過程示意圖二；

圖14為本申請?zhí)峁┑男酒庋b方法的流程示意圖三；

圖15為本申請?zhí)峁┑男酒庋b過程示意圖三。

具體實施方式

本申請所涉及的芯片封裝結(jié)構(gòu)中包括至少兩個芯片，至少兩個芯片之間相互連接，以實現(xiàn)芯片之間可以相互通信?？蛇x的，本申請所示的芯片可以為邏輯芯片或記憶芯片等。本申請所示的芯片封裝結(jié)構(gòu)旨在簡化芯片的封裝過程，提高芯片的封裝效率。

下面，通過具體實施例，對本申請所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)進行詳細說明。需要說明的是，下面幾個具體實施例可以相互結(jié)合，對于相同或相似的內(nèi)容，在不同的實施例中不再進行贅述。還需要說明的是，本申請附圖所示出的各種部件的長度、寬度、高度(或厚度)僅為示例性說明，并非對本申請所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的限定。

需要說明的是，本申請所示的芯片封裝結(jié)構(gòu)中可以包括多個芯片，多個芯片中的每兩個芯片之間的封裝類似。為了便于描述，本申請所示的附圖、及如下實施例均以芯片封裝結(jié)構(gòu)中包括兩個芯片為例進行描述。

圖1為本申請?zhí)峁┑男酒庋b結(jié)構(gòu)的示意圖一。請參見圖1，包括至少第一芯片11和第二芯片12、連接部件13、多個第二焊球14和基板15。

請參見圖1，第一芯片11和第二芯片12的朝向基板15的表面為有源面，第一芯片11和第二芯片12的有源面均位于同一平面。第一芯片11和第二芯片12的有源面均包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域設(shè)有多個第一焊盤，第二區(qū)域設(shè)有至少一個第二焊盤。第一芯片11的第一區(qū)域和第二芯片12的第一區(qū)域均位于第一芯片11的第二區(qū)域和第二芯片12的第二區(qū)域之間，且第一芯片11的第一區(qū)域和第二芯片12的第一區(qū)域共同對應一個連接部件13。

可選的，芯片的有源面為芯片中具有焊盤的一面?？蛇x的，第一焊盤用于實現(xiàn)不同芯片之間的連接，第二焊盤用于實現(xiàn)芯片與基板之間的連接?？蛇x的，第一芯片11的第一區(qū)域和第二芯片12的第一區(qū)域共同對應一個連接部件13是指，第一芯片11的第一區(qū)域和第二芯片12的第一區(qū)域與同一個連接部件13的一個表面相對。可選的，連接部件13的材質(zhì)為硅或者玻璃。當然，在實際應用過程中，可以根據(jù)實際需要選擇連接部件13的材質(zhì)。

下面，結(jié)合圖1a對第一芯片和第二芯片中的第一區(qū)域和第二區(qū)域的位置關(guān)系進行詳細說明。

圖1a為本申請?zhí)峁┑牡谝粎^(qū)域和第二區(qū)域的位置關(guān)系示意圖。請參見圖1a，第一芯片11中包括第一區(qū)域b和第二區(qū)域a，第二芯片12中包括第一區(qū)域c和第二區(qū)域d，其中，第一區(qū)域b和第一區(qū)域c均位于第二區(qū)域a和第二區(qū)域d之間。其中，在第一區(qū)域b和第一區(qū)域c上設(shè)置有至少一個第一焊盤(圖中未示出)，在第二區(qū)域a和第二區(qū)域d上設(shè)置有至少一個第二焊盤(圖中未示出)。

請參見圖1，沿基板15的厚度方向，連接部件13的第一表面朝向第一芯片11的第一區(qū)域和第二芯片12的第一區(qū)域。第一芯片11的第一區(qū)域在連接部件13的第一表面所在平面內(nèi)的投影位于連接部件13的第一表面內(nèi)。第一芯片11的第二區(qū)域在連接部件13的第一表面所在平面內(nèi)的投影位于連接部件13的第一表面外。第二芯片12的第一區(qū)域在對應的連接部件13的第一表面所在平面內(nèi)的投影也位于連接部件13的第一表面內(nèi)。第二芯片12的第二區(qū)域在連接部件13的第一表面所在平面內(nèi)的投影位于連接部件13的第一表面外。這樣，不但保證通過連接部件13可以實現(xiàn)第一芯片11和第二芯片12之間的連接，還可以保證連接部件13的體積最小，進而可以使得芯片封裝結(jié)構(gòu)的體積較小。

請參見圖1，連接部件13內(nèi)布有多條第一金屬線(圖中未示出)，每一第一金屬線的兩端均暴露在連接部件的第一表面，每一第一金屬線的一端與第一芯片的一個第一焊盤相連接，另一端與第二芯片的一個第一焊盤相連接。即，每一條第一金屬線分別用于連接第一芯片和第二芯片。

