本發(fā)明涉及半導體工藝和半導體封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種具有高散熱性能的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)：

氮化鎵具有禁帶寬度大、直接帶隙、電子漂移速度快、耐高溫等優(yōu)點，適合制備大功率、高頻率的電子器件和光電器件，比如微波晶體管等。高功率、高頻氮化鎵器件的散熱問題是器件可靠性和壽命的關(guān)鍵影響因素，目前解決氮化鎵器件散熱問題的方法之一是將氮化鎵與具有高熱導率的金剛石進行集成，集成方法主要有：

(1)在金剛石上生長氮化鎵。這種方法是在單晶金剛石上外延生長所需的氮化鎵層，但單晶金剛石制備困難、尺寸小、價格極其昂貴。相比于硅、碳化硅等常用的氮化鎵生長基板，單晶金剛石與氮化鎵有更嚴重的熱失配問題。另外，這種方法難以去除氮化鎵與金剛石之間的緩沖層，導致氮化鎵與金剛石之間的熱阻較大。

(2)在氮化鎵上生長金剛石。金剛石的外延生長需要高溫工藝(700℃左右及以上)，因此在金剛石生長過程中易產(chǎn)生氮化鎵層及基板的翹曲甚至破裂。另外，由于金剛石生長的高溫工藝會破壞氮化鎵器件和金屬布線，氮化鎵器件和金屬布線的加工需要在金剛石生長完成后進行，限制了制造工藝的靈活性，且要求金剛石基板足夠厚或者需要額外的基板支撐工藝，成本將會大大增加。

(3)氮化鎵–金剛石鍵合。通過直接或間接研磨金剛石晶圓提高待鍵合金剛石表面平坦度和光滑度，然后進行氮化鎵與金剛石間的晶圓鍵合。直接或間接研磨金剛石晶圓需要較厚的自支撐金剛石晶圓，成本高，特別是，金剛石的直接研磨非常困難，效率低，會大大增加成本；間接研磨金剛石晶圓需要沉積較厚的介質(zhì)層，會大大影響期望的散熱效果。

因此，現(xiàn)有的氮化鎵散熱方案成本較高且散熱效果不甚理想。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明系提供一種具有高散熱性能的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的氮化鎵散熱方案成本較高且散熱效果差的問題。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種氮化鎵器件結(jié)構(gòu)，該氮化鎵器件結(jié)構(gòu)包括一氮化鎵芯片、一刻蝕停止層和一金剛石散熱層，其中：該刻蝕停止層具有一第一表面，作為生長界面，該金剛石散熱層生長于該刻蝕停止層的該第一表面上；該刻蝕停止層具有一與所述第一表面相對的第二表面，作為鍵合界面，該氮化鎵芯片鍵合于該刻蝕停止層的該第二表面上。

上述方案中，該刻蝕停止層系形成于一犧牲晶圓上，該犧牲晶圓與該刻蝕停止層具有不同的刻蝕速率，通過選擇性刻蝕該犧牲晶圓而露出該刻蝕停止層的該第二表面。

上述方案中，所述刻蝕停止層采用熱導率高于氮化硅熱導率的材料制備而成，以保證散熱效果，其厚度為小于30nm，所述熱導率高于氮化硅熱導率的材料為碳化硅sic、氮化鋁aln、氮化硼bn、氧化鈹beo、氮化鎵gan及氧化鋁al2o3。所述刻蝕停止層的存在可以避免金剛石晶圓的研磨拋光，再結(jié)合氮化鎵器件層-金剛石散熱層-高導熱率支撐層的散熱結(jié)構(gòu)，金剛石散熱層可以采用較為小的厚度，無需使用自支撐的金剛石厚膜基板，可在保證增強散熱性能的同時顯著降低成本。

上述方案中，所述金剛石散熱層的厚度范圍為10-150微米。

上述方案中，該氮化鎵器件結(jié)構(gòu)還包括高熱導率支撐層，生長于該金剛石散熱層之上，用于輔助支撐和散熱，可以是熱導率較高的介質(zhì)材料，也可以為熱導率較高的金屬材料或金屬基金剛石復合材料。

