本發(fā)明涉及oled(organiclight-emittingdiode，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示裝置制作技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種掩膜板及陣列基板的制作方法。

背景技術(shù)：

oled顯示裝置由于具有薄、輕、寬視角、主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光顏色連續(xù)可調(diào)、成本低、響應(yīng)速度快、能耗小、驅(qū)動(dòng)電壓低、工作溫度范圍寬、生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單、發(fā)光效率高及可柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)，已被列為極具發(fā)展前景的下一代顯示技術(shù)。

oled顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)包括按照一定排列方式排布的多個(gè)子像素，其中，每個(gè)子像素均包括陽(yáng)極層、陰極層以及位于陽(yáng)極層和陰極層之間的有機(jī)發(fā)光層，不同顏色的有機(jī)發(fā)光層使子像素呈現(xiàn)出不同顏色的發(fā)光狀態(tài)。在基板上制作一種顏色的有機(jī)發(fā)光層圖案時(shí)，需要配合使用一張掩膜板。

如圖1所示，傳統(tǒng)蒸鍍工藝中，掩膜板01位于基板02的下方并與基板02接觸設(shè)置，掩膜板01的開口區(qū)011與基板02的蒸鍍區(qū)021位置相對(duì)，掩膜板01的遮擋區(qū)012與基板02的非蒸鍍區(qū)022接觸設(shè)置。其技術(shù)缺陷在于，在蒸鍍過(guò)程中，掩膜板與基板易產(chǎn)生摩擦，從而劃傷基板上已形成的膜層；此外，掩膜板上所附著的灰塵顆粒也極易粘附于基板上，這些問(wèn)題嚴(yán)重影響了產(chǎn)品的良率。

如圖2所示，現(xiàn)有另一種蒸鍍工藝，掩膜板001位于基板002的下方，基板002的下表面設(shè)置有支撐凸起0021，在蒸鍍基板002時(shí)，掩膜板001與基板002之間通過(guò)支撐凸起0021相間隔。在oled顯示裝置中，上述支撐凸起0021還可以用來(lái)支撐蓋板，使蓋板與基板002之間的距離恒定。本申請(qǐng)的發(fā)明人在實(shí)施該方案時(shí)發(fā)現(xiàn)，在基板表面加工支撐凸起，工藝較為復(fù)雜；且掩膜板一般為金屬材質(zhì)，在將掩膜板與基板對(duì)位時(shí)，支撐凸起與掩膜板摩擦產(chǎn)生的摩擦碎屑極易粘附于基板表面，從而影響到基板的封裝品質(zhì)，影響到產(chǎn)品良率。另外，對(duì)于柔性顯示面板，支撐凸起的高度如果過(guò)高，則可能會(huì)使封裝效果較差或者出現(xiàn)封裝失效的情況；支撐凸起的高度如果過(guò)矮，則可能導(dǎo)致支撐效果差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例的目的是提供一種掩膜板及陣列基板的制作方法，以簡(jiǎn)化oled顯示面板的制作工藝，節(jié)約制作成本，提升產(chǎn)品良率。

本發(fā)明實(shí)施例所提供的掩膜板包括掩膜板本體和支撐結(jié)構(gòu)，所述掩膜板本體具有在蒸鍍工藝中朝向基板的第一側(cè)表面和背向基板的第二側(cè)表面，所述支撐結(jié)構(gòu)包括設(shè)置于所述掩膜板本體的所述第一側(cè)表面的多個(gè)支撐凸起，所述支撐凸起的表面為光滑過(guò)渡表面。

可選的，所述支撐凸起包括柱形支撐凸起、半球形支撐凸起或球冠形支撐凸起。

優(yōu)選的，所述支撐凸起與所述掩膜板本體一體成型。

優(yōu)選的，所述支撐凸起表面設(shè)置有保護(hù)膜。

具體的，所述保護(hù)膜為原子層沉積膜。

可選的，所述保護(hù)膜包括氧化鋯保護(hù)膜或氮化硅保護(hù)膜。

優(yōu)選的，所述支撐凸起為有機(jī)材料支撐凸起。

可選的，所述有機(jī)材料支撐凸起包括聚酰亞胺支撐凸起或者聚甲基丙烯酸甲酯支撐凸起。

優(yōu)選的，所述支撐凸起的高度為0.1μm～10μm。

具體的，所述掩膜板為全蒸鍍掩膜板，所述掩膜板本體具有對(duì)應(yīng)基板的顯示區(qū)域設(shè)置的開口區(qū)，所述多個(gè)支撐凸起設(shè)置在掩膜板本體除開口區(qū)之外的區(qū)域。