可選的，每一條第一金屬線分別用于實現(xiàn)第一芯片和第二芯片之間的連接，并可傳遞第一芯片和第二芯片之間的信號?？蛇x的，第一金屬線可以為銅等材質(zhì)。在實際應用過程中，可以根據(jù)實際情況設(shè)置金屬線的材質(zhì)，本申請對金屬線的材質(zhì)不作具體限定。

請參見圖1，第一芯片11和第二芯片12的每一第二焊盤通過一個第二焊球14與基板15的上表面相連接，基板15的上表面朝向第一芯片11和第二芯片12的有源面。

可選的，第二焊球14可以為焊錫或銅柱等。可選的，可以先在第一芯片11和第二芯片12的第二焊盤上設(shè)置第二焊球14，再將第二焊球14與基板的上表面連接，以使第二焊球14的一端與第一芯片中的第二含片中的第一金屬線的一端接觸，第二焊球14的另一端與基板的上表面接觸。

本申請?zhí)峁┑男酒庋b結(jié)構(gòu)，在連接部件中設(shè)置有多條第一金屬線，每一條第一金屬線的兩端分別與不同芯片的第一焊盤連接，進而實現(xiàn)通過連接部件中的第一金屬線實現(xiàn)多個芯片之間的連接，且連接部件僅與多個芯片的第一區(qū)域正對，這樣，可以保證連接部件的體積較小。通過第二焊球?qū)崿F(xiàn)芯片與基板之間的連接，無需通過tsv技術(shù)開孔。其中，通過連接部件中的第一金屬線實現(xiàn)不同芯片之間連接的工藝簡單，且通過第二焊球?qū)崿F(xiàn)芯片與基板之間的連接的工藝簡單，使得芯片封裝過程簡單，進而提高芯片封裝效率。

在上述任意一個實施例的基礎(chǔ)上，可選的，為了便于連接部件13與第一芯片11和第二芯片12中的第一焊盤的連接，還可以在芯片封裝結(jié)構(gòu)中設(shè)置第一焊球，以使連接部件13通過第一焊球與與第一芯片11和第二芯片12中的第一焊盤連接，具體的，請參見圖2所示的實施例。

圖2為本申請?zhí)峁┑男酒庋b結(jié)構(gòu)的示意圖二。在圖1所示實施例的基礎(chǔ)上，請參見圖2，芯片封裝結(jié)構(gòu)還可以包括多個第一焊球16，每一第一金屬線的一端通過一個第一焊球16與第一芯片11的一個第一焊盤相連接，另一端通過另一個第一焊球16與第二芯片12的一個第一焊盤相連接。其中，與第一芯片11的有源面接觸的第一焊球為第一芯片11的第一焊球，與第二芯片12的有源面接觸的第一焊球為第二芯片12的第一焊球。

可選的，第一焊球16可以為焊錫或銅柱等?？蛇x的，可以先在連接部件13上設(shè)置第一焊球16，再將第一焊球16與第一芯片11和第二芯片12的有源面中第一焊盤連接，以使第一焊球16的一端與連接部件13中的第一金屬線的一端接觸，第一焊球16的另一端與芯片11的有源面中的第一焊盤接觸。

在上述任意一個實施例的基礎(chǔ)上，可選的，為了使得第一芯片11和第二芯片12的有源面位于同一平面，可以通過塑封體將第一芯片11和第二芯片12固定。可選的，塑封體可以包裹第一芯片11和第二芯片12的側(cè)壁，塑封體也可以包括第一芯片11和第二芯片12的側(cè)壁和背面。芯片的背面和芯片的有源面相對，其中，對一個平板來說，該平板相背離的兩個平面之間的關(guān)系可以稱之為相對的，芯片為一個平板，因此，芯片的背面和芯片的有源面為芯片中相背離的兩個平面。下面，通過圖3-圖4所示的實施例，對該兩種可行的實現(xiàn)方式進行詳細說明。

圖3為本申請?zhí)峁┑男酒庋b結(jié)構(gòu)的示意圖三。圖3所示的實施例可以基于上述任意一個實施例，為了便于描述，基于圖2所示的實施例，對圖3所示的實施例進行詳細說明。

請參見圖3，芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括塑封體17，塑封體17包裹在第一芯片11和第二芯片12的側(cè)壁，用于固定第一芯片11和第二芯片12。

可選的，塑封體17可以為粉末狀的熱塑性材質(zhì)或液態(tài)的熱塑性材質(zhì)澆筑在芯片的側(cè)壁形成的。例如，熱塑性材質(zhì)可以為熱塑性樹脂等。