上述方案中，該高熱導支撐層為介質(zhì)或金屬，采用下列材料中的一種或多種疊層組合制備而成：碳化硅sic、氮化鋁aln、氮化硼bn、氧化鈹beo、鈦ti、銅cu、鎳ni、鈀pd、鉑pt、金au、銀ag、金屬合金、金屬焊料以及金屬基金剛石復合材料。

上述方案中，該氮化鎵芯片系移除基底(例如硅、碳化硅或藍寶石)以及外延用緩沖層后的氮化鎵薄膜，包括有源器件以及至少一層金屬布線層，其厚度小于20微米。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種制備氮化鎵器件結(jié)構(gòu)的方法，包括：在犧牲晶圓上沉積刻蝕停止層；在刻蝕停止層的第一表面上生長金剛石散熱層；選擇性刻蝕去除犧牲晶圓，露出刻蝕停止層的與第一表面相對的第二表面；將氮化鎵芯片與刻蝕停止層的第二表面進行鍵合。

上述方案中，該犧牲晶圓作為沉積該刻蝕停止層的襯底，并作為在該刻蝕停止層上生長該金剛石散熱層的襯底，該犧牲晶圓與該刻蝕停止層具有不同的刻蝕速率。

上述方案中，該方法還包括：在金剛石散熱層表面沉積用以輔助支撐和散熱的高熱導率支撐層，包括下列材料中的一種或多種疊層組合：碳化硅sic、氮化鋁aln、氮化硼bn、氧化鈹beo、鈦ti、銅cu、鎳ni、鈀pd、鉑pt、金au、銀ag、金屬合金、金屬焊料以及金屬基金剛石復合材料，厚度為10至1000微米。

從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明具有以下有益效果：

1、本發(fā)明提供的這種具有高散熱性能的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，氮化鎵芯片與金剛石鍵合結(jié)構(gòu)的制造方法為低溫工藝(不超過200℃)，避免了高溫下熱失配產(chǎn)生的翹曲問題，且不對已有器件造成破壞，可實現(xiàn)帶有器件的氮化鎵晶圓或芯片與較薄金剛石層的集成，無需使用自支撐的金剛石厚膜基板，可在保證增強散熱性能的同時顯著降低成本，解決了現(xiàn)有技術(shù)存在的氮化鎵散熱方案成本較高且散熱效果差的問題。

2、本發(fā)明提供的這種具有高散熱性能的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，利用具有較高熱導率的刻蝕停止層(例如sic或aln)的平坦光滑的第二表面與氮化鎵芯片直接進行鍵合，對金剛石的厚度均勻度和平坦度要求低，無需困難且成本高昂的金剛石研磨拋光工藝，避免了高溫生長工藝和金剛石研磨拋光工藝而且可降低金剛石晶圓厚度，從而大大降低了工藝難度和成本，提高了成品率同時有效改善了散熱效果。

3、本發(fā)明提供的這種具有高散熱性能的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，可實現(xiàn)晶圓級或芯片級集成，提供更高靈活性的同時更可充分利用大尺寸硅基氮化鎵和硅基金剛石的低成本優(yōu)勢。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為依照本發(fā)明實施例的具有高散熱性能的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)的一種結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為依照本發(fā)明實施例的具有高散熱性能的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為依照本發(fā)明實施例的在一選定犧牲晶圓上沉積刻蝕停止層的過程示意圖。

