本發(fā)明涉及電氣元件領(lǐng)域，具體而言，涉及一種磁感應(yīng)器件及制造方法。

背景技術(shù)：

隨著刻蝕、電鍍、表面平坦化技術(shù)的發(fā)展，嵌入式金屬線技術(shù)由于具有厚度大、電阻小的技術(shù)優(yōu)勢，得到了較好的應(yīng)用。嵌入式金屬線技術(shù)指的是在襯底的表面開設(shè)凹槽，將金屬材料填充至凹槽，而非將金屬材料設(shè)置于襯底的表面的技術(shù)。

在現(xiàn)有技術(shù)中，形成嵌入式金屬線后，襯底需要進(jìn)行平坦化，從而在平坦化處理后的襯底表面繼續(xù)形成表面的介質(zhì)層以及金屬層。

為了減小嵌入式金屬線與表面的金屬層之間的寄生電容，通常使用低介電常數(shù)材料，將介質(zhì)層的相對介電常數(shù)降低。但是，低介電常數(shù)材料一般是疏松的多孔結(jié)構(gòu)，擊穿場強(qiáng)較低，因此會降低金屬層之間的擊穿電壓。沉積更厚的介質(zhì)層可以同時減小電容和提高擊穿電壓，但是在襯底表面大面積地沉積厚介質(zhì)層的工藝難度大，厚介質(zhì)層會在襯底形成較大的應(yīng)力，導(dǎo)致襯底的翹曲甚至斷裂；介質(zhì)層本身也容易在應(yīng)力的作用下從襯底剝離。因此，使用現(xiàn)有技術(shù)中的嵌入式金屬線以及用該嵌入式金屬線形成的磁感應(yīng)器件，性能易受到寄生電容和擊穿電壓的限制。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種磁感應(yīng)器件，以改善現(xiàn)有的嵌入式金屬線形成的磁感應(yīng)器件的性能受到寄生電容以及擊穿電壓的限制的不足。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種磁感應(yīng)器件，包括：襯底、第一金屬層以及第一介質(zhì)層。所述襯底的第一表面開設(shè)有凹槽，所述第一金屬層設(shè)置于所述凹槽內(nèi)，所述第一金屬層的表面低于所述第一表面，所述第一金屬層的表面與所述第一表面構(gòu)成第一凹陷部，所述第一介質(zhì)層設(shè)置于所述襯底的第一表面且所述第一介質(zhì)層填充所述第一凹陷部。

一種磁感應(yīng)器件制造方法，用于制造上述的磁感應(yīng)器件，所述方法包括：在襯底形成從所述襯底的表面延伸至所述襯底的內(nèi)部的凹槽；在所述襯底的表面以及所述凹槽內(nèi)濺射形成種子層，在所述種子層使用金屬材料進(jìn)行電鍍；通過刻蝕去除所述襯底表面的金屬材料；對所述凹槽內(nèi)的金屬材料進(jìn)行預(yù)定時間的過刻蝕，以使所述金屬材料的表面低于所述襯底的表面；在所述金屬材料的表面以及襯底的表面旋涂電介質(zhì)層，并對所述電介質(zhì)層進(jìn)行平坦化處理。

本發(fā)明實施例提供的磁感應(yīng)器件及制造方法的有益效果為：

本發(fā)明實施例提供的磁感應(yīng)器件及制造方法在襯底的表面開設(shè)凹槽，并將金屬材料填充至凹槽內(nèi)以形成第一金屬層。通過過刻蝕的方式使得第一金屬層的表面低于所述襯底的表面，即第一金屬層的表面與襯底的表面構(gòu)成第一凹陷部。再令第一介質(zhì)層設(shè)置于襯底的表面，且第一介質(zhì)層填充第一凹陷部。第一介質(zhì)層的表面可以設(shè)置表面金屬層。由于第一介質(zhì)層填充第一凹陷部，故相當(dāng)于第一金屬層與表面金屬層之間的介質(zhì)層厚度增加，而其他區(qū)域的介質(zhì)層厚度不變，第一金屬層與表面金屬層之間的介質(zhì)層厚度增加，可以同時減小寄生電容和提高擊穿電壓，由于只是第一介質(zhì)層的部分厚度增加，其他部分的厚度不變，故該結(jié)構(gòu)有著較小的介質(zhì)層應(yīng)力以及更低的介質(zhì)層剝落風(fēng)險。本發(fā)明實施例提供的磁感應(yīng)器件以及制造方法通過第一金屬層的表面低于襯底表面形成第一凹陷部，且第一介質(zhì)層設(shè)置于襯底表面并填充第一凹陷部，使得第一金屬層與表面金屬層之間的介質(zhì)厚度增加而其他區(qū)域的介質(zhì)厚度不變，既能減小寄生電容和提高擊穿電壓，又能降低襯底翹曲以及介質(zhì)層剝離的風(fēng)險。

