本發(fā)明屬于鈣鈦礦太陽能電池領(lǐng)域，更具體地，涉及一種低溫柔性鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法。

背景技術(shù)：

太陽能作為一種清潔、環(huán)保、廉價(jià)、儲(chǔ)量豐富的可再生能源，受到人們?cè)絹碓蕉嗟年P(guān)注。在光熱轉(zhuǎn)換、光電轉(zhuǎn)換和光化學(xué)轉(zhuǎn)換等太陽能利用方式中，光電轉(zhuǎn)換具有永久性、清潔性、靈活性等特點(diǎn)，太陽能光電轉(zhuǎn)換的基本裝置是太陽能電池。2009年，日本miyasaka等人在研究敏化太陽電池的過程中，首次使用具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的有機(jī)金屬鹵化物ch3nh3pbbr3和ch3nh3pbi3作為敏化劑，拉開了鈣鈦礦太陽電池研究的序幕。

隨著電子產(chǎn)品的微型化、柔性化發(fā)展需求，近年來涌現(xiàn)出各種各樣的可穿戴式、可折疊電子產(chǎn)品和移動(dòng)智能器件如谷歌眼鏡、智能手表、健康監(jiān)視腕帶等等，這些柔性電子產(chǎn)品對(duì)充電的便攜性有了更高要求，例如sony公司生產(chǎn)的的柔性電子紙和lg公司生產(chǎn)的柔性電子顯示屏、丹麥infinitypv公司研發(fā)的卷軸式太陽能電池充電寶，其在便攜式發(fā)電設(shè)備概念基礎(chǔ)上進(jìn)一步發(fā)展，加入了柔性聚合物太陽能電池，可在沖電后卷起放于保護(hù)盒內(nèi)，尺寸為11.3×3.6×2.8cm，重量?jī)H105g，為iphone6充滿電只需要2～3小時(shí)，因此，開發(fā)基于鈣鈦礦的高效微能源器件，使之能廣泛應(yīng)用于柔性電子產(chǎn)品具有重大意義，然而鈣鈦礦太陽能電池制備仍涉及高溫工藝，無法應(yīng)用于柔性電子產(chǎn)品，基于鈣鈦礦太陽能電池的柔性微能源集成化器件制備還需開展深入的研究與探索。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的以上缺陷或改進(jìn)需求，本發(fā)明提供了一種低溫柔性鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法，通過采用柔性pen薄膜為基底，同時(shí)采用二氧化錫代替?zhèn)鹘y(tǒng)的二氧化鈦?zhàn)鳛楣怅枠O，由此解決太陽能電池不能應(yīng)用于柔性電子產(chǎn)品和制備溫度高的技術(shù)問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，按照本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種低溫柔性鈣鈦礦太陽能電池，該太陽能電池由下至上包括基底、光陽極層、吸光層、空穴傳輸層和對(duì)電極層，其特征在于，

所述基底為鍍有氟摻雜二氧化錫或氧化銦錫導(dǎo)電層的柔性pen薄膜，所述光陽極由二氧化錫構(gòu)成，所述光吸收層由鈣鈦礦構(gòu)成，所述空穴傳輸層由酞菁銅構(gòu)成，所述對(duì)電極層由導(dǎo)電碳漿構(gòu)成。

進(jìn)一步優(yōu)選地，所述光陽極層的厚度為50nm～80nm；所述光吸收層的厚度為400nm～600nm；所述空穴傳輸層的厚度為30nm～40nm；所述對(duì)電極層的厚度為10um～100um。

按照本發(fā)明的另一個(gè)方面，一種如上所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，該方法包括下列步驟：

(a)將二水合氯化亞錫或五水合四氯化錫旋涂在清洗后的基底上，然后對(duì)旋涂后的基底加熱，使得在所述基底上附著一層二氧化錫致密層，該二氧化錫致密層作為光陽極層，其中，所述加熱的溫度為180℃～190℃，加熱時(shí)間為1h～3h；

(b)在步驟(a)得到的二氧化錫致密層上進(jìn)行反溶劑法旋涂，然后對(duì)所述基底加熱，使得在該二氧化錫致密層的表面生成一層鈣鈦礦層，該鈣鈦礦層作為光吸收層；

