本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別地涉及一種過孔尺寸與圖形重合精度同點位量測的方法。

背景技術(shù)：

ltps(lowtemperaturepoly-silicon，低溫多晶硅)面板因其制程復雜，圖層疊加后部分圖層無法直接在aa區(qū)(activearea，顯示區(qū)域)，即面內(nèi)進行量測從而獲得當前圖層的過孔尺寸(criticaldimensions，cd)，因此傳統(tǒng)的方法是在aa區(qū)以外，即面外設(shè)置測試區(qū)域(testkey)，即在aa區(qū)以外的當前圖層進行過孔量測，并以此來反推aa區(qū)過孔的尺寸。在進行了量測的過程中，先對所有點位的cd進行量測，然后再對所有點位的重合精度(overlay，ol)進行量測，因此帶來量測時間長、量測效率低的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種過孔尺寸與圖形重合精度同點位量測的方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的量測時間長、量測效率低的技術(shù)問題。

本發(fā)明提供一種過孔尺寸與圖形重合精度同點位量測的方法，包括以下步驟：

s10：在面板上設(shè)置測試區(qū)域；

s20：在所述測試區(qū)域內(nèi)同一點位分別量測過孔的尺寸與圖形的重合精度。

在一個實施方式中，步驟s20包括以下子步驟：

s21：在測試區(qū)域內(nèi)同一點位分別設(shè)置過孔量測位置與圖形重合精度測量位置；

s22：在所述過孔量測位置搜索與目標圖形相匹配的過孔，并測量所述過孔的尺寸；

s23：在所述圖形重合精度測量位置搜索與目標圖形相匹配的圖形，并測量所述圖形的重合精度。

在一個實施方式中，所述過孔量測位置位于顯示區(qū)域之外。

在一個實施方式中，所述過孔的尺寸為過孔的寬度尺寸。

在一個實施方式中，步驟s22中，測量所述過孔的尺寸時，通過線寬測量儀抓取過孔的兩條邊線，并測量兩條邊線之間的距離。

在一個實施方式中，所述圖形的重合精度為當前圖層上的圖形與相應(yīng)的對位層上的圖形在水平方向和豎直方向上的重合精度。

在一個實施方式中，步驟s23中，測量所述圖形的重合精度時，通過線寬測量儀分別抓取當前圖層上圖形的邊線以及相應(yīng)的對位層上的圖形的邊線，并計算兩個圖形的邊線的重合精度。

在一個實施方式中，通過線寬測量儀先抓取當前圖層上圖形的四條邊，后抓取對位層上的圖形的四條邊。

在一個實施方式中，所述測試區(qū)域位于介質(zhì)層、光阻層、金屬層或絕緣層。

在一個實施方式中，所述過測試區(qū)域為一組或兩組。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點在于：

(1)通過采取在測試區(qū)域內(nèi)同一點位分別量測過孔的尺寸與圖形的重合精度的操作步驟，使量測時間大大降低，與傳統(tǒng)的量測方法相比，量測的節(jié)拍時間(tacttime)縮短了一半，因此使量測的效率更高。

(2)通過在測試區(qū)域內(nèi)的同一點位分別設(shè)置過孔量測位置與圖形重合精度測量位置，能夠節(jié)約擺放的空間，提高光掩模板(mask)的利用效率。

(3)由于在同一點位即量測過孔尺寸又量測圖形重合精度，因此還能夠減少線寬測量儀的使用臺數(shù)，并降低在生產(chǎn)過程中機臺的量測加載時間。

附圖說明

在下文中將基于實施例并參考附圖來對本發(fā)明進行更詳細的描述。

圖1為本發(fā)明的實施例中測試區(qū)域的層間結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1所示的過孔量測位置的放大圖；

圖3為圖1所示的圖形重合精度量測位置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明的實施例中測試區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明的實施例中過孔的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明的實施例中當前圖層與對位層的圖形示意圖。

在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標記。附圖并未按照實際的比例繪制。

附圖標記：

1-測試區(qū)域；11-左側(cè)虛擬測試區(qū)；12-右側(cè)虛擬測試區(qū)；

2-過孔量測位置；3-圖形重合精度量測位置；4-介質(zhì)層；

5-光阻層；6-金屬層；7-絕緣層。

具體實施方式

下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步說明。

需要說明的是，本發(fā)明中所提到的方向用語，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“內(nèi)”、“外”、“側(cè)面”等，僅是參考附加圖式的方向，因此，使用的方向用語是為了更好、更清楚地說明及理解本發(fā)明，而不是指示或暗指所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。