圖4為依照本發(fā)明實施例的在刻蝕停止層第一表面生長金剛石散熱層的示意圖。

圖5為依照本發(fā)明實施例的在金剛石散熱層表面沉積高導熱率支撐層的示意圖。

圖6為依照本發(fā)明實施例的去除刻蝕停止層背面的犧牲晶圓露出第二表面的示意圖。

圖7為依照本發(fā)明實施例的氮化鎵晶圓的示意圖。

圖8為依照本發(fā)明實施例的在氮化鎵晶圓正面臨時鍵合于支撐晶圓的示意圖。

圖9為依照本發(fā)明實施例的去除氮化鎵晶圓背面基底及緩沖層的示意圖。

圖10為依照本發(fā)明實施例的將氮化鎵芯片第二表面與刻蝕停止層第二表面進行鍵合的示意圖。

圖11為依照本發(fā)明實施例的將氮化鎵芯片與刻蝕停止層第二表面鍵合后的示意圖。

圖12為依照本發(fā)明實施例的多個氮化鎵芯片與刻蝕停止層/金剛石/高導熱率支撐層進行鍵合的示意圖。

圖13為依照本發(fā)明實施例的將圖12中臨時鍵合層及支撐晶圓去除后的具有高散熱性能的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)的示意圖。

【附圖標記】

100––犧牲晶圓；

101––刻蝕停止層；

1011––刻蝕停止層第一表面；1012––刻蝕停止層第二表面；

102––金剛石層；

1021––金剛石生長界面；1022––金剛石層第一表面；

103––高熱導率支撐層；1031––金屬粘附層；1032––金屬層；

104––臨時鍵合層；105––支撐晶圓；

200––氮化鎵晶圓基底；201––緩沖層；

202––氮化鎵芯片層；2021––氮化鎵芯片層第一表面；

2022––氮化鎵芯片層第二表面；

203––臨時鍵合層；204––支撐晶圓；

301––鍵合界面。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，并參照附圖，對本發(fā)明進一步詳細說明。具體實施例及附圖僅用于更好理解本發(fā)明的內(nèi)容而非限制本發(fā)明的保護范圍。實施例附圖的結(jié)構(gòu)中各組成部分非按正常比例縮放，故不代表實施例中各結(jié)構(gòu)的實際相對大小。

如圖1至圖4所示，本發(fā)明提供的具有高散熱性能的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)為一層狀結(jié)構(gòu)，包括一氮化鎵芯片202、一刻蝕停止層101和一金剛石散熱層102，其中，刻蝕停止層101具有第一表面1011和與第一表面1011相對的第二表面1012，第一表面1011作為金剛石散熱層102的生長界面，金剛石散熱層102生長于刻蝕停止層101的第一表面1011上；第二表面1012作為鍵合界面，氮化鎵芯片202鍵合于刻蝕停止層101的第二表面1012上。刻蝕停止層101和金剛石散熱層102構(gòu)成氮化鎵芯片202的散熱結(jié)構(gòu)。

刻蝕停止層101系形成于犧牲晶圓100上，犧牲晶圓100與刻蝕停止層101具有不同的刻蝕速率，通過選擇性刻蝕犧牲晶圓100而露出刻蝕停止層101的第二表面1012，以用于與氮化鎵芯片202進行鍵合?？涛g停止層101采用熱導率高于氮化硅熱導率的材料制備而成，以保證散熱特性，其厚度一般不超過30nm?？涛g停止層101可以采用下列材料中的一種或多種：碳化硅sic、氮化鋁aln、氮化硼bn、氧化鈹beo、氮化鎵gan及氧化鋁al2o3?？涛g停止層101的第一表面1011和第二表面1012可以分別為刻蝕停止層101的正面和背面，即第一表面1011為刻蝕停止層101的正面，第二表面1012為刻蝕停止層101的背面；或者，第一表面1011為刻蝕停止層101的背面，第二表面1012為1該刻蝕停止層101的正面?？涛g停止層101的存在可以避免金剛石晶圓的研磨拋光，再結(jié)合氮化鎵器件層-金剛石散熱層-高導熱率支撐層的散熱結(jié)構(gòu)，金剛石散熱層可以采用較為小的厚度，無需使用自支撐的金剛石厚膜基板，可在保證增強散熱性能的同時顯著降低成本。

金剛石散熱層102生長于刻蝕停止層101的該第一表面1011之上，金剛石生長界面1021位于刻蝕停止層101的第一表面1011與金剛石散熱層102第二表面之間。金剛石散熱層102中的金剛石是采用下列材料中一種或者多種：單晶金剛石、多晶金剛石或者非晶金剛石。金剛石散熱層102的厚度范圍可以為10至150微米。

