本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體的，涉及陣列基板及其制備方法和顯示裝置。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管在顯示領(lǐng)域中得到廣泛的應(yīng)用，氧化物薄膜晶體管(oxidetft)，低溫多晶硅薄膜晶體管(ltps)等新技術(shù)不斷更新，傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料只扮演一種開(kāi)關(guān)的角色，因半導(dǎo)體材料的特殊作用，在不同的領(lǐng)域中得到不同的應(yīng)用，為降低顯示器件的厚度，現(xiàn)有觸控技術(shù)結(jié)合陣列基板的技術(shù)越來(lái)越得到重視，相應(yīng)的incell，oncell等技術(shù)不斷成熟，應(yīng)用在各種產(chǎn)品中，然而，現(xiàn)有具有觸控功能的顯示器件都需要增加額外的觸控結(jié)構(gòu)，集成度不高。

因而，目前具有觸控功能的顯示器件相關(guān)技術(shù)仍有待改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種集成有觸控結(jié)構(gòu)、同時(shí)具有觸控和顯示兩種功能、厚度較薄、或者制備步驟以及結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的陣列基板。

在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該陣列基板包括：襯底，所述襯底具有第一tft區(qū)、觸控區(qū)和第二tft區(qū)；光敏pn結(jié)，所述光敏pn結(jié)設(shè)置于所述觸控區(qū)；第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管設(shè)置于所述第一tft區(qū)，且與所述光敏pn結(jié)電連接；第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管設(shè)置于所述第二tft區(qū)，且與像素電極電連接。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，該陣列基板集成了可以用于觸控感應(yīng)的光敏pn結(jié)結(jié)構(gòu)，同時(shí)具有觸控和顯示功能，且將光敏pn結(jié)結(jié)構(gòu)集成到陣列基板上，可以簡(jiǎn)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制備步驟，減小產(chǎn)品厚度，符合輕薄化發(fā)展趨勢(shì)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管，第二薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管。

在本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提供了一種觸控顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該觸控顯示裝置包括前面所述的陣列基板。該觸控顯示裝置中觸控結(jié)構(gòu)和顯示結(jié)構(gòu)集成設(shè)置在陣列基板上，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制備步驟簡(jiǎn)單，且厚度較薄，符合輕薄化發(fā)展趨勢(shì)。

在本發(fā)明的再一方面，本發(fā)明提供了一種制備陣列基板的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括：在襯底的第一tft區(qū)形成第一薄膜晶體管；在襯底的觸控區(qū)形成光敏pn結(jié)；在襯底的第二tft區(qū)形成第二薄膜晶體管；其中，第一薄膜晶體管與光敏pn結(jié)電連接；第二薄膜晶體管與像素電極電連接。通過(guò)該方法，可以將光敏pn結(jié)結(jié)成設(shè)置在陣列基板上，使得獲得的陣列基板同時(shí)具有觸控和顯示的功能，且制備步驟簡(jiǎn)單、方便，成本較低。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第二薄膜晶體管的第二柵極與第一薄膜晶體管的遮光層通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成，且位于所述襯底的一側(cè)；或者所述第二薄膜晶體管的第二柵極與第一公共電極和第一薄膜晶體管的第一柵極通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成，且位于所述襯底的一側(cè)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該制備陣列基板的方法包括在襯底上形成第一絕緣層的步驟，第一絕緣層覆蓋遮光層和第二柵極，且位于第一tft區(qū)的部分構(gòu)成第一薄膜晶體管的緩沖層，位于第二tft區(qū)的部分構(gòu)成第二薄膜晶體管的柵絕緣層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該制備陣列基板的方法包括在第一絕緣層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)形成第二絕緣層的步驟，第二絕緣層覆蓋第一薄膜晶體管的第一有源層和第二薄膜晶體管的第二有源層，且位于第一tft區(qū)的部分構(gòu)成第一薄膜晶體管的柵絕緣層，位于第二tft區(qū)的部分構(gòu)成第二薄膜晶體管的刻蝕阻擋層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該制備陣列基板的方法包括在所述第二絕緣層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)形成第三絕緣層的步驟，第三絕緣層覆蓋第一薄膜晶體管的第一柵極和第一公共電極，且位于第一tft區(qū)的部分構(gòu)成第一薄膜晶體管的層間絕緣層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，光敏pn結(jié)的第一電極、第一薄膜晶體管的第一源極、第一漏極，第二薄膜晶體管的第二源極、第二漏極通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成，且位于第三絕緣層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，光敏pn結(jié)的第二電極和第二公共電極通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3-圖17是本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例中制備陣列基板的方法的流程示意圖。