下面，結(jié)合圖3a-圖3b，對塑封體和芯片之間的連接關(guān)系進行詳細說明。

圖3a為本申請?zhí)峁┑乃芊怏w與芯片的俯視圖一。請參見圖3a，塑封體17包裹至少第一芯片11和第二芯片12的全部側(cè)壁，且塑封體17未包裹第一芯片11和第二芯片12的有源面和背面。當然，塑封體17還可以包裹第一芯片11和第二芯片12的部分側(cè)壁，只要塑封體17可以固定第一芯片11和第二芯片12即可。例如，塑封體17與第一芯片11和第二芯片12之間的連接關(guān)系還可以如圖3b所示。

圖3b為本申請?zhí)峁┑乃芊怏w與芯片的俯視圖二。請參見圖3b，塑封體17包裹第一芯片11和第二芯片12部分側(cè)壁，且塑封體17未包裹第一芯片11和第二芯片12的有源面和背面。需要說明的是，圖3b只是以示例的形式示意一種塑封體17包裹第一芯片11和第二芯片12部分側(cè)壁的情況，當然，塑封體17還可以包裹第一芯片11和第二芯片12中的其它部分側(cè)壁，本申請不再進行窮舉。

圖4為本申請?zhí)峁┑男酒庋b結(jié)構(gòu)的示意圖四。圖4所示的實施例可以基于上述任意一個實施例，為了便于描述，基于圖2所示的實施例，對圖4所示的實施例進行詳細說明。

請參見圖4，芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括塑封體17，塑封體17包裹在第一芯片11和第二芯片12的側(cè)壁和背面，用于固定第一芯片11和第二芯片12。其中，每一芯片的背面與有源面相對。通過將塑封體17包裹第一芯片11和第二芯片12的側(cè)壁和背面，可以實現(xiàn)更加牢固的固定第一芯片11和第二芯片12。

當然，在實際應用過程中，塑封體17可以包裹第一芯片11和第二芯片12的背面的全部，也可以包裹第一芯片11和第二芯片12的背面的部分，本申請對此不作具體限定。

需要說明的是，圖4實施例所示的塑封體的材質(zhì)及形成方法可以參見圖3所示的實施例，此處不再進行贅述。

在上述任意一個實施例的基礎(chǔ)上，在實際應用過程中，芯片中的第二焊盤與基板中的焊盤可能無法正對，導致第二焊球不能同時和芯片中的第二焊盤以及基板中對應的焊盤接觸，進而導致無法通過第二焊球?qū)崿F(xiàn)芯片與基板的連接。為了解決該問題，如圖5-圖7所示，可以在芯片封裝結(jié)構(gòu)中設(shè)置重布線層(advancedpackaging，rdl)，以使第二焊球可以通過rdl與芯片上的第二焊盤連接。

圖5為本申請?zhí)峁┑男酒庋b結(jié)構(gòu)的示意圖五。圖5所示的實施例可以基于上述任意一個實施例，為了便于描述，基于圖4所示的實施例，對圖5所示的實施例進行詳細說明。其中，在圖5所示的實施例中，每一個芯片對應一個rdl，且每一個芯片對應的rdl分別與芯片的有源面中的第一區(qū)域和第二區(qū)域相接觸。rdl的第一表面和rdl的第二表面相對，其中，對一個平板來說，該平板相背離的兩個平面之間的關(guān)系可以稱之為相對的，rdl為一個平板，因此，rdl的第一表面和第二表面為rdl中相背離的兩個平面。需要說明的是，下文中對rdl的第一表面和第二表面的相對關(guān)系不再進行贅述。

請參見圖5，第一芯片11的有源面和基板15的上表面之間具有rdl181，rdl181的第一表面與第一芯片11的有源面中的第一區(qū)域和第二區(qū)域相接觸，rdl181的第二表面朝向基板15的上表面。第二芯片12的有源面和基板15的上表面之間具有rdl182，rdl182的第一表面與第二芯片12的有源面中的第一區(qū)域和第二區(qū)域相接觸，rdl182的第二表面朝向基板的上表面。其中，rdl181和rdl182之間相互隔離。

