本發(fā)明屬于有機(jī)電致發(fā)光顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地講，涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、有機(jī)電致發(fā)光顯示器。

背景技術(shù)：

近年來，有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode，oled)成為國內(nèi)外非常熱門的新興平面顯示裝置產(chǎn)品，這是因?yàn)閛led顯示裝置具有自發(fā)光、廣視角、短反應(yīng)時(shí)間、高發(fā)光效率、廣色域、低工作電壓、薄厚度、可制作大尺寸與可撓曲的面板及制程簡(jiǎn)單等特性，而且它還具有低成本的潛力。

在目前的oled顯示器中，常常采用雙層?xùn)艠O金屬層設(shè)計(jì)，其中一層?xùn)艠O金屬層用于傳遞柵極信號(hào)，而另外一層?xùn)艠O金屬層用于形成存儲(chǔ)電容器。隨著oled顯示器的像素密度(pixelsperinch，簡(jiǎn)稱ppi)，用于傳遞柵極信號(hào)的柵極金屬層(或稱柵極)的走線的線寬需要被設(shè)計(jì)為越來越細(xì)，隨之而來的問題就是較細(xì)走線的電阻值越來越大，從而導(dǎo)致信號(hào)傳遞時(shí)rcdelay(rc延遲)變得越來越嚴(yán)重。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠?qū)鬟f柵極信號(hào)的柵極的電阻值降低的薄膜晶體管及其制作方法、有機(jī)電致發(fā)光顯示器。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種薄膜晶體管，其包括：基板；有源半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述基板上；第一柵極絕緣層，設(shè)置在所述基板和所述有源半導(dǎo)體層上；第一柵極，設(shè)置在所述第一柵極絕緣層上；第二柵極絕緣層，設(shè)置在所述第一柵極和所述第一柵極絕緣層上，所述第二柵極絕緣層中具有暴露所述第一柵極的部分的第一過孔；第二柵極，設(shè)置在所述第二柵極絕緣層上，所述第二柵極填充所述第一過孔，以與所述第一柵極連接接觸；層間絕緣層，設(shè)置在所述第二柵極和所述第二柵極絕緣層上；源極和漏極，彼此間隔設(shè)置于所述層間絕緣層上，所述源極和所述漏極貫穿所述層間絕緣層、所述第二柵極絕緣層和所述第一柵極絕緣層，以與所述有源半導(dǎo)體層分別接觸。

可選地，所述第一過孔的數(shù)量為兩個(gè)，兩個(gè)所述第一過孔分別相對(duì)于所述第二柵極的兩端，所述第二柵極填充兩個(gè)所述第一過孔，以通過兩個(gè)所述第一過孔與所述第一柵極連接接觸。

可選地，所述薄膜晶體管還包括：緩沖層，所述緩沖層設(shè)置于所述基板和所述有源半導(dǎo)體層之間以及所述基板和所述第一柵極絕緣層之間。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種薄膜晶體管的制作方法，其包括步驟：在基板上制作形成有源半導(dǎo)體層；在所述基板和所述有源半導(dǎo)體層上制作形成第一柵極絕緣層；在所述第一柵極絕緣層上制作形成第一柵極；在所述第一柵極和所述第一柵極絕緣層上制作形成第二柵極絕緣層；在所述第二柵極絕緣層中形成暴露所述第一柵極的部分的第一過孔；在所述第二柵極絕緣層上制作形成填充所述第一過孔的第二柵極，以使所述第二柵極與所述第一柵極連接接觸；在所述第二柵極和所述第二柵極絕緣層上制作形成層間絕緣層；在所述層間絕緣層上制作形成彼此間隔的源極和漏極，所述源極和所述漏極貫穿所述層間絕緣層、所述第二柵極絕緣層和所述第一柵極絕緣層，以與所述有源半導(dǎo)體層分別接觸。

可選地，在所述第二柵極絕緣層中形成所述第一過孔的方法包括：在所述第二絕緣層中形成兩個(gè)所述第一過孔；兩個(gè)所述第一過孔分別相對(duì)于所述第二柵極的兩端；在所述第二柵極絕緣層上制作形成所述第二柵極的方法包括：在所述第二柵極絕緣層上制作形成填充兩個(gè)所述第一過孔的第二柵極，以使所述第二柵極通過兩個(gè)第一過孔與所述第一柵極連接接觸。