圖18是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。下面描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。實(shí)施例中未注明具體技術(shù)或條件的，按照本領(lǐng)域內(nèi)的文獻(xiàn)所描述的技術(shù)或條件或者按照產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)進(jìn)行。所用試劑或儀器未注明生產(chǎn)廠商者，均為可以通過(guò)市購(gòu)獲得的常規(guī)產(chǎn)品。

在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D1，該陣列基板包括：襯底100，所述襯底100具有第一tft區(qū)、第二tft區(qū)和觸控區(qū)；光敏pn結(jié)30，所述光敏pn結(jié)30設(shè)置于所述觸控區(qū)；第一薄膜晶體管10，所述第一薄膜晶體管10設(shè)置于所述第一tft區(qū)，且與所述光敏pn結(jié)30電連接；第二薄膜晶體管20，所述第二薄膜晶體管20設(shè)置于所述第二tft區(qū)，且與像素電極25電連接。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，該陣列基板集成了可以用于觸控感應(yīng)的光敏pn結(jié)結(jié)構(gòu)，同時(shí)具有觸控和顯示功能，且將光敏pn結(jié)結(jié)構(gòu)集成到陣列基板上，可以簡(jiǎn)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制備步驟，減小產(chǎn)品厚度，符合輕薄化發(fā)展趨勢(shì)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述第一薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管。由此，以低溫多晶硅薄膜晶體管和氧化物薄膜晶體管分別作為光敏pn結(jié)的觸控開(kāi)光和顯示開(kāi)關(guān)，將兩種不同功能的薄膜晶體管集成到一起，使得陣列基板同時(shí)具有觸控和顯示兩種功能，且ltpstft遷移率高，作為觸控開(kāi)關(guān)，效果理想，靈敏度高；oxidetft漏電流低，顯示效果較佳。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和光敏pn結(jié)的具體結(jié)構(gòu)沒(méi)有特別限制，可以為本領(lǐng)域常規(guī)低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管和pn結(jié)的結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，為了將第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和光敏pn結(jié)集成設(shè)置在陣列基板上，可以充分利用兩種薄膜晶體管和光敏pn結(jié)的共用結(jié)構(gòu)。具體的，參照?qǐng)D1，第一薄膜晶體管10可以包括遮光層11、柵極12、有源層13、源極14、漏極15等結(jié)構(gòu)；第二薄膜晶體管20可以包括柵極21、有源層22、源極23、漏極24、等結(jié)構(gòu)；光敏pn結(jié)30可以包括第一電極31、第二電極32和pin結(jié)構(gòu)33，以及設(shè)置于各層結(jié)構(gòu)之間的第一公共電極16、第二公共電極26、像素電極25、第一絕緣層200、第二絕緣層300、第三絕緣層400、第四絕緣層500、樹(shù)脂層600和鈍化層700。

