本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種光電傳感器及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

光電傳感器具有精度高、反應(yīng)快、非接觸、可測(cè)參數(shù)多、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，其在檢測(cè)和控制中的應(yīng)用非常廣泛。例如，光電傳感器可應(yīng)用于煙塵濁度監(jiān)測(cè)儀、條形碼掃描筆、產(chǎn)品計(jì)數(shù)器、光電式煙霧報(bào)警器、轉(zhuǎn)速測(cè)量?jī)x、激光武器等方面。

光電傳感器包括陣列基板，陣列基板包括薄膜晶體管(tft)和光電二極管(pin)，光電二極管接收光并通過(guò)光伏效應(yīng)將光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，通過(guò)關(guān)閉和導(dǎo)通薄膜晶體管分別控制電信號(hào)的存儲(chǔ)和讀取，從而實(shí)現(xiàn)檢測(cè)或控制功能。

現(xiàn)有技術(shù)由于玻璃工藝的精度問(wèn)題，利用玻璃基板制備的薄膜晶體管和光電二極管的性能不佳，成像質(zhì)量較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種光電傳感器及其制作方法、顯示裝置，能夠提高光電傳感器的成像質(zhì)量。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下：

一方面，提供一種光電傳感器的制作方法，包括：

在硅基底上制作薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列；

通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列轉(zhuǎn)印在襯底基板上。

進(jìn)一步地，所述制作方法具體包括：

在不同的硅基底上分別制作薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列；

通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的薄膜晶體管陣列從硅基底上剝離，并將薄膜晶體管陣列放置在形成有電信號(hào)引線的襯底基板上，電連接所述薄膜晶體管陣列和所述電信號(hào)引線；

通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的光電二極管陣列從硅基底上剝離，并將光電二極管陣列放置在形成有所述薄膜晶體管陣列的襯底基板上，電連接所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列。

進(jìn)一步地，所述光電二極管陣列在所述襯底基板上的正投影與所述薄膜晶體管陣列在所述襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域。

進(jìn)一步地，電連接所述薄膜晶體管陣列和所述電信號(hào)引線和電連接所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列具體包括：

在將薄膜晶體管陣列放置在形成有電信號(hào)引線的襯底基板上后，形成暴露出所述電信號(hào)引線的第一過(guò)孔、暴露出薄膜晶體管陣列的源極的第二過(guò)孔和暴露出薄膜晶體管陣列的漏極的第三過(guò)孔；

形成通過(guò)所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔連接所述源極和所述電信號(hào)引線的第一導(dǎo)電連接線，并形成通過(guò)所述第三過(guò)孔與所述漏極連接的第二導(dǎo)電連接線；

將光電二極管陣列放置在形成有所述薄膜晶體管陣列的襯底基板上，使所述光電二極管陣列的電極與所述第二導(dǎo)電連接線接觸。

進(jìn)一步地，所述通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的薄膜晶體管陣列從硅基底上剝離，并將薄膜晶體管陣列放置在形成有電信號(hào)引線的襯底基板上之前還包括：

在形成有電信號(hào)引線的襯底基板上制備一層第一粘結(jié)層；

所述通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的薄膜晶體管陣列從硅基底上剝離，并將薄膜晶體管陣列放置在形成有電信號(hào)引線的襯底基板上包括：

利用微轉(zhuǎn)印印章吸附從硅基底上剝離的所述薄膜晶體管陣列；

將吸附在微轉(zhuǎn)印印章上的薄膜晶體管陣列與所述第一粘結(jié)層相接觸，使得所述薄膜晶體管陣列粘附在所述第一粘結(jié)層上。

進(jìn)一步地，所述通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的光電二極管陣列從硅基底上剝離，并將光電二極管陣列放置在形成有所述薄膜晶體管陣列的襯底基板上之前還包括：

在形成有所述薄膜晶體管陣列的襯底基板上制備一層第二粘結(jié)層；

所述通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的光電二極管陣列從硅基底上剝離，并將光電二極管陣列放置在形成有所述薄膜晶體管陣列的襯底基板上包括：

利用微轉(zhuǎn)印印章吸附從硅基底上剝離的所述光電二極管陣列；

將吸附在微轉(zhuǎn)印印章上的光電二極管陣列與所述第二粘結(jié)層相接觸，使得所述光電二極管陣列粘附在所述第二粘結(jié)層上。

進(jìn)一步地，所述制作方法具體包括：

在硅基底上制作薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列，所述薄膜晶體管陣列與所述光電二極管陣列電連接；