(c)將酞菁銅蒸鍍到步驟(b)得到的鈣鈦礦層上形成酞菁銅層，該酞菁銅層作為空穴傳輸層，然后在所述酞菁銅層上印刷導(dǎo)電碳漿形成對(duì)電極層，至此完成對(duì)所述基底的處理，從而得到所需的太陽能電池。

進(jìn)一步優(yōu)選地，在步驟(a)中，在所述加熱之后，優(yōu)選對(duì)加熱后的基底進(jìn)行紫外臭氧處理或者等離子處理。

進(jìn)一步優(yōu)選地，在步驟(b)中，所述旋涂所用旋涂劑為abx3的化合物，其中，x為f、cl、br或i，b為pb或sn，a為ch3、nh3⁺或fa⁺，旋涂速度優(yōu)選為4000rpm～5000rpm，旋涂時(shí)間優(yōu)選為30s～40s。

進(jìn)一步優(yōu)選地，在步驟(b)中，所述反溶劑法旋涂是指在旋涂開始后的第6s～8s，在所述二氧化錫致密層上滴加極性有機(jī)溶劑，然后繼續(xù)旋涂。

進(jìn)一步優(yōu)選地，在步驟(b)中，所述加熱的溫度范圍為90℃～100℃，加熱時(shí)間為5min～10min。

總體而言，通過本發(fā)明所構(gòu)思的以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠取得下列有益效果：

1、本發(fā)明通過采用柔性pen薄膜作為基底，相比于其他柔性基底，具有更高的穩(wěn)定性和耐高溫性，最高承受溫度可達(dá)200℃，另外，通過采用二氧化錫代替?zhèn)鹘y(tǒng)二氧化鈦tio2作為光陽極，將制備方法的最高工藝溫度降低到了180℃，實(shí)現(xiàn)了太陽能電池的低溫制備；

2、本發(fā)明由于柔性基底最高耐溫只能達(dá)到200℃因此使得鍍有fto(氟摻雜二氧化錫)或ito(氧化銦錫)導(dǎo)電層的柔性pen薄膜作為導(dǎo)電基底成為可能，從而使電池能夠制備于柔性基底上，從而實(shí)現(xiàn)了器件的柔性化；此外，二氧化錫的帶隙更寬，具有更高的光照穩(wěn)定性，且二氧化錫薄膜的透光性非常好，大大減小了光照損失；

3、本發(fā)明通過采用反溶劑制備有機(jī)無機(jī)鈣鈦礦層，與傳統(tǒng)鈣鈦礦層制備方法相比，制備的鈣鈦礦層具有鏡面平整度，并且覆蓋率將近100％，大大減小了漏電流，從而提高了電池性能；

4、本發(fā)明通過采用酞菁銅cupc作為空穴傳輸層，相比于傳統(tǒng)spiro-ometad成本大大降低，為電池的商業(yè)化提供了可能，另外，cupc相比于傳統(tǒng)空穴傳輸層沒有摻雜，因此具有更高的穩(wěn)定性；

5、本發(fā)明通過采用碳作為對(duì)電極收集電荷，與傳統(tǒng)金屬電極相比，成本大大降低，可實(shí)現(xiàn)電池的“rolltoroll”大規(guī)模生產(chǎn)。

附圖說明

圖1是按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所構(gòu)建的太陽能電池的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所構(gòu)建的太陽能電池制備方法的流程圖；

圖3是按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所構(gòu)建的太陽能電池的實(shí)際截面圖。

在所有附圖中，相同的附圖標(biāo)記用來表示相同的元件或結(jié)構(gòu)，其中：

1-基底2-光陽極3-鈣鈦礦層4-空穴傳輸層5-碳對(duì)電極

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。此外，下面所描述的本發(fā)明各個(gè)實(shí)施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。

圖1是按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所構(gòu)建的太陽能電池的截面結(jié)構(gòu)示意圖；如圖1所示，本發(fā)明提出了一種基于二氧化錫光陽極的低溫柔性鈣鈦礦太陽能電池，器件為傳統(tǒng)n-i-p型，電池結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電基底、光陽極、鈣鈦礦層、空穴傳輸層、碳對(duì)電極，其中光陽極為二氧化錫，由于其可低溫制備的特性，太陽能電池的導(dǎo)電基底可采用柔性導(dǎo)電基底，實(shí)現(xiàn)了器件的柔性化，鈣鈦礦層為有機(jī)無機(jī)混合鈣鈦礦，空穴傳輸層為酞菁銅cupc。