具體而言，該陣列基板包括襯底100；遮光層11，所述遮光層11設(shè)置于所述襯底100的一側(cè)，且位于所述第一tft區(qū)；第二柵極21，所述第二柵極21與所述遮光層11設(shè)置于所述襯底100的同側(cè)，且位于所述第二tft區(qū)；第一絕緣層200，所述第一絕緣層200設(shè)置于所述襯底100的一側(cè)，且覆蓋所述遮光層11和所述第二柵極21，第一絕緣層200位于第一tft區(qū)的部分構(gòu)成第一薄膜晶體管的緩沖層，位于第二tft區(qū)的部分構(gòu)成第二薄膜晶體管的柵絕緣層；第一有源層12，所述第一有源層12設(shè)置于所述第一絕緣層200遠(yuǎn)離所述襯底100的一側(cè)，且位于所述第一tft區(qū)；第二有源層22，所述第二有源層22設(shè)置于所述第一絕緣層200遠(yuǎn)離所述襯底100的一側(cè)，且位于所述第二tft區(qū)；第二絕緣層300，所述第二絕緣層300設(shè)置于所述第一絕緣層200遠(yuǎn)離所述襯底100的一側(cè)，且覆蓋所述第一有源層12和第二有源層22，位于第一tft區(qū)的部分構(gòu)成第一薄膜晶體管的柵絕緣層，位于第二tft區(qū)的部分構(gòu)成第二薄膜晶體管的刻蝕阻擋層；第一柵極13，所述第一柵極13設(shè)置于所述第二絕緣層300遠(yuǎn)離所述襯底100的一側(cè)，且位于所述第一tft區(qū)；第一公共電極16，所述第一公共電極16設(shè)置于所述第二絕緣層300遠(yuǎn)離所述襯底100的一側(cè)，且位于所述觸控區(qū)，與所述光敏pn結(jié)的第一電極電連接，用于導(dǎo)通電信號(hào)；第三絕緣層400，所述第三絕緣層400設(shè)置于所述第二絕緣層300遠(yuǎn)離所述襯底100的一側(cè)，且覆蓋所述第一柵極13和所述第一公共電極16；第一源極14和第一漏極15，所述第一源極14和第一漏極15設(shè)置于所述第三絕緣層400遠(yuǎn)離所述襯底100的一側(cè)，位于所述第一tft區(qū)，且與所述第一有源層12電連接；第一電極31，所述第一電極31設(shè)置于所述第三絕緣層400遠(yuǎn)離所述襯底100的一側(cè)，位于所述觸控區(qū)，且與所述第一公共電極16電連接；第二源極23和第二漏極24，所述第二源極23和第二漏極24設(shè)置于所述第三絕緣層400遠(yuǎn)離所述襯底100的一側(cè)，位于所述第二tft區(qū)，且與所述第二有源層22電連接；第四絕緣層500，所述第四絕緣層500設(shè)置于所述第三絕緣層400遠(yuǎn)離所述襯底100的一側(cè)，且覆蓋所述第一源極14、第一漏極15的一部分、第一電極31的一部分、第二源極23和第二漏極24的一部分；pin結(jié)構(gòu)33，具體的，pin結(jié)構(gòu)33可以包括n+半導(dǎo)體層，所述n+半導(dǎo)體層設(shè)置于所述第一電極31遠(yuǎn)離所述襯底100的一側(cè)，且位于所述觸控區(qū)；本征半導(dǎo)體層，所述本征半導(dǎo)體層設(shè)置于所述p+半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底100的一側(cè)，且位于所述觸控區(qū)；p+半導(dǎo)體層，所述p+半導(dǎo)體層設(shè)置于所述本征半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底100的一側(cè)，且位于所述觸控區(qū)；樹(shù)脂層600，所述樹(shù)脂層600設(shè)置于所述第四絕緣層500遠(yuǎn)離所述襯底100的一側(cè)；第二電極32，所述第二電極32設(shè)置于所述p+半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底100的一側(cè)，且延伸至所述第一漏極15，與所述第一漏極15電連接；像素電極25，所述像素電極25設(shè)置于所述樹(shù)脂層600遠(yuǎn)離所述襯底100的一側(cè)，位于所述第二tft區(qū)，且與所述第二漏極24電連接；第二公共電極26，所述第二公共電極26設(shè)置于所述樹(shù)脂層600遠(yuǎn)離所述襯底100的一側(cè)，位于所述第二tft區(qū)，用作顯示功能的公共電極；鈍化層700，所述鈍化層700設(shè)置于所述樹(shù)脂層600遠(yuǎn)離所述襯底100的一側(cè)，且覆蓋所述第二電極32和第二公共電極26?？梢悦黠@的發(fā)現(xiàn)，第一薄膜晶體管10、第二薄膜晶體管20和光敏pn結(jié)30之間可以共用結(jié)構(gòu)，且不同結(jié)構(gòu)可以同層設(shè)置，由此，可以更好的在陣列基板上集成觸控功能，且產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和步驟簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本較低。

