本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種oled顯示基板及制備方法、顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

amoled(activematrixorganiclight-emittingdisplay，主動(dòng)式或有源式有機(jī)電致發(fā)光顯示)由于其較好的顯示畫質(zhì)在消費(fèi)電子類產(chǎn)品市場(chǎng)上迅速擴(kuò)張，隨著用戶對(duì)顯示畫質(zhì)要求的不斷提高，oled顯示基板的分辨率也越來越高，同時(shí)也帶來了新的問題。例如，對(duì)于oled顯示基板中每個(gè)oled器件均發(fā)出白光，再與彩膜基板相對(duì)合，以進(jìn)行彩色顯示的發(fā)光模式，由于每個(gè)oled器件均為電致發(fā)白光的器件，對(duì)應(yīng)于各像素的白光oled器件中的發(fā)光功能層是設(shè)在像素限定層上的整層結(jié)構(gòu)。而對(duì)于oled顯示基板中oled器件均發(fā)出紅/綠/藍(lán)或其他顏色的彩色發(fā)光模式，為了簡(jiǎn)化oled器件的制備工藝，對(duì)應(yīng)于各像素的oled器件中的發(fā)光功能層中的部分結(jié)構(gòu)層也是相互連接在一起的。

這樣一來，當(dāng)oled顯示基板顯示某特性像素的時(shí)候，由于各oled器件的發(fā)光功能層中相互連接在一起的結(jié)構(gòu)層存在沿著層方向的橫向?qū)щ妴栴}，導(dǎo)致該像素進(jìn)行顯示時(shí)，其周邊一個(gè)或者多個(gè)像素也會(huì)同時(shí)點(diǎn)亮，從而出現(xiàn)了像素間串?dāng)_(cross-talk)的問題。

尤其是當(dāng)發(fā)光功能層中的有機(jī)電致發(fā)光層(electroluminescent，el)采用某些p摻雜或者n摻雜的材料時(shí)，由于p摻雜或n摻雜材料的橫向?qū)щ娐瘦^高，更容易引起像素間串?dāng)_的問題。為了解決上述串?dāng)_問題，現(xiàn)有技術(shù)嘗試通過將p摻雜或n摻雜材料替換為橫向?qū)щ娐瘦^低的材料，但這樣會(huì)導(dǎo)致發(fā)光功能層的材料選擇范圍大大減少，或者會(huì)存在替換的材料影響oled器件效能的弊端。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于此，為解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種oled顯示基板及制備方法、顯示面板及顯示裝置，可提高鋪設(shè)在像素限定層上的發(fā)光功能層的面積、增加其電阻，從而提高了易于發(fā)生串?dāng)_的發(fā)光功能層中的電壓降(irdrop)，有效減少了相鄰像素間的串?dāng)_；同時(shí)，提高了對(duì)發(fā)光功能層的材料選擇范圍。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

第一方面、本發(fā)明實(shí)施例提供了一種oled顯示基板，包括基板，劃分有多個(gè)發(fā)光區(qū)域；設(shè)置在所述基板上的像素限定層，所述像素限定層上設(shè)置有與每個(gè)發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的開孔；所述像素限定層遠(yuǎn)離所述基板的一面上還設(shè)置有凹陷結(jié)構(gòu)和/或凸起結(jié)構(gòu)。

可選的，所述oled顯示基板還包括，設(shè)置在所述基板上對(duì)應(yīng)于每個(gè)發(fā)光區(qū)域的第一電極，所述開孔露出所述第一電極的至少部分區(qū)域；發(fā)光功能層，包括層疊設(shè)置的多層結(jié)構(gòu)層；其中，至少有一層所述結(jié)構(gòu)層設(shè)置在所述開孔內(nèi)、所述像素限定層遠(yuǎn)離所述基板的一面上以及所述凹陷結(jié)構(gòu)內(nèi)和/或所述凸起結(jié)構(gòu)上。

優(yōu)選的，所述發(fā)光功能層中的各層結(jié)構(gòu)層均設(shè)置在所述開孔內(nèi)、所述像素限定層遠(yuǎn)離所述基板的一面上以及所述凹陷結(jié)構(gòu)內(nèi)和/或所述凸起結(jié)構(gòu)上。

優(yōu)選的，所述發(fā)光功能層用于發(fā)出白光。

可選的，所述開孔呈陣列排布；在至少一行所述開孔中，相鄰兩個(gè)所述開孔之間均設(shè)置有所述凹陷結(jié)構(gòu)和/或所述凸起結(jié)構(gòu)；和/或，在至少一列所述開孔中，相鄰兩個(gè)所述開孔之間均設(shè)置有所述凹陷結(jié)構(gòu)和/或所述凸起結(jié)構(gòu)。