具體的，所述掩膜板為單像素蒸鍍掩膜板，所述掩膜板本體具有對(duì)應(yīng)基板的多個(gè)像素單元分別設(shè)置的多個(gè)開口單元，所述多個(gè)支撐凸起設(shè)置在掩膜板本體除開口單元之外的區(qū)域。

優(yōu)選的，設(shè)置在所述掩膜板本體的所述多個(gè)支撐凸起與基板的像素定義層位置相對(duì)。

優(yōu)選的，所述開口單元的數(shù)量與所述支撐凸起的數(shù)量的比值為1/5～20。

優(yōu)選的，所述支撐凸起表面的粗糙度為ra，其中ra≤200nm。

本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜板的第一側(cè)表面設(shè)置有多個(gè)支撐凸起，在蒸鍍制作基板的有機(jī)發(fā)光層時(shí)，掩膜板的第一側(cè)表面朝向基板，多個(gè)支撐凸起支撐于掩膜板與基板之間，使掩膜板本體與基板間不會(huì)發(fā)生接觸，使掩膜板與基板間的摩擦減少，從而減少基板表面出現(xiàn)的劃痕，還可以減少由于摩擦產(chǎn)生的顆粒物，提高oled顯示面板的質(zhì)量。支撐凸起的表面為光滑過(guò)渡表面，可以進(jìn)一步減少掩膜板的支撐凸起與基板表面的摩擦，減少基板表面出現(xiàn)的劃痕，提高產(chǎn)品良率。

本發(fā)明實(shí)施例中，多個(gè)支撐凸起設(shè)置于掩膜板本體，可以重復(fù)利用，而無(wú)需在基板上制作支撐凸起，減化了oled顯示面板的制作工藝，節(jié)約了制作成本；特別地，對(duì)于柔性oled顯示面板，無(wú)需在基板表面制作支撐凸起，有利于提高薄膜封裝基板后的封裝效果。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法，包括如下步驟：

將上述任一技術(shù)方案所述掩膜板的第一側(cè)表面與基板相對(duì)并與所述基板對(duì)位，使所述多個(gè)支撐凸起支撐于掩膜板本體與基板之間；

對(duì)完成上述步驟的基板進(jìn)行蒸鍍，在基板上形成有機(jī)發(fā)光層。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法，使用上述任一技術(shù)方案中的掩膜板進(jìn)行蒸鍍，無(wú)需在基板上制作支撐凸起，減化了基板的制作工藝，節(jié)約了制作成本。減少基板表面出現(xiàn)的劃痕，還可以減少由于摩擦產(chǎn)生的顆粒物影響基板質(zhì)量，提高產(chǎn)品良率。

附圖說(shuō)明

圖1為傳統(tǒng)蒸鍍工藝中掩膜板與基板截面示意圖；

圖2為現(xiàn)有蒸鍍工藝中掩膜板與基板截面示意圖；

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例掩膜板單元結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明一實(shí)施例中掩膜板與基板局部截面示意圖；

圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例中掩膜板與基板局部截面示意圖；

圖6為本發(fā)明一實(shí)施例中全蒸鍍掩膜板單元結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明一實(shí)施例中全蒸鍍掩膜板單元與基板截面示意圖；

圖8為本發(fā)明一實(shí)施例中單像素蒸鍍掩膜板單元與基板示意圖；

圖9為本發(fā)明一實(shí)施例中單像素蒸鍍掩膜板單元與基板截面示意圖；

圖10為本發(fā)明一實(shí)施例中全蒸鍍掩膜板示意圖。

附圖標(biāo)記：

現(xiàn)有技術(shù)部分：

01-掩膜板；

011-開口區(qū)；

012-遮擋區(qū)；

02-基板；

021-蒸鍍區(qū)；

022-非蒸鍍區(qū)；

001-掩膜板；

002-基板；

0021-支撐凸起；

本發(fā)明部分：

1-掩膜板本體；

10-支撐結(jié)構(gòu)；

11-支撐凸起；

12-保護(hù)膜；

13-開口區(qū)；

14-開口單元；

2-基板；

21-顯示區(qū)域；

22-外圍電路區(qū)；

23-像素單元；

24-像素定義層；

100-掩膜板；

101-掩膜板拼接單元；

102-掩膜板框架；

103-焊接點(diǎn)。

具體實(shí)施方式

為簡(jiǎn)化oled顯示面板的制作工藝，節(jié)約制作成本，提升產(chǎn)品良率，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩膜板及陣列基板的制作方法。為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下舉實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

