本發(fā)明至少一個實施例涉及一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

低溫多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，ltps)相比于非晶硅具有較高的電子遷移率及穩(wěn)定性，其電子遷移率可達非晶硅的幾十甚至幾百倍。因此，采用低溫多晶硅材料形成薄膜晶體管的技術(shù)得到了迅速發(fā)展。由低溫多晶硅衍生的新一代液晶顯示裝置(liquidcrystaldisplay，lcd)或有機電致發(fā)光顯示裝置(organiclight-emittingdiode，oled)成為重要的顯示技術(shù)，其中的有機電致發(fā)光顯示裝置具有超薄、低功耗、自身發(fā)光等特點，備受用戶的青睞。在ltps技術(shù)中采用的頂柵結(jié)構(gòu)具有工藝復(fù)雜以及成本不易控制的缺點，因此，只需4-6步掩模工藝即可完成的底柵型低溫多晶硅薄膜晶體管具有很大的成本優(yōu)勢。為了控制漏電流的大小，底柵型的低溫多晶硅薄膜晶體管一般采用具有刻蝕阻擋層(etchstoplayer，esl)的結(jié)構(gòu)。esl型薄膜晶體管采用刻蝕阻擋層既可以避免背溝道的損傷，也可以降低溝道的漏電流。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的至少一實施例提供一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置。采用本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法，一方面可以增加薄膜晶體管中源漏極與有源層的接觸面積，進而增大開態(tài)電流和電子遷移率，另一方面可以減少對柵極絕緣層的過刻，避免數(shù)據(jù)線與柵線或者公共電極線之間發(fā)生短路，從而提升產(chǎn)品的良率。

本發(fā)明的至少一實施例提供一種陣列基板的制作方法，包括：提供襯底基板；在襯底基板上形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上沉積刻蝕阻擋層材料；在刻蝕阻擋層材料上形成掩模圖案；以掩模圖案為掩模對刻蝕阻擋層材料采用濕法刻蝕以形成刻蝕阻擋層；以掩模圖案為掩模對半導(dǎo)體層采用干法刻蝕以形成有源層，其中，有源層包括第一區(qū)域以及圍繞第一區(qū)域的第二區(qū)域，刻蝕阻擋層在襯底基板上的正投影與有源層的第一區(qū)域在襯底基板上的正投影完全重合。

例如，在本發(fā)明的一個實施例中，形成刻蝕阻擋層包括：刻蝕未被掩模圖案覆蓋的以及位于有源層的第二區(qū)域上的刻蝕阻擋層材料以形成位于有源層的第一區(qū)域上的刻蝕阻擋層。

例如，在本發(fā)明的一個實施例中，刻蝕阻擋層的邊緣與有源層的邊緣沿平行于襯底基板的方向的最小距離為0.5-1.5μm。

例如，在本發(fā)明的一個實施例中，陣列基板的制作方法還包括：在刻蝕阻擋層上形成源極和漏極，其中，源極和漏極分別與部分第二區(qū)域相接觸。

例如，在本發(fā)明的一個實施例中，濕法刻蝕過程中采用的刻蝕液對刻蝕阻擋層材料與半導(dǎo)體層的刻蝕選擇比大于1000:1。

例如，在本發(fā)明的一個實施例中，刻蝕阻擋層的材料包括硅的氧化物和硅的氮化物中的一種或組合。

例如，在本發(fā)明的一個實施例中，半導(dǎo)體層為多晶硅層，在襯底基板上形成半導(dǎo)體層包括：在襯底基板上沉積非晶硅層，利用激光退火的方式將非晶硅層晶化形成多晶硅層。

本發(fā)明的至少一實施例提供一種陣列基板，包括襯底基板、設(shè)置在襯底基板上的有源層以及設(shè)置在有源層遠離襯底基板的一側(cè)的刻蝕阻擋層，有源層包括第一區(qū)域以及圍繞第一區(qū)域的第二區(qū)域，刻蝕阻擋層在襯底基板上的正投影與有源層的第一區(qū)域在襯底基板上的正投影完全重合。