附圖說明

為了更清楚的說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明第一實施例提供的磁感應(yīng)器件的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a是本發(fā)明第二實施例提供的磁感應(yīng)器件的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b是圖2a中的第一螺旋形線圈以及第一上跨通路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a是本發(fā)明第三實施例提供的磁感應(yīng)器件的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3b是圖3a中的第一螺旋形線圈、第一上跨通路以及第二螺旋形線圈的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4a是本發(fā)明第四實施例提供的磁感應(yīng)器件的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4b是圖4a中的第一蛇形線圈以及第二蛇形線圈的機(jī)構(gòu)示意圖；

圖5a是本發(fā)明第五實施例提供的磁感應(yīng)器件的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5b是圖5a中的長條形外導(dǎo)體、長條形金屬以及磁性薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明實施例示出的實際制造過程中出現(xiàn)的磁感應(yīng)器件；

圖7是本發(fā)明另一實施例提供的磁感應(yīng)器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是本發(fā)明實施例提供的磁感應(yīng)器件制造方法的流程示意圖；

圖9是本發(fā)明實施例提供的磁感應(yīng)器件制造方法各工藝流程步驟中分別制造磁感應(yīng)器件各組成部分的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖標(biāo)：10-磁感應(yīng)器件；20-磁感應(yīng)器件；30-磁感應(yīng)器件；40-磁感應(yīng)器件；50-磁感應(yīng)器件；110-襯底；111-第一表面；112-第一凹陷部；113-絕緣襯墊；120-第一金屬層；121-第一螺旋形線圈；122-第一蛇形線圈；123-長條形金屬；1231-第一長條形金屬；1232-第二長條形金屬；1233-第三長條形金屬；1234-第四長條形金屬；130-第一介質(zhì)層；131-第二凹陷部；132-寄生電容器；140-凹槽；141-螺旋形凹槽；142-蛇形凹槽；143-長條形凹槽；150-第二金屬層；160-第二介質(zhì)層；170-第一上跨通路；180-第三介質(zhì)層；190-第二螺旋形線圈；191-第二蛇形線圈；200-通孔；210-磁性薄膜；220-第四介質(zhì)層；230-長條形外導(dǎo)體；231-第一長條形外導(dǎo)體；232-第二長條形外導(dǎo)體；233-第三長條形外導(dǎo)體。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。以下對在附圖中提供的本發(fā)明的實施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實施例。基于本發(fā)明的實施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

詳情請參見圖1，圖1示出了本發(fā)明第一實施例提供的磁感應(yīng)器件10，該磁感應(yīng)器件10包括襯底110、第一金屬層120、第一介質(zhì)層130、第二金屬層150以及第二介質(zhì)層160。

襯底110具體可以為硅板、玻璃板、化合物半導(dǎo)體或封裝基板。優(yōu)選地，襯底110的材料可以為硅或玻璃。

襯底110的第一表面111開設(shè)有凹槽140，第一金屬層120設(shè)置于位于襯底110的第一表面111的凹槽140內(nèi)，且第一金屬層120的表面低于第一表面111。具體地，第一金屬層120的表面與第一表面111可以構(gòu)成第一凹陷部112，詳情請參見圖1。第一介質(zhì)層130可以設(shè)置于襯底110的第一表面111，且第一介質(zhì)層130能夠填充第一凹陷部112。

第一介質(zhì)層130具體可以通過旋涂或沉積的方式形成，在形成過程中，可以在第一介質(zhì)層130的表面進(jìn)行平坦化處理。由于第一介質(zhì)層130填充第一凹陷部112，雖然會對第一介質(zhì)層130的表面進(jìn)行平坦化處理，但第一介質(zhì)層130的與第一凹陷部112相對應(yīng)的位置依然可能有一定程度的凹陷，即如圖1所示的第二凹陷部131。第二凹陷部131的深度小于第一凹陷部112的深度，若第一介質(zhì)層130有著較好的平坦化效果，第二凹陷部131的深度會接近零。