當(dāng)然本領(lǐng)域人員可以理解，圖1僅為示例性說(shuō)明本發(fā)明的陣列基板的結(jié)構(gòu)，并不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制，在此基礎(chǔ)上進(jìn)行的合理改變和替換均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。例如，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，參照?qǐng)D2，第二薄膜晶體管的第二柵極21可以設(shè)置于第二絕緣層300遠(yuǎn)離襯底100的一側(cè)，與第一柵極13和第一公共電極16同層設(shè)置，其他結(jié)構(gòu)如圖1所示。在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，參照?qǐng)D18，第二薄膜晶體管的第二柵極21可以設(shè)置于第二絕緣層300遠(yuǎn)離襯底100的一側(cè)，與第一柵極13和第一公共電極16同層設(shè)置，且第二有源層22設(shè)置于第三絕緣層400遠(yuǎn)離襯底100的一側(cè)。

在本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提供了一種觸控顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該觸控顯示裝置包括前面所述的陣列基板。該觸控顯示裝置中觸控結(jié)構(gòu)和顯示結(jié)構(gòu)集成設(shè)置在陣列基板上，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制備步驟簡(jiǎn)單，且厚度較薄，符合輕薄化發(fā)展趨勢(shì)。且本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，該觸控顯示裝置具有前面所述的陣列基板的所有特征和優(yōu)點(diǎn)，在此不再一一贅述。

在本發(fā)明的再一方面，本發(fā)明提供了一種制備陣列基板的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法包括：在襯底的第一tft區(qū)形成第一薄膜晶體管；在所述襯底的觸控區(qū)形成光敏pn結(jié)；在所述襯底的第二tft區(qū)形成第二薄膜晶體管；其中，所述第一薄膜晶體管與所述光敏pn結(jié)電連接；所述第二薄膜晶體管與像素電極電連接。通過(guò)該方法，可以將光敏pn結(jié)結(jié)成設(shè)置在陣列基板上，使得獲得的陣列基板同時(shí)具有觸控和顯示的功能，且制備步驟簡(jiǎn)單、方便，成本較低。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和光敏pn結(jié)的具體結(jié)構(gòu)可以與前面描述的一致，在此不再過(guò)多贅述。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，為了簡(jiǎn)化步驟、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，同時(shí)更好的將第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和光敏pn結(jié)集成設(shè)置，發(fā)明人充分利用了三者共同的結(jié)構(gòu)和制備步驟，不僅簡(jiǎn)化了工藝，且降低了生產(chǎn)成本。具體而言，參照?qǐng)D1、圖3至圖17，本發(fā)明制備陣列基板的方法可以包括以下步驟：