可選的，所述凹陷結(jié)構(gòu)沿垂直于所述oled顯示基板方向的截面形狀包括，矩形、三角形、正梯形和倒梯形中的至少一種；或者，所述凸起結(jié)構(gòu)沿垂直于所述oled顯示基板方向的截面形狀包括，矩形、三角形、正梯形和倒梯形中的至少一種。

優(yōu)選的，所述oled顯示基板還包括，設(shè)置在所述發(fā)光功能層上的第二電極。

可選的，所述基板包括，襯底基板和設(shè)置在所述襯底基板上的晶體管陣列層。

第二方面、本發(fā)明實(shí)施例提供了一種oled顯示基板的制備方法，所述制備方法包括，提供一基板，所述基板劃分有多個(gè)發(fā)光區(qū)域；在所述基板上形成絕緣材料薄膜；對(duì)所述絕緣材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，形成像素限定層；其中，所述像素限定層上形成有與每個(gè)發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的開孔，所述像素限定層遠(yuǎn)離所述基板的一面上還形成有凹陷結(jié)構(gòu)和/或凸起結(jié)構(gòu)。

可選的，所述對(duì)所述絕緣材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，形成像素限定層的步驟之前，所述制備方法還包括，在所述基板上形成對(duì)應(yīng)于每個(gè)發(fā)光區(qū)域的第一電極；待形成的開孔露出所述第一電極的至少部分區(qū)域；在所述對(duì)所述絕緣材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，形成像素限定層的步驟之后，所述制備方法還包括，形成發(fā)光功能層，包括層疊設(shè)置的多層結(jié)構(gòu)層；其中，至少有一層所述結(jié)構(gòu)層覆蓋在所述開孔內(nèi)、所述像素限定層遠(yuǎn)離所述基板的一面上以及所述凹陷結(jié)構(gòu)內(nèi)。

第三方面、本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示面板，包括上述所述的oled顯示基板和相對(duì)于所述oled顯示基板的對(duì)合基板。

可選的，所述對(duì)合基板為封裝蓋板、或貼附有觸控電極層的觸控蓋板、或彩膜基板。

第四方面、本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括上述所述的顯示面板。

基于此，本發(fā)明實(shí)施例通過在像素限定層20上設(shè)置凹槽凹陷結(jié)構(gòu)和/或凸起結(jié)構(gòu)使其具有了彎路形狀，相比于如圖2所示的現(xiàn)有技術(shù)中平直的像素限定層，使得鋪設(shè)在像素限定層20上的容易發(fā)生橫向串?dāng)_的發(fā)光功能層的面積更大，即增加鋪設(shè)在其上的漏電層的橫向長度，進(jìn)而增大了易于發(fā)生串?dāng)_的結(jié)構(gòu)層的irdrop，從而有效減少像素間的串?dāng)_；同時(shí)，提高了對(duì)發(fā)光功能層的材料選擇范圍，亦不存在替換的材料影響oled器件效能的弊端問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種oled顯示基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種oled顯示基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種oled顯示基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種oled顯示基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖三；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種oled顯示基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖四；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種oled顯示基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖五；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種oled顯示基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖六；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種oled顯示基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖七；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種oled顯示基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖八；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種oled顯示基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖九；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種oled顯示基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖十。

附圖標(biāo)記：

10-基板；20-像素限定層；21-開孔；22-凹陷結(jié)構(gòu)；23-凸起結(jié)構(gòu)；31-第一電極；32-第二電極；40-發(fā)光功能層。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

需要指出的是，除非另有定義，本發(fā)明實(shí)施例中所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員共同理解的相同含義。還應(yīng)當(dāng)理解，諸如在通常字典里定義的那些術(shù)語應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)技術(shù)的上下文中的含義相一致的含義，而不應(yīng)用理想化或極度形式化的意義來解釋，除非這里明確地這樣定義。

例如，本發(fā)明專利申請(qǐng)說明書以及權(quán)利要求書中所使用的術(shù)語“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，僅是用來區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！耙粋?cè)”、“另一側(cè)”等指示的方位或位置關(guān)系的術(shù)語為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于說明本發(fā)明的技術(shù)方案的簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

如圖1或圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種oled顯示基板，包括基板10，劃分有多個(gè)發(fā)光區(qū)域；設(shè)置在基板上的像素限定層20，該像素限定層20上設(shè)置有與每個(gè)發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的開孔21；該像素限定層20遠(yuǎn)離基板10的一面上還設(shè)置有凹陷結(jié)構(gòu)22和/或凸起結(jié)構(gòu)23。