可選的，rdl181的第一表面的面積大于或等于第一芯片的有源面的面積，且rdl181的第一表面至少覆蓋第一芯片的有源面。可選的，rdl182的第一表面的面積大于或等于第二芯片的有源面的面積，且rdl182的第一表面至少覆蓋第二芯片的有源面。

rdl181內(nèi)布有多條第二金屬線和至少一條第三金屬線。rdl181內(nèi)的第二金屬線的一端位于rdl181的第一表面，另一端位于rdl181的第二表面。rdl181內(nèi)的每條第二金屬線的一端與第一芯片11的一個第一焊盤相接觸，另一端與一個第一芯片11的第一焊球相接觸。rdl181內(nèi)的第三金屬線的一端位于rdl181的第一表面，另一端位于rdl181的第二表面。rdl181內(nèi)的每條第三金屬線的一端與一個第一芯片11的一個第二焊盤相接觸，另一端與第一芯片11的一個第二焊球14相接觸。

rdl182內(nèi)布有多條第二金屬線和至少一條第三金屬線。rdl182內(nèi)的第二金屬線的一端位于rdl182的第一表面，另一端位于rdl182的第二表面。rdl182內(nèi)的每條第二金屬線的一端與第二芯片的112的一個第一焊盤相接觸，另一端與一個第二芯片12的第一焊球相接觸。rdl182內(nèi)的第三金屬線的一端位于rdl182的第一表面，另一端位于rdl182的第二表面。rdl182內(nèi)的每條第三金屬線的一端與一個第二芯片12的一個第二焊盤相接觸，另一端與第二芯片12的一個第二焊球14相接觸。

可選的，多條用于傳輸不同信號的第二金屬線之間是相隔離的，多條用于傳輸相同信號的第二金屬線之間可以相互交叉?？蛇x的，多條用于傳輸不同信號的第三金屬線之間是相隔離的，多條用于傳輸相同信號的第三金屬線之間可以相互交叉。

在圖5所示的實施例中，需要先在每一個芯片的有源面上制備rdl，然后再將制備了rdl的芯片包裹在塑封體17中。通過在芯片的有源面上設(shè)置rdl，可以實現(xiàn)改變第二焊球與芯片中的第二焊盤的相對位置，進而便于芯片與基板之間的連接。

圖6為本申請?zhí)峁┑男酒庋b結(jié)構(gòu)的示意圖六。圖6所示的實施例可以基于上述任意一個實施例，為了便于描述，基于圖4所示的實施例，對圖6所示的實施例進行詳細說明。其中，在圖6所示的實施例中，多個芯片對應一個rdl，且該一個rdl與每一個芯片的有源面中的第一區(qū)域和第二區(qū)域相接觸。該rdl的第一表面和rdl的第二表面相對。

請參見圖6，第一芯片11和第二芯片12的有源面和基板的上表面之間還具有rdl18，rdl18的第一表面分別與第一芯片11和第二芯片12的有源面中的第一區(qū)域和第二區(qū)域相接觸，rdl18的第二表面朝向基板15的上表面。

可選的，rdl18的第一表面的面積大于或等于第一芯片11和第二芯片12的有源面的面積之和，且rdl18的第一表面至少覆蓋第一芯片11的有源面和第二芯片12的有源面?？蛇x的，rdl的第一表面還可以覆蓋塑封體17中與芯片的有源面在同一平面的部分。

rdl18內(nèi)布有多條第四金屬線和多條第五金屬線，第四金屬線的一端位于rdl18的第一表面，另一端位于rdl18的第二表面，第五金屬線的一端位于rdl18的第一表面，另一端位于rdl18的第二表面。

第四金屬線可以分為第一部分第四金屬線和第二部分第四金屬線，第一部分第四金屬線用于連接第一芯片的第一焊盤和第一芯片的第一焊球，第二部分第四金屬線用于連接第二芯片的第一焊盤和第二芯片的第一焊球。每一個第一部分第四金屬線的一端與第一芯片11的第一焊盤相接觸，另一端與第一芯片11的一個第一焊球相接觸。每一個第二部分第四金屬線的一端與第二芯片12的第一焊盤相接觸，另一端與第二芯片12的一個第一焊球相接觸。

第五金屬線可以分為第一部分第五金屬線和第二部分第五金屬線，第一部分第五金屬線用于連接第一芯片的第二焊盤和第一芯片的第二焊球，第二部分第五金屬吸納用于連接第二芯片的第二焊盤和第二芯片的第二焊球。每一個第一部分第五金屬線的一端與第一芯片的一個第二焊盤相接觸，另一端與第一芯片的一個第二焊球相接觸。每一個第二部分第五金屬線的一端與第二芯片的一個第二焊盤相接觸，另一端與第二芯片的一個第二焊球相接觸。

可選的，多條用于傳輸不同信號的第四金屬線之間是相隔離的，多條用于傳輸相同信號的第四金屬線之間可以相互交叉?？蛇x的，多條用于傳輸不同信號的第五金屬線之間是相隔離的，多條用于傳輸相同信號的第五金屬線之間可以相互交叉。