例如，在本發(fā)明的一個實施例中，刻蝕阻擋層的邊緣與有源層的邊緣沿平行于襯底基板的方向的最小距離為0.5-1.5μm。

例如，在本發(fā)明的一個實施例中，陣列基板還包括：源極和漏極，其中，源極和漏極分別與部分刻蝕阻擋層以及部分第二區(qū)域相接觸。

例如，在本發(fā)明的一個實施例中，刻蝕阻擋層的材料包括硅的氧化物和硅的氮化物中的一種或組合。

例如，在本發(fā)明的一個實施例中，有源層的材料包括多晶硅。

本發(fā)明的至少一實施例提供一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的任一種陣列基板。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實施例，而非對本發(fā)明的限制。

圖1為一般采用低溫多晶硅薄膜晶體管的陣列基板的局部示意圖；

圖2為本發(fā)明一實施例提供的陣列基板的制作方法的具體步驟示意圖；

圖3a-圖3g為本發(fā)明一實施例提供的陣列基板的制作過程示意圖；

圖4為圖3g示出的陣列基板的平面視圖。

附圖標(biāo)記：10-襯底基板；11-有源層；12-刻蝕阻擋層；13-柵極；14-柵極絕緣層；15-源極；16-漏極；200-襯底基板；210-有源層；211-第一區(qū)域；212-第二區(qū)域；213-半導(dǎo)體層；220-刻蝕阻擋層；221-刻蝕阻擋層材料；231-源極；232-漏極；233-柵極；234-柵極絕緣層；240-掩模圖案。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例的附圖，對本發(fā)明實施例的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

除非另外定義，本發(fā)明使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本發(fā)明中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！吧稀薄ⅰ跋隆?、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關(guān)系，當(dāng)被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

在研究中，本申請的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)：目前，采用刻蝕阻擋層型底柵低溫多晶硅薄膜晶體管的陣列基板中，刻蝕阻擋層和有源層采用相同的掩模板，并同步進行干法刻蝕，二者刻蝕選擇比相當(dāng)，因此圖形大小基本相同。刻蝕選擇比是對于不同材料或?qū)拥目涛g速率之比。這里的刻蝕阻擋層和有源層的刻蝕選擇比相當(dāng)，因此，刻蝕后形成的圖形大小基本相同。

圖1為一般采用低溫多晶硅薄膜晶體管的陣列基板的局部示意圖。如圖1所示，該陣列基板包括襯底基板10、設(shè)置在襯底基板10上的柵極13、覆蓋柵極13的柵極絕緣層14、設(shè)置在柵極絕緣層14上的有源層11以及刻蝕阻擋層12。

一方面，由于刻蝕阻擋層12和有源層11同步進行干法刻蝕，有源層11在襯底基板10上的正投影與刻蝕阻擋層12在襯底基板10上的正投影完全重合，因此刻蝕阻擋層12幾乎完全覆蓋有源層11，導(dǎo)致源極15和漏極16僅與有源層11的側(cè)壁相接觸，因而電子只能通過有源層11的側(cè)壁進行傳輸，即，源極15的電流只能通過有源層11的側(cè)壁向漏極16傳輸。一般有源層的膜厚只有50nm，其側(cè)壁與源漏極的接觸面積很小，因此對開態(tài)電流(ion)的提升是一種很大的限制，進而難以發(fā)揮多晶硅的高電子遷移率的優(yōu)勢。

另一方面，有源層11和刻蝕阻擋層12進行同步刻蝕，刻蝕厚度較大而導(dǎo)致刻蝕總量較大，容易造成對柵極絕緣層14的過刻，因此，容易造成位于柵極絕緣層兩側(cè)的數(shù)據(jù)線與柵線或者公共電極線之間發(fā)生短路等不良。

本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置。該陣列基板的制作方法包括：提供襯底基板；在襯底基板上形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上沉積刻蝕阻擋層材料；在刻蝕阻擋層材料上形成掩模圖案；以掩模圖案為掩模對刻蝕阻擋層材料采用濕法刻蝕以形成刻蝕阻擋層；以掩模圖案為掩模對半導(dǎo)體層采用干法刻蝕以形成有源層，其中，有源層包括第一區(qū)域以及圍繞第一區(qū)域的第二區(qū)域，刻蝕阻擋層在襯底基板上的正投影與有源層的第一區(qū)域在襯底基板上的正投影完全重合。采用本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法，一方面可以增加薄膜晶體管中源漏極與有源層的接觸面積，進而增大開態(tài)電流和電子遷移率，另一方面可以減少對柵極絕緣層的過刻，避免位于柵極絕緣層兩側(cè)的數(shù)據(jù)線與柵線或者公共電極線之間發(fā)生短路，從而提升產(chǎn)品的良率。