對(duì)于上述各結(jié)構(gòu)需要說明的是，第一、本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，上述的基板10是指包括有襯底基板和設(shè)置在襯底基板上的用于控制各oled器件的由陣列排布的多個(gè)晶體管構(gòu)成的晶體管陣列層的結(jié)構(gòu)。

第二，參考圖1或圖2所示，上述oled顯示基板還包括有，設(shè)置在基板10上對(duì)應(yīng)于每個(gè)發(fā)光區(qū)域的第一電極31，上述的開孔露出第一電極31的至少部分區(qū)域。示例的，當(dāng)上述第一電極31具體為oled器件中的陽極時(shí)，其通過覆蓋晶體管陣列層的絕緣層上的過孔與晶體管的漏極實(shí)現(xiàn)電性連接，具體結(jié)構(gòu)可沿用現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限定。

以及，設(shè)置在第一電極31上方的發(fā)光功能層40，該發(fā)光功能層40具體可包括有空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層等層疊設(shè)置的多層結(jié)構(gòu)層；其中，上述發(fā)光功能層40中至少有一層結(jié)構(gòu)層是設(shè)置在上述開孔21內(nèi)、上述像素限定層20遠(yuǎn)離基板的一面上以及凹陷結(jié)構(gòu)22內(nèi)和/或凸起結(jié)構(gòu)23上，即至少有一層結(jié)構(gòu)層是鋪設(shè)在像素限定層20的整層上。

上述oled顯示面板上還包括有，設(shè)置在發(fā)光功能層40上的第二電極32。這里，當(dāng)前述的第一電極31為陽極時(shí)，相對(duì)的第二電極32即為陰極。由于各oled器件的陽極為間隔開來的、互不接觸的獨(dú)立電極，為簡(jiǎn)化工藝，參考圖1所示，可以將第二電極32整層鋪設(shè)在發(fā)光功能層40之上，即各oled器件的陰極為連接在一起的一體結(jié)構(gòu)。

第三、上述像素限定層(pixeldefininglayer，pdl)20遠(yuǎn)離基板10的一面上設(shè)置有凹陷結(jié)構(gòu)22和/或凸起結(jié)構(gòu)23，即指凹陷結(jié)構(gòu)22的凹陷開口方向是朝向遠(yuǎn)離基板10的一側(cè)、凸起結(jié)構(gòu)23的凸起面朝向遠(yuǎn)離基板10的一側(cè)。本發(fā)明實(shí)施例對(duì)凹陷結(jié)構(gòu)22和/或凸起結(jié)構(gòu)23的具體形狀、數(shù)量及排列不作限定，像素限定層20遠(yuǎn)離基板10的一面上只要設(shè)置有凹陷結(jié)構(gòu)22和/或凸起結(jié)構(gòu)23增大其有效面積即可。

其中，凹陷結(jié)構(gòu)22具體可為凹槽或?qū)⑾袼叵薅▽?0直接打通的孔狀結(jié)構(gòu)。

在背景技術(shù)中提出的前述現(xiàn)有技術(shù)的問題中，像素間信號(hào)串?dāng)_的問題是由于oled器件中發(fā)光功能層材料的橫向電阻較小而導(dǎo)致的橫向漏電所導(dǎo)致的。這里所指的“橫向”，是相對(duì)于oled器件的發(fā)光方向而言，由于oled器件的發(fā)光方向?yàn)榇怪庇诎l(fā)光功能層的層面方向，即從一個(gè)oled器件中的一個(gè)電極指向相對(duì)的另一個(gè)電極的方向?yàn)榭v向，相對(duì)的，平行于發(fā)光功能層的層面方向即為橫向。由于oled器件的發(fā)出的光是垂直于發(fā)光功能層的層面方向(即沿縱向)射出的，橫向漏電對(duì)于oled器件的發(fā)光效率的提升是無效的。

下面為了簡(jiǎn)要起見，將平鋪在像素限定層20上的容易發(fā)生橫向漏電串?dāng)_的發(fā)光功能層(可以為其中一層或多層)稱為漏電層。由以下電阻的公式可得出，對(duì)于發(fā)光功能層給定的材料而言，其電阻率ρ是固定的，截面面積也是固定的(截面面積由發(fā)光功能層的厚度決定，厚度太小不利于oled器件的制備)，故只能通過增大漏電層的橫向長度來增大其電阻，從而增大這一層的irdrop(電壓降，即電阻兩端的電位差)，從而達(dá)到了減少相鄰像素間的串?dāng)_的問題。