太陽能電池的導(dǎo)電基底指的是以柔性pen薄膜為基底的fto(氟摻雜二氧化錫)/pen或ito(氧化銦錫)/pen；光陽極指的是二氧化錫，厚度控制在50nm～80nm左右，起到傳輸電子的作用，并將光吸收層與電極隔離開，減小載流子復(fù)合；鈣鈦礦層指的是由有機(jī)鈣鈦礦材料沉積而成的光吸收層，由反溶劑法制備的ch3nh3pbi3薄膜，厚度控制在400nm～600nm；空穴傳輸層指的是由熱蒸發(fā)制備的cupc，厚度控制在30nm～40nm，起到傳輸空穴的作用，并將光吸收層與對(duì)電極隔離開，減小載流子復(fù)合；對(duì)電極為指的是碳漿料經(jīng)絲網(wǎng)印刷在上空穴傳輸層上的導(dǎo)電碳薄膜。該薄膜用于收集電荷，厚度控制在10um～100um。

圖2是按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所構(gòu)建的太陽能電池制備方法的流程圖；如圖2所示，本發(fā)明提供基于二氧化錫光陽極的低溫柔性鈣鈦礦太陽能電池制備工藝，包括如下步驟：

(a)將鍍有fto(氟摻雜二氧化錫)或ito(氧化銦錫)導(dǎo)電層的柔性pen薄膜進(jìn)行預(yù)處理；通過旋涂的方法，在步驟一預(yù)處理的導(dǎo)電基底上制備二氧化錫光陽極；

所述透明柔性導(dǎo)電基底的預(yù)處理過程具體為：分別用丙酮和乙醇超聲清洗15min～20min，去除基底表面的有機(jī)物，然后用去離子水洗凈，最后放入紫外臭氧清洗機(jī)中處理20min～30min進(jìn)行表面改性，增加其表面的親水性；

二氧化錫光陽極制備過程如下：將0.1m～0.15m的sncl2·2h2o乙醇溶液旋涂在導(dǎo)電基底上，旋涂速度為2000rpm～3000rpm，旋涂時(shí)間為30s～40s，之后放在熱板上加熱，加熱溫度為180℃～190℃，加熱時(shí)間為1h～2h，最后紫外臭氧處理10min～15min；

(b)在步驟2所制備的光陽極上，通過反溶劑旋涂ch3nh3i-pbi2溶液；

吸光層制備過程為：取461mgpbi2，159mgch3nh3i，75mg～90mgdmso和600mg～800mgdmf配置成ch3nh3i-pbi2溶液，將ch3nh3i-pbi2溶液旋涂到步驟2所制備的光陽極上，旋涂速度為4000rpm～5000rpm，旋涂時(shí)間為30s～40s，在旋涂開始的第6s～8s，將0.3ml～0.5ml乙醚快速滴加到旋涂基底上，之后，置于熱板上加熱，加熱溫度為90℃～100℃，加熱時(shí)間為5min～10min；

(c)在步驟3所制備的鈣鈦礦層上熱蒸發(fā)制備cupc；通過絲網(wǎng)印刷在步驟4所制備的空穴傳輸層上印刷導(dǎo)電碳漿，至此，器件制備完畢。

空穴傳輸層制備過程為：利用電阻式熱蒸發(fā)設(shè)備，將cupc蒸鍍到光吸收層上，蒸鍍的厚度為30nm～40nm；

對(duì)電極制備過程為：將碳漿料通過絲網(wǎng)印刷的方法印刷在步驟4所制備的空穴傳輸層上，厚度為10μm～100μm，之后置于熱板加熱，加熱溫度為70℃～80℃，加熱時(shí)間為15min～20min；

碳漿料制備過程如下：首先，稱取1g10um鱗片石墨、2g400nm石墨、1g40nm碳黑、0.5g50nmzro2混合后倒入球磨罐中；然后倒入溶解有乙基纖維素和聚乙烯乙酸酯dbe(尼龍酸二甲酯)15ml作為碳漿料的有機(jī)載體；最后放入鋯珠，球磨6小時(shí)后，碳漿料制備完成。