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置進行描述。

實施例一

本實施例提供一種陣列基板的制作方法，圖2為本實施例提供的陣列基板的制作方法的具體步驟示意圖，圖3a-圖3g為本實施例提供的陣列基板的制作過程示意圖。如圖2和圖3a-圖3g所示，該制作方法可以包括下列步驟。

s101：提供襯底基板。

例如，襯底基板200的材料可以由玻璃、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亞胺、聚醚砜中的一種或多種材料制成，本實施例包括但不限于此。

例如，本實施例提供的陣列基板包括底柵型薄膜晶體管，如圖3a所示，在襯底基板200上沉積用于形成柵極的材料，并對其進行圖案化以形成柵極233。

例如，柵極233可以采用鋁、銅、鉻、鉬、鈦等金屬材料中的任一種或者幾種組合的合金，本實施例包括但不限于此。

例如，在柵極233的同層還可以形成柵線和公共電極線(圖3a中沒有示出)，本實施例包括但不限于此。

例如，如圖3a所示，在柵極233上覆蓋柵極絕緣層234。例如，柵絕緣層234可以選用氧化物、氮化物或氮氧化合物等材料，本實施例包括但不限于此。

s102：在襯底基板上形成半導(dǎo)體層。

例如，如圖3a所示，在襯底基板200上形成半導(dǎo)體層213，即為在柵極絕緣層234上形成半導(dǎo)體層213。本實施例中形成的半導(dǎo)體層213為多晶硅層，例如，在襯底基板200上形成半導(dǎo)體層213包括：在襯底基板200上沉積非晶硅層，利用準(zhǔn)分子激光退火的方式將非晶硅層晶化形成多晶硅層，即，利用準(zhǔn)分子激光退火的方式將柵極絕緣層234上沉積的非晶硅層晶化形成多晶硅層。例如，用不同能量密度的激光束照射非晶硅的表面，使非晶硅加熱融化，液態(tài)的非晶硅冷卻時發(fā)生晶化。

例如，將非晶硅層晶化形成多晶硅層的方法還可以是金屬誘發(fā)結(jié)晶工藝，例如，利用金屬的催化作用來降低非晶硅成核溫度，以達到低溫下成核的目的。

例如，還可以采用選擇性激光燒結(jié)、連續(xù)橫向固化工藝等方法將非晶硅層晶化形成多晶硅層，本實施例對此不作限制。

s103：在半導(dǎo)體層上沉積刻蝕阻擋層材料。

例如，如圖3b所示，在半導(dǎo)體層213上沉積刻蝕阻擋層材料221。例如，刻蝕阻擋層材料221可以包括硅的氧化物和硅的氮化物中的一種或組合，例如可以包括二氧化硅或者氮化硅等，本實施例包括但不限于此。

例如，本實施例中的柵極絕緣層234選用的材料可以與刻蝕阻擋層材料221相同，本實施例包括但不限于此。

s104：在刻蝕阻擋層材料上形成掩模圖案。

例如，在刻蝕阻擋層材料221上形成的掩模圖案240可以為光刻膠圖案。如圖3c所示，在刻蝕阻擋層材料221上可以采用旋轉(zhuǎn)涂膠法涂敷一層薄而均勻，并且沒有缺陷的光刻膠層，本實施例不限于此，還可以采用其他涂敷方法。

例如，光刻膠可以由樹脂、感光劑、溶劑以及添加劑組成，在曝光之前需對光刻膠層進行前烘，使光刻膠層中的溶劑蒸發(fā)，提高曝光后線條分辨率。例如，正性光刻膠可以在空氣中進行前烘，而負(fù)性光刻膠需在氮氣環(huán)境中進行前烘。