通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列從硅基底上剝離，并將所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列放置在形成有電信號(hào)引線的襯底基板上；

電連接所述薄膜晶體管陣列和所述電信號(hào)引線。

進(jìn)一步地，所述通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列從硅基底上剝離，并將所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列放置在形成有電信號(hào)引線的襯底基板上之前還包括：

在形成有電信號(hào)引線的襯底基板上制備一層粘結(jié)層；

所述通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列從硅基底上剝離，并將所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列放置在形成有電信號(hào)引線的襯底基板上包括：

利用微轉(zhuǎn)印印章吸附從硅基底上剝離的所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列；

將吸附在微轉(zhuǎn)印印章上的所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列與所述粘結(jié)層相接觸，使得所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列粘附在所述粘結(jié)層上。

進(jìn)一步地，所述制作方法具體包括：

在硅基底上制作薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列，所述薄膜晶體管陣列與所述光電二極管陣列電連接；

通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列從硅基底上剝離，并將所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列放置在襯底基板上；

在形成有所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列的陣列基板上制備電信號(hào)引線；

電連接所述薄膜晶體管陣列和所述電信號(hào)引線。

進(jìn)一步地，所述通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列從硅基底上剝離，并將所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列放置在襯底基板上之前還包括：

在襯底基板上制備一層粘結(jié)層；

所述通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列從硅基底上剝離，并將所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列放置在襯底基板上包括：

利用微轉(zhuǎn)印印章吸附從硅基底上剝離的所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列；

將吸附在微轉(zhuǎn)印印章上的所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列與所述粘結(jié)層相接觸，使得所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列粘附在所述粘結(jié)層上。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種光電傳感器，采用如上所述的制作方法制作得到。

進(jìn)一步地，所述光電傳感器具體包括：

襯底基板；

位于所述襯底基板上的電信號(hào)引線；

第一粘結(jié)層；

位于所述第一粘結(jié)層上的薄膜晶體管陣列，所述薄膜晶體管陣列通過(guò)貫穿所述第一粘結(jié)層的過(guò)孔與所述電信號(hào)引線電連接；

第二粘結(jié)層；

位于所述第二粘結(jié)層上的光電二極管陣列，所述光電二極管陣列通過(guò)貫穿所述第二粘結(jié)層的過(guò)孔與所述薄膜晶體管陣列電連接，所述光電二極管陣列在所述襯底基板上的正投影與所述薄膜晶體管陣列在所述襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域。

進(jìn)一步地，所述薄膜晶體管陣列在所述襯底基板上的正投影落入所述光電二極管陣列在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括層疊設(shè)置的顯示屏和如上所述的光電傳感器，所述光電傳感器位于所述顯示屏的非顯示側(cè)，所述顯示屏包括直徑小于預(yù)設(shè)值的透光孔。

進(jìn)一步地，所述透光孔為所述顯示屏的陣列基板上薄膜晶體管之間的間隙；或

所述透光孔排布在所述顯示屏的彩膜基板的黑矩陣上。

本發(fā)明的實(shí)施例具有以下有益效果：

上述方案中，先在硅基底上制作薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列，之后將制作完成的薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列從硅基底上剝離，通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列放置在形成有電信號(hào)引線的襯底基板上以制作傳感器，硅基工藝下，制備的薄膜晶體管和光電二極管具有很好的器件性能，可以解決利用玻璃基板制備的薄膜晶體管的開(kāi)關(guān)性能不佳和光電二極管的光電特性不佳的問(wèn)題。

附圖說(shuō)明

圖1為光電二極管和薄膜晶體管同層設(shè)置的示意圖；

圖2為光電二極管和薄膜晶體管堆疊設(shè)置的示意圖；

圖3為本發(fā)明具體實(shí)施例制作光電傳感器的示意圖；

圖4為帶有薄膜晶體管的微轉(zhuǎn)印印章的示意圖；

圖5為帶有光電二極管的微轉(zhuǎn)印印章的示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例光電傳感器中光電二極管和薄膜晶體管堆疊設(shè)置的示意圖；