根據(jù)圖1的流程圖，下面將結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明：

實(shí)施例1

(a)將切割并刻蝕好的鍍有fto的pen薄膜分別用丙酮和乙醇超聲清洗15分鐘，去除基底表面的有機(jī)物，然后用去離子水洗凈，最后放入紫外臭氧清洗機(jī)中處理20分鐘進(jìn)行表面改性；將0.1m的sncl2·2h2o乙醇溶液旋涂在導(dǎo)電基底上，旋涂速度為2000rpm，旋涂時(shí)間為30s，之后放在熱板上加熱，加熱溫度為180℃，加熱時(shí)間為1h，最后紫外處理10min；

(b)取461mgpbi2，159mgch3nh3i，70mgdmso和600mgdmf配置成ch3nh3i-pbi2溶液，將ch3nh3i-pbi2溶液旋涂到步驟2所制備的光陽極上，旋涂速度為4000rpm，旋涂時(shí)間為30s，在旋涂開始的第6s，將0.3ml乙醚快速滴加到旋涂基底上，之后，置于熱板上加熱，加熱溫度為90℃，加熱時(shí)間為5min；

(c)利用電阻式熱蒸發(fā)設(shè)備，將cupc蒸鍍到光吸收層上，蒸鍍的厚度為30nm；稱取1g10um鱗片石墨、2g400nm石墨、1g40nm碳黑、0.5g50nmzro2，混合后倒入球磨罐中；然后倒入溶解有乙基纖維素和聚乙烯乙酸酯dbe(尼龍酸二甲酯)15ml作為碳漿料的有機(jī)載體，最后放入鋯珠，球磨6小時(shí)后，碳漿料制備完成；將碳漿料通過絲網(wǎng)印刷的方法印刷在步驟4所制備的空穴傳輸層上，厚度為10μm，之后置于熱板加熱，加熱溫度為70℃，加熱時(shí)間為15min。

實(shí)施例2

(a)將切割并刻蝕好的鍍有fto的pen薄膜分別用丙酮和乙醇超聲清洗17分鐘，去除基底表面的有機(jī)物，然后用去離子水洗凈，最后放入紫外臭氧清洗機(jī)中處理20分鐘進(jìn)行表面改性；將0.1m的sncl2·2h2o乙醇溶液旋涂在導(dǎo)電基底上，旋涂速度為2000rpm，旋涂時(shí)間為30s，之后放在熱板上加熱，加熱溫度為182℃，加熱時(shí)間為1h，最后紫外處理10min；

(b)取461mgpbi2，159mgch3nh3i，70mgdmso和600mgdmf配置成ch3nh3i-pbi2溶液，將ch3nh3i-pbi2溶液旋涂到步驟2所制備的光陽極上，旋涂速度為4200rpm，旋涂時(shí)間為32s，在旋涂開始的第6s，將0.3ml乙醚快速滴加到旋涂基底上，之后，置于熱板上加熱，加熱溫度為90℃，加熱時(shí)間為5min；

(c)利用電阻式熱蒸發(fā)設(shè)備，將cupc蒸鍍到光吸收層上，蒸鍍的厚度為34nm；稱取1g10um鱗片石墨、2g400nm石墨、1g40nm碳黑、0.5g50nmzro2，混合后倒入球磨罐中；然后倒入溶解有乙基纖維素和聚乙烯乙酸酯dbe(尼龍酸二甲酯)15ml作為碳漿料的有機(jī)載體；最后放入鋯珠，球磨6小時(shí)后，碳漿料制備完成；將碳漿料通過絲網(wǎng)印刷的方法印刷在步驟4所制備的空穴傳輸層上，厚度為20μm，之后置于熱板加熱，加熱溫度為72℃，加熱時(shí)間為15min。

實(shí)施例3

(a)將切割并刻蝕好的鍍有fto的pen薄膜分別用丙酮和乙醇超聲清洗16分鐘，去除基底表面的有機(jī)物，然后用去離子水洗凈，最后放入紫外臭氧清洗機(jī)中處理20分鐘進(jìn)行表面改性；將0.11m的sncl2·2h2o乙醇溶液旋涂在導(dǎo)電基底上，旋涂速度為2200rpm，旋涂時(shí)間為32s，之后放在熱板上加熱，加熱溫度為184℃，加熱時(shí)間為1.5h，最后紫外處理10min；