在圖6所示的實施例中，需要先將第一芯片和第二芯片包裹在塑封體中，然后再在塑封后的第一芯片和第二芯片的有源面上制備rdl。通過在芯片的有源面上設(shè)置rdl，可以實現(xiàn)改變第二焊球與芯片中的第二焊盤的相對位置，進而便于芯片與基板之間的連接。

圖7為本申請?zhí)峁┑男酒庋b結(jié)構(gòu)的示意圖七。圖7所示的實施例可以基于上述任意一個實施例，為了便于描述，基于圖4所示的實施例，對圖7所示的實施例進行詳細說明。其中，在圖7所示的實施例中，每一個芯片的第二區(qū)域?qū)粋€rdl，且每一個芯片對應的rdl分別與芯片的有源面中的第二區(qū)域相接觸。rdl的第一表面和rdl的第二表面相對。

請參見圖7，第一芯片11的第二區(qū)域和基板15的上表面之間具有rdl181，rdl181的第一表面與第一芯片11的有源面中的第二區(qū)域相接觸，rdl181的第二表面朝向基板15的上表面。第二芯片12的第二區(qū)域和基板15的上表面之間具有rdl182，rdl182的第一表面與第二芯片12的有源面中的第二區(qū)域相接觸，rdl182的第二表面朝向基板的上表面。其中，rdl181和rdl182之間相互隔離。

可選的，rdl181的第一表面的面積大于或等于第一芯片11的有源面中的第二區(qū)域的面積，rdl181的第一表面至少覆蓋第一芯片的有源面中的第二區(qū)域，且rdl181的第一表面不覆蓋第一芯片的有源面中的第一區(qū)域。沿基板的厚度方向，第一芯片11的第二區(qū)域在rdl181的第一表面所在平面上的投影位于rdl181的第一表面內(nèi)，第一芯片11的第一區(qū)域在rdl181的第一表面所在平面上的投影位于rdl181的第一表面外。

可選的，rdl182的第一表面的面積大于或等于第二芯片12的有源面中的第二區(qū)域的面積，rdl182的第一表面至少覆蓋第二芯片的有源面中的第二區(qū)域，且rdl182的第一表面不覆蓋第而芯片的有源面中的第一區(qū)域。沿基板的厚度方向，第二芯片12的第二區(qū)域在rdl182的第一表面所在平面上的投影位于rdl182的第一表面內(nèi)，第二芯片12的第一區(qū)域在rdl182的第一表面所在平面上的投影位于rdl182的第一表面外。

需要說明的是，對于至少兩個芯片中的相鄰的兩個芯片，若其中一個芯片的第二區(qū)域和另一個芯片的第二區(qū)域均位于這兩個芯片的第一區(qū)域之間，則該兩個芯片的第二區(qū)域分別對應的兩個rdl可以是一體的，也即，該兩個芯片的第二區(qū)域可以共同對應一個rdl。

rdl181內(nèi)布有至少一條第六金屬線，第六金屬線的一端暴露在rdl181的第一表面，另一端暴露在rdl181的第二表面，rdl181的第一表面朝向第一芯片11的第二區(qū)域。每條第二金屬線的一端與第一芯片11的一個第二焊盤相接觸，另一端與第一芯片11的一個第二焊球相接觸。

rdl182內(nèi)布有至少一條第六金屬線，第六金屬線的一端暴露在rdl182的第一表面，另一端暴露在rdl182的第二表面，rdl182的第一表面朝向第二芯片12的第二區(qū)域。每條第二金屬線的一端與第二芯片12的一個第二焊盤相接觸，另一端與第二芯片12的一個第二焊球相接觸。

可選的，多條用于傳輸不同信號的第六金屬線之間是相隔離的，多條用于傳輸相同信號的第六金屬線之間可以相互交叉。

在圖7所示的實施例中，需要先在每一個芯片的第二區(qū)域上制備rdl，然后再將制備了rdl的芯片包裹在塑封體17中。通過在芯片的有源面上設(shè)置rdl，可以實現(xiàn)改變第二焊球與芯片中的第二焊盤的相對位置，進而便于芯片與基板之間的連接。

在上述任意一個實施例的基礎(chǔ)上，為了便于芯片封裝結(jié)構(gòu)散熱，可以在每一個芯片的背面設(shè)置有散熱部件。具體的，請參見圖8所示的實施例。

圖8為本申請?zhí)峁┑男酒庋b結(jié)構(gòu)的示意圖八。圖8所示的實施例可以基于上述任意一個實施例，為了便于描述，基于圖6所示的實施例，對圖8所示的實施例進行詳細說明。請參見圖8，芯片封裝結(jié)構(gòu)還包括散熱部件19，第一芯片11和第二芯片12的背面均與散熱部件相接觸。