圖7為本發(fā)明具體實(shí)施例制作光電傳感器的流程示意圖；

圖8為本發(fā)明另一具體實(shí)施例制作光電傳感器的示意圖；

圖9為本發(fā)明另一具體實(shí)施例制作光電傳感器的流程示意圖；

圖10為本發(fā)明又一具體實(shí)施例制作光電傳感器的流程示意圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明一具體實(shí)施例顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為本發(fā)明另一具體實(shí)施例顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

1玻璃基板2帶有薄膜晶體管陣列的微轉(zhuǎn)印印章

3帶有光電二極管陣列的微轉(zhuǎn)印印章

4、15光電傳感器5微轉(zhuǎn)印印章6微轉(zhuǎn)印保護(hù)層

7薄膜晶體管8光電二極管9、21襯底基板

10電信號(hào)引線11粘結(jié)層12第一導(dǎo)電連接線

13第二導(dǎo)電連接線

14帶有薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列的微轉(zhuǎn)印印章

21襯底基板22傳感器陣列23封裝層

24顯示屏25保護(hù)層31襯底基板32光電傳感器陣列

33封裝層34顯示屏背板35發(fā)光層36透光孔

37蓋板38手指39彩膜層

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)不管是通過(guò)玻璃基板還是通過(guò)硅基來(lái)制備光電傳感器，光電二極管(pin)和薄膜晶體管(tft)都是同層設(shè)置的，而光電二極管所占用的面積的比例為光電傳感器的開(kāi)口率，這樣就導(dǎo)致光電傳感器的開(kāi)口率不能達(dá)到100％，從而導(dǎo)致光電傳感器的分辨率提高存在困難。

如圖2所示，如果在制作薄膜晶體管后，在薄膜晶體管上方堆疊形成光電二極管，則能夠使光電傳感器的開(kāi)口率增加到100％，將顯著的提高光電傳感器的分辨率。但是，在薄膜晶體管上方堆疊形成光電二極管時(shí)，需要對(duì)光敏層做摻雜改性，摻雜工藝會(huì)對(duì)下方薄膜晶體管的有源層造成影響，干擾薄膜晶體管性能。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種光電傳感器及其制作方法、顯示裝置，能夠提高光電傳感器的成像質(zhì)量和開(kāi)口率。

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種光電傳感器的制作方法，包括：

在硅基底上制作薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列；

通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列轉(zhuǎn)印在襯底基板上。

本實(shí)施例中，先在硅基底上制作薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列，之后將制作完成的薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列從硅基底上剝離，通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列放置在襯底基板上以制作光電傳感器，硅基工藝下，制備的薄膜晶體管和光電二極管具有很好的器件性能，可以解決利用玻璃基板制備的薄膜晶體管的開(kāi)關(guān)性能不佳和光電二極管的光電特性不佳的問(wèn)題。

一具體實(shí)施例中，所述制作方法具體包括：

在不同的硅基底上分別制作薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列；

通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的薄膜晶體管陣列從硅基底上剝離，并將薄膜晶體管陣列放置在形成有電信號(hào)引線的襯底基板上，電連接所述薄膜晶體管陣列和所述電信號(hào)引線；

通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的光電二極管陣列從硅基底上剝離，并將光電二極管陣列放置在形成有所述薄膜晶體管陣列的襯底基板上，電連接所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列。

進(jìn)一步地，所述光電二極管陣列在所述襯底基板上的正投影與所述薄膜晶體管陣列在所述襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域。

優(yōu)選地，所述薄膜晶體管陣列在所述襯底基板上的正投影完全落入所述光電二極管陣列在所述襯底基板上的正投影內(nèi)，這樣能夠使得光電傳感器的開(kāi)口率達(dá)到100％，顯著提高光電傳感器的分辨率。

進(jìn)一步地，電連接所述薄膜晶體管陣列和所述電信號(hào)引線和電連接所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列具體包括：

在將薄膜晶體管陣列放置在形成有電信號(hào)引線的襯底基板上后，形成暴露出所述電信號(hào)引線的第一過(guò)孔、暴露出薄膜晶體管陣列的源極的第二過(guò)孔和暴露出薄膜晶體管陣列的漏極的第三過(guò)孔；

形成通過(guò)所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔連接所述源極和所述電信號(hào)引線的第一導(dǎo)電連接線，并形成通過(guò)所述第三過(guò)孔與所述漏極連接的第二導(dǎo)電連接線；