氮化鎵芯片202包括有源器件以及至少一層金屬布線層，氮化鎵芯片202移除基底(例如硅、碳化硅或藍寶石等)以及外延用緩沖層后的氮化鎵薄膜，其厚度一般小于20微米。參照圖7至圖9，氮化鎵芯片202具有第一表面2021和與其相對的第二表面2022，氮化鎵芯片202的第二表面2022為去除氮化鎵晶圓基底200和緩沖層201后的氮化鎵背表面。圖11中，鍵合界面301位于氮化鎵芯片層第二表面2022與刻蝕停止層101的第二表面1012之間。

在本發(fā)明實施例中，鍵合于刻蝕停止層的第二表面上的氮化鎵芯片可以是一個，也可以是多個，刻蝕停止層和金剛石散熱層具有相同的橫向尺寸，刻蝕停止層及金剛石散熱層的橫向尺寸可以大于或等于氮化鎵芯片的橫向尺寸，刻蝕停止層及金剛石散熱層的橫向尺寸大于氮化鎵芯片的橫向尺寸的作用是為了更好地散熱。

為了對氮化鎵散熱結(jié)構(gòu)形成一定的支持作用，可以在金剛石散熱層上增加高熱導率支撐層，高熱導率支撐層選用具有高熱導率的材料，使得除了支持作用，還可以具有一定的散熱作用。

如圖2所示，本發(fā)明提供的具有高散熱性能的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)還可以包括一高熱導率支撐層103，高熱導率支撐層103生長于金剛石散熱層102之上，用于輔助支撐和散熱，以進一步保證散熱特性。高熱導率支撐層103的厚度大于金剛石散熱層102的表面粗糙度，可以采用熱導率較高的化合材料，也可以為熱導率較高的金屬材料，例如化學氣相沉積碳化硅或氮化鋁，其厚度為10至1000微米。

當高熱導支撐層103中包含有金屬時，高熱導支撐層103包括金屬粘附層1031和金屬層1032，金屬粘附層1031的作用是增強金屬層和金剛石散熱層間的粘附強度，金屬層1032的作用是支撐和散熱作用。

高熱導支撐層可以為介質(zhì)或金屬，采用下列材料中的一種或多種疊層組合制備而成：碳化硅sic、氮化鋁aln、氮化硼bn、氧化鈹beo、鈦ti、銅cu、鎳ni、鈀pd、鉑pt、金au、銀ag、金屬合金、金屬焊料以及金屬基金剛石復合材料。在一實施例中，金屬粘附層可以為濺射沉積的鎳和鈦疊層組合，其鎳厚度為100納米，鈦厚度為50納米；金屬層也可以為電鍍銅和金疊層組合，其銅厚度為50至100微米，金厚度為100納米。

在本發(fā)明的一實施例中，金剛石散熱層102和高熱導率支撐層103的厚度可根據(jù)實際情況進行調(diào)整，例如分別為90微米和90微米。

本發(fā)明實施例提供的具有高散熱性能的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)，通過采用刻蝕停止層避免了金剛石的研磨拋光，結(jié)合氮化鎵芯片-刻蝕停止層-金剛石散熱層-高導熱率支撐層的散熱結(jié)構(gòu)，金剛石散熱層可以采用較為小的厚度，無需使用自支撐的金剛石厚膜基板，可在保證增強散熱性能的同時顯著降低成本。

基于上述本發(fā)明實施例提供的具有高散熱性能的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實施例還提供了制備該具有高散熱性能的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)的方法，具體包括以下步驟：

步驟1：在犧牲晶圓上沉積刻蝕停止層；

其中，該犧牲晶圓作為沉積該刻蝕停止層的襯底，并作為在該刻蝕停止層上生長該金剛石散熱層的襯底，該犧牲晶圓與該刻蝕停止層具有不同的刻蝕速率。在犧牲晶圓上沉積刻蝕停止層的方式有許多中，可以采用外延生長方式，也可以采用濺射沉積或者其他沉積方式。