如圖3和圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜板包括掩膜板本體1和支撐結(jié)構(gòu)10，掩膜板本體1具有在蒸鍍工藝中朝向基板2的第一側(cè)表面和背向基板2的第二側(cè)表面，支撐結(jié)構(gòu)10包括設(shè)置于掩膜板本體1的第一側(cè)表面的多個(gè)支撐凸起11，支撐凸起11的表面為光滑過(guò)渡表面。

本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜板的第一側(cè)表面設(shè)置有多個(gè)支撐凸起11，在蒸鍍制作基板2的有機(jī)發(fā)光層時(shí)，掩膜板的第一側(cè)表面朝向基板2，多個(gè)支撐凸起11支撐于掩膜板與基板2之間，使掩膜板本體1與基板2間不會(huì)發(fā)生接觸，使掩膜板與基板2間的摩擦減少，從而減少基板2表面出現(xiàn)的劃痕，還可以減少由于摩擦產(chǎn)生的顆粒物，提高oled顯示面板的質(zhì)量。支撐凸起11的表面為光滑過(guò)渡表面，可以進(jìn)一步減少掩膜板的支撐凸起11與基板2表面的摩擦，減少基板2表面出現(xiàn)的劃痕，提高產(chǎn)品良率。該方案中，支撐凸起11的高度可以設(shè)計(jì)的較小，可以減小基板2與掩膜板之間的距離，進(jìn)而減小蒸鍍過(guò)程中產(chǎn)生的陰影部。

本發(fā)明實(shí)施例中，多個(gè)支撐凸起11設(shè)置于掩膜板本體1，可以重復(fù)利用，相比于圖2所示的現(xiàn)有的一種蒸鍍工藝，無(wú)需在基板上制作支撐凸起0021，減化了oled顯示面板的制作工藝，節(jié)約了制作成本；特別地，對(duì)于柔性oled顯示面板，如果采用如圖2所示的掩膜板則需要在基板上設(shè)置支撐凸起0021，而柔性oled顯示面板通常采用薄膜封裝，支撐凸起0021會(huì)導(dǎo)致薄膜封裝中的無(wú)機(jī)層產(chǎn)生斷裂，影響封裝效果，甚至產(chǎn)生暗點(diǎn)。使用本申請(qǐng)?zhí)峁┑难谀ぐ?，無(wú)需在基板表面制作支撐凸起0211，從而有利于提高薄膜封裝基板后的封裝效果。

優(yōu)選的實(shí)施例中，上述支撐凸起表面的粗糙度為ra，其中ra≤200nm。支撐凸起表面的光滑性好，不易劃傷與其接觸的表面，則可以進(jìn)一步的減少在基板表面產(chǎn)生劃痕的情況。

本發(fā)明實(shí)施例中，支撐凸起11的具體形狀不限，可以為柱形支撐凸起，也可以為半球形支撐凸起，或者球冠形支撐凸起。上述支撐凸起的表面為光滑過(guò)渡表面，無(wú)尖銳部分，不易劃傷基板表面，且支撐凸起的形狀較為規(guī)則，易于加工。

如圖4所示，在具體實(shí)施例中，支撐凸起11與掩膜板本體1一體成型。具體制作時(shí)，在掩膜板本體1上，可以通過(guò)刻蝕工藝形成支撐凸起11。優(yōu)選的，支撐凸起11表面設(shè)置有保護(hù)膜12，可以使支撐凸起11的表面較軟且光滑，進(jìn)一步減少支撐凸起11與基板2表面的摩擦，進(jìn)一步的提高產(chǎn)品良率。

具體的實(shí)施例中，保護(hù)膜12為原子層沉積膜。原子層沉積膜為單原子層逐次沉積形成的膜層，原子層沉積膜的厚度均勻和一致性較好，且工藝簡(jiǎn)單。具體的，保護(hù)膜可以為氧化鋯保護(hù)膜或氮化硅保護(hù)膜等致密無(wú)機(jī)層膜。當(dāng)然，支撐凸起的保護(hù)膜可以為無(wú)機(jī)保護(hù)膜，也可以為有機(jī)保護(hù)膜。

如圖5所示，另一實(shí)施例中，支撐凸起11為有機(jī)材料支撐凸起。在掩膜板本體1表面制作有機(jī)材料支撐凸起，可以先將有機(jī)材料在掩膜板本體1表面涂布曝光顯影，形成有機(jī)材料支撐凸起，再在掩膜板本體1上制作掩膜板的開口；或者，先在掩膜板本體1上制作掩膜板的開口，再將有機(jī)材料在掩膜板本體1表面涂布曝光顯影，形成有機(jī)材料支撐凸起，可以根據(jù)自身的生產(chǎn)情況選擇合適的制作方式，有機(jī)材料支撐凸起的制作工藝較為簡(jiǎn)單。具體的，有機(jī)材料支撐凸起可以為聚酰亞胺支撐凸起，也可以為聚甲基丙烯酸甲酯支撐凸起。