將光電二極管陣列放置在形成有所述薄膜晶體管陣列的襯底基板上，使所述光電二極管陣列的電極與所述第二導(dǎo)電連接線接觸。

進(jìn)一步地，所述通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的薄膜晶體管陣列從硅基底上剝離，并將薄膜晶體管陣列放置在形成有電信號(hào)引線的襯底基板上之前還包括：

在形成有電信號(hào)引線的襯底基板上制備一層第一粘結(jié)層；

所述通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的薄膜晶體管陣列從硅基底上剝離，并將薄膜晶體管陣列放置在形成有電信號(hào)引線的襯底基板上包括：

利用微轉(zhuǎn)印印章吸附從硅基底上剝離的所述薄膜晶體管陣列；

將吸附在微轉(zhuǎn)印印章上的薄膜晶體管陣列與所述第一粘結(jié)層相接觸，使得所述薄膜晶體管陣列粘附在所述第一粘結(jié)層上，利用第一粘結(jié)層的粘附力能夠很好地將薄膜晶體管陣列轉(zhuǎn)印到襯底基板上。

進(jìn)一步地，所述通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的光電二極管陣列從硅基底上剝離，并將光電二極管陣列放置在形成有所述薄膜晶體管陣列的襯底基板上之前還包括：

在形成有所述薄膜晶體管陣列的襯底基板上制備一層第二粘結(jié)層；

所述通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的光電二極管陣列從硅基底上剝離，并將光電二極管陣列放置在形成有所述薄膜晶體管陣列的襯底基板上包括：

利用微轉(zhuǎn)印印章吸附從硅基底上剝離的所述光電二極管陣列；

將吸附在微轉(zhuǎn)印印章上的光電二極管陣列與所述第二粘結(jié)層相接觸，使得所述光電二極管陣列粘附在所述第二粘結(jié)層上，利用第一粘結(jié)層的粘附力能夠很好地將薄膜晶體管陣列轉(zhuǎn)印到襯底基板上。

如圖3所示為本具體實(shí)施例制作光電傳感器的流程示意圖，本實(shí)施例中，在進(jìn)行微轉(zhuǎn)印之前，在玻璃基板1表面用玻璃基板相關(guān)工藝制備電信號(hào)引線，在微轉(zhuǎn)印工藝的硅基上，利用硅基制作工藝制備薄膜晶體管、光電二極管或者像素調(diào)制電路，然后借助微轉(zhuǎn)印印章將tft和pin分別從晶圓表面剝離，其中，2為帶有薄膜晶體管陣列的微轉(zhuǎn)印印章，3為帶有光電二極管陣列的微轉(zhuǎn)印印章，然后將薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列放置在玻璃基板1表面的合適位置，得到光電傳感器4。

圖4為帶有薄膜晶體管7的微轉(zhuǎn)印印章5的示意圖；圖5為帶有光電二極管8的微轉(zhuǎn)印印章5的示意圖。如圖4和圖5所示，在微轉(zhuǎn)印工藝下，為了保證微轉(zhuǎn)印印章5與薄膜晶體管以及光電二極管的粘附轉(zhuǎn)移，會(huì)增加一微轉(zhuǎn)印保護(hù)層6，微轉(zhuǎn)印保護(hù)層6與微轉(zhuǎn)印印章5的范德華力為薄膜晶體管以及光電二極管轉(zhuǎn)移提供適當(dāng)?shù)淖チΑ?/p>

如圖6和圖7所示，本實(shí)施例的光電傳感器的制作方法具體包括以下步驟：

a1、在襯底基板9上制備電信號(hào)引線10；

a2、在襯底基板9上制備粘結(jié)層11；

將薄膜晶體管以及光電二極管轉(zhuǎn)移到襯底基板9表面前，為了保證薄膜晶體管以及光電二極管與襯底基板9的粘附，需要在襯底基板9表面做一層粘結(jié)層11，粘結(jié)層11可以為環(huán)氧樹(shù)脂等熱粘結(jié)材料；

a3、通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將薄膜晶體管7轉(zhuǎn)移到粘結(jié)層11上；