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D3，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在襯底100的一側(cè)形成所述第一薄膜晶體管的遮光層11與所述第二薄膜晶體管的第二柵極21。具體的，第一薄膜晶體管的遮光層11和第二薄膜晶體管的第二柵極21沉積制作，通過(guò)一道掩膜版(mask)同時(shí)形成，具體可以為先沉積整層金屬層，然后對(duì)金屬層進(jìn)行光刻，即涂覆光刻膠、曝光、顯影、刻蝕及去除光刻膠的步驟，以形成第一遮光層11和第二柵極21。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成上述金屬層的材料沒(méi)有特別限制，只要滿(mǎn)足遮光要求和導(dǎo)電性要求即可，包括但不限于al，mo，alnd，cu，monb或者其組合等，金屬層的厚度也沒(méi)有特別限制，例如可以控制在由此，效果較佳。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D4，接著可以在襯底上形成第一絕緣層200，第一絕緣層200覆蓋遮光層11和第二柵極21，且位于所述第一tft區(qū)的部分構(gòu)成所述第一薄膜晶體管的緩沖層，位于所述第二tft區(qū)的部分構(gòu)成所述第二薄膜晶體管的柵絕緣層。由此，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管可以充分共用結(jié)構(gòu)，且可以通過(guò)一次操作即可制備完成，減少了操作步驟，降低了生產(chǎn)成本。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成第一絕緣層的具體方法沒(méi)有特別限制，例如可以通過(guò)pecvd方法沉積形成。形成第一絕緣層的材料沒(méi)有特別限制，包括但不限于sinx/sio2膜層，由此，該膜層可以同時(shí)具備緩沖層和柵絕緣層的功能。第一絕緣層的厚度也沒(méi)有特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要靈活選擇，例如第一絕緣層的厚度可以控制在由此，不會(huì)過(guò)薄而性能不好，也不會(huì)過(guò)厚而增加陣列基板厚度或浪費(fèi)材料。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D5，接著進(jìn)行第一薄膜晶體管的第一有源層12的沉積。以低溫多晶硅形成的有源層為例進(jìn)行說(shuō)明，可以先沉積非晶硅層，然后進(jìn)行ela工藝完成晶化，厚度可以控制在之間；再經(jīng)過(guò)光刻工藝刻蝕出第一有源層12。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D6，接下來(lái)可以進(jìn)行第二薄膜晶體管的第二有源層22的制備。具體的，以igzo有源層為例說(shuō)明，可以依次進(jìn)行沉積、光刻的步驟，形成第二有源層，厚度可以控制在沉積過(guò)程中調(diào)整o2含量在20％-30％之間。由此，能夠獲得性能較佳的第二有源層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D7，接著在第一絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)形成第二絕緣層300，該第二絕緣層300覆蓋第一薄膜晶體管的第一有源層12和第二薄膜晶體管的第二有源層22，且位于所述第一tft區(qū)的部分構(gòu)成所述第一薄膜晶體管的柵絕緣層，位于所述第二tft區(qū)的部分構(gòu)成所述第二薄膜晶體管的刻蝕阻擋層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成第二絕緣層的方法沒(méi)有特別限制，包括但不限于pecvd方法，具體操作過(guò)程中，可以根據(jù)柵絕緣層和刻蝕阻擋層的使用要求整合薄膜工藝，滿(mǎn)足兩種薄膜晶體管的特性；例如可以依次調(diào)節(jié)power(功率)，spacing(基板間距)，pressure(壓力)，調(diào)節(jié)氣體流量和比例。由此，第二絕緣層可以同時(shí)滿(mǎn)足兩種薄膜晶體管的特性，簡(jiǎn)化了結(jié)構(gòu)和制備步驟，降低了生產(chǎn)成本。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D8，然后進(jìn)行第一薄膜晶體管的第一柵極13和第一公共電極16的制作。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，具體的形成方式?jīng)]有特別限制，例如包括但不限于利用磁控濺射設(shè)備沉積金屬層，經(jīng)過(guò)掩模板曝光，刻蝕出第一柵極13和第一公共電極16。形成金屬層的材料也沒(méi)有特別限制，可以為al，mo，alnd，cu，monb等等或者其中兩種的組合金屬，厚度可以控制在而且，第一公共電極16可以同時(shí)用作光敏pn結(jié)傳感部件的下部電極，用于導(dǎo)通電信號(hào)。由此，實(shí)現(xiàn)了同一結(jié)構(gòu)的復(fù)用，在陣列基板上集成觸控功能的同時(shí)，簡(jiǎn)化了陣列基板的結(jié)構(gòu)和制備步驟。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D9，該制備陣列基板的方法還包括在第二絕緣層300遠(yuǎn)離襯底100的一側(cè)形成第三絕緣層400的步驟，所述第三絕緣層400覆蓋第一柵極13和第一公共電極16，且位于所述第一tft區(qū)的部分構(gòu)成所述第一薄膜晶體管的層間絕緣層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成第二絕緣層的具體方法、材料和第二絕緣層的厚度沒(méi)有特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要靈活選擇。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，可以通過(guò)沉積方法形成第二絕緣層，厚度可以在形成材料可以是sio/sion等組合。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D10，接著可以進(jìn)行第一有源層n+摻雜工藝，使得第一源極、第一漏極與有源層導(dǎo)通，形成歐姆接觸層。由此，可以進(jìn)一步提高顯示器件的顯示效果和使用性能。接下來(lái)，參照?qǐng)D11，可以進(jìn)行過(guò)孔刻蝕的步驟，具體的刻蝕方式本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要靈活選擇，例如可以利用干刻工藝形成過(guò)孔。由此，步驟簡(jiǎn)單，工藝成熟。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D12，接著在第三絕緣層400遠(yuǎn)離襯底100的一側(cè)形成光敏pn結(jié)的第一電極31、第一薄膜晶體管的第一源極14、第一漏極15，第二薄膜晶體管的第二源極23、第二漏極24。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，具體的形成方法沒(méi)有特別限制，例如可以利用磁控濺射設(shè)備沉積金屬層，然后經(jīng)過(guò)掩模板曝光，刻蝕出電極線(xiàn)，可以采用的金屬可以是al，mo，alnd，cu，monb等等或者其中兩種的組合金屬，金屬層的厚度可以控制在