當(dāng)然，支撐凸起也可以為無(wú)機(jī)材料支撐凸起，在掩膜板本體表面制作無(wú)機(jī)材料支撐凸起，則需要在掩膜板本體1表面用無(wú)機(jī)材料成膜后刻蝕，形成無(wú)機(jī)材料支撐凸起。無(wú)機(jī)材料的成膜刻蝕工藝較為復(fù)雜，工藝難度較大，特別的，當(dāng)支撐凸起的高度較小時(shí)，需要無(wú)機(jī)膜層厚度較小，對(duì)工藝精確性的要求較高，進(jìn)一步的加大了工藝難度。

可選的實(shí)施例中，支撐凸起的高度為0.1μm～10μm。在該高度范圍內(nèi)，可以根據(jù)實(shí)際需求設(shè)計(jì)支撐凸起的高度，例如，一個(gè)具體的實(shí)施例中，支撐凸起的高度為1μm；另一個(gè)具體的實(shí)施例中，支撐凸起的高度為5μm；又一個(gè)具體的實(shí)施例中，支撐凸起的高度為8μm。在現(xiàn)有柔性顯示面板的封裝工藝中，薄膜封裝一般只能覆蓋3μm以下顆粒，超過(guò)3μm顆粒會(huì)使得在薄膜封裝失效形成缺陷，從而形成進(jìn)行性暗斑缺陷，造成不良。另一方面，圖2所示的蒸鍍工藝中，如果設(shè)計(jì)支撐凸起0021的高度超過(guò)3μm，就相當(dāng)于若干超過(guò)3μm的顆粒，在現(xiàn)有的封裝工藝中，這樣的支撐凸起0021會(huì)導(dǎo)致顯示面板的暗斑缺陷，導(dǎo)致不良。因此，現(xiàn)有的設(shè)計(jì)中，支撐凸起0021設(shè)計(jì)的高度不能超過(guò)3μm，大大降低了可設(shè)計(jì)的范圍。而本發(fā)明實(shí)施例中，支撐凸起11設(shè)置于掩膜板本體，在柔性顯示面板中，支撐凸起的高度不影響封裝效果，因此，設(shè)計(jì)支撐凸起的高度時(shí)，無(wú)需考慮支撐凸起對(duì)封裝情況的影響。一方面，為了防止掩膜板與基板接觸，我們可以將支撐凸起的高度設(shè)置的比較高，例如10μm；另一方面，蒸鍍過(guò)程中，蒸鍍材料可能從掩膜板的開口區(qū)邊緣與基板之間的間隙進(jìn)入，并附著于基板與掩膜板的遮擋區(qū)相對(duì)的非開口區(qū)域，從而形成有機(jī)材料陰影部分。在本方案中，支撐凸起的高度在0.1μm～10μm范圍內(nèi)，可以使上述陰影部分的面積較小。當(dāng)然，在上述范圍內(nèi)，支撐凸起的高度越小，產(chǎn)生的陰影部分的面積也越小。例如將支撐凸起11的高度設(shè)置在0.1μm時(shí)，陰影部分的面積很小。本發(fā)明中支撐凸起的高度可設(shè)計(jì)的范圍0.1μm～10μm之間，可以根據(jù)顯示面板的需求而定。

如圖6和圖7所示，具體的實(shí)施例中，掩膜板為全蒸鍍掩膜板，掩膜板本體1具有對(duì)應(yīng)基板2的顯示區(qū)域21設(shè)置的開口區(qū)13，多個(gè)支撐凸起11設(shè)置在掩膜板本體1除開口區(qū)13之外的區(qū)域。具體的，多個(gè)支撐凸起11設(shè)置在掩膜板本體1與基板2的外圍電路區(qū)22相對(duì)的位置。優(yōu)選的，多個(gè)支撐凸起11設(shè)置在掩膜板本體1與基板2的外圍電路區(qū)22的像素定義層相對(duì)的位置，像素定義層的表面平整性較好且高度一致，支撐凸起11與基板的像素定義層相接觸，可以提高掩膜板與基板對(duì)位的穩(wěn)定性，有利于使基板與掩膜板之間的距離保持一致。另外多個(gè)支撐凸起11避開顯示區(qū)域，則可以使顯示區(qū)域減少由于與支撐凸起間的摩擦出現(xiàn)的劃痕缺陷，提高顯示區(qū)域的質(zhì)量。