在將薄膜晶體管7轉(zhuǎn)移到粘結(jié)層11上時(shí)，微轉(zhuǎn)印保護(hù)層6也轉(zhuǎn)移到襯底基板9上；

a4、電連接電信號(hào)引線10與薄膜晶體管7；

用微轉(zhuǎn)印印章5將薄膜晶體管7配置在襯底基板9的合適位置之后，通過(guò)對(duì)粘結(jié)層11和微轉(zhuǎn)印保護(hù)層6做過(guò)孔的方式實(shí)現(xiàn)電信號(hào)引線10與薄膜晶體管7的電氣連接，其中，第一導(dǎo)電連接線12通過(guò)過(guò)孔分別與電信號(hào)引線10和薄膜晶體管7的源極連接；

a5、在襯底基板9上制備粘結(jié)層11；

a6、制作貫穿粘結(jié)層11的過(guò)孔，并在過(guò)孔中制備第二導(dǎo)電連接線13；

為了實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管7與光電二極管8的電氣連接，在粘結(jié)層11上做過(guò)孔將薄膜晶體管7的漏極引出，并在過(guò)孔中制作第二導(dǎo)電連接線13以實(shí)現(xiàn)與光電二極管8的電氣連接；

a7、通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將光電二極管8轉(zhuǎn)移到粘結(jié)層11上。

在將光電二極管8轉(zhuǎn)移到粘結(jié)層11上時(shí)，微轉(zhuǎn)印保護(hù)層6也轉(zhuǎn)移到襯底基板9上，光電二極管8的電極通過(guò)第二導(dǎo)電連接線與薄膜晶體管7的漏極連接。

經(jīng)過(guò)上述步驟即可制作得到如圖6所示的以堆疊結(jié)構(gòu)配置的光電傳感器。在tft和pin堆疊結(jié)構(gòu)配置方案下，可以將光電傳感器的開(kāi)口率提高到100％，同時(shí)也利用了硅基器件優(yōu)良的性能來(lái)彌補(bǔ)玻璃工藝器件性能不佳的問(wèn)題。

進(jìn)一步地，另一具體實(shí)施例中，所述制作方法具體包括：

在硅基底上制作薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列，所述薄膜晶體管陣列與所述光電二極管陣列電連接；

通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列從硅基底上剝離，并將所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列放置在形成有電信號(hào)引線的襯底基板上；

電連接所述薄膜晶體管陣列和所述電信號(hào)引線。

本實(shí)施例中，可以在硅基底上制作同層排布的薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列，之后將制作完成的薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列從硅基底上剝離，轉(zhuǎn)印到形成有電信號(hào)引線的襯底基板上。硅基工藝下，薄膜晶體管和光電二極管具有很好的器件性能，可以解決利用玻璃基板制備的薄膜晶體管的開(kāi)關(guān)性能不佳和光電二極管的光電特性不佳的問(wèn)題。

進(jìn)一步地，所述通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列從硅基底上剝離，并將所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列放置在形成有電信號(hào)引線的襯底基板上之前還包括：

在形成有電信號(hào)引線的襯底基板上制備一層粘結(jié)層；

所述通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列從硅基底上剝離，并將所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列放置在形成有電信號(hào)引線的襯底基板上包括：

利用微轉(zhuǎn)印印章吸附從硅基底上剝離的所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列；

將吸附在微轉(zhuǎn)印印章上的所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列與所述粘結(jié)層相接觸，使得所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列粘附在所述粘結(jié)層上，利用粘結(jié)層的粘附力能夠很好地將薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列轉(zhuǎn)印到襯底基板上。

如圖8所示為本具體實(shí)施例制作光電傳感器的流程示意圖，本實(shí)施例中，在進(jìn)行微轉(zhuǎn)印之前，在玻璃基板1表面用玻璃基板相關(guān)工藝制備電信號(hào)引線，在微轉(zhuǎn)印工藝的硅基上，利用硅基制作工藝制備薄膜晶體管、光電二極管或者像素調(diào)制電路，然后借助微轉(zhuǎn)印印章將tft和pin從晶圓表面剝離，其中，14為帶有薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列的微轉(zhuǎn)印印章，然后將薄膜晶體管和光電二極管放置在玻璃基板1表面的合適位置，得到光電傳感器15。