步驟2：在刻蝕停止層的第一表面上生長金剛石散熱層；

其中，所述在刻蝕停止層的第一表面上生長金剛石散熱層，金剛石散熱層的生長方式有多種，可以采用化學氣相沉積，也可以采用等離子氣相沉積，也可以采用其他沉積方式，該金剛石散熱層與該刻蝕停止層之間存在金剛石生長界面；

金剛石散熱層并不局限于其中一種，可以是多種金剛石的復合材料，例如可以是單晶金剛石與多晶金剛石的復合材料，其中復合的方式可以采用層狀結(jié)構(gòu)復合，也可以采用其他復合方式，例如可以在單晶金剛石中混合有非晶金剛石，金剛石散熱層可以采用非層狀結(jié)構(gòu)的其他結(jié)構(gòu)。

步驟3：選擇性刻蝕去除犧牲晶圓，露出刻蝕停止層的與第一表面相對的第二表面；

為了保證后續(xù)加入氮化鎵芯片，需要將沉積刻蝕停止層的犧牲晶圓去除，可以利用選擇性刻蝕的方法將犧牲晶圓去除，使得刻蝕停止層的另一個表面裸露出來，也即通過選擇性刻蝕犧牲晶圓以產(chǎn)生刻蝕停止層的第二表面；由于需要對沉積有刻蝕停止層的犧牲晶圓進行選擇性刻蝕，以將犧牲晶圓去除，為了可以完全去除犧牲晶圓且保留刻蝕停止層，在犧牲晶圓和刻蝕停止層的材料選擇上使得兩種材料具有不同的刻蝕速率。

步驟4：將氮化鎵芯片與刻蝕停止層的第二表面進行鍵合，得到具有高散熱性能的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)；其中，鍵合是指低溫直接或間接鍵合甚至室溫下鍵合，比如通過表面活性化方法。

在上述制備具有高散熱性能的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)的工藝中，在刻蝕停止層的第一表面上生長金剛石散熱層之后，或者是在選擇性刻蝕去除犧牲晶圓露出刻蝕停止層的第二表面之后，或者是在將氮化鎵芯片與刻蝕停止層的第二表面進行鍵合得到具有高散熱性能的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)之后，還可以包括：在金剛石散熱層表面生長用以支撐和散熱的高熱導率支撐層。該高熱導率支撐層為高熱導率材料層，其是在金剛石散熱層表面化學氣相沉積碳化硅或氮化鋁而成，厚度為10至1000微米。

需要說明的是，為了對氮化鎵散熱結(jié)構(gòu)形成一定的支持作用，可以在所述金剛石散熱層上增加高熱導率支撐層，所述高熱導率支撐層選用具有高熱導率的材料，使得除了支持作用，還可以具有一定的散熱作用。

基于上述本發(fā)明實施例提供的制備該具有高散熱性能的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)的方法，以下結(jié)合圖3至圖13對制備工藝進行詳細說明。

a、提供一犧牲晶圓100，犧牲晶圓材料選擇為硅。在硅晶圓正表面之上沉積刻蝕停止層101，如圖3所示，沉積述刻蝕停止層101材料選擇為碳化硅，沉積方法為化學氣相沉積，沉積厚度為30納米。

b、在刻蝕停止層101正面(即刻蝕停止層101的第一表面1011)之上采用化學氣相沉積方法生長金剛石散熱層102，如圖4所示。

c、在金剛石散熱層102第一表面1022之上采用電鍍方法沉積300微米厚的金屬銅作為高熱導率支撐層103，如圖5所示。

d、將具有金剛石散熱層102和高熱導率支撐層103的犧牲晶圓正面(即高熱導率支撐層103表面)與支撐晶圓105(一硅基晶圓或玻璃晶圓)通過臨時鍵合層104(聚合物膠)進行臨時鍵合。

e、去除刻蝕停止層101背面的犧牲晶圓100，露出刻蝕停止層101背表面即刻蝕停止層第二表面1012，以用于與氮化鎵芯片202進行鍵合，如圖6所示。拋光并清洗刻蝕停止層第二表面1012，使其厚度小于30納米，表面粗糙度rms小于1納米。