可選的，可以在第一芯片11和第二芯片12的背面涂布散熱膠，通過散熱膠將第一芯片11和第二芯片12的背面與散熱部件19固定。通過散熱膠不但可以牢固的將第一芯片11、第二芯片12與散熱部件19固定，還可以及時的將第一芯片11和第二芯片12產(chǎn)生的熱量散出去。可選的，還可以在基板15和散熱部件19接觸的部位上涂布膠體，以更加牢固的將散熱部件19、第一芯片11、第二芯片和基板15固定。

可選的，當芯片的背面覆蓋有塑封體時，為了進一步提高芯片的散熱性能，可以先去除芯片的背面的塑封體，然后，再在芯片的背面設(shè)置散熱部件。這樣，芯片產(chǎn)生的熱量可以直接通過散熱部件散去，進一步提高了芯片的散熱性能。

在上述任意一個實施例的基礎(chǔ)上，可選的，為了增強連接部件與芯片之間的連接強度，可以在連接部件和芯片之間填充填充物。當然，若連接部件和芯片之間設(shè)置有rdl，相應的，可以在連接部件和rdl之間填充填充物，以增加連接部件和rdl之間的連接強度。可選的，為了增強基板與芯片之間的連接強度，可以在基板和芯片之間填充填充物。當然，若基板與芯片之間設(shè)置有rdl，相應的，可以在基板和rdl之間填充填充物?？蛇x的，填充物為樹脂等，在實際應用過程中，可以根據(jù)實際需要設(shè)置填充物，本申請對此不作具體限定。

本申請還提供一種電路結(jié)構(gòu)，包括上述任意一個實施例所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)和外圍電路，下面，通過圖9所示的實施例，對本申請所示的電路結(jié)構(gòu)進行詳細說明。

圖9為本申請?zhí)峁┑碾娐方Y(jié)構(gòu)的示意圖。圖9所示的實施例可以基于上述任意一個實施例，為了便于描述，基于圖6所示的實施例，對圖9所示的實施例進行詳細說明。請參見圖9，包括芯片封裝結(jié)構(gòu)和外圍電路，芯片封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的基板的下表面還具有至少一個第三焊盤，每一第三焊盤通過一個第三焊球與外圍電路之間實現(xiàn)信號傳輸。

為了便于對上述芯片封裝結(jié)構(gòu)的理解，下面，通過具體實施例對芯片封裝方法進行詳細說明。

圖10為本申請?zhí)峁┑男酒庋b方法的流程示意圖一。請參見圖10，該方法可以包括：

s101、在至少兩個芯片上形成塑封體，將至少兩個芯片固定，且每個芯片的有源面位于同一平面。

可選的，可以是在至少兩個芯片的背面和側(cè)壁形成塑封體，也可以是在至少兩個芯片的側(cè)壁形成塑封體。

當在至少兩個芯片的側(cè)壁形成塑封體時，可以將每個芯片、以有源面朝下的方式放置在支撐平面上，在每個芯片側(cè)壁澆筑粉末或液態(tài)的熱塑性材質(zhì)形成塑封體。

當在至少兩個芯片的側(cè)壁和背面形成塑封體時，可以將每個芯片、以有源面朝下的方式放置在支撐平面上，在每個芯片側(cè)壁和背面澆筑粉末或液態(tài)的熱塑性材質(zhì)形成塑封體。

在實際應用過程中，為了在將每個芯片、以有源面朝下的方式放置在支撐平面上之后，為了避免芯片在支撐平面上移動，可以通過膠體將芯片的有源面粘在支撐平面上。相應的，在制備完成塑封體之后，可以通過高溫等方式將芯片的有源面和支撐平面之間的膠體的粘度降低，并在支撐平面上取下覆蓋有塑封體的芯片。

s102、將連接部件上布有的第一金屬線的兩端分別通過第一焊球與不同芯片的有源面上的第一焊盤連接。

在s102之前，需要先制備連接部件，在制備連接部件時，選擇合適的材質(zhì)，例如玻璃、硅等，并在選擇的材質(zhì)上布設(shè)第一金屬線。在布設(shè)第一金屬線時，需要根據(jù)第一焊盤進行布線，以使連接部件中的第一金屬線可以與第一判斷匹配。

可選的，在制備完連接部件之后，可以在連接部件的第一金屬線的兩端制備第一焊球，并將具有第一焊球的連接部件與芯片的有源面上的第一焊盤連接。需要說明的是，可以通過現(xiàn)有的任意一種方式在第一金屬線的兩端制備第一焊球，本申請對此不作進行贅述。