如圖9所示，本實(shí)施例的光電傳感器的制作方法具體包括以下步驟：

b1、在襯底基板上制備電信號(hào)引線；

b2、在襯底基板上制備粘結(jié)層；

將薄膜晶體管以及光電二極管轉(zhuǎn)移到襯底基板表面前，為了保證薄膜晶體管以及光電二極管與襯底基板的粘附，需要在襯底基板表面做一層粘結(jié)層，粘結(jié)層可以為環(huán)氧樹(shù)脂等熱粘結(jié)材料；

b3、通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將薄膜晶體管以及光電二極管轉(zhuǎn)移到粘結(jié)層上；

在將薄膜晶體管以及光電二極管轉(zhuǎn)移到粘結(jié)層上時(shí)，微轉(zhuǎn)印保護(hù)層也轉(zhuǎn)移到襯底基板上，其中在硅基上制備薄膜晶體管以及光電二極管時(shí)，薄膜晶體管已經(jīng)與光電二極管電連接；

b4、電連接電信號(hào)引線與薄膜晶體管。

用微轉(zhuǎn)印印章將薄膜晶體管以及光電二極管配置在襯底基板的合適位置之后，通過(guò)對(duì)粘結(jié)層和微轉(zhuǎn)印保護(hù)層做過(guò)孔的方式實(shí)現(xiàn)電信號(hào)引線與薄膜晶體管的電氣連接。

本實(shí)施例雖然不能將光電傳感器的開(kāi)口率提升至100％，但硅基工藝下，薄膜晶體管和光電二極管具有很好的器件性能，可以解決利用玻璃基板制備的薄膜晶體管的開(kāi)關(guān)性能不佳和光電二極管的光電特性不佳的問(wèn)題。

進(jìn)一步地，另一具體實(shí)施例中，所述制作方法具體包括：

在硅基底上制作薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列，所述薄膜晶體管陣列與所述光電二極管陣列電連接；

通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列從硅基底上剝離，并將所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列放置在襯底基板上；

在形成有所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列的陣列基板上制備電信號(hào)引線；

電連接所述薄膜晶體管陣列和所述電信號(hào)引線。

本實(shí)施例中，可以在硅基底上制作同層排布的薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列，將制作完成的薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列從硅基底上剝離，轉(zhuǎn)印到襯底基板上，之后再形成電信號(hào)引線。硅基工藝下，薄膜晶體管和光電二極管具有很好的器件性能，可以解決利用玻璃基板制備的薄膜晶體管的開(kāi)關(guān)性能不佳和光電二極管的光電特性不佳的問(wèn)題。

進(jìn)一步地，所述通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列從硅基底上剝離，并將所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列放置在襯底基板上之前還包括：

在襯底基板上制備一層粘結(jié)層；

所述通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將制作完成的所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列從硅基底上剝離，并將所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列放置在襯底基板上包括：

利用微轉(zhuǎn)印印章吸附從硅基底上剝離的所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列；

將吸附在微轉(zhuǎn)印印章上的所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列與所述粘結(jié)層相接觸，使得所述薄膜晶體管陣列和所述光電二極管陣列粘附在所述粘結(jié)層上，利用粘結(jié)層的粘附力能夠很好地將薄膜晶體管陣列和光電二極管陣列轉(zhuǎn)印到襯底基板上。

如圖10所示，本實(shí)施例的光電傳感器的制作方法具體包括以下步驟：

c1、在襯底基板上制備粘結(jié)層；

將薄膜晶體管以及光電二極管轉(zhuǎn)移到襯底基板表面前，為了保證薄膜晶體管以及光電二極管與襯底基板的粘附，需要在襯底基板表面做一層粘結(jié)層，粘結(jié)層可以為環(huán)氧樹(shù)脂等熱粘結(jié)材料；

c2、通過(guò)微轉(zhuǎn)印工藝將薄膜晶體管以及光電二極管轉(zhuǎn)移到粘結(jié)層上；

在將薄膜晶體管以及光電二極管轉(zhuǎn)移到粘結(jié)層上時(shí)，微轉(zhuǎn)印保護(hù)層也轉(zhuǎn)移到襯底基板上，其中在硅基上制備薄膜晶體管以及光電二極管時(shí)，薄膜晶體管已經(jīng)與光電二極管電連接；

c3、在襯底基板上制備電信號(hào)引線；

c4、電連接電信號(hào)引線與薄膜晶體管。

用微轉(zhuǎn)印印章將薄膜晶體管以及光電二極管配置在襯底基板的合適位置之后，通過(guò)對(duì)粘結(jié)層和微轉(zhuǎn)印保護(hù)層做過(guò)孔的方式實(shí)現(xiàn)電信號(hào)引線與薄膜晶體管的電氣連接。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種光電傳感器，采用如上所述的制作方法制作得到。