可選地，在基板上制作形成有源半導(dǎo)體層之前，所述制作方法還包括步驟：在基板上制作形成緩沖層；步驟“在基板上制作形成有源半導(dǎo)體層”被替換為步驟“在緩沖層上制作形成有源半導(dǎo)體層”；步驟“在所述基板和所述有源半導(dǎo)體層上制作形成第一柵極絕緣層”被替換為步驟“在所述緩沖層和所述有源半導(dǎo)體層上制作形成第一柵極絕緣層”。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，又提供了一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器，其包括：上述的薄膜晶體管；平坦層，設(shè)置于所述層間絕緣層、所述源極和所述漏極上，所述平坦層中具有將所述漏極的部分暴露的第二過孔；底電極，設(shè)置于所述平坦層上，所述底電極填充所述第二過孔，以與所述漏極連接接觸；像素限定層，設(shè)置于所述平坦層和所述底電極上，所述像素限定層中具有將所述底電極的部分暴露的第三過孔；有機(jī)電致發(fā)光組件，設(shè)置于暴露出的所述底電極上；頂電極，設(shè)置于所述有機(jī)電致發(fā)光組件上。

可選地，所述有機(jī)電致發(fā)光組件從所述底電極到所述頂電極順序包括：空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入層。

可選地，所述基板為柔性基板。

可選地，所述底電極或所述頂電極是透明的。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明采用第一柵極和第二柵極并聯(lián)構(gòu)成薄膜晶體管中的柵極，這樣可以降低傳遞柵極信號(hào)的柵極的電阻值，從而減輕信號(hào)傳遞時(shí)rcdelay(rc延遲)的問題。

附圖說明

通過結(jié)合附圖進(jìn)行的以下描述，本發(fā)明的實(shí)施例的上述和其它方面、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，附圖中：

圖1a至圖1o是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制作流程圖。

具體實(shí)施方式

以下，將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，可以以許多不同的形式來實(shí)施本發(fā)明，并且本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為限制于這里闡述的具體實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了解釋本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用，從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各種實(shí)施例和適合于特定預(yù)期應(yīng)用的各種修改。

在附圖中，為了清楚器件，夸大了層和區(qū)域的厚度。相同的標(biāo)號(hào)在整個(gè)說明書和附圖中表示相同的元件。

將理解的是，當(dāng)諸如層、膜或基板等的元件被稱作“在”另一元件“上”時(shí)，該元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。可選擇地，當(dāng)元件被稱作“直接在”另一元件“上”時(shí)，不存在中間元件。

圖1a至圖1o是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制作流程圖。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制作方法包括：

步驟一：參照?qǐng)D1a，提供一基板100。

這里，該基板100可以是柔性基板，也可以是硬質(zhì)的玻璃基板或樹脂基板。此外，該基板100可以是透明的、半透明的或者不透明的。對(duì)于通過基板100觀察有機(jī)電致發(fā)光組件600發(fā)光來說，基板100是透明的或半透明的。對(duì)于不通過基板100觀察有機(jī)電致發(fā)光組件600發(fā)光來說，基板100可以是透明的、半透明的或者不透明的。

步驟二：參照?qǐng)D1b，在基板100上制作形成緩沖層210。這里，作為本發(fā)明的另一實(shí)施方式，緩沖層210可以被省略。也就是說，在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，步驟二可以被省略。

步驟三：參照1c，在緩沖層210上制作形成有源半導(dǎo)體層220。需要說明的是，在緩沖層210被省略，即步驟二被省略之后，有源半導(dǎo)體層220可以直接制作形成于基板100上。有源半導(dǎo)體層220的材料可以為非晶硅或低溫多晶硅或碳納米管或石墨烯或金屬氧化物半導(dǎo)體。

步驟四：參照?qǐng)D1d，在緩沖層210和有源半導(dǎo)體層220上制作形成第一柵極絕緣層231。需要說明的是，在緩沖層210被省略，即步驟二被省略之后，第一柵極絕緣層231制作形成于基板100和有源半導(dǎo)體層220上。

步驟五：參照?qǐng)D1e，在第一柵極絕緣層231上制作形成第一柵極241。

步驟六：參照?qǐng)D1f，在第一柵極絕緣層231和第一柵極241上制作形成第二柵極絕緣層232。

步驟七：參照?qǐng)D1g，在第二柵極絕緣層232中制作形成兩個(gè)第一過孔810，該第一過孔810將第一柵極241的部分暴露，并且這兩個(gè)第一過孔810與即將形成的第二柵極242的兩端分別相對(duì)對(duì)應(yīng)。在本發(fā)明中，并不對(duì)第一過孔810的數(shù)量進(jìn)行具體限定，其可以根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行設(shè)定。