f、另提供一正面含有氮化鎵芯片202的氮化鎵晶圓，該氮化鎵晶圓自上而下依次包含氮化鎵芯片202、緩沖層201和氮化鎵晶圓基底200，如圖7所示。在氮化鎵晶圓正表面2021旋涂聚合物臨時鍵合層203，將氮化鎵晶圓正面(即氮化鎵芯片202第一表面)與支撐晶圓204(另一硅基晶圓或玻璃晶圓)通過臨時鍵合層203(聚合物膠)進行臨時鍵合，如圖8所示。

g、去除氮化鎵晶圓基底200以及用于在氮化鎵晶圓基底200上外延生長氮化鎵的緩沖層201(例如aln和algan等)，露出氮化鎵芯片202的背面即氮化鎵芯片202的第二表面2022，如圖9所示。

h、拋光并清洗氮化鎵芯片的第二表面2022，使表面粗糙度rms小于1納米。

i、將氮化鎵芯片202的第二表面2022與刻蝕停止層101的第二表面1012直接進行鍵合，如圖10所示。鍵合后得到鍵合界面301如圖11所示。

j、拆除臨時鍵合層104、支撐晶圓105或臨時鍵合層203、支撐晶圓204中的至少一個。

k、晶圓切割，得到金剛石基上氮化鎵芯片，即得到具有高散熱性能的氮化鎵器件結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明實施例中，鍵合方法采用表面活性化鍵合方法在超高真空里進行室溫下直接鍵合。在直接接合過程中，在超高真空(10^-6pa)中使用加速原子束或離子束比如氬(ar)轟擊氮化鎵芯片層202的第二表面2022和刻蝕停止層101的第二表面1012，去除表面污染物和氧化層以達到表面激活的目的，進而在室溫下獲得均一的高強度鍵合。需要理解的是，此鍵合步驟中使用的鍵合方法并不局限于表面表面活性化鍵合方法，也可以是其他鍵合方法比如等離子體激活鍵合等。

在本發(fā)明實施例中，亦可將多個氮化鎵芯片正面臨時鍵合于支撐晶圓并去除氮化鎵芯片的背面基底，露出并拋光多個芯片的氮化鎵芯片層第二表面2022，再將多個芯片的氮化鎵芯片層第二表面2022鍵合于刻蝕停止層第二表面1012之上，如圖12所示。最后切割后得到的氮化鎵芯片與金剛石鍵合結(jié)構(gòu)，其金剛石層102和高熱導率支撐層103的橫向尺寸大于氮化鎵芯片層202的橫向尺寸，如圖13所示。本實施例特別適合于將已經(jīng)測試合格的氮化鎵芯片鍵合于不同橫向尺寸的金剛石層之上。

在本發(fā)明實施例中，亦可在拆除臨時鍵合于金剛石散熱層之上的支撐晶圓后，再在金剛石散熱層第一表面上制作高熱導率支撐層103，即將實施例一中的步驟c后移至步驟i以及拆除金剛石上的臨時鍵合支撐晶圓之后。

在本發(fā)明實施例中，為了在制備過程中便于操作增加了支撐晶圓，支撐晶圓可以采用玻璃晶圓，也可以采用硅基晶圓。

在本發(fā)明實施例中，對于氮化鎵芯片的形成，凡是可以形成氮化鎵芯片的方式均適用于本發(fā)明實施例。下面介紹一種氮化鎵芯片的形成方式：取一氮化鎵器件，所述氮化鎵器件包含有硅基晶圓、緩存層、氮化鎵薄膜、鈍化層；將氮化鎵器件中的硅基晶圓和緩存層去除，以將器件中的氮化鎵薄膜暴露出來，去除的方式可以是機械研磨或者干、濕法化學刻蝕方法，又或者是多種方法的復合；暴露出的氮化鎵薄膜進行拋光處理，以減少氮化鎵薄膜表面的粗糙度，較小的表面的粗糙度有利于使氮化鎵薄膜鍵合在刻蝕停止層的第二表面上。

以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。