其中，r表示電阻，ρ表示電阻率，s表示界面面積，l表示電阻的長度。

基于此，本發(fā)明實(shí)施例通過在像素限定層20上設(shè)置凹陷結(jié)構(gòu)和/或凸起結(jié)構(gòu)使其具有了彎路形狀，相比于如圖2所示的現(xiàn)有技術(shù)中平直的像素限定層，使得鋪設(shè)在像素限定層20上的容易發(fā)生橫向串?dāng)_的發(fā)光功能層的面積更大，即增加鋪設(shè)在其上的漏電層的橫向長度，進(jìn)而增大了易于發(fā)生串?dāng)_的結(jié)構(gòu)層的irdrop，從而有效減少像素間的串?dāng)_；同時(shí)，提高了對(duì)發(fā)光功能層的材料選擇范圍，亦不存在替換的材料影響oled器件效能的弊端問題。

上述彎路的形狀，即凹陷結(jié)構(gòu)22沿垂直于oled顯示面板方向的截面形狀可以包括但不限于，如圖4所示的矩形、如圖5所示的三角形、如圖6所示的正梯形以及如圖7所示的倒梯形中的至少一種。其中，凹陷結(jié)構(gòu)22的具體結(jié)構(gòu)可通過光刻工藝來實(shí)現(xiàn)某特定形狀的像素限定層pdl，工藝簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。

或者，上述彎路的形狀，即凸起結(jié)構(gòu)23沿垂直于oled顯示面板方向的截面形狀可以包括但不限于，如圖8所示的矩形、如圖9所示的三角形、如圖10所示的正梯形以及如圖11所示的倒梯形中的至少一種。其中，凸起結(jié)構(gòu)23的具體結(jié)構(gòu)可通過光刻工藝來實(shí)現(xiàn)某特定形狀的像素限定層pdl，工藝簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)?？紤]到由于白光oled器件各像素單元均發(fā)出白光，發(fā)光功能層40中的各層結(jié)構(gòu)均是平鋪在像素限定層20上的，其發(fā)生橫向漏電的問題較為嚴(yán)重，因此本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)一步優(yōu)選的，上述發(fā)光功能層40中的各層結(jié)構(gòu)均設(shè)置在開孔21內(nèi)、像素限定層20遠(yuǎn)離基板10的一面上以及凹陷結(jié)構(gòu)22內(nèi)和/或凸起結(jié)構(gòu)23上。

其中，發(fā)光功能層40中的發(fā)光層可以由依次發(fā)出紅光、綠光和藍(lán)光的發(fā)光材料層疊設(shè)置而成，各顏色的光混合在一起顯示為白光；或者，發(fā)光功能層40也可以為一層材料，其中摻雜有發(fā)出紅光、綠光和藍(lán)光的發(fā)光材料，從而可顯著降低白光oled顯示基板中相鄰像素間串?dāng)_的問題。

進(jìn)一步的，像素限定層20上的開孔21呈陣列排布(即各像素單元呈陣列排列)；在至少一行開孔21中，相鄰兩個(gè)開孔21之間均設(shè)置有上述凹陷結(jié)構(gòu)22(一個(gè)或多個(gè))和/或上述凸起結(jié)構(gòu)23；(一個(gè)或多個(gè))；和/或，在至少一列開孔21中，相鄰兩個(gè)開孔21之間均設(shè)置有上述凹陷結(jié)構(gòu)22(一個(gè)或多個(gè))和/或上述凸起結(jié)構(gòu)23；(一個(gè)或多個(gè))。

這里，更進(jìn)一步優(yōu)選為，在每行和/或每列開孔21的間隔處均設(shè)置有上述的凹陷結(jié)構(gòu)22和/或凸起結(jié)構(gòu)23，即像素限定層20上的彎路設(shè)計(jì)是均勻分布在整個(gè)像素限定層20上，從而可以減小沿行方向和/或沿列方向的像素間的由橫向漏電而導(dǎo)致的串?dāng)_問題。

上述像素限定層pdl遠(yuǎn)離基板的一面上也可以同時(shí)設(shè)置有上述凹陷結(jié)構(gòu)22和上述凸起結(jié)構(gòu)23，但是考慮到簡(jiǎn)化制備工藝，本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選為上述像素限定層pdl僅設(shè)置凹陷結(jié)構(gòu)22或凸起結(jié)構(gòu)23的一種彎路設(shè)計(jì)，以增加像素限定層pdl的表面積。

