技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種晶圓封裝方法和結(jié)構(gòu)，在晶圓的背面刻蝕出輪廓與線路形貌對應(yīng)的凹槽，凹槽位于晶圓的焊盤的上方；在凹槽底部打孔，將凹槽與焊盤連通；在晶圓背部的外表面淀積絕緣層，刻蝕沉積在焊盤表面的絕緣層；在晶圓背面進行電鍍，電鍍材料填充凹槽及其與焊盤連通的孔；對晶圓背面進行拋光，拋光至絕緣層,使得凹槽間不連通；在晶圓背面淀積保護層，在位于凹槽上部的保護層上開窗，在開窗處制備凸點，凸點與凹槽內(nèi)的電鍍材料連接。該晶圓封裝方法和結(jié)構(gòu)，先在晶圓上刻蝕與線路形貌對應(yīng)的凹槽，再對凹槽進行電鍍、拋光，拋光完成后實現(xiàn)了焊盤與凸點的線路連接，這樣使得線路表面平整、粗糙度小，線路無側(cè)刻現(xiàn)象且芯片表面平整度高。

技術(shù)研發(fā)人員：任玉龍;孫鵬
受保護的技術(shù)使用者：華進半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.24
技術(shù)公布日：2017.10.10