例如，可以采用電子束、離子束、x射線和紫外線等照射光刻膠層以對光刻膠層進行曝光，本實施例不限于此。

例如，光刻膠層可以采用堿性顯影液進行顯影，例如碳酸氫鈉(1％)等，本實施例不限于此。光刻膠層顯影后形成掩模圖案240。

s105：以掩模圖案為掩模對刻蝕阻擋層材料采用濕法刻蝕以形成刻蝕阻擋層。

例如，如圖3d所示，以掩模圖案240為掩模對刻蝕阻擋層材料221采用濕法刻蝕以形成刻蝕阻擋層220。在濕刻過程中，在刻蝕對象表面，刻蝕液與刻蝕對象進行化學(xué)反應(yīng)，刻蝕液不斷被消耗，反應(yīng)生成物不斷生成，刻蝕對象周圍形成濃度梯度，促使新的刻蝕液不斷向刻蝕對象輸送，并將反應(yīng)生成物從其表面除去，從而使新的刻蝕液與刻蝕對象接觸。這里的“刻蝕對象”指刻蝕阻擋層材料221。

例如，濕法刻蝕過程中采用的刻蝕液對刻蝕阻擋層材料與半導(dǎo)體層的刻蝕選擇比大于1000:1，本實施例包括但不限于此。例如，在濕法刻蝕過程中采用的刻蝕液可以包括氟化氫系列，例如包括氟化氫的溶液，本實施例包括但不限于此。本實施例中采用氟化氫系列刻蝕液對刻蝕阻擋層材料221進行刻蝕的過程中由于刻蝕液對刻蝕阻擋層材料與半導(dǎo)體層的刻蝕選擇比大于1000:1，因此刻蝕液極少刻蝕到半導(dǎo)體層213，即，采用氟化氫系列刻蝕液對刻蝕阻擋層材料221進行刻蝕時，對刻蝕阻擋層材料221下層的半導(dǎo)體層213產(chǎn)生的影響極小。

例如，可以采用刻蝕速率較低的puddle方式或dip方式對刻蝕阻擋層材料221進行刻蝕，在濕法刻蝕過程中通過測量設(shè)備可以有效控制刻蝕阻擋層220邊緣底邊與掩模圖案240邊緣沿平行于襯底基板200的方向的距離，本實施例包括但不限于此。

例如，在濕法刻蝕的過程中，會在掩模圖案240邊緣的下方處形成底切。也就是說，刻蝕形成的刻蝕阻擋層220的邊緣會凹入掩模圖案240邊緣的內(nèi)側(cè)。例如，圖案化形成的刻蝕阻擋層220的邊緣底邊相對于掩模圖案240邊緣縮進0.5-1.5μm，即，如圖3d所示的刻蝕阻擋層220的邊緣與掩模圖案240的邊緣沿平行于襯底基板200的方向的最小距離d為0.5-1.5μm。

s106：以掩模圖案為掩模對半導(dǎo)體層采用干法刻蝕以形成有源層。

例如，如圖3e所示，以掩模圖案240為掩模再對半導(dǎo)體層213采用干法刻蝕以形成有源層210。干刻工藝是通過對象材料與等離子體中的離子基或離子之間的化學(xué)反應(yīng)、物理反應(yīng)，使對象材料腐蝕去除的過程，這里的“對象材料”指半導(dǎo)體層213。

例如，本實施例采用的干刻方式可以為等離子體刻蝕(plasmaetching，pe)方式、反應(yīng)離子刻蝕(reactiveionetching，rie)方式、電感耦合等離子體(inductivelycoupledplasma，icp)方式，本實施例對此不作限制。

例如，采用干法刻蝕的刻蝕氣體可以包括四氟化碳/氧氣(cf4/o2)等，本實施例不限于此。采用干法刻蝕不容易形成底切，因此，形成的有源層210的圖案與掩模圖案240相同，即，有源層210在襯底基板200上的正投影與掩模圖案240在襯底基板200上的正投影完全重合。

例如，如圖3e所示，圖案化形成的有源層210包括第一區(qū)域211以及圍繞第一區(qū)域211的第二區(qū)域212，刻蝕阻擋層220位于第一區(qū)域211，即，刻蝕阻擋層220在襯底基板200上的正投影與第一區(qū)域211在襯底基板200上的正投影完全重合，因此，形成刻蝕阻擋層220即為：刻蝕未被掩模圖案240覆蓋的以及位于有源層210的第二區(qū)域212上的刻蝕阻擋層材料221，以形成位于有源層210的第一區(qū)域211上的刻蝕阻擋層220。本實施例中，在有源層上形成的刻蝕阻擋層既可以避免背溝道的損傷，也可以降低溝道的漏電流。