并且，考慮到當(dāng)上述像素限定層pdl設(shè)置凸起結(jié)構(gòu)23時(shí)，由于其表面不平整會(huì)增加對(duì)上述oled顯示基板進(jìn)行封裝和/或貼合的難度，故本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)一步優(yōu)選為上述像素限定層pdl通過設(shè)置凹陷結(jié)構(gòu)22來增加表面積。

下面本發(fā)明實(shí)施例提供一個(gè)具體實(shí)施例，用于詳細(xì)描述上述的oled顯示基板的結(jié)構(gòu)。

具體實(shí)施例

參考前述圖1、圖4-圖7所示，提供一種oled顯示基板，包括：

基板10，劃分有多個(gè)發(fā)光區(qū)域；包括襯底基板和晶體管陣列層，其中襯底基板具體可以為如玻璃等剛性襯底或者如pi(polyimide，聚酰亞胺)等柔性襯底。

設(shè)置在基板10上對(duì)應(yīng)于每個(gè)發(fā)光區(qū)域的第一電極31，其材料可以為透明的tco(transparentconductiveoxide，導(dǎo)電金屬氧化物)或者不透明的ito/ag/ito、alnd等材料。

設(shè)置在基板10上的像素限定層20，該像素限定層20上設(shè)置有與每個(gè)發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的開孔21；該像素限定層20遠(yuǎn)離基板10的一面上還設(shè)置有凹陷結(jié)構(gòu)22；上述的開孔露出第一電極31的至少部分區(qū)域。像素限定層20可以是有機(jī)或者無機(jī)的絕緣材料。

設(shè)置在第一電極31上方的發(fā)光功能層40，該發(fā)光功能層40具體可包括有空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層等多種結(jié)構(gòu)層；其中，上述發(fā)光功能層40中至少有一層結(jié)構(gòu)層是設(shè)置在上述開孔21內(nèi)、上述像素限定層20遠(yuǎn)離基板的一面上以及凹陷結(jié)構(gòu)22內(nèi)，即鋪設(shè)在像素限定層20的整層上。

設(shè)置在發(fā)光功能層40上的第二電極32，其材料可以是不透明的金屬(如al、mgag)或者透明的薄mgag、tco材料等。

其中，為了使得從發(fā)光功能層40中激發(fā)出的光可以透射出，第一電極31和第二電極中至少由一者為透明材料。

上述具體實(shí)施例是以凹陷結(jié)構(gòu)22為例進(jìn)行說明，對(duì)于凸起結(jié)構(gòu)23的情況同樣適用，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不再贅述。

進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種oled顯示基板的制備方法，包括，

步驟s01、提供一基板10，該基板10劃分有多個(gè)發(fā)光區(qū)域；在基板10上形成絕緣材料薄膜；

步驟s02、對(duì)上述的絕緣材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，以形成像素限定層20；其中，像素限定層20上形成有與每個(gè)發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的開孔21，像素限定層20遠(yuǎn)離基板10的一面上還形成有凹陷結(jié)構(gòu)22和/或凸起結(jié)構(gòu)23。

這里，典型的構(gòu)圖工藝是應(yīng)用一次掩模板，通過對(duì)光刻膠曝光、顯影、刻蝕膜層、去除光刻膠的工藝。其中，掩模板可以是普通掩模板、或半色調(diào)掩模板、或灰色調(diào)掩模板，應(yīng)根據(jù)具體構(gòu)圖工藝靈活調(diào)整。當(dāng)上述像素限定層20由光刻膠材料構(gòu)成時(shí)，可以通過曝光、顯影即可形成所需的特定彎路設(shè)計(jì)。

進(jìn)一步的，在上述步驟s02之前，上述制備方法還包括，在基板10上形成對(duì)應(yīng)于每個(gè)發(fā)光區(qū)域的第一電極31，待形成的像素限定層20上的開孔21露出第一電極31的至少部分區(qū)域；

在上述步驟s02之后，上述制備方法還包括，

步驟s03、形成發(fā)光功能層40，包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；其中，上述發(fā)光功能層40中至少有一層結(jié)構(gòu)層覆蓋在上述開孔21內(nèi)、像素限定層20遠(yuǎn)離基板的一面上以及上述凹陷結(jié)構(gòu)22內(nèi)和/或凸起結(jié)構(gòu)23上。

進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括有上述的oled顯示基板和相對(duì)于該oled顯示基板的對(duì)合基板。

其中，上述的對(duì)合基板可以為對(duì)oled顯示基板進(jìn)行封裝后的封裝蓋板、或貼附有觸控電極層的觸控蓋板、或彩膜基板等，具體可沿用現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限定。

進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括有上述的顯示面板。上述顯示裝置具體可以是oled顯示器、oled電視、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或者部件。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。