(b)取461mgpbi2，159mgch3nh3i，75mgdmso和630mgdmf配置成ch3nh3i-pbi2溶液，將ch3nh3i-pbi2溶液旋涂到步驟2所制備的光陽極上，旋涂速度為4400rpm，旋涂時(shí)間為34s，在旋涂開始的第6s，將0.3ml乙醚快速滴加到旋涂基底上，之后，置于熱板上加熱，加熱溫度為95℃，加熱時(shí)間為6min；

(c)利用電阻式熱蒸發(fā)設(shè)備，將cupc蒸鍍到光吸收層上，蒸鍍的厚度為35nm；稱取1g10um鱗片石墨、2g400nm石墨、1g40nm碳黑、0.5g50nmzro2，混合后倒入球磨罐中；然后倒入溶解有乙基纖維素和聚乙烯乙酸酯dbe(尼龍酸二甲酯)15ml作為碳漿料的有機(jī)載體；最后放入鋯珠，球磨6小時(shí)后，碳漿料制備完成；將碳漿料通過絲網(wǎng)印刷的方法印刷在步驟4所制備的空穴傳輸層上，厚度為40μm，之后置于熱板加熱，加熱溫度為75℃，加熱時(shí)間為17min；

實(shí)施例4

(a)將切割并刻蝕好的鍍有fto的pen薄膜分別用丙酮和乙醇超聲清洗18分鐘，去除基底表面的有機(jī)物，然后用去離子水洗凈，最后放入紫外臭氧清洗機(jī)中處理25分鐘進(jìn)行表面改性；將0.12m的sncl2·2h2o乙醇溶液旋涂在導(dǎo)電基底上，旋涂速度為2400rpm，旋涂時(shí)間為34s，之后放在熱板上加熱，加熱溫度為186℃，加熱時(shí)間為1.5h，最后紫外處理10min；

(b)取461mgpbi2，159mgch3nh3i，78mgdmso和650mgdmf配置成ch3nh3i-pbi2溶液，將ch3nh3i-pbi2溶液旋涂到步驟2所制備的光陽極上，旋涂速度為4600rpm，旋涂時(shí)間為36s，在旋涂開始的第7s，將0.4ml乙醚快速滴加到旋涂基底上，之后，置于熱板上加熱，加熱溫度為95℃，加熱時(shí)間為7min；

(c)利用電阻式熱蒸發(fā)設(shè)備，將cupc蒸鍍到光吸收層上，蒸鍍的厚度為36nm；稱取1g10um鱗片石墨、2g400nm石墨、1g40nm碳黑、0.5g50nmzro2，混合后倒入球磨罐中；然后倒入溶解有乙基纖維素和聚乙烯乙酸酯dbe(尼龍酸二甲酯)15ml作為碳漿料的有機(jī)載體；最后放入鋯珠，球磨6小時(shí)后，碳漿料制備完成；將碳漿料通過絲網(wǎng)印刷的方法印刷在步驟4所制備的空穴傳輸層上，厚度為60μm，之后置于熱板加熱，加熱溫度為78℃，加熱時(shí)間為18min；

實(shí)施例5

(a)將切割并刻蝕好的鍍有fto的pen薄膜分別用丙酮和乙醇超聲清洗19分鐘，去除基底表面的有機(jī)物，然后用去離子水洗凈，最后放入紫外臭氧清洗機(jī)中處理25分鐘進(jìn)行表面改性；將0.13m的sncl2·2h2o乙醇溶液旋涂在導(dǎo)電基底上，旋涂速度為2600rpm，旋涂時(shí)間為36s，之后放在熱板上加熱，加熱溫度為188℃，加熱時(shí)間為1.5h，最后紫外處理12min；

(b)取461mgpbi2，159mgch3nh3i，80mgdmso和700mgdmf配置成ch3nh3i-pbi2溶液，將ch3nh3i-pbi2溶液旋涂到步驟2所制備的光陽極上，旋涂速度為4800rpm，旋涂時(shí)間為38s，在旋涂開始的第7s，將0.4ml乙醚快速滴加到旋涂基底上，之后，置于熱板上加熱，加熱溫度為96℃，加熱時(shí)間為8min；