第二金屬層150設(shè)置于第一介質(zhì)層130的遠(yuǎn)離第一表面111的一面，第二介質(zhì)層160覆蓋第二金屬層150，詳情請參見圖1。

本發(fā)明實施例提供的磁感應(yīng)器件10還可以包括絕緣襯墊113，絕緣襯墊113設(shè)置于襯底110的第一表面111以及凹槽140的表面，即在襯底110與第一金屬層120以及第一介質(zhì)層130之間。若襯底110為高阻硅或高阻化合物半導(dǎo)體，絕緣襯墊113也可以省去。

本發(fā)明第一實施例的工作原理為：詳情請參見圖1，凹槽140的深度為d，絕緣襯墊113在第一表面111的厚度為ts，在凹槽140內(nèi)側(cè)的厚度為tw。若設(shè)置有絕緣襯墊113，則第一凹陷部112的深度為tr，若未設(shè)置絕緣襯墊113，則第一凹陷部112的深度為(tr-ts)。為方便描述，下面以設(shè)置有絕緣襯墊113為例進(jìn)行分析。

第二凹陷部131的深度為ta，第二凹陷部131的底端距絕緣襯墊113表面的距離為tb，第一介質(zhì)層130的厚度為ti。參見圖1，明顯地，ti＝ta+tb。

第一凹陷部112的深度tr大于第二凹陷部131的深度ta，即tr>ta，故在本實施例中，第一金屬層120與第二金屬層150之間的距離為tb+tr＝(ti-ta)+tr＝ti+(tr-ta)>ti。也就是說，第一金屬層120與第二金屬層150之間的介質(zhì)層厚度大于第一介質(zhì)層130的厚度。

由于第一金屬層120與第二金屬層150之間的介質(zhì)層的厚度增加，故第一金屬層120與第二金屬層150的寄生電容的電容值減小，圖1示出的寄生電容器132是為了示意性地表示寄生電容產(chǎn)生的位置，不應(yīng)當(dāng)理解為第一金屬層120與第二金屬層150之間設(shè)置有寄生電容器132。

在本實施例中，第一金屬層120與第二金屬層150之間可能的擊穿路徑包括兩種：第一種是通過第一金屬層120與第二金屬層150之間的介質(zhì)層直接擊穿，第二種是經(jīng)過第一介質(zhì)層130、位于第一表面111的絕緣襯墊113、襯底110、位于凹槽140的絕緣襯墊113擊穿。

在第一種路徑中，已經(jīng)說明第一金屬層120與第二金屬層150的介質(zhì)層有效厚度為tb+tr，大于第一介質(zhì)層130的厚度ti；在第二種路徑中，第一金屬層120與第二金屬層150的有效厚度為ti+ts+tw，同樣大于第一介質(zhì)層130的厚度ti。因此，本實施例提供的磁感應(yīng)器件10通過使第一金屬層120的表面低于第一表面111形成第一凹陷部112，增加了第一金屬層120與第二金屬層150之間的介質(zhì)層的厚度，而其他區(qū)域的介質(zhì)層厚度為第一介質(zhì)層130的厚度，保持不變，既減小了寄生電容值，又增大了擊穿電壓；并且介質(zhì)層厚度只是在第一金屬層120與第二金屬層150之間進(jìn)行了增加，故與現(xiàn)有的整體加大介質(zhì)層厚度的磁感應(yīng)器件相比，本實施例示出的結(jié)構(gòu)具有更小的介質(zhì)層應(yīng)力和更低的介質(zhì)層剝落的風(fēng)險。

凹槽140的深度d通常在15微米至1000微米之間，優(yōu)選地，凹槽140的深度在20微米至300微米之間。第一凹陷部112的深度tr不應(yīng)該超過凹槽140深度的十分之一至五分之一。本實施例中，第一凹陷部112的深度大于1微米，優(yōu)選地，在1微米至10微米之間。第二凹陷部131的深度小于第一凹陷部112的深度，第二凹陷部131的深度最小可以為0。

詳情請參見圖2a，圖2a示出了本發(fā)明第二實施例提供的磁感應(yīng)器件20，該磁感應(yīng)器件20與第一實施例提供的磁感應(yīng)器件10相比，區(qū)別在于：第二實施例提供的磁感應(yīng)器件20未設(shè)置第二金屬層150以及第二介質(zhì)層160，且包括第一上跨通路170，凹槽140為螺旋形凹槽141，第一金屬層120為與螺旋形凹槽141匹配的第一螺旋形線圈121，詳情請參見圖2b。