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D13，接著形成位于第三絕緣層400遠(yuǎn)離襯底100一側(cè)的第四絕緣層500，且第四絕緣層500覆蓋第一源極14、第一漏極15、第一電極31、第二源極23和第二漏極24。具體的，可以通過(guò)沉積方法形成第四絕緣層500，厚度可以在形成材料可以是sio/sion等組合，另外，參照?qǐng)D12，還需要經(jīng)過(guò)photo，刻蝕工藝刻蝕出使得第一源極15、第二源極24和第一電極31與其他電極連接的過(guò)孔。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D14，接著進(jìn)行第一薄膜晶體管開(kāi)關(guān)控制的光敏pn結(jié)的制作。具體的，可以一次沉積n+半導(dǎo)體層、本征半導(dǎo)體層和p+半導(dǎo)體層，形成pin結(jié)構(gòu)，在本發(fā)明的一個(gè)具體示例中，可以按照以下步驟進(jìn)行：沉積磷烷摻雜的非晶硅制作n+層,厚度可以為沉積條件可以為power:300w，space(基板間距):1000mil，p(壓力):1230mt，h2/ph3/sih4:1250/250/190sccm，t:62s，t:250℃；然后沉積非晶硅半導(dǎo)體層:厚度可以在沉積條件可以為power:150w，space:750mil，p:1500mt，h2/sih4：1000/190sccm，t:1104s；t:250℃，再沉積硼烷摻雜的非晶硅制作p+半導(dǎo)體層，厚度可以為沉積條件可為power：550w，space：1000mil，p：1230mt，b2h6/h2/sih4:500/750/190sccm,t：30st：250℃；然后進(jìn)行曝光、顯影和干法刻蝕工藝得到pin圖形33。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D15，接下來(lái)進(jìn)行樹(shù)脂層600的制作。具體的，可以通過(guò)沉積方法形成樹(shù)脂層600，厚度可以控制在1.7μm，同時(shí)曝光灰化出ito搭接的有機(jī)膜過(guò)孔，以便后續(xù)步驟進(jìn)行。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D16，然后通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成光敏pn結(jié)的第二電極32和所述第二薄膜晶體管的第二公共電極26通過(guò)形成。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，可以利用磁控濺射設(shè)備沉積ito金屬，厚度可以控制在再進(jìn)行曝光、顯影，刻蝕工藝刻蝕出電極圖案。其中，需要說(shuō)明的是，與第二公共電極通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成的、與漏極24相連的電極圖案并不與第二公共電極26導(dǎo)通，其僅是用于使得漏極24和像素電極25電連接。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D17，接著進(jìn)行鈍化層700的沉積，形成鈍化層的材料可以為sinx/sio2膜層，厚度可以控制在同時(shí)刻蝕出連接過(guò)孔。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參照?qǐng)D1，接著進(jìn)行第二薄膜晶體管的像素電極25的制作。具體的，可以先沉積ito層，然后經(jīng)過(guò)曝光、顯影，刻蝕出像素電極25。

通過(guò)本發(fā)明的上述方法，可以將第二薄膜晶體管如低溫多晶硅薄膜晶體管和第二薄膜晶體管如氧化物薄膜晶體管制作在同一陣列基板中，分別作為顯示開(kāi)關(guān)和光敏pn結(jié)的觸控開(kāi)關(guān)，將兩種不同功能的薄膜晶體管集成到一起，使得陣列基板同時(shí)具備觸控和顯示兩種功能，同時(shí)在制作工藝中充分利用兩種工藝可以共用的mask(掩膜版)，減少了mask，降低了制作成本，制作了一種新型的顯示器件。

當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，上述具體制備步驟也僅為示例性說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，并不能理解對(duì)本發(fā)明的限制，在本發(fā)明基礎(chǔ)上做出的合理改變和替換均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。例如，對(duì)應(yīng)圖2和圖18的結(jié)構(gòu)，本領(lǐng)域可以在上述具體制備步驟的基礎(chǔ)上調(diào)整不同步驟的順序，以獲得結(jié)構(gòu)不同的陣列基板。

在本說(shuō)明書(shū)的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書(shū)中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不必須針對(duì)的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說(shuō)明書(shū)中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。