可選的，可以將制備在連接部件中的第一焊球、與第一焊盤進行位置匹配，并將第一焊球與第一焊盤接觸，通過高溫、冷凝等工藝，使得第一焊球與第一焊盤連接。

s103、在每個芯片的第二焊盤上形成第二焊球，第二焊球用于與基板連接。

需要說明的是，可以通過現(xiàn)有的任意一種方式在第二焊盤上形成第二焊球，本申請對此不作進行贅述。

需要說明的是，s102和s103之間沒有先后順序，可以先執(zhí)行s102，也可以先執(zhí)行s103，本申請對此不作具體限定。

s104、將基板的第一側(cè)中的焊盤與第二焊球連接。

s105、在基板和芯片之間、及連接部件和芯片之間填充填充物。

可選的，可以在基板和芯片之間、及連接部件和芯片之前填充粘稠態(tài)的填充物，并對粘稠態(tài)的填充物進行冷凝等處理，以使粘稠態(tài)的填充物成為固體。

s106、在芯片的背面形成散熱部件。

可選的，可以在芯片的背面涂布導熱界面材料(thermalinterfacematerials，tim)，然后通過tim將散熱部件粘在芯片的背面，該散熱部件覆蓋芯片的背面，該散熱部件可以為銅或鋁材質(zhì)等?？蛇x的，該散熱部件還可以包圍芯片的側(cè)壁，且散熱部件與芯片的側(cè)壁之間具有縫隙，散熱部件與基板接觸的部位可以涂布膠體，以更加牢固的固定散熱部件。

下面，結(jié)合圖11，通過具體示例，對圖10實施例所示的方法進行詳細說明。

圖11為本申請?zhí)峁┑男酒庋b過程示意圖一。請參見圖11包括結(jié)構(gòu)101-結(jié)構(gòu)105。

請參見結(jié)構(gòu)101，當需要對芯片1和芯片2進行封裝時，先將芯片1和芯片2放置在支撐平面上，可以通過膠體固定芯片1和芯片2的有源面與支撐平面。然后在芯片1和芯片2的背面和側(cè)壁澆筑液態(tài)的熱塑性材質(zhì)，并通過按壓板按壓澆筑在芯片1和芯片2上的熱塑性材質(zhì)，以使得在芯片1和芯片2背面形成塑封體平整，并對液態(tài)的熱塑性材質(zhì)進行冷凝處理，以使熱塑性材質(zhì)冷凝成為固體，從而實現(xiàn)在芯片1和芯片2上形成塑封體17。

請參見結(jié)構(gòu)102，在芯片1和芯片2上形成塑封體17之后，加熱支撐平面與芯片1和芯片2之間的膠體，以使芯片1和芯片2可以從支撐平面上取下來，并將芯片1和芯片2的有源面朝上放置在支撐平面上，并在芯片1和芯片2的有源面上的第一焊盤與連接部件14通過第一焊球16連接。還在芯片1和芯片2的第二焊盤上形成第二焊球14。

請參見結(jié)構(gòu)103，將基板15與對應的第二焊球14連接。

請參見結(jié)構(gòu)104，在基板15與芯片1和芯片2之間、以及連接部件13與芯片1和芯片2之間填充填充物。

請參見結(jié)構(gòu)105，將芯片1和芯片2背面的塑封體17去除，例如，可以將芯片1和芯片2背面的塑封體17磨掉，然后，在芯片1和芯片2的背面形成散熱部件19。

通過以上步驟即可形成芯片封裝結(jié)構(gòu)105。

圖12為本申請?zhí)峁┑男酒庋b方法的流程示意圖二。請參見圖12，該方法可以包括：

s201、在至少兩個芯片上形成塑封體，將至少兩個芯片固定，且每個芯片的有源面位于同一平面。

需要說明的是，s201的執(zhí)行過程可以參見s101，此處不再進行贅述。

s202、在至少兩個芯片的有源面、及塑封體的底面制備rdl，塑封體的底面與芯片的有源面位于同一平面。

可選的，可以通過涂覆、曝光、顯影、固化、電鍍、刻蝕等工藝在至少兩個芯片的有源面上制備rdl。

形成的rdl中包括第二金屬線和第三金屬線，第二金屬線的一端分別與至少兩個芯片中的第二焊盤連接，第三金屬線的一端分別與至少兩個芯片中的第三焊盤連接。

需要說明的是，在制備rdl的過程中，需要根據(jù)連接部件上的第一金屬線的位置，確定rdl中第三金屬線的位置，根據(jù)基板中需要與芯片中的第二焊盤連接的焊盤位置，確定rdl中第二金屬線的位置。

s203、將連接部件上布有的第一金屬線的兩端分別通過第一焊球與rdl中的第三金屬線的另一端連接。

可選的，可以在連接部件的第一金屬線的兩端制備第一焊球，并將具有連接部件中的第一焊球與rdl中的對應的第三金屬線的另一端連接。需要說明的是，可以參見s102實現(xiàn)第一焊球與第三金屬線的另一端的連接，此處不再進行贅述。