第一介質(zhì)層130的與第一螺旋形線圈121的內(nèi)側(cè)端對應(yīng)的位置可以開設(shè)有通孔200，第一上跨通路170的一端填充通孔200，且與第一螺旋形線圈121的內(nèi)側(cè)端相連接，第一上跨通路170的另一端與外部電路(圖未示)連接。

由于第一上跨通路170需要從第一螺旋形線圈121的內(nèi)徑處連接至第一螺旋形線圈121的外徑處，故第一上跨通路170與第一螺旋形線圈121的每一圈均有重疊的區(qū)域，示意圖請參見圖2b。重疊的區(qū)域的寄生電容會影響電感的高頻性能和共振頻率。因此，第一螺旋形線圈121與第一上跨通路170之間具有厚度更厚的介質(zhì)層，使得本發(fā)明第二實施例提供的磁感應(yīng)器件20具有寄生電容小、高頻性能好的優(yōu)點。

在本實施例中，第一螺旋形線圈121的數(shù)量可以為單個，也可以為多個，第一螺旋形線圈121的數(shù)量不應(yīng)理解為是對本發(fā)明的限制。

詳情請參見圖3a，圖3a示出了本發(fā)明第三實施例提供的磁感應(yīng)器件30。第三實施例提供的磁感應(yīng)器件30與第二實施例提供的磁感應(yīng)器件20相比，區(qū)別在于：還包括第三介質(zhì)層180以及第二螺旋形線圈190。第三介質(zhì)層180設(shè)置于第一介質(zhì)層130的遠(yuǎn)離第一表面111的一面，且第三介質(zhì)層180覆蓋第一上跨通路170。第二螺旋形線圈190設(shè)置于第三介質(zhì)層180的遠(yuǎn)離第一上跨通路170的一面，第二螺旋形線圈190的位置與第一螺旋形線圈121的位置相對應(yīng)，詳情請參見圖3b。第一螺旋形線圈121與第二螺旋形線圈190可以構(gòu)成變壓器。

第一螺旋形線圈121與第二螺旋形線圈190之間具有厚度更厚的介質(zhì)層，使得本發(fā)明第三實施例提供的磁感應(yīng)器件30具有寄生電容小、高頻性能好的優(yōu)點。

詳情請參見圖4a，圖4a示出了本發(fā)明第四實施例提供的磁感應(yīng)器件40，第四實施例提供的磁感應(yīng)器件40與第一實施例提供的磁感應(yīng)器件10相比，區(qū)別在于：

第四實施例未設(shè)置有第二介質(zhì)層160，且凹槽為蛇形凹槽142，第一金屬層120為與蛇形凹槽142匹配的第一蛇形線圈122，還包括第二蛇形線圈191，第二蛇形線圈191設(shè)置于第一介質(zhì)層130的遠(yuǎn)離第一表面111的一面，且第二蛇形線圈191的位置與第一蛇形線圈122的位置相對應(yīng)，詳情請參見圖4b。

第四實施例提供的磁感應(yīng)器件40的工作原理與第一實施例提供的磁感應(yīng)器件10的工作原理相同，在此便不做贅述。

詳情請參見圖5a，圖5a示出了本發(fā)明第五實施例提供的磁感應(yīng)器件50，第五實施例提供的磁感應(yīng)器件50與第一實施例提供的磁感應(yīng)器件10的區(qū)別在于：

第五實施例提供的磁感應(yīng)器件50未設(shè)置有第二金屬層150以及第二介質(zhì)層160，且凹槽140為多個長條形凹槽143，且多個長條形凹槽143的兩兩之間互不連通。第一金屬層120則包括多個長條形金屬123，長條形金屬123的數(shù)量與長條形凹槽143的數(shù)量相同，且多個長條形金屬123中的每個對應(yīng)設(shè)置于多個長條形凹槽143中。

第五實施例提供的磁感應(yīng)器件50還包括磁性薄膜210、第四介質(zhì)層220以及多個長條形外導(dǎo)體230。磁性薄膜210沉積于第一介質(zhì)層130的遠(yuǎn)離第一表面111的一面，第四介質(zhì)層220覆蓋磁性薄膜210，多個長條形外導(dǎo)體230均設(shè)置于第四介質(zhì)層220的表面。