例如，如圖3f所示，剝離刻蝕阻擋層220上的掩模圖案240?？涛g阻擋層220與有源層210都是通過同一個掩模圖案240圖案化形成，但因刻蝕阻擋層220采用濕法刻蝕，而有源層210采用干法刻蝕，因此可以使刻蝕阻擋層220沒有完全覆蓋有源層210。例如，刻蝕阻擋層220的邊緣與有源層210的邊緣沿平行于襯底基板200的方向的最小距離d為0.5-1.5μm。本實施例中，在對刻蝕阻擋層220與有源層210進行圖案化的過程中采用相同的掩模圖案240作為掩模，可以不增加掩模構(gòu)圖工藝。

例如，如圖3g所示，在刻蝕阻擋層220上利用構(gòu)圖工藝形成源極231和漏極232，源極231和漏極232分別與部分刻蝕阻擋層220以及部分有源層210的第二區(qū)域212相接觸。因此，電子不僅能通過有源層210的側(cè)壁進行傳輸，還可以通過與源極231和漏極232接觸的有源層210的第二區(qū)域212進行傳輸，即，源極231的電流能通過有源層210的側(cè)壁以及有源層210的第二區(qū)域212向漏極232傳輸，進而增大了開態(tài)電流和電子遷移率。

例如，源極231和漏極232可以采用鋁、銅、鉻、鉬、鈦等金屬材料中的任一種或者幾種組合的合金，本實施例不限于此。

例如，在源極231(漏極232)與有源層210之間還可以包括摻雜離子的非晶硅層(n⁺α-si)等以提高源極231(漏極232)與有源層210之間的歐姆接觸。本實施例不限于此。薄膜晶體管在開啟的情況下，源極231的電流會通過漏極232傳到有機發(fā)光二極管的陽極或者液晶顯示器的像素電極。

例如，還可以在源極231和漏極232的同層形成數(shù)據(jù)線(圖中沒有示出)，即，可以在柵極絕緣層234上形成數(shù)據(jù)線，因此，柵極絕緣層234可以使位于柵極絕緣層234兩側(cè)的數(shù)據(jù)線與柵線或者公共電極線絕緣，本實施例包括但不限于此。

本實施例提供的陣列基板的制作方法，利用同一個掩模圖案為掩模，通過采用濕法刻蝕形成刻蝕阻擋層，并采用干法刻蝕形成有源層，可以增加有源層與源漏極的接觸面積，進而增大開態(tài)電流和電子遷移率。另一方面，由于只需采用干法刻蝕形成有源層，整體的刻蝕量減少，因此可以減少對柵極絕緣層的刻蝕，避免位于柵極絕緣層兩側(cè)的數(shù)據(jù)線與柵線或者公共電極線之間發(fā)生短路，從而提升產(chǎn)品的良率。

實施例二

本實施例提供一種陣列基板，圖3g為本實施例提供的陣列基板的局部剖視圖，圖4為圖3g示出的陣列基板的平面視圖。如圖3g所示，該陣列基板包括襯底基板200、設(shè)置在襯底基板200上的有源層210以及設(shè)置在有源層210遠離襯底基板200的一側(cè)的刻蝕阻擋層220。如圖4所示，有源層210包括第一區(qū)域211(圖中虛線圈出的區(qū)域)以及圍繞第一區(qū)域211的第二區(qū)域212，刻蝕阻擋層220位于第一區(qū)域211，即，刻蝕阻擋層220在襯底基板200上的正投影與第一區(qū)域211在襯底基板200上的正投影完全重合。本實施例中，在有源層上形成的刻蝕阻擋層既可以避免背溝道的損傷，也可以降低溝道的漏電流。