如圖8和圖9所示，另一實(shí)施例中，掩膜板為單像素蒸鍍掩膜板，掩膜板本體1具有對(duì)應(yīng)基板2的多個(gè)像素單元23分別設(shè)置的多個(gè)開口單元14，多個(gè)支撐凸起11設(shè)置在掩膜板本體1除開口單元14之外的區(qū)域。使支撐凸起11避開像素單元23未與開口單元14相對(duì)的位置，防止劃傷已經(jīng)蒸鍍的膜層，提高像素單元23的質(zhì)量。

具體的實(shí)施例中，設(shè)置在掩膜板本體1的多個(gè)支撐凸起11與基板2的像素定義層24位置相對(duì)。其中，像素定義層24包括位于外圍電路區(qū)22的像素定義層24以及位于多個(gè)開口單元14之間的像素定義層24，與多個(gè)開口單元14之間的位置相對(duì)的支撐凸起11與像素定義層24接觸，因此，與外圍電路區(qū)22相對(duì)的支撐凸起11也優(yōu)選與像素定義層24接觸，可以使掩膜板的多個(gè)支撐凸起與位于同一平面的結(jié)構(gòu)接觸，提高掩膜板本體1與基板2對(duì)位的穩(wěn)定性，有利于使基板2與掩膜板本體1之間的距離保持一致。

優(yōu)選的實(shí)施例中，開口單元的數(shù)量與支撐凸起的數(shù)量的比值為1/5～20。具體實(shí)施例中，開口單元對(duì)應(yīng)的支撐凸起的數(shù)量可以根據(jù)實(shí)際需求自行設(shè)計(jì)，但是，優(yōu)選的，每個(gè)掩膜板的多個(gè)支撐凸起應(yīng)均勻分布，以使掩膜板與基板之間的受力均勻，有利于掩膜板與基板穩(wěn)定的對(duì)位。

在實(shí)際應(yīng)用中，通常同時(shí)蒸鍍一組基板，因此，掩膜板通常包括掩膜板框架和與掩膜板框架固定的一組掩膜板拼接單元。如圖10所示為全蒸鍍掩膜板示意圖。在蒸鍍時(shí)，將掩膜板100與一組基板對(duì)位，對(duì)基板進(jìn)行蒸鍍，則可以同時(shí)蒸鍍一組基板，蒸鍍效率較高。且使用該掩膜板100可以減少掩膜板與基板間的摩擦，從而減少基板表面出現(xiàn)的劃痕，還可以減少由于摩擦產(chǎn)生的顆粒物，提高oled顯示面板的質(zhì)量。

在具體的實(shí)施例中，掩膜板拼接單元101與掩膜板框架102之間的固定方式不限，優(yōu)選的可以采用焊接或者粘結(jié)的方式使掩膜板拼接單元101與掩膜板框架102固定。通過(guò)焊接或者粘結(jié)的固定方式制作的掩膜板100平整性較好，各個(gè)掩膜板間易于對(duì)齊以位于同一平面。圖10所示掩膜板拼接單元101與掩膜板框架102通過(guò)焊接方式固定，具體通過(guò)點(diǎn)焊的方式焊接，焊接點(diǎn)103位于掩膜板拼接單元101與掩膜板框架102相對(duì)的兩個(gè)框的連接處。

在一些的實(shí)施例中，掩模板也可以為高精度金屬掩模板fmm。即掩膜版拼接單元101為如圖8所示的精細(xì)掩膜版。由于oled面板各個(gè)子像素像素彼此絕緣分立，因此蒸鍍發(fā)光層材料是需要用到高精度金屬掩模板的fmm，本申請(qǐng)也適用于fmm。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法，包括如下步驟：將上述任一技術(shù)方案所述掩膜板的第一側(cè)表面與基板相對(duì)并與基板對(duì)位，使多個(gè)支撐凸起支撐于掩膜板本體與基板之間；對(duì)完成上述步驟的基板進(jìn)行蒸鍍，在基板上形成有機(jī)發(fā)光層。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法，使用上述任一技術(shù)方案中的掩膜板進(jìn)行蒸鍍，無(wú)需在基板上制作支撐凸起，減化了基板的制作工藝，節(jié)約了制作成本。該方案可以減少基板表面出現(xiàn)的劃痕，還可以減少由于摩擦產(chǎn)生的顆粒物影響基板質(zhì)量，提高產(chǎn)品良率。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。