一具體實(shí)施例中，所述光電傳感器包括：

襯底基板；

位于所述襯底基板上的電信號(hào)引線；

第一粘結(jié)層；

位于所述第一粘結(jié)層上的薄膜晶體管陣列，所述薄膜晶體管陣列通過(guò)貫穿所述第一粘結(jié)層的過(guò)孔與所述電信號(hào)引線電連接；

第二粘結(jié)層；

位于所述第二粘結(jié)層上的光電二極管陣列，所述光電二極管陣列通過(guò)貫穿所述第二粘結(jié)層的過(guò)孔與所述薄膜晶體管陣列電連接，所述光電二極管陣列在所述襯底基板上的正投影與所述薄膜晶體管陣列在所述襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域。

優(yōu)選地，所述薄膜晶體管陣列在所述襯底基板上的正投影落入所述光電二極管陣列在所述襯底基板上的正投影內(nèi)，這樣能夠使得光電傳感器的開(kāi)口率達(dá)到100％，顯著提高光電傳感器的分辨率。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，如圖11所示，包括層疊設(shè)置的顯示屏24和如上所述的光電傳感器，所述光電傳感器位于所述顯示屏24的非顯示側(cè)，所述顯示屏24包括直徑小于預(yù)設(shè)值的透光孔，其中光電傳感器包括襯底基板21和位于襯底基板21上的傳感器陣列22，在顯示屏24和光電傳感器之間還設(shè)置有封裝層23，在顯示屏24上還設(shè)置有保護(hù)層25。

如果將光電傳感器內(nèi)置在顯示屏中，采用棱鏡聚光成像，將會(huì)顯著的增加顯示屏的厚度，因此本實(shí)施例將光電傳感器設(shè)置在顯示屏外，采用小孔方案，實(shí)現(xiàn)聚焦成像，如果透光孔的直徑較大，則不能實(shí)現(xiàn)聚焦成像，因此透光孔的直徑需小于預(yù)設(shè)值，具體地，透光孔的直徑小于10um，可以將透光孔的直徑設(shè)計(jì)為1～10um。

具體地，如圖12所示，顯示裝置包括襯底基板31、位于襯底基板31上的光電傳感器陣列32、封裝層33、顯示屏背板34、發(fā)光層35、蓋板37，其中，透光孔36可以為所述顯示屏的陣列基板上薄膜晶體管之間的間隙，透光孔36與顯示屏的薄膜晶體管同層配置，利用薄膜晶體管電路的間隙實(shí)現(xiàn)小孔，當(dāng)然，也可以單獨(dú)制作合適位置的小孔，以指紋識(shí)別成像為例，根據(jù)小孔成像的原理，指紋的反射光或投射光可以穿過(guò)小孔在照射在顯示屏下方的光電傳感器陣列32上，實(shí)現(xiàn)成像。

進(jìn)一步地，如圖13所示，顯示裝置包括襯底基板31、位于襯底基板31上的光電傳感器陣列32、封裝層33、顯示屏背板34、彩膜層39、蓋板37，其中，透光孔36可以排布在所述顯示屏的彩膜層39之間的黑矩陣上。在制作彩膜基板時(shí)在黑矩陣上配置合適排布的小孔，以指紋識(shí)別成像為例，根據(jù)小孔成像的原理，指紋的反射光或投射光可以穿過(guò)小孔在照射在顯示屏下方的光電傳感器上，實(shí)現(xiàn)成像。

所述顯示裝置可以為：電視、顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件，其中，所述顯示裝置還包括柔性電路板、印刷電路板和背板。

在本發(fā)明各方法實(shí)施例中，所述各步驟的序號(hào)并不能用于限定各步驟的先后順序，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，對(duì)各步驟的先后變化也在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

除非另外定義，本公開(kāi)使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)或者科學(xué)術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開(kāi)中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語(yǔ)并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來(lái)區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語(yǔ)意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類似的詞語(yǔ)并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀薄ⅰ跋隆?、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

可以理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時(shí)，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。