第一介質(zhì)層130以及第四介質(zhì)層220與多個長條形金屬123中的每個的兩端對應(yīng)的位置均開設(shè)有通孔200，即通孔200貫穿第四介質(zhì)層220以及第一介質(zhì)層130直到長條形金屬123的兩端的端部。

多個長條形外導(dǎo)體230的每個均可以通過通孔200與多個長條形金屬123中相鄰的兩個連接，即多個長條形外導(dǎo)體230中的一個的一端可以穿過通孔200與長條形金屬123中的一個的一端連接，另一端可以穿過另一個通孔200與長條形金屬123中的另一個長條形金屬123的一端連接。

具體地，請參見圖5b，長條形金屬123可以包括第一長條形金屬1231、第二長條形金屬1232、第三長條形金屬1233以及第四長條形金屬1234；長條形外導(dǎo)體230包括第一長條形外導(dǎo)體231、第二長條形外導(dǎo)體232以及第三長條形外導(dǎo)體233。

第一長條形外導(dǎo)體231的第一端通過通孔200與第一長條形金屬1231的第一端連接，第一長條形外導(dǎo)體231的第二端通過另一個通孔200與第二長條形金屬1232的第二端連接。第二長條形外導(dǎo)體232的第一端通過通孔200與第二長條形金屬1232的第一端連接，第二長條形外導(dǎo)體232的第二端通過通孔200與第三長條形金屬1233的第二端連接。第三長條形外導(dǎo)體233的第一端通過通孔200與第三長條形金屬1233的第一端連接，第三長條形外導(dǎo)體233的第二端通過通孔200與第四長條形金屬1234的第二端連接。多個長條形外導(dǎo)體230、多個長條形金屬123以及磁性薄膜210共同構(gòu)成了螺線形線圈結(jié)構(gòu)。該螺線形線圈結(jié)構(gòu)可以用于電感器、耦合電感器以及變壓器的制造。

本實施例提供的磁感應(yīng)器件50與第一實施例提供的磁感應(yīng)器件10的工作原理相同，均通過多個長條形外導(dǎo)體230與多個長條形金屬123之間的介質(zhì)層厚度的增加，減小了寄生電容。

在實際制造該磁感應(yīng)器件的過程中，第一金屬層120的表面不一定是平坦的，有可能是下凹的，也有可能是上凸的，也有可能是其他更復(fù)雜的表面形貌，第一凹陷部112的深度可以從第一金屬層120的表面的最高點開始計算，詳情參見圖6。具體的表面形貌由電鍍形成第一金屬層120時的電鍍條件決定，例如電鍍液中平坦劑濃度和電鍍時間等因素。

第二凹陷部131的底部可以位于第一表面111以上，也可以低于第一表面111，詳情參見圖7。也就是說，第一介質(zhì)層130不是必須將第一凹陷部112完全填充，也可以有部分深度未被第一介質(zhì)層130填充。在本發(fā)明提供的磁感應(yīng)器件中，保證第二凹陷部131的深度ta小于第一凹陷部112的深度tr即可。

請參見圖8，本發(fā)明實施例還提供了一種磁感應(yīng)器件制造方法，用于制造上述的磁感應(yīng)器件，包括如下步驟：

步驟s110，在襯底110形成從所述襯底110的表面延伸至所述襯底110的內(nèi)部的凹槽140。

如果襯底110的材料為硅，可以使用深反應(yīng)離子刻蝕(deepreactiveionetch)形成凹槽140；如果襯底110的材料為玻璃，可以使用激光形成凹槽140，形成凹槽140后請參見圖9(a)。

在形成凹槽140后，還可以在凹槽140表面以及襯底110的表面形成絕緣襯墊113，可以通過沉積的方式進(jìn)行，沉積方法包括熱氧化、化學(xué)氣相沉積或者物理沉積。絕緣襯墊113具體可以為二氧化硅、氮化硅、氧化硅等材料。沉積絕緣襯墊113后的磁感應(yīng)器件10如圖9(b)所示。