(c)利用電阻式熱蒸發(fā)設(shè)備，將cupc蒸鍍到光吸收層上，蒸鍍的厚度為38nm；稱取1g10um鱗片石墨、2g400nm石墨、1g40nm碳黑、0.5g50nmzro2，混合后倒入球磨罐中；然后倒入溶解有乙基纖維素和聚乙烯乙酸酯dbe(尼龍酸二甲酯)15ml作為碳漿料的有機(jī)載體；最后放入鋯珠，球磨6小時(shí)后，碳漿料制備完成；將碳漿料通過絲網(wǎng)印刷的方法印刷在步驟4所制備的空穴傳輸層上，厚度為80μm，之后置于熱板加熱，加熱溫度為80℃，加熱時(shí)間為20min；

實(shí)施例6

(a)將切割并刻蝕好的鍍有fto的pen薄膜分別用丙酮和乙醇超聲清洗20分鐘，去除基底表面的有機(jī)物，然后用去離子水洗凈，最后放入紫外臭氧清洗機(jī)中處理30分鐘進(jìn)行表面改性；將0.14m的sncl2·2h2o乙醇溶液旋涂在導(dǎo)電基底上，旋涂速度為2800rpm，旋涂時(shí)間為38s，之后放在熱板上加熱，加熱溫度為190℃，加熱時(shí)間為1.5h，最后紫外處理15min；

(b)取461mgpbi2，159mgch3nh3i，85mgdmso和750mgdmf配置成ch3nh3i-pbi2溶液，將ch3nh3i-pbi2溶液旋涂到步驟2所制備的光陽極上，旋涂速度為4700rpm，旋涂時(shí)間為39s，在旋涂開始的第8s，將0.5ml乙醚快速滴加到旋涂基底上，之后，置于熱板上加熱，加熱溫度為96℃，加熱時(shí)間為8min；

(c)利用電阻式熱蒸發(fā)設(shè)備，將cupc蒸鍍到光吸收層上，蒸鍍的厚度為40nm；稱取1g10um鱗片石墨、2g400nm石墨、1g40nm碳黑、0.5g50nmzro2，混合后倒入球磨罐中；然后倒入溶解有乙基纖維素和聚乙烯乙酸酯dbe(尼龍酸二甲酯)15ml作為碳漿料的有機(jī)載體；最后放入鋯珠，球磨6小時(shí)后，碳漿料制備完成；將碳漿料通過絲網(wǎng)印刷的方法印刷在步驟4所制備的空穴傳輸層上，厚度為100μm，之后置于熱板加熱，加熱溫度為80℃，加熱時(shí)間為20min；

實(shí)施例7

(a)將切割并刻蝕好的鍍有fto的pen薄膜分別用丙酮和乙醇超聲清洗20分鐘，去除基底表面的有機(jī)物，然后用去離子水洗凈，最后放入紫外臭氧清洗機(jī)中處理30分鐘進(jìn)行表面改性；將0.15m的sncl2·2h2o乙醇溶液旋涂在導(dǎo)電基底上，旋涂速度為3000rpm，旋涂時(shí)間為40s，之后放在熱板上加熱，加熱溫度為190℃，加熱時(shí)間為2h，最后紫外處理15min；

(b)取461mgpbi2，159mgch3nh3i，90mgdmso和800mgdmf配置成ch3nh3i-pbi2溶液，將ch3nh3i-pbi2溶液旋涂到步驟2所制備的光陽極上，旋涂速度為5000rpm，旋涂時(shí)間為40s，在旋涂開始的第8s，將0.5ml乙醚快速滴加到旋涂基底上，之后，置于熱板上加熱，加熱溫度為100℃，加熱時(shí)間為10min；

(c)利用電阻式熱蒸發(fā)設(shè)備，將cupc蒸鍍到光吸收層上，蒸鍍的厚度為40nm；稱取1g10um鱗片石墨、2g400nm石墨、1g40nm碳黑、0.5g50nmzro2，混合后倒入球磨罐中；然后倒入溶解有乙基纖維素和聚乙烯乙酸酯dbe(尼龍酸二甲酯)15ml作為碳漿料的有機(jī)載體；最后放入鋯珠，球磨6小時(shí)后，碳漿料制備完成；將碳漿料通過絲網(wǎng)印刷的方法印刷在步驟4所制備的空穴傳輸層上，厚度為100μm，之后置于熱板加熱，加熱溫度為80℃，加熱時(shí)間為20min；

本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。