如圖1所示，本發(fā)明提供了一種過孔尺寸與圖形重合精度同點位量測的方法，其包括以下步驟：

第一步，在面板上設(shè)置測試區(qū)域1。

進一步地，測試區(qū)域位于介質(zhì)層4(ild)、光阻層5(pln)、金屬層6(bito)或絕緣層7(pv)。

由于上述四個圖層無法直接在aa區(qū)，即面內(nèi)進行量測從而獲得當前圖層的過孔尺寸，因此采取在aa區(qū)以外，即面外設(shè)置測試區(qū)域，即在aa區(qū)以外的當前圖層進行過孔量測，并以此來反推aa區(qū)過孔的尺寸。

可選地，過測試區(qū)域為一組或兩組。

優(yōu)選地，過測試區(qū)域為兩組，如圖1所示，兩組測試區(qū)域分別為位于面板左邊的左側(cè)虛擬測試區(qū)11(leftcddummytestkey)和位于面板右邊的右側(cè)虛擬測試區(qū)12(rightcddummytestkey)，且兩組測試區(qū)域分別關(guān)于面板的豎直方向?qū)ΨQ設(shè)置。通過設(shè)置兩組測試區(qū)域能夠降低量測的時間，提高量測的效率。

第二步，在測試區(qū)域內(nèi)同一點位分別量測過孔的尺寸與圖形的重合精度。

即避免了傳統(tǒng)的量測方法中先對所有點位進行過孔量測后，再對所有的點位進行圖形重合精度量測的操作步驟，而是在同一點位分別量測過孔尺寸與圖形重合精度，能夠大大降低量測的時間，提高量測的效率。

具體地，通過下列子步驟來實現(xiàn)：

首先，在測試區(qū)域內(nèi)同一點位分別設(shè)置過孔量測位置2與圖形重合精度測量位置4。

進一步地，過孔量測位置2與圖形重合精度量測位置3位于同一個視野范圍之內(nèi)。

進一步地，過孔量測位置2位于顯示區(qū)域之外。即上述的量測過程是通過面外量測過孔尺寸的結(jié)果來反推面內(nèi)過孔的真實值。

其次，在過孔量測位置2搜索與目標圖形相匹配的過孔，并測量過孔的尺寸。

在本實施例中，過孔的尺寸為過孔的寬度尺寸。

進一步地，測量過孔的尺寸時，通過線寬測量儀抓取過孔的兩條邊線，并測量兩條邊線之間的距離。

最后，在圖形重合精度測量位置3搜索與目標圖形相匹配的圖形，并測量該圖形的重合精度。

在本實施例中，圖形的重合精度為當前圖層上的圖形與相應(yīng)的對位層上的圖形在水平方向和豎直方向上的重合精度。

進一步地，測量圖形的重合精度時，通過線寬測量儀分別抓取當前圖層上圖形的邊線以及相應(yīng)的對位層上的圖形的邊線，并計算兩個圖形的邊線的重合精度。

進一步地，通過線寬測量儀先抓取當前圖層上圖形的四條邊，后抓取對位層上的圖形的四條邊。

下面以圖4為例，對本發(fā)明的方法進行說明。

如圖4所示，顯示屏有一個測試區(qū)域1。在測試區(qū)域1內(nèi)的同一個點位處，分別設(shè)置有過孔量測位置2和圖形重合精度量測位置3。

首先進行過孔尺寸量測，目標圖形為圖4中虛線內(nèi)的過孔，通過線寬測量儀在過孔量測位置2處搜索到與目標圖形相匹配的過孔后，抓取該過孔的兩條邊線，如圖5所示，隨后量測兩條邊線之間的距離d，即為該過孔的尺寸。

其次進行圖形重合精度量測，目標圖形為圖4中虛線框內(nèi)的圖形；通過現(xiàn)款測量儀在圖形重合精度量測位置3處搜索到與目標圖形相匹配的圖形后，先抓取當前圖層的四條邊，即圖6中較小的矩形框的四條邊(每條邊分別編號為a，b，c，d)，并按照逆時針旋轉(zhuǎn)的順序依次抓取當前圖層的四條邊；隨后抓取對位層的四條邊，即圖6中較大的矩形框的四條邊(每條邊分別編號為a'，b'，c'，d')，也按照逆時針旋轉(zhuǎn)的順序，依次抓取對位層的四條邊；通過分別量測a與a'之間的距離、b與b'之間的距離、c與c'之間的距離、d與d'之間的距離，即可獲得上述圖形重合精度。

此外，可以按照順時針旋轉(zhuǎn)的順序進行抓取，只需保證抓取當前圖層和對位層時的抓取順序一致即可。

雖然已經(jīng)參考優(yōu)選實施例對本發(fā)明進行了描述，但在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對其進行各種改進并且可以用等效物替換其中的部件。尤其是，只要不存在結(jié)構(gòu)沖突，各個實施例中所提的各項技術(shù)特征均可以任意方式組合起來。本發(fā)明并不局限于文中公開的特定實施例，而是包括落入權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有技術(shù)方案。