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3dB電橋的制作方法

文檔序號(hào):11434828閱讀:12620來源:國知局
3dB電橋的制造方法與工藝

本發(fā)明涉及一種3db電橋。



背景技術(shù):

3db電橋是一種將兩種頻率相同的信號(hào)進(jìn)行耦合成一路信號(hào)輸出的電器件,寬頻率帶3db電橋一直是功分器類努力的方向,實(shí)現(xiàn)寬頻3db電橋是目前迫切需要的,尤其是通信行業(yè)的新增標(biāo)準(zhǔn)lte中,lte標(biāo)準(zhǔn)要求的頻段為2570mhz-2620mhz,覆蓋該標(biāo)準(zhǔn)的合路器及3db電橋。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于克服以上所述的缺點(diǎn),提供一種3db電橋。

為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的具體方案如下:一種3db電橋,包括有第一組合片和第二組合片;

第一組合片包括有大小相同的、呈六邊形的第一子片、第二子片、第三子片;第一子片至第三子片以中心點(diǎn)在同一平面呈等距環(huán)形陣列設(shè)置;第一子片、第二子片、第三子片,定義他們的邊分別從最左邊的邊開始計(jì)為第一邊,沿順時(shí)針計(jì)依次為第二邊至第六邊;第一子片的第一邊與第二子片的第二邊通過圓弧形的第一導(dǎo)電臂相連,第一子片的第四邊與第三子片的第三邊通過圓弧形的第二導(dǎo)電臂相連;所述第一導(dǎo)電臂弓背處向外延伸出第一輸入端桿,所述第二導(dǎo)電臂弓背處向外延伸出第一輸出端桿;

第二組合片包括有一個(gè)呈六邊形的第一耦合片,第一耦合片大小和第一子片相同;還包括有矩形的隔離片,隔離片與第一耦合片之間通過連接臂相連;隔離片與連接臂垂直延伸出有垂直臂,垂直臂兩側(cè)延伸出有第二次片和第三次片,第二次片和第三次片大小相同、同一平面、均為六邊形;第二次片的外側(cè)邊向外延伸出第二輸入端桿,第三次片的外側(cè)邊向外延伸出第二輸出端桿;

所述第一組合片與第二組合片組合在一起,組合時(shí),垂直臂位于第二子片和第三子片之間的縫隙中,第二子片夾設(shè)于隔離片和第二次片之間,第三子片夾設(shè)于隔離片和第三次片之間;第一子片和第一耦合片平行設(shè)置且第一耦合片垂直投影與第一子片重合。

其中,所述第二子片的第二邊和第三邊的夾角區(qū)域設(shè)有六邊形的第一耦合缺口。

其中,所述第三子片的第二邊和第三邊的夾角區(qū)域設(shè)有六邊形的第二耦合缺口。

其中,第一耦合片靠近兩個(gè)側(cè)邊區(qū)域均設(shè)有一個(gè)第一槽口。

其中,所述第二次片和第三次片的頂角區(qū)域均設(shè)有一個(gè)圓形隔離孔。

其中,隔離片上設(shè)有等距設(shè)置的多個(gè)第二槽口。

其中,第二子片與隔離片和第二次片之間均設(shè)有絕緣頂柱。

其中,第三子片與隔離片和第三次片之間均設(shè)有絕緣頂柱。

本發(fā)明的有益效果為:其設(shè)計(jì)頻率包含lte的2700mhz,通過計(jì)算機(jī)仿真可以得到,本電橋其在頻率0.6ghz至3.0ghz內(nèi)可實(shí)現(xiàn)較好的耦合效果。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的3db電橋的立體圖;

圖2是本發(fā)明的3db電橋的俯視圖;

圖3是本發(fā)明的3db電橋的仰視圖;

圖4是本發(fā)明的第一組合片的俯視圖;

圖5是本發(fā)明的第二組合片的俯視圖;

圖6是本發(fā)明的側(cè)視圖;

圖7是第一組合片的和第二組合片之間裝配時(shí)的一個(gè)視角圖;

圖8是第一組合片的和第二組合片之間裝配時(shí)的另一個(gè)視角圖;

圖9是本發(fā)明的仿真圖;

圖1至圖9中的附圖標(biāo)記說明:

a1-第一子片;a11-第一輸入端桿;a12-第一輸出端桿;a2-第二子片;a3-第三子片;a4-第一導(dǎo)電臂;a5-第二導(dǎo)電臂;a6-第一耦合缺口;a7-第二耦合缺口;

b1-第一耦合片;b11-圓形隔離孔;b12-第一槽口;b2-第二次片;b3-第三次片;b4-第二輸入端桿;b5-第二輸出端桿;b6-連接臂;b7-隔離片;b71-第二槽口;b8-垂直臂。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明,并不是把本發(fā)明的實(shí)施范圍局限于此。