例如，如圖4所示，該陣列基板還包括設(shè)置在刻蝕阻擋層220上的源極231和漏極232，源極231和漏極232分別與部分刻蝕阻擋層220以及部分第二區(qū)域212相接觸。相對于一般的陣列基板中的刻蝕阻擋層在襯底基板上的正投影與有源層在襯底基板上的正投影完全重合，導(dǎo)致源漏極僅與有源層的側(cè)壁相接觸，電子只能通過有源層的側(cè)壁進行傳輸?shù)那闆r，本實施例中增大了源漏極與有源層的接觸面積，因此，電子不僅能通過有源層的側(cè)壁進行傳輸，還可以通過與源漏極接觸的有源層的第二區(qū)域進行傳輸，即，源極的電流能通過有源層的側(cè)壁以及有源層的第二區(qū)域向漏極傳輸，進而增大了開態(tài)電流和電子遷移率。

例如，如圖3g所示，該陣列基板還包括設(shè)置在襯底基板200上的柵極233以及柵極233上覆蓋的柵極絕緣層234。

例如，在柵極233同層可以設(shè)置柵線以及公共電極線(圖中未示出)，在源極231和漏極232同層可以設(shè)置數(shù)據(jù)線(圖中未示出)，柵極絕緣層234用于使位于柵極絕緣層234兩側(cè)的柵線以及公共電極線與數(shù)據(jù)線彼此絕緣，本實施例包括但不限于此。

例如，襯底基板200的材料可以由玻璃、聚酰亞胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亞胺、聚醚砜中的一種或多種材料制成，本實施例包括但不限于此。

例如，柵極233可以采用鋁、銅、鉻、鉬、鈦等金屬材料中的任一種或者幾種組合的合金，本實施例包括但不限于此。

例如，柵絕緣層234可以選用氧化物、氮化物或氮氧化合物等材料，本實施例包括但不限于此。

例如，刻蝕阻擋層220的材料包括硅的氧化物和硅的氮化物中的一種或組合，本實施例包括但不限于此。

例如，柵絕緣層234選用的材料可以與刻蝕阻擋層220的材料相同，本實施例包括但不限于此。

例如，有源層210的材料包括多晶硅，本實施例包括但不限于此。例如，本實施例中的多晶硅有源層210可由非晶硅晶化形成。

例如，如圖3g和圖4所示，刻蝕阻擋層220的邊緣與有源層210的邊緣沿平行于襯底基板200的方向的最小距離d為0.5-1.5μm，即，刻蝕阻擋層220的邊緣與有源層210的邊緣沿x方向的最小距離d為0.5-1.5μm，也就是，第二區(qū)域212沿z方向延伸的邊緣沿x方向的尺寸d在0.5-1.5μm的范圍，本實施例包括但不限于此。例如，第二區(qū)域212沿x方向延伸的邊緣沿z方向的尺寸在0.5-1.5μm的范圍，本實施例包括但不限于此。

本實施例提供的陣列基板，通過減少刻蝕阻擋層在有源層上的覆蓋面積，可以增加有源層與源漏極的接觸面積，進而增大開態(tài)電流和電子遷移率。另外，本實施例提供的陣列基板由于在制作過程中減少了對柵極絕緣層的過刻，因此，避免了位于柵極絕緣層兩側(cè)的數(shù)據(jù)線與柵線或者公共電極線之間發(fā)生短路，從而提升了產(chǎn)品的良率。

實施例三

本實施例提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括實施例二提供的任一種陣列基板，該顯示裝置通過減少刻蝕阻擋層在有源層上的覆蓋面積，可以增加有源層與源漏極的接觸面積，進而增大開態(tài)電流和電子遷移率。另外，該顯示裝置還可以避免位于柵極絕緣層兩側(cè)的數(shù)據(jù)線與柵線或者公共電極線之間發(fā)生短路，從而提升產(chǎn)品的良率。

例如，該顯示裝置可以為液晶顯示裝置、有機電致發(fā)光顯示裝置等顯示器件以及包括該顯示裝置的電視、數(shù)碼相機、手機、手表、平板電腦、筆記本電腦、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件，本實施例不限于此。

有以下幾點需要說明：

(1)除非另作定義，本發(fā)明實施例以及附圖中，同一標(biāo)號代表同一含義。

(2)本發(fā)明實施例附圖中，只涉及到與本發(fā)明實施例涉及到的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計。

(3)為了清晰起見，在用于描述本發(fā)明的實施例的附圖中，層或區(qū)域被放大?？梢岳斫?，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。