步驟s120，在所述襯底110的表面以及所述凹槽140內(nèi)濺射形成種子層，在所述種子層使用金屬材料進(jìn)行電鍍。

此時電鍍的金屬材料不但會填充凹槽140，也會在襯底110的表面生長，詳情請參見圖9(c)。其中，金屬材料具體可以為銅。

步驟s130，通過刻蝕去除所述襯底110表面的金屬材料。

具體可以通過濕法刻蝕去除襯底110表面的大面積金屬材料，經(jīng)濕法刻蝕后，金屬材料的表面與凹槽140開口的平面接近，請參見圖9(d)。

步驟s140，對所述凹槽140內(nèi)的金屬材料進(jìn)行預(yù)定時間的過刻蝕，以使所述金屬材料的表面低于所述襯底110的表面。

在襯底110表面的金屬材料被刻蝕之后，增加一段過刻蝕(over-etch)的時間，將凹槽140內(nèi)的第一金屬層120刻蝕到預(yù)定的深度，以形成第一凹陷部112。

步驟s130與步驟s140可以使用同一溶液刻蝕，也可以使用不同的溶液刻蝕。例如，可以使用刻蝕速度快的溶液完成襯底110表面的大面積金屬材料的刻蝕，再使用刻蝕速度慢的溶液進(jìn)行過刻蝕。還可以對凹槽140內(nèi)的金屬材料進(jìn)行煺火(anneal)，改善電鍍銅的品質(zhì)。由于此時襯底110的第一表面111的大面積的金屬材料已經(jīng)被刻蝕掉，所以金屬材料在高溫下煺火，對襯底110形成的應(yīng)力將會顯著減小。經(jīng)過過刻蝕處理后的磁感應(yīng)器件10如圖9(e)所示。

步驟s150，在所述金屬材料的表面以及襯底110的表面旋涂電介質(zhì)層，并對所述電介質(zhì)層進(jìn)行平坦化處理。

在襯底110的表面旋涂一層電介質(zhì)層，即第一介質(zhì)層130，使得第一介質(zhì)層130覆蓋第一金屬層120。第一介質(zhì)層130可以為聚酰亞胺(polyimide)、或苯并環(huán)丁烯(bcb)等液態(tài)材料，也可以是層壓(laminate)的干膜(dryfilm)。由于第一凹陷部112的存在，所以此時第一介質(zhì)層130的表面并不平坦，在與第一金屬層120對應(yīng)的位置會有較明顯的起伏，如圖9(f)所示。

通過高溫回流使得第一介質(zhì)層130的上表面變得平坦，如圖9(g)所示。此時，第一介質(zhì)層130的機(jī)械強(qiáng)度和耐壓能力也是得到提升。經(jīng)過高溫回流、固化之后，第一介質(zhì)層130表面的第二凹陷部131的深度將小于第一凹陷部112的深度。

在較平坦的第一介質(zhì)層130的表面，可以使用現(xiàn)有工藝形成第二金屬層150，如圖9(g)所示。

本發(fā)明實施例提供的磁感應(yīng)器件制造方法能夠獲得上述的磁感應(yīng)器件，應(yīng)當(dāng)理解，該方法為制造上述磁感應(yīng)器件的一種可能的方法，上述的磁感應(yīng)器件也可以由其他的方法制造。

上述的所有實施例中，由于不同實施例中的磁感應(yīng)器件的結(jié)構(gòu)不同，因此相應(yīng)的附圖標(biāo)記也會對應(yīng)變化。應(yīng)當(dāng)理解，附圖標(biāo)記發(fā)生變化的目的只是作為對實施例的區(qū)分，不應(yīng)該理解為是對本發(fā)明的限制。

本發(fā)明實施例提供的磁感應(yīng)器件以及制造方法通過第一金屬層120的表面低于襯底110表面形成第一凹陷部112，且第一介質(zhì)層130設(shè)置于襯底110表面并填充第一凹陷部112，使得第一金屬層120與表面金屬層之間的介質(zhì)層厚度增加而其他區(qū)域的介質(zhì)層厚度不變，既能減小寄生電容和提高擊穿電壓，又能降低襯底110翹曲以及介質(zhì)層剝離的風(fēng)險。

為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，上面結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行了清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。通常在此處附圖中描述和示出的本發(fā)明實施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設(shè)計。

因此，以上對在附圖中提供的本發(fā)明的實施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，或者是該發(fā)明產(chǎn)品使用時慣常擺放的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等僅用于區(qū)分描述，而不能理解為指示或暗示相對重要性。

在本發(fā)明的描述中，還需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“設(shè)置”、“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。