如圖1至圖9所示,本實(shí)施例所述的一種3db電橋,包括有第一組合片和第二組合片;第一組合片包括有大小相同的、呈六邊形的第一子片a1、第二子片a2、第三子片a3;第一子片a1至第三子片a3以中心點(diǎn)在同一平面呈等距環(huán)形陣列設(shè)置;第一子片a1、第二子片a2、第三子片a3,定義他們的邊分別從最左邊的邊開始計(jì)為第一邊,沿順時(shí)針計(jì)依次為第二邊至第六邊;第一子片a1的第一邊與第二子片a2的第二邊通過圓弧形的第一導(dǎo)電臂a4相連,第一子片a1的第四邊與第三子片a3的第三邊通過圓弧形的第二導(dǎo)電臂a5相連;所述第一導(dǎo)電臂a4弓背處向外延伸出第一輸入端桿a11,所述第二導(dǎo)電臂a5弓背處向外延伸出第一輸出端桿a12;第二組合片包括有一個(gè)呈六邊形的第一耦合片b1,第一耦合片b1大小和第一子片a1相同;還包括有矩形的隔離片b7,隔離片b7與第一耦合片b1之間通過連接臂b6相連;隔離片b7與連接臂b6垂直延伸出有垂直臂b8,垂直臂b8兩側(cè)延伸出有第二次片b2和第三次片b3,第二次片b2和第三次片b3大小相同、同一平面、均為六邊形;第二次片b2的外側(cè)邊向外延伸出第二輸入端桿b4,第三次片b3的外側(cè)邊向外延伸出第二輸出端桿b5;所述第一組合片與第二組合片組合在一起,組合時(shí),垂直臂b8位于第二子片a2和第三子片a3之間的縫隙中,第二子片a2夾設(shè)于隔離片b7和第二次片b2之間,第三子片a3夾設(shè)于隔離片b7和第三次片b3之間;第一子片a1和第一耦合片b1平行設(shè)置且第一耦合片b1垂直投影與第一子片a1重合。其中,第二子片a2與隔離片b7和第二次片b2之間均設(shè)有絕緣頂柱。其中,第三子片a3與隔離片b7和第三次片b3之間均設(shè)有絕緣頂柱。

組合時(shí),第一組合片和第二組合片之間保持間距,第一組合片和第二組合片均采用介電常數(shù)為2.4左右的導(dǎo)體;其設(shè)計(jì)頻率包含lte的2700mhz,通過計(jì)算機(jī)仿真可以得到,本電橋其在頻率0.6ghz至3.0ghz內(nèi)可實(shí)現(xiàn)較好的耦合效果,如圖8所述,其耦合值在上述要求頻段內(nèi)的參數(shù)為3db左右,完全符合設(shè)計(jì)要求,端口隔離度在30+3db左右,另外,值得一提的是,其在頻段內(nèi),其端口駐波比小于1.25。第一組合片和第二組合片的第一耦合片b1厚度保持在3.5-4mm左右,本電橋承載功率可達(dá)350w。為了達(dá)到最優(yōu)化的耦合效果,其具體尺寸可以優(yōu)化為:第一子片a1、第二子片a2、第三子片a3均為正六邊形,他們的邊長為65mm,第二導(dǎo)電臂a5和第一導(dǎo)電臂a4大小相同,弧形的圓心與第一子片a1、第二子片a2、第三子片a3為中心重合;第一導(dǎo)電臂a4的線寬為:8mm;第一輸入端桿a11和第一輸出端桿a12的大小相同,長為:65mm,線寬為8mm;第一耦合片b1與第一子片a1相同;隔離片b7、連接臂b6的厚度與第一耦合片b1相同,隔離片b7的長和寬分別為:126mm,36mm;連接臂b6的寬度為37mm,長度為:47mm;垂直臂b8的厚度為4mm,高度為18mm,第二次片b2和第三次片b3為正六邊形,邊長均為:39mm;第二輸入端桿b4和第二輸出端桿b5大小相同,厚度為3mm,線寬為4mm,長度為:95mm;第二子片a2與隔離片b7之間距離為4mm;第一耦合缺口a6和第二耦合缺口a7均為正六邊形,邊長為:15mm,邊與對應(yīng)的第二子片a2的第二邊和第三邊的距離為6mm;第一槽口b12的寬度和長度為:6mm和54mm,圓弧半徑不做要求,其距離對應(yīng)邊的距離為:14mm;圓形隔離孔b11的直徑為:8mm;第二槽口b71的長度和寬度分別為:28mm和4mm,圓弧半徑不做要求;相鄰兩個(gè)第二槽口b71的距離為:10mm。

本實(shí)施例中,本實(shí)施例中,所述第三子片a3的第二邊和第三邊的夾角區(qū)域設(shè)有六邊形的第二耦合缺口a7。所述第二子片a2的第二邊和第三邊的夾角區(qū)域設(shè)有六邊形的第一耦合缺口a6,該設(shè)置通過仿真得知可以有效增加耦合度,耦合性能2.5%提升。其提高耦合度,有效降低相位差的偏差。本實(shí)施例中,第一耦合片b1靠近兩個(gè)側(cè)邊區(qū)域均設(shè)有一個(gè)第一槽口b12;本實(shí)施例中,所述第二次片b2和第三次片b3的頂角區(qū)域均設(shè)有一個(gè)圓形隔離孔b11。本實(shí)施例中,隔離片b7上設(shè)有等距設(shè)置的多個(gè)第二槽口b71。用于增加隔離度,增加性能。

以上所述僅是本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例,故凡依本發(fā)明專利申請范圍所述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾,包含在本發(fā)明專利申請的保護(hù)范圍內(nèi)。

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