s204、在rdl的第二金屬線的另一端上形成第二焊球，第二焊球用于與基板連接。

需要說明的是，可以通過現(xiàn)有的任意一種方式在第二焊盤上形成第二焊球，本申請對此不作進行贅述。

需要說明的是，s203和s204之間沒有先后順序，可以先執(zhí)行s203，也可以先執(zhí)行s204，本申請對此不作具體限定。

s205、將基板的第一側(cè)中的焊盤與第二焊球連接。

s206、在基板和芯片之間、及連接部件和芯片之前填充填充物。

s207、在芯片的背面形成散熱部件。

需要說明的是，s205-s207的執(zhí)行過程，可以參見s104-s106的執(zhí)行過程，此處不再進行贅述。

下面，結(jié)合圖13，通過具體示例，對圖12實施例所示的方法進行詳細說明。

圖13為本申請?zhí)峁┑男酒庋b過程示意圖二。請參見圖13，包括結(jié)構(gòu)201-結(jié)構(gòu)206。

請參見結(jié)構(gòu)201，制備結(jié)構(gòu)201的過程可以參見制備結(jié)構(gòu)101的過程，此處不再進行贅述。

請參見結(jié)構(gòu)202，在芯片1和芯片2上形成塑封體17之后，加熱支撐平面與芯片1和芯片2之間的膠體，以使芯片1和芯片2可以從支撐平面上取下來，并將芯片1和芯片2的有源面朝上放置在支撐平面上，并在芯片1和芯片2的有源面上及塑封體17的底面(與芯片1和芯片2的有源面位于同一平面)上制備rdl18。

請參見結(jié)構(gòu)203，將連接部件13上的第一焊球與rdl18中對應的第三金屬線連接，在rdl18表面外漏的第二金屬線上制備第二焊球14。

請參見結(jié)構(gòu)204，將基板15與對應的第二焊球14連接。

請參見結(jié)構(gòu)205，在基板15與rdl18之間、以及連接部件13與rdl18之間填充填充物。

請參見結(jié)構(gòu)206，將芯片1和芯片2背面的塑封體17去除，例如，可以將芯片1和芯片2背面的塑封體17磨掉，然后，在芯片1和芯片2的背面形成散熱部件19。

通過以上步驟即可形成芯片封裝結(jié)構(gòu)206。

圖14為本申請?zhí)峁┑男酒庋b方法的流程示意圖三。請參見圖14，該方法可以包括：

s301、在至少兩個芯片的有源面上制備rdl。

可選的，可以將每個芯片、以有源面朝上的方式放置在支撐平面上，然后在至少兩個芯片的有源面上制備rdl。

需要說明的是，s301的執(zhí)行過程可以參見s202，此處不再進行贅述。

s302、在至少兩個芯片上形成塑封體，將至少兩個芯片固定，且每個芯片的有源面位于同一平面。

需要說明的是，s302的執(zhí)行過程可以參見s101，此處不再進行贅述。

s303、將連接部件上布有的第一金屬線的兩端分別通過第一焊球與rdl中的第三金屬線的另一端連接。

s304、在rdl的第二金屬線的另一端上形成第二焊球，第二焊球用于與基板連接。

需要說明的是，s303和s304之間沒有先后順序，可以先執(zhí)行s303，也可以先執(zhí)行s304，本申請對此不作具體限定。

s305、將基板的第一側(cè)中的焊盤與第二焊球連接。

s306、在基板和芯片之間、及連接部件和芯片之前填充填充物。

s307、在芯片的背面形成散熱部件。

需要說明的是，s303-s307的執(zhí)行過程，可以參見s203-s207的執(zhí)行過程，此處不再進行贅述。

下面，結(jié)合圖15，通過具體示例，對圖14實施例所示的方法進行詳細說明。

圖15為本申請?zhí)峁┑男酒庋b過程示意圖三。請參見圖15，包括結(jié)構(gòu)301-結(jié)構(gòu)306。

請參見結(jié)構(gòu)301，將芯片1和芯片2以有源面朝上的方式放置在支撐平面上，并在芯片1和芯片2的有源面上制備rdl。

請參見結(jié)構(gòu)302，將芯片1和芯片2以背面朝上的方式放置在支撐平面上，并在芯片1、芯片2的背面和側(cè)壁、及rdl的側(cè)壁形成塑封體17，此處不再贅述形成塑封體17的方式。

制備結(jié)構(gòu)303-306的過程可以參見制備結(jié)構(gòu)103-106的過程，此處不再進行贅述。

最后應說明的是：以上各實施例僅用以說明本申請的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本申請進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本申請方案的范圍。