步驟八：參照?qǐng)D1h，在第二柵極絕緣層232上制作形成第二柵極242，該第二柵極242填充兩個(gè)第一過孔810，從而通過這兩個(gè)第一過孔810與第一柵極241連接接觸。

這樣，通過兩個(gè)第一過孔810可以使第一柵極241和第二柵極242并聯(lián)起來，實(shí)際中第一柵極241和第二柵極242并聯(lián)起來共同傳遞柵極信號(hào)，而并聯(lián)后的電阻值為r＝r1*r2/(r1+r2)，其中r1表示第一柵極241的電阻值，r2表示第二柵極242的電阻值，這樣可以降低傳遞柵極信號(hào)的金屬走線的電阻值，進(jìn)而減輕信號(hào)傳遞時(shí)rcdelay(rc延遲)的問題。

步驟九：參照?qǐng)D1i，在第二柵極絕緣層232和第二柵極242上制作形成層間絕緣(ild)層250。

步驟十：參照?qǐng)D1j，在層間絕緣層250上制作形成源極261和漏極262，其中源極261和漏極262分別貫穿層間絕緣層250、第二柵極絕緣層232和第一柵極絕緣層231后分別與有源半導(dǎo)體層220連接接觸。

通過以上的步驟一至步驟十，完成了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的薄膜晶體管的制作。

步驟十一：參照?qǐng)D1k，在層間絕緣層250、源極261和漏極262上制作形成平坦層(pln)300，其中，平坦層300中具有第二過孔820，該第二過孔820將漏極262的部分暴露。

步驟十二：參照?qǐng)D1l，在平坦層300上制作形成底電極400，其中，該底電極400填充第二過孔820，并通過第二過孔820與漏極262連接接觸。

這里，底電極400最通常被設(shè)置為陽極。底電極400也是反光鏡。當(dāng)通過基板100觀察有機(jī)電致發(fā)光組件600發(fā)光時(shí)，底電極400可以由反射性金屬制成，并且應(yīng)該足夠薄以便在發(fā)射光的波長下具有部分透光率，這被稱為是半透明的，或者底電極400可以由透明的金屬氧化物制成，諸如氧化銦錫或氧化鋅錫等。當(dāng)通過頂電極700觀察有機(jī)電致發(fā)光組件600發(fā)光時(shí)，底電極400可以由反射性金屬制成，并且應(yīng)該足夠厚，以使其基本上是不透光的且是全反光鏡。

步驟十三：參照?qǐng)D1m，在平坦層300和底電極400上制作形成像素限定層(pdl)500，其中，像素限定層500中具有第三過孔830，該第三過孔830將底電極400的部分暴露。

步驟十四：參照?qǐng)D1n，在暴露的底電極400上制作形成有機(jī)電致發(fā)光組件600。

作為本發(fā)明的一實(shí)施方式，有機(jī)電致發(fā)光組件600從底電極300到即將形成的頂電極700順序包括：空穴注入層(hil)610、空穴傳輸層(htl)620、發(fā)光層(eml)630、電子傳輸層(etl)640以及電子注入層(eil)650，但本發(fā)明并不限制于此。其中，這些層結(jié)構(gòu)可使用適當(dāng)?shù)牟牧现瞥?，在此不再贅述?/p>

步驟十五：參照?qǐng)D1o，在有機(jī)電致發(fā)光組件600上制作形成頂電極700。

頂電極700最通常被設(shè)置為陰極。頂電極700也是反光鏡。當(dāng)通過頂電極700觀察有機(jī)電致發(fā)光組件600發(fā)光時(shí)，頂電極700可以由反射性金屬制成，并且應(yīng)該足夠薄以便在發(fā)射光的波長下具有部分透光率，這被稱為是半透明的，或者頂電極700可以由透明的金屬氧化物制成，諸如氧化銦錫或氧化鋅錫等。當(dāng)通過基板100觀察有機(jī)電致發(fā)光組件600發(fā)光時(shí)，頂電極700可以由反射性金屬制成，并且應(yīng)該足夠厚，以使其基本上是不透光的且是全反光鏡。

這樣，通過上述的步驟一至步驟十五，完成了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制作。

綜上，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，采用第一柵極和第二柵極并聯(lián)構(gòu)成薄膜晶體管中的柵極，這樣可以降低傳遞柵極信號(hào)的柵極的電阻值，從而減輕信號(hào)傳遞時(shí)rcdelay(rc延遲)的問題。

雖然已經(jīng)參照特定實(shí)施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解：在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。